JPH0734272B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0734272B2 JPH0734272B2 JP60022864A JP2286485A JPH0734272B2 JP H0734272 B2 JPH0734272 B2 JP H0734272B2 JP 60022864 A JP60022864 A JP 60022864A JP 2286485 A JP2286485 A JP 2286485A JP H0734272 B2 JPH0734272 B2 JP H0734272B2
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- JP
- Japan
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- magneto
- optical recording
- recording medium
- groove
- magnetic field
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザ光を用いて情報の記録再生消去をおこな
う光磁気記録媒体に関する。
う光磁気記録媒体に関する。
（従来技術とその問題点） 光ディスクメモリは高密度・大容量・高速アクセスが可
能であるということから、現在の磁気ディスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。
能であるということから、現在の磁気ディスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。
従来より知られている光磁気記録媒体の構成は、第２図
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板１上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはマンガン・ビスマ
ス（MnBi），マンガン・銅・ビスマス（MnCuBi），マン
ガン・チタン・ビスマス（MnTiBi），マンガン・アルミ
ニウム・ゲルマニウム（MnAlGe），白金・コバルト（Pt
Co）などの結晶体磁性薄膜あるいはガドリニウム（G
d），テルビウム（Tb），ジスプロシウム（Dy），ホル
ミウム（Ho）などの希土類と鉄（Fe），コバルト（C
o），ニッケル（Ni）などの希土類とFe,Co,Niなどの遷
移金属との合金として得られるアモルファス磁性薄膜が
知られている。また、第３図に示したように、支持基板
１に深さ600〜1000Å周期1.6〜2.5μｍの溝を同心円状
もしくはうず巻き状に形成し、前記支持基板１上に光磁
気記録層２を形成した媒体構成も知られている。ここで
形成されている溝は、記録媒体への情報の記録、あるい
は再生・消去に用いるレーザー集光ビームのトラッキン
グアクセスに用いられるもである。
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板１上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはマンガン・ビスマ
ス（MnBi），マンガン・銅・ビスマス（MnCuBi），マン
ガン・チタン・ビスマス（MnTiBi），マンガン・アルミ
ニウム・ゲルマニウム（MnAlGe），白金・コバルト（Pt
Co）などの結晶体磁性薄膜あるいはガドリニウム（G
d），テルビウム（Tb），ジスプロシウム（Dy），ホル
ミウム（Ho）などの希土類と鉄（Fe），コバルト（C
o），ニッケル（Ni）などの希土類とFe,Co,Niなどの遷
移金属との合金として得られるアモルファス磁性薄膜が
知られている。また、第３図に示したように、支持基板
１に深さ600〜1000Å周期1.6〜2.5μｍの溝を同心円状
もしくはうず巻き状に形成し、前記支持基板１上に光磁
気記録層２を形成した媒体構成も知られている。ここで
形成されている溝は、記録媒体への情報の記録、あるい
は再生・消去に用いるレーザー集光ビームのトラッキン
グアクセスに用いられるもである。
光磁気記録においては、記録はレーザ光照射と外部磁界
印加による磁化反転ビットの形成によって達成される。
すなわち、光磁気記録層である垂直磁化膜をレーザ光照
射によってキューリ温度以上に昇温し、同時に磁化反転
方向に外部磁界を印加し、磁化反転ビットを形成する。
このとき、レーザ光照射領域の周辺の光磁気記録層が発
生する反磁界はレーザ光照射領域の磁化反転を助ける方
向に働く。
印加による磁化反転ビットの形成によって達成される。
すなわち、光磁気記録層である垂直磁化膜をレーザ光照
射によってキューリ温度以上に昇温し、同時に磁化反転
方向に外部磁界を印加し、磁化反転ビットを形成する。
このとき、レーザ光照射領域の周辺の光磁気記録層が発
生する反磁界はレーザ光照射領域の磁化反転を助ける方
向に働く。
光磁気記録における消去は、記録同様、レーザ光照射と
外部磁界印加によって達成される。このとき外部磁界は
記録時とは逆に初期着磁方向に印加される。ここで、ザ
光照射領域周辺の光磁気記録層が発生する反磁界は、記
録時と同様にレーザ光照射領域の磁化反転を助ける方
向、すなわち消去時の外部磁界印加方向とは逆に働く。
そのために、消去時には記録時よりも絶対値の大きい外
部磁界の印加が必要であるという欠点があった。
外部磁界印加によって達成される。このとき外部磁界は
記録時とは逆に初期着磁方向に印加される。ここで、ザ
光照射領域周辺の光磁気記録層が発生する反磁界は、記
録時と同様にレーザ光照射領域の磁化反転を助ける方
向、すなわち消去時の外部磁界印加方向とは逆に働く。
そのために、消去時には記録時よりも絶対値の大きい外
部磁界の印加が必要であるという欠点があった。
（発明の目的） 本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめ
て、消去時に必要な外部磁界を小さく抑え、かつ良好な
記録再生消去性能を有する新規な光磁気記録媒体を提供
することにある。
て、消去時に必要な外部磁界を小さく抑え、かつ良好な
記録再生消去性能を有する新規な光磁気記録媒体を提供
することにある。
（発明の構成） 本発明によれば、同心円状もしくはうず巻き状の溝を有
する支持基板上に光磁気記録層を設け、前記溝部にレー
ザ光を追従させて情報の記録再生消去をおこなう光磁気
記録媒体において前記溝部以外の領域に設けられた光磁
気記録層の磁化状態が消磁状態であることを特徴とする
光磁気記録媒体が得られる。
する支持基板上に光磁気記録層を設け、前記溝部にレー
ザ光を追従させて情報の記録再生消去をおこなう光磁気
記録媒体において前記溝部以外の領域に設けられた光磁
気記録層の磁化状態が消磁状態であることを特徴とする
光磁気記録媒体が得られる。
（構成の詳細な説明） 本発明は上述の構成をとることにより、従来技術の問題
点を解決した。すなわち光磁気記録媒体のレーザ光追従
用溝部以外の領域を消磁することにより、レーザ光照射
領域周辺部から生じる反磁界が大幅に低減し、消去が容
易となる。本発明にかかる光磁気記録媒体の断面図を第
１図に示す。支持基板１としては通常ポリメチルメタク
リレート、ポリカーボネート、エポキシなどの有機物樹
脂材料を注型法あるいはインジェクション成形法により
構を持つディスク基板に成形したものが用いられる。溝
の形状は溝深さ700Å，溝幅0.8〜1.5μm,溝ピッチ1.6〜
2.5μｍの同心円状あるいはうず巻き状である。また支
持基板１としては反応性エッチング法によって溝を形成
したガラス基板の使用も可能である。構磁気記録層２と
してはガドリニウム（Gd），テルビウム（Tb），ジスプ
ロシウム（Dy），ホルミウム（Ho）などの希土類金属と
鉄（Fe），コバルト（Co），ニッケル（Ni）などの遷移
金属との合金から成るアモルファス磁性薄膜が用いられ
る。たとえば、ガドリニウム・コバルト（GdCo），ガド
リニウム・テルビウム・コバルト（GdTdCo），ガドリニ
ウム・テルビウム・鉄・コバルト（GdTbFeCo），テルビ
ウム・鉄（TbFe），テルビウム・鉄・コバルト（TbFeC
o），テルビウム・ジスプロシウム・鉄・コバルト（TbD
yFeCo），ガドリニウム・テルビウム・鉄（GdTbFe），
ガドリニウム・テルビウム・ジスプロシウム・鉄（GdTb
DyFe），テルビウム・コバルト（TbCo），テルビウム・
ジスプロシウム・コバルト（TbDyCo），テルビウム・鉄
・ニッケル（TbFeNi）などである。
点を解決した。すなわち光磁気記録媒体のレーザ光追従
用溝部以外の領域を消磁することにより、レーザ光照射
領域周辺部から生じる反磁界が大幅に低減し、消去が容
易となる。本発明にかかる光磁気記録媒体の断面図を第
１図に示す。支持基板１としては通常ポリメチルメタク
リレート、ポリカーボネート、エポキシなどの有機物樹
脂材料を注型法あるいはインジェクション成形法により
構を持つディスク基板に成形したものが用いられる。溝
の形状は溝深さ700Å，溝幅0.8〜1.5μm,溝ピッチ1.6〜
2.5μｍの同心円状あるいはうず巻き状である。また支
持基板１としては反応性エッチング法によって溝を形成
したガラス基板の使用も可能である。構磁気記録層２と
してはガドリニウム（Gd），テルビウム（Tb），ジスプ
ロシウム（Dy），ホルミウム（Ho）などの希土類金属と
鉄（Fe），コバルト（Co），ニッケル（Ni）などの遷移
金属との合金から成るアモルファス磁性薄膜が用いられ
る。たとえば、ガドリニウム・コバルト（GdCo），ガド
リニウム・テルビウム・コバルト（GdTdCo），ガドリニ
ウム・テルビウム・鉄・コバルト（GdTbFeCo），テルビ
ウム・鉄（TbFe），テルビウム・鉄・コバルト（TbFeC
o），テルビウム・ジスプロシウム・鉄・コバルト（TbD
yFeCo），ガドリニウム・テルビウム・鉄（GdTbFe），
ガドリニウム・テルビウム・ジスプロシウム・鉄（GdTb
DyFe），テルビウム・コバルト（TbCo），テルビウム・
ジスプロシウム・コバルト（TbDyCo），テルビウム・鉄
・ニッケル（TbFeNi）などである。
これらの光磁気記録層の材料は真空蒸着法、スパッタリ
ング法などの成膜方法により作成される。通常、光磁気
記録層の膜厚は100〜2000Åである。保護膜３としては
酸化物、窒化物、硫化物、半導体、金属などの使用が可
能である。
ング法などの成膜方法により作成される。通常、光磁気
記録層の膜厚は100〜2000Åである。保護膜３としては
酸化物、窒化物、硫化物、半導体、金属などの使用が可
能である。
第１図において記録再生消去用レーザ光５は溝部に集光
される。磁化反転ビットは溝部に形成される。光磁気記
録層２の溝部以外の領域４は、あらかじめ消磁される。
消磁は光磁気記録層２の溝部以外の領域４を一旦キュー
リ温度以上にレーザ光により昇温し、昇温部に働く磁界
をゼロ近傍に設定して冷却することによりおこなう。
される。磁化反転ビットは溝部に形成される。光磁気記
録層２の溝部以外の領域４は、あらかじめ消磁される。
消磁は光磁気記録層２の溝部以外の領域４を一旦キュー
リ温度以上にレーザ光により昇温し、昇温部に働く磁界
をゼロ近傍に設定して冷却することによりおこなう。
（実施例） 溝深さ700Å，溝幅1.5μm,溝ピッチ2.5μｍのうず巻き
状の溝を持つポリメチルメタクリレート基板（120mm直
径、厚さ1.2mm）上にTbFeを1000Å電子ビーム加熱の共
蒸着により形成し、さらに真空を破ることなく、保護膜
としてSiO膜を2000Å抵抗加熱により真空蒸着した。
状の溝を持つポリメチルメタクリレート基板（120mm直
径、厚さ1.2mm）上にTbFeを1000Å電子ビーム加熱の共
蒸着により形成し、さらに真空を破ることなく、保護膜
としてSiO膜を2000Å抵抗加熱により真空蒸着した。
作成した光磁気記録媒体全体を電磁石により一方向に着
磁したのち、波長830nmの半導体レーザを用いた光磁気
ディスク用ヘッドにより線速9m/secにて1MHzの信号を溝
部に記録した。十分な再生信号特性を得るには磁化反転
方向に80Oeの外部磁界印加と4mWの記録パワーが必要で
あった。つづいて前記条件で記録された信号を１トラッ
クにわたり一括消去した。このとき4mWの消去パワーで
消去するには初期着磁方向に270Oeの外部磁界の印加が
必要であった。
磁したのち、波長830nmの半導体レーザを用いた光磁気
ディスク用ヘッドにより線速9m/secにて1MHzの信号を溝
部に記録した。十分な再生信号特性を得るには磁化反転
方向に80Oeの外部磁界印加と4mWの記録パワーが必要で
あった。つづいて前記条件で記録された信号を１トラッ
クにわたり一括消去した。このとき4mWの消去パワーで
消去するには初期着磁方向に270Oeの外部磁界の印加が
必要であった。
次に、作成した光磁気記録媒体全体を電磁石により一方
向に着磁後、光磁気記録媒体の溝以外の領域にレーザ光
が照射されるようにトラッキングをかけた。線速9m/sec
にて4mWのレーザパワーを１周毎に一括照射したとこ
ろ、外部磁界を初期着磁方向に80Oe印加したときレーザ
照射部が消磁されていることが確認できた。つづいて溝
の両側の領域が消磁されている溝部にトラッキングをか
け、1MHzの信号記録をおこなった。十分な再生信号を得
るには磁化反転方向に80Oeの外部磁界印加と4mWの記録
パワーが必要であった。さらにこの条件で記録された信
号を１トラックにわたり消去した。このとき、4mWの消
去パワーで消去するには初期着磁方向に220Oeの外部磁
界印加で十分であった。
向に着磁後、光磁気記録媒体の溝以外の領域にレーザ光
が照射されるようにトラッキングをかけた。線速9m/sec
にて4mWのレーザパワーを１周毎に一括照射したとこ
ろ、外部磁界を初期着磁方向に80Oe印加したときレーザ
照射部が消磁されていることが確認できた。つづいて溝
の両側の領域が消磁されている溝部にトラッキングをか
け、1MHzの信号記録をおこなった。十分な再生信号を得
るには磁化反転方向に80Oeの外部磁界印加と4mWの記録
パワーが必要であった。さらにこの条件で記録された信
号を１トラックにわたり消去した。このとき、4mWの消
去パワーで消去するには初期着磁方向に220Oeの外部磁
界印加で十分であった。
光磁気記録媒体の溝部以外の領域をあらかじめ消磁して
おくことにより消去時に必要な外部磁界を50Oe低減でき
た。
おくことにより消去時に必要な外部磁界を50Oe低減でき
た。
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば従来例と比較して溝
部以外の領域からの反磁界がないので、消去時に必要な
外部印加磁界を低減できるという効果がある。また、本
発明は前述の実施例として示した光磁気記録媒体に限定
されるものではなく、溝を有する光磁気記録媒体すべて
に適用可能である。
部以外の領域からの反磁界がないので、消去時に必要な
外部印加磁界を低減できるという効果がある。また、本
発明は前述の実施例として示した光磁気記録媒体に限定
されるものではなく、溝を有する光磁気記録媒体すべて
に適用可能である。
第１図は本発明の適用された光磁気記録媒体の構成を示
す断面図、第２図、第３図は従来の光磁気記録媒体の構
成を示す断面図である。 図中１……支持基板、２……光磁気記録層、３……保護
膜、４……溝部以外の領域、５……記録再生消去用レー
ザ光である。
す断面図、第２図、第３図は従来の光磁気記録媒体の構
成を示す断面図である。 図中１……支持基板、２……光磁気記録層、３……保護
膜、４……溝部以外の領域、５……記録再生消去用レー
ザ光である。
Claims (1)
- 【請求項１】同心円状もしくはうず巻き状の溝を有する
支持基板上に光磁気記録層を設け、前記溝部にレーザ光
を追従させて情報の記録再生消去をおこなう光磁気記録
媒体において、前記溝部以外の領域に設けられた光磁気
記録層の磁化状態が消磁状態であることを特徴とする光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022864A JPH0734272B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022864A JPH0734272B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182651A JPS61182651A (ja) | 1986-08-15 |
| JPH0734272B2 true JPH0734272B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=12094566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60022864A Expired - Lifetime JPH0734272B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734272B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740381B2 (ja) * | 1985-11-08 | 1995-05-01 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体 |
| US5835469A (en) * | 1990-05-25 | 1998-11-10 | Hitachi, Ltd. | High-density information recording/reproducing method |
| WO1995026548A1 (fr) * | 1994-03-25 | 1995-10-05 | Hitachi, Ltd. | Procede d'enregistrement et de lecture d'informations a haute densite |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830657B2 (ja) * | 1979-10-22 | 1983-06-30 | ケイディディ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPS619850A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の案内トラツク形成方法 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60022864A patent/JPH0734272B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182651A (ja) | 1986-08-15 |
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