JPH0675304B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0675304B2 JPH0675304B2 JP5367785A JP5367785A JPH0675304B2 JP H0675304 B2 JPH0675304 B2 JP H0675304B2 JP 5367785 A JP5367785 A JP 5367785A JP 5367785 A JP5367785 A JP 5367785A JP H0675304 B2 JPH0675304 B2 JP H0675304B2
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- optical recording
- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光を用いて情報の記録再生消去をお
こなう光磁気記録媒体に関する。
こなう光磁気記録媒体に関する。
（従来技術とその問題点） 光デイスクメモリは高密度・大容量・高速アクセスが可
能であるということから、現在の磁気デイスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気デイスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。従来より知られている光磁気記録媒体
の構成は、第９図に示したように支持基板１としてガラ
スあるいは有機物樹脂を用い、支持基板１上に基板に対
して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜から成る光磁気
記録層２を形成したものである。光磁気記録層としては
MnBi,MnCuBi,MnTiBi,MnAlGe,PtCoなどの結晶体磁性薄
膜、あるいはGd,Tb,Dy,Hoなどの希土類とFe,Co,Niなど
の遷移金属との合金として得られるアモルフアス磁性薄
膜が知られている。また、第10図に示したように、支持
基板１に深さ600〜1000Å周期1.6〜2.5μｍの溝11を同
心円状もしくはうず巻き状に形成し、前記支持基板１上
に光磁気記録層２を形成した媒体構成も知られている。
ここで形成されている溝11は、記録媒体への情報の記
録、あるいは再生・消去に用いるレーザ集光ビームのト
ラツキングアクセスに用いられるものである。
能であるということから、現在の磁気デイスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気デイスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。従来より知られている光磁気記録媒体
の構成は、第９図に示したように支持基板１としてガラ
スあるいは有機物樹脂を用い、支持基板１上に基板に対
して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜から成る光磁気
記録層２を形成したものである。光磁気記録層としては
MnBi,MnCuBi,MnTiBi,MnAlGe,PtCoなどの結晶体磁性薄
膜、あるいはGd,Tb,Dy,Hoなどの希土類とFe,Co,Niなど
の遷移金属との合金として得られるアモルフアス磁性薄
膜が知られている。また、第10図に示したように、支持
基板１に深さ600〜1000Å周期1.6〜2.5μｍの溝11を同
心円状もしくはうず巻き状に形成し、前記支持基板１上
に光磁気記録層２を形成した媒体構成も知られている。
ここで形成されている溝11は、記録媒体への情報の記
録、あるいは再生・消去に用いるレーザ集光ビームのト
ラツキングアクセスに用いられるものである。
従来より知られている前述の光磁気記録媒体では、光磁
気記録層２の保磁力は媒体の半径方向に対して一定とな
るように形成されている。そのために、等角速度で媒体
を回転して情報の最適な記録・再生・消去をおこなう場
合、半径位置に応じて記録パワー、再生パワー、消去パ
ワーを変えなければならないという欠点があつた。（た
とえば、川久保ら、電子通信学会技術研究報告MR84-3
9） （発明の目的） 本発明の目的は、前記従来の光磁気記録媒体の欠点を解
決し、簡単な媒体構成により、線速に依存することなく
半径方向に対して一定の最適記録パワー、最適再生パワ
ー、最適消去パワーを有し、良好な記録再生消去性能を
持つ新規な光磁気記録媒体を提供することにある。
気記録層２の保磁力は媒体の半径方向に対して一定とな
るように形成されている。そのために、等角速度で媒体
を回転して情報の最適な記録・再生・消去をおこなう場
合、半径位置に応じて記録パワー、再生パワー、消去パ
ワーを変えなければならないという欠点があつた。（た
とえば、川久保ら、電子通信学会技術研究報告MR84-3
9） （発明の目的） 本発明の目的は、前記従来の光磁気記録媒体の欠点を解
決し、簡単な媒体構成により、線速に依存することなく
半径方向に対して一定の最適記録パワー、最適再生パワ
ー、最適消去パワーを有し、良好な記録再生消去性能を
持つ新規な光磁気記録媒体を提供することにある。
（発明の構成） 上記目的を達成するために、本発明は、レーザ光を用い
て情報の記録再生消去をおこなう光磁気記録媒体におい
て、円板状支持基板と前記円板支持基板上に形成された
光磁気記録層を備え、前記光磁気記録層の保磁力が光磁
気記録媒体の外周部ほど小さくなるようにしたものであ
る。
て情報の記録再生消去をおこなう光磁気記録媒体におい
て、円板状支持基板と前記円板支持基板上に形成された
光磁気記録層を備え、前記光磁気記録層の保磁力が光磁
気記録媒体の外周部ほど小さくなるようにしたものであ
る。
（構成の詳細な説明） 本発明は上述の構成をとることにより、従来技術の問題
点を解決した。以下、本発明の詳細について図面を用い
て説明する。第１図（ａ）は本発明にかかる光磁気記録
媒体の一例を示す断面図である。支持基板１上に光磁気
記録層２が形成された構造である。支持基板１としては
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、エポキ
シなどの有機物樹脂材料あるいはガラスが使用され、第
２図（ａ）のようにレーザビームトラツキング用の溝が
あらかじめ形成されたタイプのものも使用される。
点を解決した。以下、本発明の詳細について図面を用い
て説明する。第１図（ａ）は本発明にかかる光磁気記録
媒体の一例を示す断面図である。支持基板１上に光磁気
記録層２が形成された構造である。支持基板１としては
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、エポキ
シなどの有機物樹脂材料あるいはガラスが使用され、第
２図（ａ）のようにレーザビームトラツキング用の溝が
あらかじめ形成されたタイプのものも使用される。
光磁気記録層２してはGd、Tb、Dy、Ho、Sm、などの希土
類金属とFe、Co、Niなどの遷移金属との合金から成るア
モルフアス磁性薄膜が用いられる。たとえば、GdCo、Gd
TbCo、GdTbFeCo、GdTbSmFeCo、TbFe、TbFeCo、TbDyFeC
o、GdTbFe、GdTbDyFe、TbCo、TbDyCo、TbFeNiなどであ
る。光磁気記録層２の保磁力は第１図（ｂ）及び第２図
（ｂ）に示したように内周から外周に向けて変化してい
る。すなわち、光磁気記録層２は外周部ほど保磁力が小
さくなるように作成されている。これが本発明に係る光
磁気記録媒体の特徴である。光磁気記録層２は真空蒸着
法スパツタリング法などの成膜方法により作成される。
光磁気記録層２の保磁力は第３図のように記録層の組成
によつて大きく変化する。外周に向けて保磁力が小さく
なるように真空蒸着法によつて成膜するには第４図に示
したような２元蒸着装置を用いる。デイスク20をモータ
ー24により回転させながら、遷移金属をソースとする蒸
着源21と希土類金属をソースとする蒸着源22を用いて成
膜する。各蒸着源21、22の位置と蒸着源21、22とデイス
ク20との間に置いたシヤツター23の形状を調整するこに
より半径方向に記録層の組成を変えることができる。ス
パツタリング法による成膜には第５図に示したスパツタ
リング成膜装置を用いる。なお、第４図、第５図で25は
排気系、26は真空室、31は電源、32は導入ガスボンベで
ある。RFスパツタ法、DCスパツタ法、マグネトロンスパ
ツタ法などが採用される。スパツタリングに用いる。タ
ーゲツト30はデイスク20と同等もしくは大きい形状であ
り、第６図（ａ）に示したように希土類金属と遷移金属
の複合型ターゲツトである。
類金属とFe、Co、Niなどの遷移金属との合金から成るア
モルフアス磁性薄膜が用いられる。たとえば、GdCo、Gd
TbCo、GdTbFeCo、GdTbSmFeCo、TbFe、TbFeCo、TbDyFeC
o、GdTbFe、GdTbDyFe、TbCo、TbDyCo、TbFeNiなどであ
る。光磁気記録層２の保磁力は第１図（ｂ）及び第２図
（ｂ）に示したように内周から外周に向けて変化してい
る。すなわち、光磁気記録層２は外周部ほど保磁力が小
さくなるように作成されている。これが本発明に係る光
磁気記録媒体の特徴である。光磁気記録層２は真空蒸着
法スパツタリング法などの成膜方法により作成される。
光磁気記録層２の保磁力は第３図のように記録層の組成
によつて大きく変化する。外周に向けて保磁力が小さく
なるように真空蒸着法によつて成膜するには第４図に示
したような２元蒸着装置を用いる。デイスク20をモータ
ー24により回転させながら、遷移金属をソースとする蒸
着源21と希土類金属をソースとする蒸着源22を用いて成
膜する。各蒸着源21、22の位置と蒸着源21、22とデイス
ク20との間に置いたシヤツター23の形状を調整するこに
より半径方向に記録層の組成を変えることができる。ス
パツタリング法による成膜には第５図に示したスパツタ
リング成膜装置を用いる。なお、第４図、第５図で25は
排気系、26は真空室、31は電源、32は導入ガスボンベで
ある。RFスパツタ法、DCスパツタ法、マグネトロンスパ
ツタ法などが採用される。スパツタリングに用いる。タ
ーゲツト30はデイスク20と同等もしくは大きい形状であ
り、第６図（ａ）に示したように希土類金属と遷移金属
の複合型ターゲツトである。
ここで、ターゲツトの半径方向の希土類金属と遷移金属
の表面積比を第６図（ｂ）のように変化させておくこと
によつて、デイスク上に形成された光磁気記録層の半径
方向の組成を容易に変えることができる。それにより半
径方向の保磁力が変化する。
の表面積比を第６図（ｂ）のように変化させておくこと
によつて、デイスク上に形成された光磁気記録層の半径
方向の組成を容易に変えることができる。それにより半
径方向の保磁力が変化する。
第７図（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれ光磁気記録媒体の
最適記録パワー、最適再生パワー、最適消去パワーと線
速度の関係を示した図である。パラメータとして光磁気
記録層の保磁力（Hc）をとつている。ここで言う最適記
録パワーとは、記録信号に最も忠実に記録ビツトが形成
できる記録パワーである。また最適再生パワーとは再生
信号のC/Nすなわち再生信号レベルと雑音レベルの比が
最も大きくなる再生パワーを言う。さらに最適消去パワ
ーとは最適記録されたビツトを完全に消去できる消去パ
ワーを言う。最適記録パワー、最適再生パワー、最適消
去パワーはいずれも線速が増すと高パワー側にシフトす
る。また、光磁気記録層の保磁力（Hc）が大きいほど、
同じ線速であつても最適となる各パワーは大きくなる。
光磁気記録媒体を等角速度で回転させて用いる場合、半
径位置によつて線速度が大きく変わる。光磁気記録層の
保磁力が半径方向に一様であると、第７図からわかるよ
うに最適な記録パワー、再生パワー、消去パワーを半径
位置に応じて変化させなければならない。この欠点を解
決するために、本発明に係る光磁気記録媒体の光磁気記
録層の保磁力は第１図（ｂ）及び第２図（ｂ）に示した
ように半径方向に変化し、外周部ほど小さくなるように
作成される。
最適記録パワー、最適再生パワー、最適消去パワーと線
速度の関係を示した図である。パラメータとして光磁気
記録層の保磁力（Hc）をとつている。ここで言う最適記
録パワーとは、記録信号に最も忠実に記録ビツトが形成
できる記録パワーである。また最適再生パワーとは再生
信号のC/Nすなわち再生信号レベルと雑音レベルの比が
最も大きくなる再生パワーを言う。さらに最適消去パワ
ーとは最適記録されたビツトを完全に消去できる消去パ
ワーを言う。最適記録パワー、最適再生パワー、最適消
去パワーはいずれも線速が増すと高パワー側にシフトす
る。また、光磁気記録層の保磁力（Hc）が大きいほど、
同じ線速であつても最適となる各パワーは大きくなる。
光磁気記録媒体を等角速度で回転させて用いる場合、半
径位置によつて線速度が大きく変わる。光磁気記録層の
保磁力が半径方向に一様であると、第７図からわかるよ
うに最適な記録パワー、再生パワー、消去パワーを半径
位置に応じて変化させなければならない。この欠点を解
決するために、本発明に係る光磁気記録媒体の光磁気記
録層の保磁力は第１図（ｂ）及び第２図（ｂ）に示した
ように半径方向に変化し、外周部ほど小さくなるように
作成される。
（実施例１） 深さ700Å、幅0.8μｍ、ピツチ2.5μｍのうず巻き状の
溝を有するポリメチルメタクリレート基板（120mm直
径、厚さ1.2mm）上にGdTbFe膜をスパツタリングによつ
て成膜した。成膜には第５図に示した構成のスパツタリ
ング成膜装置を用いた。デイスクは毎分20回転で回転さ
れ、直径170mmの複合型ターゲツト（Gd、Tb、Fe）とデ
イスクとの距離は50mmに設定された。ターゲツトの構成
は第６図と同様であり、中心付近での希土類金属とFeと
の表面積比は0.40、外周での表面積比は0.38とした。２
×10-7Torr以下に排気後、アルゴンガス圧を１×10-2To
rrに設定し、５分間のスパツタをおこなつた。
溝を有するポリメチルメタクリレート基板（120mm直
径、厚さ1.2mm）上にGdTbFe膜をスパツタリングによつ
て成膜した。成膜には第５図に示した構成のスパツタリ
ング成膜装置を用いた。デイスクは毎分20回転で回転さ
れ、直径170mmの複合型ターゲツト（Gd、Tb、Fe）とデ
イスクとの距離は50mmに設定された。ターゲツトの構成
は第６図と同様であり、中心付近での希土類金属とFeと
の表面積比は0.40、外周での表面積比は0.38とした。２
×10-7Torr以下に排気後、アルゴンガス圧を１×10-2To
rrに設定し、５分間のスパツタをおこなつた。
膜厚は半径方向に均一であり1000Åであつた。保磁力は
第２図（ｂ）のように半径方向に変化している。半径29
mmでの保磁力は3.5KOe、半径58mmでの保磁力は1.5KOeで
あつた。
第２図（ｂ）のように半径方向に変化している。半径29
mmでの保磁力は3.5KOe、半径58mmでの保磁力は1.5KOeで
あつた。
次に、作成した光磁気記録媒体を用いて情報の記録再生
消去をおこなつた。媒体を毎秒30回転で回転し、記録再
生消去をおこなつたところ、半径29mmから58mmにおいて
最適な記録パワー、再生パワー、消去パワーはそれぞれ
一定であり、良好な記録再生消去ができた。
消去をおこなつた。媒体を毎秒30回転で回転し、記録再
生消去をおこなつたところ、半径29mmから58mmにおいて
最適な記録パワー、再生パワー、消去パワーはそれぞれ
一定であり、良好な記録再生消去ができた。
（実施例２） 実施例１で用いたものと同じ基板上に、まず保護膜とし
てSi3N4膜をSiをターゲツトとする反応性スパツタリン
グにより成膜した。膜厚は内周から外周にかけて一様に
700Åとなるようにした。つづいて実施例１と同様の手
法でGdTbFe膜を1000Å厚に成膜した。膜の保磁力は半径
29mmで3.5KOe、半径58mmで1.5KOeであつた。さらにつづ
いてGdTbFe膜上に保護膜として、2000Å厚のSi3N4膜を
反応性スパツタリングにより成膜した。本実施例にもと
づく光磁気記録媒体の断面図は第８図のようになる。
てSi3N4膜をSiをターゲツトとする反応性スパツタリン
グにより成膜した。膜厚は内周から外周にかけて一様に
700Åとなるようにした。つづいて実施例１と同様の手
法でGdTbFe膜を1000Å厚に成膜した。膜の保磁力は半径
29mmで3.5KOe、半径58mmで1.5KOeであつた。さらにつづ
いてGdTbFe膜上に保護膜として、2000Å厚のSi3N4膜を
反応性スパツタリングにより成膜した。本実施例にもと
づく光磁気記録媒体の断面図は第８図のようになる。
本実施例では保護膜３、３′を付加したことにより実施
例１に比べて大幅に耐候性を向上することができた。次
に、作成した光磁気記録媒体を毎秒30回転で回転させ、
情報の記録再生消去をおこなつた。半径29mmから58mmに
おいて最適となる記録パワー、再生パワー、消去パワー
はそれぞれ一定であり、良好な記録再生消去特性が得ら
れた。
例１に比べて大幅に耐候性を向上することができた。次
に、作成した光磁気記録媒体を毎秒30回転で回転させ、
情報の記録再生消去をおこなつた。半径29mmから58mmに
おいて最適となる記録パワー、再生パワー、消去パワー
はそれぞれ一定であり、良好な記録再生消去特性が得ら
れた。
（発明の効果） 以上、説明したように本発明によれば従来例と比較して
次のような効果がある。
次のような効果がある。
等角速度回転での使用において、光磁気記録媒体の
半径方向に対して最適な記録パワー、再生パワー、消去
パワーが一定となるように媒体設計されているので、従
来例のように半径位置に応じて各パワーを変える必要が
なく、装置構成を簡略化できる。
半径方向に対して最適な記録パワー、再生パワー、消去
パワーが一定となるように媒体設計されているので、従
来例のように半径位置に応じて各パワーを変える必要が
なく、装置構成を簡略化できる。
本発明は等角速度回転で用いる光磁気記録媒体すべ
てに適用できる。すなわち、本発明の実施例に制約され
ることなく、種々の光磁気記録材料を用いた種々の構成
の光磁気記録媒体に適用できる。
てに適用できる。すなわち、本発明の実施例に制約され
ることなく、種々の光磁気記録材料を用いた種々の構成
の光磁気記録媒体に適用できる。
第１図（ａ）、（ｂ）及び第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明の適用された光磁気記録媒体の構成例を示す断面図と
半径方向の保磁力分布を示す図、第３図は光磁気記録層
の保磁力と組成の関係を示す図、第４図は本発明にかか
る光磁気記録媒体の作成に用いる蒸着装置の概略図、第
５図は本発明にかかる光磁気記録媒体の作成に用いるス
パツタリング成膜装置の概略図、第６図（ａ）、（ｂ）
はスパツタリングに用いるターゲツトの構成図、第７図
は（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は光磁気記録媒体の最適記録
パワー、最適再生パワー、最適消去パワーと線速度との
関係を示した図、第８図は本発明にかかる一実施例の断
面図である。第９図、第10図は従来の光磁気記録媒体の
構成を示す断面図である。 図中、１……支持基板、２……光磁気記録層、 ３、３′……保護膜、11……溝、20……デイスク、 21、22……蒸着源、23……シヤツター、30……ターゲツ
ト、 40……遷移金属ターゲツト、 41……希土類金属ターゲツトである。
明の適用された光磁気記録媒体の構成例を示す断面図と
半径方向の保磁力分布を示す図、第３図は光磁気記録層
の保磁力と組成の関係を示す図、第４図は本発明にかか
る光磁気記録媒体の作成に用いる蒸着装置の概略図、第
５図は本発明にかかる光磁気記録媒体の作成に用いるス
パツタリング成膜装置の概略図、第６図（ａ）、（ｂ）
はスパツタリングに用いるターゲツトの構成図、第７図
は（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は光磁気記録媒体の最適記録
パワー、最適再生パワー、最適消去パワーと線速度との
関係を示した図、第８図は本発明にかかる一実施例の断
面図である。第９図、第10図は従来の光磁気記録媒体の
構成を示す断面図である。 図中、１……支持基板、２……光磁気記録層、 ３、３′……保護膜、11……溝、20……デイスク、 21、22……蒸着源、23……シヤツター、30……ターゲツ
ト、 40……遷移金属ターゲツト、 41……希土類金属ターゲツトである。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザ光を用いて情報の記録再生消去をお
こなう光磁気記録媒体において、円板状支持基板と前記
円板状支持基板上に形成された光磁気記録層を備え、前
記光磁気記録層の保磁力が光磁気記録媒体の外周部ほど
小さくなっていることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5367785A JPH0675304B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5367785A JPH0675304B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61211851A JPS61211851A (ja) | 1986-09-19 |
| JPH0675304B2 true JPH0675304B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=12949450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5367785A Expired - Lifetime JPH0675304B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675304B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253848A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体 |
| DE4008075A1 (de) * | 1990-03-14 | 1991-09-19 | Basf Ag | Magnetooptische datenplatte |
| JP2786360B2 (ja) * | 1991-12-05 | 1998-08-13 | シャープ株式会社 | 光磁気ディスク |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP5367785A patent/JPH0675304B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61211851A (ja) | 1986-09-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |