JP3015476B2 - 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録方法及び光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP3015476B2 JP3015476B2 JP3021431A JP2143191A JP3015476B2 JP 3015476 B2 JP3015476 B2 JP 3015476B2 JP 3021431 A JP3021431 A JP 3021431A JP 2143191 A JP2143191 A JP 2143191A JP 3015476 B2 JP3015476 B2 JP 3015476B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- layer
- magneto
- light beam
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は膜面に垂直な方向に磁
化容易軸を有する光磁気記録層の磁化の向きを情報信号
として記録する光磁気記録方法に関する。
化容易軸を有する光磁気記録層の磁化の向きを情報信号
として記録する光磁気記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】膜面に垂直な方向に磁気容易軸を有する
光磁気記録層に対して光ビームを照射して情報の記録／
再生／消去を行なう光磁気記録技術は、高記録密度、媒
体可換型メモリとして実用化が開始されている。現行の
光磁気記録技術は媒体を光ビームに対して相対的に移動
し、記録時には記録層の記録方向に外部磁界（Ｈex）を
印加して信号変調された記録レベル（ＰW ）のレーザ光
を照射して加熱し、加熱部の記録層保磁力（ＨC ）を低
下させ、ＨC が低下した部分の記録層の磁化（ＭＳ）の
向きをＨexの向きに揃える。また、消去時には記録時と
は逆向きにＨexを印加し、消光レベル（ＰE ）のレーザ
光を照射してやはりＨC を低下させ、ＨC が低下した部
分のＭＳを向きをＨexの向きに揃える。そして、通常Ｐ
W ＝ＰE と設定され、かつ記録時及び消去時のＨexの大
きさは等しく設定される。
光磁気記録層に対して光ビームを照射して情報の記録／
再生／消去を行なう光磁気記録技術は、高記録密度、媒
体可換型メモリとして実用化が開始されている。現行の
光磁気記録技術は媒体を光ビームに対して相対的に移動
し、記録時には記録層の記録方向に外部磁界（Ｈex）を
印加して信号変調された記録レベル（ＰW ）のレーザ光
を照射して加熱し、加熱部の記録層保磁力（ＨC ）を低
下させ、ＨC が低下した部分の記録層の磁化（ＭＳ）の
向きをＨexの向きに揃える。また、消去時には記録時と
は逆向きにＨexを印加し、消光レベル（ＰE ）のレーザ
光を照射してやはりＨC を低下させ、ＨC が低下した部
分のＭＳを向きをＨexの向きに揃える。そして、通常Ｐ
W ＝ＰE と設定され、かつ記録時及び消去時のＨexの大
きさは等しく設定される。
【０００３】また、Ｐw とＰE のパワーレベルを変え
て、記録時、消去時共に向きも大きさも同じＨexを印加
し記録消去を行なうオーバーライト技術が提案されてい
る。この場合通常はＰw ＞ＰE と設定される。
て、記録時、消去時共に向きも大きさも同じＨexを印加
し記録消去を行なうオーバーライト技術が提案されてい
る。この場合通常はＰw ＞ＰE と設定される。
【０００４】ところで、オーバーライトするかどうかに
関わらず、光ビームを所定のトラック上において移動す
る上ではトラッキング信号を得ることが必要であり、通
常、基板上に設けられたプリグルーブもしくはウォブル
ピットからの反射信号をトラッキング信号としている。
関わらず、光ビームを所定のトラック上において移動す
る上ではトラッキング信号を得ることが必要であり、通
常、基板上に設けられたプリグルーブもしくはウォブル
ピットからの反射信号をトラッキング信号としている。
【０００５】しかしながら基板上に予めプリグルーブ、
ウォブルピットを設けることは、製造プロセスの繁雑化
と媒体のコスト上昇につながるので好ましくない。
ウォブルピットを設けることは、製造プロセスの繁雑化
と媒体のコスト上昇につながるので好ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明はこのような
従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、
基板に予めプリグルーブやウォブルピットを設けなくて
も、安定してトラッキングがとれ、特に１ビームパワー
変調オーバーライト動作に有効な光磁気記録方法を提供
することを目的とする。
従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、
基板に予めプリグルーブやウォブルピットを設けなくて
も、安定してトラッキングがとれ、特に１ビームパワー
変調オーバーライト動作に有効な光磁気記録方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明に係る
光磁気記録方法は、第１に、光磁気記録層と磁性補助層
とを具備する光磁気媒体に対し、光ビームを照射して情
報の記録及び消去を行なう光磁気記録方法であって、ト
ラック形成用光ビームのパワーレベルが記録及び消去ビ
ームのパワーレベルよりも高く設定されており、トラッ
ク形成用光ビームが媒体に対して移動する進行方向を＋
方向、＋方向とは逆の方向を−方向とする時、トラック
形成用光ビーム照射時に、光ビ−ム照射部分において記
録層と補助層とが異なる熱分布を形成し、この照射部分
の＋方向側において記録層が感ずる実効磁界の向きが記
録層の記録方向を向いており、−方向側において消去方
向を向いていることを特徴とする。
光磁気記録方法は、第１に、光磁気記録層と磁性補助層
とを具備する光磁気媒体に対し、光ビームを照射して情
報の記録及び消去を行なう光磁気記録方法であって、ト
ラック形成用光ビームのパワーレベルが記録及び消去ビ
ームのパワーレベルよりも高く設定されており、トラッ
ク形成用光ビームが媒体に対して移動する進行方向を＋
方向、＋方向とは逆の方向を−方向とする時、トラック
形成用光ビーム照射時に、光ビ−ム照射部分において記
録層と補助層とが異なる熱分布を形成し、この照射部分
の＋方向側において記録層が感ずる実効磁界の向きが記
録層の記録方向を向いており、−方向側において消去方
向を向いていることを特徴とする。
【０００８】また、第２に、消去用光ビームのパワーレ
ベルが記録用光ビームのパワーレベルよりも高く設定さ
れており、光ビームが媒体に対して移動する進行方向を
＋方向、＋方向とは逆の方向を−方向とする時、消去用
光ビーム照射時に、光ビーム照射部分において前記記録
層と前記補助層とが異なる熱分布を形成し、この照射部
分の＋方向側において記録層が感ずる実効磁界の向き
と、−方向側において記録層が感ずる実効磁界の向きが
逆向きであり、＋方向の実効磁界が記録層の記録方向を
向いていることを特徴とする。また、この発明に係る光
磁気記録媒体は、光磁気記録層と磁性補助層とを具備
し、光ビームを照射して情報の記録を及び消去を行なう
光磁気記録媒体であって、光ビームが媒体に対して移動
する進行方向を＋方向、＋方向とは逆の方向を−方向と
する時、消去用光ビーム照射時に、光ビーム照射部分に
おいて前記記録層と前記補助層とが異なる熱分布を形成
し、この照射部分の＋方向側において記録層が感ずる実
効磁界の向きと、−方向側において記録層が感ずる実効
磁界の向きが逆向きであり、＋方向の実効磁界が記録層
の記録方向を向いていることを特徴とする。
ベルが記録用光ビームのパワーレベルよりも高く設定さ
れており、光ビームが媒体に対して移動する進行方向を
＋方向、＋方向とは逆の方向を−方向とする時、消去用
光ビーム照射時に、光ビーム照射部分において前記記録
層と前記補助層とが異なる熱分布を形成し、この照射部
分の＋方向側において記録層が感ずる実効磁界の向き
と、−方向側において記録層が感ずる実効磁界の向きが
逆向きであり、＋方向の実効磁界が記録層の記録方向を
向いていることを特徴とする。また、この発明に係る光
磁気記録媒体は、光磁気記録層と磁性補助層とを具備
し、光ビームを照射して情報の記録を及び消去を行なう
光磁気記録媒体であって、光ビームが媒体に対して移動
する進行方向を＋方向、＋方向とは逆の方向を−方向と
する時、消去用光ビーム照射時に、光ビーム照射部分に
おいて前記記録層と前記補助層とが異なる熱分布を形成
し、この照射部分の＋方向側において記録層が感ずる実
効磁界の向きと、−方向側において記録層が感ずる実効
磁界の向きが逆向きであり、＋方向の実効磁界が記録層
の記録方向を向いていることを特徴とする。
【０００９】以下、この発明について詳細に説明する。
【００１０】図１はこの発明に係る光磁気記録方法の実
施に用いられる光磁気記録媒体の主要部の一例を示す図
である。この光磁気記録媒体は、記録層１と磁性補助層
２とを備えている。また、参照符号４は媒体へ光ビーム
３を照射した際に光ビームによって昇温している部分を
示す。ここでは、初期磁化の向きが記録層１では下向
き、補助層２では上向きに設定されており、図に示すよ
うに、必要に応じて上向きの外部磁界Ｈexが付与され
る。
施に用いられる光磁気記録媒体の主要部の一例を示す図
である。この光磁気記録媒体は、記録層１と磁性補助層
２とを備えている。また、参照符号４は媒体へ光ビーム
３を照射した際に光ビームによって昇温している部分を
示す。ここでは、初期磁化の向きが記録層１では下向
き、補助層２では上向きに設定されており、図に示すよ
うに、必要に応じて上向きの外部磁界Ｈexが付与され
る。
【００１１】Ｈexは必須のものではなく、本発明をオー
バーライトに適用する場合には必ずしも設けなくて良
い。記録層１と補助層２は交換力を介して結合されてい
ても交換力を介さずに結合されていも構わないが、これ
らの間に熱絶縁層を設けて積極的にレーザ昇温部４にお
ける記録層の熱分布と補助層の熱分布を変えた方が本発
明を実施する上で好ましい。
バーライトに適用する場合には必ずしも設けなくて良
い。記録層１と補助層２は交換力を介して結合されてい
ても交換力を介さずに結合されていも構わないが、これ
らの間に熱絶縁層を設けて積極的にレーザ昇温部４にお
ける記録層の熱分布と補助層の熱分布を変えた方が本発
明を実施する上で好ましい。
【００１２】図２は図１のトラック形成用ビームもしく
は消去ビーム照射時に媒体を光ビーム入射側からみた図
であり、一点鎖線はトラック中心線であり、（ａ）はビ
ーム照射部分を示し、（ｂ）はビームが通過した後の状
態を示す。なお、一点鎖線の上下で対称であるため上側
しか描いていない。（ａ）において、Ａは光ビーム照射
部分であり、一定の熱分布を有している。ＴCSで示した
実曲線は記録層のキューリー温度線を示し、ＴFSで示し
た実曲線は、記録層の磁化固定温度線を示し、Ｈl で示
した破線は、補助層２の磁化（ＭSB）分布に基づいて記
録層に大きな漏洩磁界Ｈlが作用するかしないかの境界
を示すものである（破線の内側では大きなＨl が作用
し、外側ではＨl は殆ど作用しない。図２（ａ）におい
てレーザスポットは右から左へ移動している。すなわち
進行方向は左側であり、左側が＋方向、右側が−方向で
ある。
は消去ビーム照射時に媒体を光ビーム入射側からみた図
であり、一点鎖線はトラック中心線であり、（ａ）はビ
ーム照射部分を示し、（ｂ）はビームが通過した後の状
態を示す。なお、一点鎖線の上下で対称であるため上側
しか描いていない。（ａ）において、Ａは光ビーム照射
部分であり、一定の熱分布を有している。ＴCSで示した
実曲線は記録層のキューリー温度線を示し、ＴFSで示し
た実曲線は、記録層の磁化固定温度線を示し、Ｈl で示
した破線は、補助層２の磁化（ＭSB）分布に基づいて記
録層に大きな漏洩磁界Ｈlが作用するかしないかの境界
を示すものである（破線の内側では大きなＨl が作用
し、外側ではＨl は殆ど作用しない。図２（ａ）におい
てレーザスポットは右から左へ移動している。すなわち
進行方向は左側であり、左側が＋方向、右側が−方向で
ある。
【００１３】記録層１と補助層２が交換結合している場
合にはＨl の他に交換力（Ｈexg ）が作用し、例えば破
線の内側と外側でＨexg の作用する向きが異なってい
る。記録層の磁化方向は図２のＴCS線とＴFS線に囲まれ
た領域５及び６において決定される。なぜならば、ＴCS
線の内側では記録層温度はＴCSよりも高く磁性を失なっ
ているので何も起らず、また、ＴFS線の外側では記録層
の保磁力が充分に立上っており磁化方向が動かないから
である。ＴCS線と等ＴFS線の間では記録層の保磁力（Ｈ
C ）は、 ＨC ＜Ｈeff …（１） を満している。Ｈeff は記録層に作用する実効磁界であ
って、 Ｈeff ＝ＨW ＋Ｈd ＋Ｈex＋Ｈl ＋Ｈexg …（２） と書ける。ＨW は記録層中の５又は６の部分に磁壁が存
在している時に、磁壁エネルギーに起因して記録層に作
用する磁界、Ｈd は記録層の自己反磁界、Ｈexは前記し
た外部磁界、Ｈl は前記した補助層からの漏洩磁界、Ｈ
exg は前記した補助層からの交換力である。記録層１と
補助層２が交換結合していない場合（２）式でＨexg を
考慮する必要はない。Ｈeff が（１）を満たし、かつ
（２）で決定される向きが記録層の記録方向である場合
には、記録層１の磁化（ＭＳ）は記録方向に向き、消去
方向である場合、ＭＳは消去方法を向く。
合にはＨl の他に交換力（Ｈexg ）が作用し、例えば破
線の内側と外側でＨexg の作用する向きが異なってい
る。記録層の磁化方向は図２のＴCS線とＴFS線に囲まれ
た領域５及び６において決定される。なぜならば、ＴCS
線の内側では記録層温度はＴCSよりも高く磁性を失なっ
ているので何も起らず、また、ＴFS線の外側では記録層
の保磁力が充分に立上っており磁化方向が動かないから
である。ＴCS線と等ＴFS線の間では記録層の保磁力（Ｈ
C ）は、 ＨC ＜Ｈeff …（１） を満している。Ｈeff は記録層に作用する実効磁界であ
って、 Ｈeff ＝ＨW ＋Ｈd ＋Ｈex＋Ｈl ＋Ｈexg …（２） と書ける。ＨW は記録層中の５又は６の部分に磁壁が存
在している時に、磁壁エネルギーに起因して記録層に作
用する磁界、Ｈd は記録層の自己反磁界、Ｈexは前記し
た外部磁界、Ｈl は前記した補助層からの漏洩磁界、Ｈ
exg は前記した補助層からの交換力である。記録層１と
補助層２が交換結合していない場合（２）式でＨexg を
考慮する必要はない。Ｈeff が（１）を満たし、かつ
（２）で決定される向きが記録層の記録方向である場合
には、記録層１の磁化（ＭＳ）は記録方向に向き、消去
方向である場合、ＭＳは消去方法を向く。
【００１４】図２（ａ）に示す様な熱分布を形成するこ
とによって、また、適当にＨW、Ｈd、Ｈexを形成するこ
とによって、レーザ進行方向すなわち図２（ａ）の＋方
向側の領域５におけるＨeffの向きと、図２（ａ）の−
方向側の領域６におけるＨeffの向きを、Ｈl又はＨexg
の効果によって逆転させることが可能であり、またその
ように媒体の熱応答特性、媒体の熱磁気特性、動作条件
等も規定する。本発明の目的を効果的に達成するために
は、＋方向側の領域５におけるＨeffは記録方向、−方
向側の領域６におけるＨeffを消去方向としておく。す
なわち、領域５が記録部となり領域６が消去部となる。
このようにすれば、レーザースポット進行に伴って、そ
の進行方向では記録しながら、進行方向とは逆の方向で
は消去することが可能である。
とによって、また、適当にＨW、Ｈd、Ｈexを形成するこ
とによって、レーザ進行方向すなわち図２（ａ）の＋方
向側の領域５におけるＨeffの向きと、図２（ａ）の−
方向側の領域６におけるＨeffの向きを、Ｈl又はＨexg
の効果によって逆転させることが可能であり、またその
ように媒体の熱応答特性、媒体の熱磁気特性、動作条件
等も規定する。本発明の目的を効果的に達成するために
は、＋方向側の領域５におけるＨeffは記録方向、−方
向側の領域６におけるＨeffを消去方向としておく。す
なわち、領域５が記録部となり領域６が消去部となる。
このようにすれば、レーザースポット進行に伴って、そ
の進行方向では記録しながら、進行方向とは逆の方向で
は消去することが可能である。
【００１５】ここで、図２（ａ）に示すように、光ビ−
ム進行方向と垂直な方向において、領域５のほうが領域
６よりも高く設定されている。従って、図２（ｂ）に示
すように、光ビ−ムの進行に伴って帯状の反転領域８が
形成される。これにより、結果としてトラック７が形成
されたこととなる。
ム進行方向と垂直な方向において、領域５のほうが領域
６よりも高く設定されている。従って、図２（ｂ）に示
すように、光ビ−ムの進行に伴って帯状の反転領域８が
形成される。これにより、結果としてトラック７が形成
されたこととなる。
【００１６】帯状の反転領域８はトラッキンググルーブ
として用いることができるので、例えばプリグルーブや
ウォブルピットを有さない基板上に媒体成膜後、高精度
のエアースピンドルモーターをディスク回転用モータと
して用いたトラック形成用装置に媒体を設置し、トラッ
ク形成レベルもしくは消去レベル（ＰE ）の光ビームを
連続的に照射しながら媒体を回転し、光ヘッドをディス
ク半径方向に所望のピッチ（例えば１．５μm ）で送れ
ばコンセントリーク状にもスパイラル状にもトラック７
を形成することができる。実際の光ディスクドライブが
所望のピッチのトラックを形成する上で充分な精度を有
している場合には予めトラックを設けていなくても実際
の光ディスクドライブにおいてトラック形成レベルもし
くはＰE レベルの光ビームを照射すればトラックの形成
は可能である。この場合、トラック形成時のみ回転精度
が要求され、トラック成形後はトラッキングがとれるの
で回転精度は要求されない利点がある。
として用いることができるので、例えばプリグルーブや
ウォブルピットを有さない基板上に媒体成膜後、高精度
のエアースピンドルモーターをディスク回転用モータと
して用いたトラック形成用装置に媒体を設置し、トラッ
ク形成レベルもしくは消去レベル（ＰE ）の光ビームを
連続的に照射しながら媒体を回転し、光ヘッドをディス
ク半径方向に所望のピッチ（例えば１．５μm ）で送れ
ばコンセントリーク状にもスパイラル状にもトラック７
を形成することができる。実際の光ディスクドライブが
所望のピッチのトラックを形成する上で充分な精度を有
している場合には予めトラックを設けていなくても実際
の光ディスクドライブにおいてトラック形成レベルもし
くはＰE レベルの光ビームを照射すればトラックの形成
は可能である。この場合、トラック形成時のみ回転精度
が要求され、トラック成形後はトラッキングがとれるの
で回転精度は要求されない利点がある。
【００１７】図１の媒体をリライタブル（オーバーライ
トではない）として動作する場合、トラック形成レベル
を記録レベル（ＰW ）及び消去レベル（ＰE ）よりも高
く設定し、予めトラック８を形成した後に、例えばＰW
＝ＰE とし、ＰW 照射時にはＴCS線とＴFS線に囲まれた
領域のＨeff が記録層の記録方向に、ＰE 照射時には消
去方向に向くようにＰw 照射時とＰE 照射時のＨexを変
えてやれば良い。
トではない）として動作する場合、トラック形成レベル
を記録レベル（ＰW ）及び消去レベル（ＰE ）よりも高
く設定し、予めトラック８を形成した後に、例えばＰW
＝ＰE とし、ＰW 照射時にはＴCS線とＴFS線に囲まれた
領域のＨeff が記録層の記録方向に、ＰE 照射時には消
去方向に向くようにＰw 照射時とＰE 照射時のＨexを変
えてやれば良い。
【００１８】また、オーバーライト動作する場合には、
Ｐw 照射時もＰE 照射時も同向きで同じ大きさのＨexを
印加し、ＰE ＞Ｐw と設定し、ＰE 照射時の熱分布が図
２（ａ）になるようにしておけば特にトラック形成パワ
ーレベルを設けなくともＰE 光照射でトラック８が形成
できる。
Ｐw 照射時もＰE 照射時も同向きで同じ大きさのＨexを
印加し、ＰE ＞Ｐw と設定し、ＰE 照射時の熱分布が図
２（ａ）になるようにしておけば特にトラック形成パワ
ーレベルを設けなくともＰE 光照射でトラック８が形成
できる。
【００１９】ＰW ＜ＰE なるＰW を照射すると、照射部
分Ｂを図３（ａ）のような熱分布にすることが可能であ
る。この場合、ＴCS線とＴFS線との間の領域全域に亘
り、Ｈeff は記録方向であって、図３（ｂ）のようにト
ラック７内に反転磁区９が形成される。予め消去ビーム
を照射してトラックを形成せずに最初の記録動作からオ
ーバーライト記録した場合には、ＰW 照射時にトラック
７は形成されないので、反転磁区９の周りだけトラック
が切れた状態となるが、それでもトラッキングはとれる
ので、そのようにしてもよい。いずれにしてもパワーレ
ベルの調整により、トラックの形成と、記録（図３）、
消去（図２）が一度に行なわれるので、トラック形成と
オーバーライトとが共に実現する。
分Ｂを図３（ａ）のような熱分布にすることが可能であ
る。この場合、ＴCS線とＴFS線との間の領域全域に亘
り、Ｈeff は記録方向であって、図３（ｂ）のようにト
ラック７内に反転磁区９が形成される。予め消去ビーム
を照射してトラックを形成せずに最初の記録動作からオ
ーバーライト記録した場合には、ＰW 照射時にトラック
７は形成されないので、反転磁区９の周りだけトラック
が切れた状態となるが、それでもトラッキングはとれる
ので、そのようにしてもよい。いずれにしてもパワーレ
ベルの調整により、トラックの形成と、記録（図３）、
消去（図２）が一度に行なわれるので、トラック形成と
オーバーライトとが共に実現する。
【００２０】以上のようにこの発明によれば、トラック
形成用ビームもしくは消去ビーム照射時にビームの進行
方向側の領域では記録条件を満たし、ビームの進行方向
とは逆の方向側の領域では、消去条件を満たすので、予
めプリグルーブやウォブルピットのない場合でもトラッ
クを形成することができる。そして、このような効果
は、リライタブル（オ−バ−ライト）動作でもオーバー
ライト動作でも達成することができる。
形成用ビームもしくは消去ビーム照射時にビームの進行
方向側の領域では記録条件を満たし、ビームの進行方向
とは逆の方向側の領域では、消去条件を満たすので、予
めプリグルーブやウォブルピットのない場合でもトラッ
クを形成することができる。そして、このような効果
は、リライタブル（オ−バ−ライト）動作でもオーバー
ライト動作でも達成することができる。
【００２１】
【実施例】以下この発明の実施例について説明する。図
４はこの実施例で用いた光磁気ディスク媒体の断面構成
図である。図４に示すように、この光磁気ディスクは、
基板１０上に、干渉層１１、記録層１、熱絶縁層１２、
バイアス層（補助磁性層）２、反転防止層１３、及び保
護層１４がこの順に形成されている。
４はこの実施例で用いた光磁気ディスク媒体の断面構成
図である。図４に示すように、この光磁気ディスクは、
基板１０上に、干渉層１１、記録層１、熱絶縁層１２、
バイアス層（補助磁性層）２、反転防止層１３、及び保
護層１４がこの順に形成されている。
【００２２】記録層１、バイアス層２、反転防止層１３
中に夫々描かれた矢印は、各層の初期磁化方向を示して
おり、この実施例では記録層１及び反転防止層１３では
下向き、バイアス層２では上向きになるように初期磁化
方向を設定した。
中に夫々描かれた矢印は、各層の初期磁化方向を示して
おり、この実施例では記録層１及び反転防止層１３では
下向き、バイアス層２では上向きになるように初期磁化
方向を設定した。
【００２３】各層の形成は、例えばマグネトロンスパッ
タ法により実施でき、干渉層９及び熱絶縁層１０の表面
は例えばスパッタエッチング処理を施すのが好ましい。
タ法により実施でき、干渉層９及び熱絶縁層１０の表面
は例えばスパッタエッチング処理を施すのが好ましい。
【００２４】媒体の初期磁化は例えば成膜後の媒体を常
温で磁石を通過することで実現できる。バイアス層２の
初期磁化方向が記録層１、反転防止層１３の初期磁化と
逆向きになっているが、このような初期磁化方向は、例
えば図４で下向きにＨINI １の磁界を印加した後、上向
きに、ＨINI １より小さくバイアス層の反転磁界よりも
大きな磁界ＨINI ２を印加すれば実現できる。
温で磁石を通過することで実現できる。バイアス層２の
初期磁化方向が記録層１、反転防止層１３の初期磁化と
逆向きになっているが、このような初期磁化方向は、例
えば図４で下向きにＨINI １の磁界を印加した後、上向
きに、ＨINI １より小さくバイアス層の反転磁界よりも
大きな磁界ＨINI ２を印加すれば実現できる。
【００２５】記録層１は、反転磁区が形成可能であり、
それが磁気光学効果を用いて信号として検出可能であ
り、また反転磁区が消去し得る材料で形成されていれば
よい。
それが磁気光学効果を用いて信号として検出可能であ
り、また反転磁区が消去し得る材料で形成されていれば
よい。
【００２６】バイアス層２は、その磁化（ＭSB）の温度
特性が、そのキューリー点（ＴCB）以上に加熱された時
に大きな漏洩磁界（Ｈl ）を発生し、ＴCB未満の時はＨ
l を殆んど発生しないような特性、すなわち、常温から
ＴCB未満でなるべくＴCBに近い温度までＭSBの変化が小
さく、ＴCB未満でＴCB近い温度からＴCBへ急激にＭSBが
変化する特性のものが選ばれ、例えばＴＭrich組成のＴ
ｂＦｅＣｏ膜が用いられる。
特性が、そのキューリー点（ＴCB）以上に加熱された時
に大きな漏洩磁界（Ｈl ）を発生し、ＴCB未満の時はＨ
l を殆んど発生しないような特性、すなわち、常温から
ＴCB未満でなるべくＴCBに近い温度までＭSBの変化が小
さく、ＴCB未満でＴCB近い温度からＴCBへ急激にＭSBが
変化する特性のものが選ばれ、例えばＴＭrich組成のＴ
ｂＦｅＣｏ膜が用いられる。
【００２７】反転防止層１３はバイアス層２が反転する
のを防止する目的で設けられているもので、反転防止層
とバイアス層は交換結合されていてもそうでなくても構
わないが、交換結合されている場合は交換力がバイアス
層の保磁力を上まわっていればＨINI １の印加のみで初
期磁化が可能である。なお、交換結合されている方が補
助層の反転防止効果は顕著であるが、交換結合されてい
なくても反転防止層の漏洩磁界によって反転防止効果は
得られる。反転防止層はそれ自体はレーザ照射程度の加
熱では反転しないものが選ばれ、例えば厚膜（１００nm
以上程度）のＣｏ系膜が用いられる。
のを防止する目的で設けられているもので、反転防止層
とバイアス層は交換結合されていてもそうでなくても構
わないが、交換結合されている場合は交換力がバイアス
層の保磁力を上まわっていればＨINI １の印加のみで初
期磁化が可能である。なお、交換結合されている方が補
助層の反転防止効果は顕著であるが、交換結合されてい
なくても反転防止層の漏洩磁界によって反転防止効果は
得られる。反転防止層はそれ自体はレーザ照射程度の加
熱では反転しないものが選ばれ、例えば厚膜（１００nm
以上程度）のＣｏ系膜が用いられる。
【００２８】なお、干渉層１１は、光ビ−ムを照射した
際に多重干渉作用によりカ−回転角をエンハンスする機
能を有しており、保護層１４は記録層１及びバイアス層
２を保護する機能を有している。
際に多重干渉作用によりカ−回転角をエンハンスする機
能を有しており、保護層１４は記録層１及びバイアス層
２を保護する機能を有している。
【００２９】この実施例では記録層１としては２５ｎｍ
厚のＴｂＦｅＣｏ、バイアス層２としては２００ｎｍ厚
のＴｂＦｅＣｏ、基板１０としては１．２ｍｍ厚のガラ
ス、干渉層１１としては１００ｎｍ厚のＳｉ−Ｎ、熱絶
縁層１２としては５ｎｍ厚のＳｉ−Ｎ、反転防止層１３
としては２００ｎｍ厚のＴｂＣｏ、保護層１４としては
２０ｎｍ厚のＳｉ−Ｎを夫々用い、これらをマグネトロ
ンスパッタリング法により成膜した。
厚のＴｂＦｅＣｏ、バイアス層２としては２００ｎｍ厚
のＴｂＦｅＣｏ、基板１０としては１．２ｍｍ厚のガラ
ス、干渉層１１としては１００ｎｍ厚のＳｉ−Ｎ、熱絶
縁層１２としては５ｎｍ厚のＳｉ−Ｎ、反転防止層１３
としては２００ｎｍ厚のＴｂＣｏ、保護層１４としては
２０ｎｍ厚のＳｉ−Ｎを夫々用い、これらをマグネトロ
ンスパッタリング法により成膜した。
【００３０】図５はこのような光磁気ディスクに基板７
側からレーザ移動速度６．６ｍ／ｓでレーザビームを照
射してトラック形成又は消去（トラック形成パワ−又は
ＰE ＝１０mWとした）した際の記録層１とバイアス層２
の熱応答性（もしくはトラック方向の空間分布）を示
し、図６は記録（ＰW＝７．８mWとした）した際の熱応
答性（もしくはトラック方向の空間の空間分布）を示
す。これらの図においてレーザスポットは媒体に対して
右から左へ移動し、左側が＋方向右側が−方向である。
図５、６はレーザ連続照射した際のトラック中心位置ｙ
＝０及びトラックエッジ位置ｙ＝ｙD （ｙD ＝０．３３
７５μm とした）についてトラック方向の任意の位置ｘ
における熱応答特性もしくはある時刻におけるトラック
方向の熱分布を示すものである。実際には記録レーザは
パルス照射されるので、パルスの立上りにおける熱分布
は図５とは異なるが、本発明を説明する上では連続照射
とパルス照射の違いは本質的な差異を生じせしめるもの
ではない。前述のようにバイアス層２はＴCB以上で大き
なＨl を発生しＴCB未満でＨl を殆ど発生しないので、
バイアス層２のＴCB線が図２における等Ｈl 線に代用し
て用いられ、ＴCB線の内側では大きなＨl が作用し、外
側では殆んど作用しないと考えられる。図４のように初
期磁化を設定した場合には、Ｈl は図４の下向きに作用
し、記録層１として常温以上に補償点を有さない組成を
選んだ場合にはＨl は記録層１の消去方向に発生してい
る。
側からレーザ移動速度６．６ｍ／ｓでレーザビームを照
射してトラック形成又は消去（トラック形成パワ−又は
ＰE ＝１０mWとした）した際の記録層１とバイアス層２
の熱応答性（もしくはトラック方向の空間分布）を示
し、図６は記録（ＰW＝７．８mWとした）した際の熱応
答性（もしくはトラック方向の空間の空間分布）を示
す。これらの図においてレーザスポットは媒体に対して
右から左へ移動し、左側が＋方向右側が−方向である。
図５、６はレーザ連続照射した際のトラック中心位置ｙ
＝０及びトラックエッジ位置ｙ＝ｙD （ｙD ＝０．３３
７５μm とした）についてトラック方向の任意の位置ｘ
における熱応答特性もしくはある時刻におけるトラック
方向の熱分布を示すものである。実際には記録レーザは
パルス照射されるので、パルスの立上りにおける熱分布
は図５とは異なるが、本発明を説明する上では連続照射
とパルス照射の違いは本質的な差異を生じせしめるもの
ではない。前述のようにバイアス層２はＴCB以上で大き
なＨl を発生しＴCB未満でＨl を殆ど発生しないので、
バイアス層２のＴCB線が図２における等Ｈl 線に代用し
て用いられ、ＴCB線の内側では大きなＨl が作用し、外
側では殆んど作用しないと考えられる。図４のように初
期磁化を設定した場合には、Ｈl は図４の下向きに作用
し、記録層１として常温以上に補償点を有さない組成を
選んだ場合にはＨl は記録層１の消去方向に発生してい
る。
【００３１】図５、６には図２のＴFS線は明記していな
いがこれは、ＴFS線が、ＨC ＝Ｈeff なる条件で決定さ
れる、すなわち、ＨW 、Ｈd 、Ｈexの関数であるためで
ある。そして、図５、６のＴCS線よりもやや外側にＴFS
線は存在する。図５に示すように、トラック形成パワ−
又はＰE 照射において、記録層の＋方向側にあるＴCS線
とＴFS線の間の領域はＴCB線の外側にあり、−方向側で
はＴCB線の内側にある。故に、ＨW 、Ｈd 、Ｈexを調整
し、ビ−ム照射部分における＋方向側ではＨeff が記録
方向（図４の上向き）、−方向側ではＨeff が消去記録
方向（図４の下向き）とすることが可能である。
いがこれは、ＴFS線が、ＨC ＝Ｈeff なる条件で決定さ
れる、すなわち、ＨW 、Ｈd 、Ｈexの関数であるためで
ある。そして、図５、６のＴCS線よりもやや外側にＴFS
線は存在する。図５に示すように、トラック形成パワ−
又はＰE 照射において、記録層の＋方向側にあるＴCS線
とＴFS線の間の領域はＴCB線の外側にあり、−方向側で
はＴCB線の内側にある。故に、ＨW 、Ｈd 、Ｈexを調整
し、ビ−ム照射部分における＋方向側ではＨeff が記録
方向（図４の上向き）、−方向側ではＨeff が消去記録
方向（図４の下向き）とすることが可能である。
【００３２】また、図６からわかるように、記録時のＨ
exを変えることなく、ＰW 照射時には、ＴCS線とＴFS線
の間の領域全域に亘り、Ｈeff を記録向きにすることが
可能である。
exを変えることなく、ＰW 照射時には、ＴCS線とＴFS線
の間の領域全域に亘り、Ｈeff を記録向きにすることが
可能である。
【００３３】上記した実施例においては、記録層とバイ
アス層（磁性補助層）が交換力を介さずに結合している
例を述べたが、交換結合している場合においてもレーザ
照射時の記録層と補助層の熱分布を変えることができれ
ば本発明は実施可能であり、このような場合、やはり、
Ｈl 線をＴCS線に対して調整しても良いし、またＨl の
代わりもしくはＨl と同時にＨexg を用いてもかまわ
ず、Ｈexg を用いる場合には例えば図２におけるＨl 線
の代わりにＨexg 反転線なるものを用い、Ｈexg 反転線
の内側ではバイアス層が反転していてＨexg が記録層の
消去方向に印加され、一方、外側ではバイアス層が初期
化されていてＨexg が記録層の記録方向に印加されるよ
うにすれば良い。
アス層（磁性補助層）が交換力を介さずに結合している
例を述べたが、交換結合している場合においてもレーザ
照射時の記録層と補助層の熱分布を変えることができれ
ば本発明は実施可能であり、このような場合、やはり、
Ｈl 線をＴCS線に対して調整しても良いし、またＨl の
代わりもしくはＨl と同時にＨexg を用いてもかまわ
ず、Ｈexg を用いる場合には例えば図２におけるＨl 線
の代わりにＨexg 反転線なるものを用い、Ｈexg 反転線
の内側ではバイアス層が反転していてＨexg が記録層の
消去方向に印加され、一方、外側ではバイアス層が初期
化されていてＨexg が記録層の記録方向に印加されるよ
うにすれば良い。
【００３４】また、上記実施例において記録層は希土類
に遷移金属合金材料系より選んだ例を述べたが、本発明
は特に材料には限定されず、例えばＰｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／
Ｃｏ等の多層膜を記録層に用いても良く、垂直磁化膜で
あれば適用可能である。さらに、磁性補助層としては例
えば磁気遮蔽層のような面内磁性膜を選んでも良い。干
渉層、熱絶縁層、保護等の材料にも限定されず、本発明
の実施に必要な熱応答特性が得られるものでどのような
ものでも良い。
に遷移金属合金材料系より選んだ例を述べたが、本発明
は特に材料には限定されず、例えばＰｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／
Ｃｏ等の多層膜を記録層に用いても良く、垂直磁化膜で
あれば適用可能である。さらに、磁性補助層としては例
えば磁気遮蔽層のような面内磁性膜を選んでも良い。干
渉層、熱絶縁層、保護等の材料にも限定されず、本発明
の実施に必要な熱応答特性が得られるものでどのような
ものでも良い。
【００３５】
【発明の効果】この発明によれば、オ−バ−ライトの場
合でも、そうでない場合でも、プリグルーブ、ウォルブ
ピットの予め設けられていないディスクであってもトラ
ッキングをとることができる光磁気記録方法が提供され
る。従って、で媒体のコストを低下することができる。
合でも、そうでない場合でも、プリグルーブ、ウォルブ
ピットの予め設けられていないディスクであってもトラ
ッキングをとることができる光磁気記録方法が提供され
る。従って、で媒体のコストを低下することができる。
【図１】この発明に係る光磁気記録方法の実施に用いら
れる光磁気記録媒体の主要部の一例を示す図。
れる光磁気記録媒体の主要部の一例を示す図。
【図２】この発明に基づいてトラック形成又は消去を行
う際のビ−ム照射部分の等温線を示す図。
う際のビ−ム照射部分の等温線を示す図。
【図３】この発明に基づいて記録を行う際のビ−ム照射
部分の等温線を示す図。
部分の等温線を示す図。
【図４】この発明の実施例に用いた光磁気媒体を示す断
面図。
面図。
【図５】図４の媒体にトラック形成パワ−レベル又は消
去パワ−レベルのレ−ザビ−ムを照射した際の記録層及
びバイアス層の熱応答性を示す図。
去パワ−レベルのレ−ザビ−ムを照射した際の記録層及
びバイアス層の熱応答性を示す図。
【図６】図４の媒体に記録パワ−レベルのレ−ザビ−ム
を照射した際の記録層及びバイアス層の熱応答性を示す
図。
を照射した際の記録層及びバイアス層の熱応答性を示す
図。
１…記録層、２…磁性補助層（バイアス層）、３…光ビ
ーム、４…加熱部、５…記録部、６…消去部、７…トラ
ック、８…帯状反転トラック、９…反転磁区、１０…基
板、１１…干渉層、１２…熱絶縁層、１３…反転防止
層、１４…保護層。
ーム、４…加熱部、５…記録部、６…消去部、７…トラ
ック、８…帯状反転トラック、９…反転磁区、１０…基
板、１１…干渉層、１２…熱絶縁層、１３…反転防止
層、１４…保護層。
Claims (3)
- 【請求項１】 光磁気記録層と磁性補助層とを具備する
光磁気媒体に対し、光ビームを照射して情報の記録及び
消去を行なう光磁気記録方法であって、トラック形成用
光ビームのパワーレベルが記録及び消去光ビームのパワ
ーレベルよりも高く設定されており、トラック形成用光
ビームが媒体に対して移動する進行方向を＋方向、＋方
向とは逆の方向を−方向とする時、トラック形成用光ビ
ーム照射時に、光ビーム照射部分において記録層と補助
層とが異なる熱分布を形成し、この照射部分の＋方向側
において記録層が感ずる実効磁界の向きが記録層の記録
方向を向いており、−方向側において消去方向を向いて
いることを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項２】 光磁気記録層と磁性補助層とを具備する
光磁気媒体に対し、光ビームを照射して情報の記録及び
消去を行なう光磁気記録媒体であって、消去用光ビーム
のパワーレベルが記録用光ビームのパワーレベルよりも
高く設定されており、光ビームが媒体に対して移動する
進行方向を＋方向、＋方向とは逆の方向を−方向とする
時、消去用光ビーム照射時に、光ビーム照射部分におい
て前記記録層と前記補助層とが異なる熱分布を形成し、
この照射部分の＋方向側において記録層が感ずる実効磁
界の向きと、−方向側において記録層が感ずる実効磁界
の向きが逆向きであり、＋方向の実効磁界が記録層の記
録方向を向いていることを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項３】 光磁気記録層と磁性補助層とを具備し、
光ビームを照射して情報の記録及び消去を行なう光磁気
記録媒体であって、光ビームが媒体に対して移動する進
行方向を＋方向、＋方向とは逆の方向を−方向とする
時、消去用光ビーム照射時に、光ビーム照射部分におい
て前記記録層と前記補助層とが異なる熱分布を形成し、
この照射部分の＋方向側において記録層が感ずる実効磁
界の向きと、−方向側において記録層が感ずる実効磁界
の向きが逆向きであり、＋方向の実効磁界が記録層の記
録方向を向いていることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021431A JP3015476B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021431A JP3015476B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04248150A JPH04248150A (ja) | 1992-09-03 |
| JP3015476B2 true JP3015476B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=12054800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3021431A Expired - Fee Related JP3015476B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3015476B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4942619B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-05-30 | 空研工業株式会社 | 吹出口装置 |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP3021431A patent/JP3015476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04248150A (ja) | 1992-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05101471A (ja) | 光磁気記録再生方法 | |
| US5323374A (en) | Method of magneto-optical recording | |
| JPH07311986A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3015475B2 (ja) | 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体 | |
| KR100238692B1 (ko) | 광자기기록매체 | |
| JP2839498B2 (ja) | 光ディスク媒体 | |
| US5422865A (en) | Light modulation method for magneto-optical recording device | |
| JP3015476B2 (ja) | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 | |
| JP2838908B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH0341906B2 (ja) | ||
| JP3078550B2 (ja) | 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体 | |
| JP2828993B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びそれを用いた情報記録方法 | |
| JP3015474B2 (ja) | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 | |
| KR100246003B1 (ko) | 광자기기록매체 및 그 재생방법 | |
| EP0539176B1 (en) | Magneto-optical recording method and magneto-optical memory device | |
| JPH0734272B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2941486B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3055807B2 (ja) | 光磁気媒体 | |
| JP2881240B2 (ja) | 光磁気記録情報担体の情報記録方法 | |
| JP2815122B2 (ja) | 情報記録装置 | |
| JP3057450B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07240039A (ja) | オーバーライト光磁気記録媒体 | |
| JPH0242664A (ja) | 光熱磁気記録媒体並びにその記録装置及びこれらを用いた光熱磁気記録方式 | |
| JPH06349129A (ja) | 光磁気記録方式 | |
| JPH05109134A (ja) | 光磁気デイスク及び光磁気記録再生方式 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |