JPS62277644A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類
−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜を記録層とする光
磁気ディスクに係り、特に記録および再生時に一定角速
度回転方式により駆動される光磁気ディスクに関する。

（従来の技術） 希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜（以下、Ｒ
Ｅ　−ＴＭＩＩと略記する）の垂直磁化膜を記録層とし
、その磁気光学効果、特に極力−効果を利用して再生を
行なう光磁気ディスクは、書替え可能型光記録媒体とし
て有望視され、実用化が期待されている。光磁気ディス
クは既に実用化されているＴｅ−Ｃ！！！１等を記録層
とした一回書込み・消去不能型の光ディスクに比べて、
消去および反復記録が可能という大きな長所を有する反
面、記録・消去に際して大きなマグネットを必要とする
ので、光学ヘッドのｆＪｆｆｉが増え、アクセス速度が
遅くなるという短所を有している。

ところで、光ディスクの駆動方式は周知のように、一定
角速度回転方式（以下、ＣＡＶ方式という）と、一定線
速度回転方式（以下、ＣＬＶ方式という）の２種類が実
用化されている。ＣＬＶ方式ではディスク外周側と内周
側とで記録密度を一定にできるので、外周側はど記録密
度が低下するＣＡＶ方式に比べて記録容量の点では有利
であるが、光学ヘッドとディスクとの相対位置関係に応
じてディスクの回転速度を変化させる必要があるので、
ディスク駆動装置の構成が？！雑化しアクセス速度が遅
くなる。また、ビデオディスクのような動画メモリ等で
要求されるスチル、倍速、スロー等の特殊再生が困難と
なる。従って、ＣＬＶ方式は文書ファイルメモリに、ま
たＣＡＶ方式はコードデータファイルメモリや動画メモ
リに各々適している。

光磁気ディスクにおいても、駆動方式はメモリとしての
応用分野によってＣＬＶ、ＣＡＭ両方式を任意に選択で
きるが、光学ヘッドの重色増大のためアクセス速度が遅
いという光磁気ディスクの短所を補なう上では、ＣＡＶ
方式の採用が好ましい。

しかしながら、ＣＡＶ方式で光磁気ディスクを駆動する
と、記録レーザパワー、記録用磁界、記録周波数を一定
にして記録した場合、１記録ビツトを形成するのに必要
なＲＥ−７Ｍ膜へのレーザビームの供給エネルギー密度
が、ディスクの内周側では大きく、外周側では小さくな
る。この結果、記録感度の変動や、記録ビット形状のバ
ラツキによる再生Ｃ／Ｎ　（再生信号のキャリア・ノイ
ズ比）の変動が生じる。記録レーザパワー、記録用磁界
。

記録周波数等の制御によりＲＥ−ＴＭＩＩへの供給エネ
ルギー密度を一定に保つことは、システムを複雑化する
ので好ましくない。

（発明が解決しようとする問題点） このように光磁気ディスクをＣＡＶ方式で駆動すると、
記録感度および再生Ｃ／Ｎの変動が生じ易いという問題
があった。

従って本発明は、記録および再生時にＣＡＶ方式で駆動
された場合、ディスク全面にわたって記録感度および再
生Ｃ／Ｎを一様にできる光磁気ディスクを提供すること
を目的とする。

〔発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、ＲＥ−７Ｍ膜を記録層とし、記録および再生
時にＣＡＶ方式により駆動される光磁気ディスクにおい
て、記録層中の希土類（ＲＥ）の成分比をディスク半径
方向に沿って内周側から外周側へ向けて一様に減少させ
ることによって上記問題点を解決するものである。

（作用） ＲＥ−ＴＭ躾からなる記録層の記録閾値温度は膜組成に
依存し、希土類（ＲＥ）の成分比が大きいほど記録閾値
温度は高くなる。従って、記録層中の希土類成分比がデ
ィスク半径方向に沿って内周側から外周側へ向けて一様
に減少している本発明の構成によれば、１記録ビット形
成時にレーザビームによるＲＥ−ＴＭＩＩへの供給エネ
ルギー密度が相対的に大きくなる内周側では記録＠直湿
度が相対的に増加（記録感度が低下）し、供給エネルギ
ー密度が相対的に小さくなる外周側では記録量ｌｉ１温
度が相対的に減少（記録感度が上昇）する。これによっ
て記録感度および記録ビット形状（再生Ｃ／Ｎ　）が−
株化される。

（実施例） 第１図は本発明の一実繍例に係る光磁気ディスクの構成
図であり、ディスク状の透明樹脂基板１は、例えば直径
１３０１１Ｉｌ、厚さ１．２　ｍのエポキシ基板からな
り、ディスク半径ｒｄ−２，９ｃｍ〜６．１１の範囲に
ピッチ１．６μｍのスパイラル状のガイドグループが設
けられたものであり、その上に透明干渉層２として例え
ば膜厚１５０ｒｖのＳｉＮ躾が設けられ、その上にＲＥ
−ＴＭＩＩＩ、例えば膜厚２５ｎｌのＴｂＣｏ１１から
なる記録層３が形成されている。そして、この例では記
録層３の上にさらに、例えば膜厚１００ｎａ＋の５ｉＮ
ＩＩからなる第２干渉層４および膜厚５０ｎｉのＡｊ２
膜からなる光反射１！！ｉ５が順次積層されている。

ここで、記録層３であるＴｂＣｏ膜の組成は、第２図に
示したように希土類であるＴｂの組成比がディスクの半
径方向に沿って内周側から外周側へ向けて一様に減少す
る組成となってい゛る。第２図に示したＴｂＣｏ膜の組
成分布は、第１図の構造の光磁気ディスクにおける記録
層３を形成するのと全く同じ条件でｒｄ　＝　２〜３ｃ
ｍ、　３〜４ｃｍ。

４〜５　ｃｍ　、　５〜６　ｃｐｓ　、　６〜７　ｃｒ
ｔｒの５枚の同心円環状ガラス基板上に、分析精度を上
げるために２５０ｎｌのＴ　ｂ　ＣＯＩＩＩを形成し、
各同心円環毎にＩＣＰ発光分光法でＴｂとｃｏの質量を
測定して得たものである。

この構造の光磁気ディスクは、以下の手順で作製するこ
とができた。基板１としてエポキシ基板を用意し、Ｔｂ
、Ｃｏ、Ｓ　ｉｑ　Ｎ４　、ＡＱ、の４元ターゲットを
有するスパッタ装置内の基板ホルダに設置し、Ｔｂター
ゲットの３　ｃｍ上方に、第２図のように基板内周側か
ら外周側に向けてＴｔ）の組成比が減少するようにマス
クを設けた。スパッタ装置内部を排気後５　ｍ　Ｔ　ｏ
ｒｒのＡｒガスを導入し、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットにｓｏ
ｏｗのＲＦパワーを印加して、基板ホルダを回転させな
がら２０分間にわたり透明干渉ｌ！２としての５ｉＮｌ
ｌＩを形成した。

次に、真空排気してから５　ｍ　Ｔ　ｏｒｒのＡｒガス
を再導入した後、Ｔｂターゲッ１−とＣＯツタ−ットに
同時にＤＣ電力を印加して２元同時スパッタリングを行
ない、膜厚２５ｒｖのＴｂＣ０ＩＩｌ、すなわち記録層
３を形成した。この場合、マスクの設置の仕方で記録層
３の組成分布を適宜調整することができる。

次に、Ｓｉ３Ｎ＋ターゲツトに５００ＷのＲＦパワーを
印加し、！！厚？０ＯｎｉのＳｉＮ躾、すなわち第２干
渉１４を形成した。次いで、Ａｕターゲットに３００Ｗ
のＲＦパワーを投入し、膜厚５０ｎｍのＡｆｆｉｌ、す
なわち光反射層５を形成して、第１図に示した構造の光
磁気ディスクを得た。

第１図に示した光磁気ディスクの動特性（記録再生特性
）の評価を第１表に示した仕様のディスク駆動装置によ
って行なった。

第１表 その評価結果を第３図に示す。第３図に示されるように
、本発明に係る光磁気ディスクはＣＡＶ方式のディスク
駆動装置を用いて記録エリア内で極めて安定した記録感
度および再生Ｃ／Ｎが得られた。この理由は次のように
説明することができる。

第４図は静的に評価したＴｂＣｏ膜の組成と記録閾値温
度との関係を示す図である。光磁気ディスクにおけるＲ
Ｅ−ＴＭ膜への記録ビットの形成は、膜面へレーザビー
ムを照射し、照射部を加熱することにより照射部の膜保
磁力を減少させるとともに、その減少した膜保磁力より
も大きな外部磁界（マグネットの軽信化の要求から≦数
百Ｏｅが適当である）を印加することによって、照射部
の磁化の向きを選択的に反転させることで達成される。

従って、記録閾値温度は膜の保…−力が外部磁界強度よ
りも小さくなる１１１１度で定義することができる。な
お、ＲＥ−ＴＭ膜はＴｂＦｅ膜に代表されるキューリ一
点記録系の材料と、Ｇｄ　Ｃ０膜に代表される７ＩＩｌ
点記録系の材料とに分類されるが、上記した記録間’ｒ
ｉｍ度の定義はＲＥ−ＴＭ膜がキューリ一点記録系材料
および補償点記録系材料のいずれの場合も成立つ。キュ
ーリ一点記録系材料において記録温度がキューリ一温度
といわれているのは、記録閾値温度とキューリ一温度と
が極めて近いためである。そこで、本発明ではキューリ
一点記録系材料については記録間ｉ温度としてキューリ
一温度を便宜上使用する。因みにＴｂＣｏ１１は補償点
記録系材料である。第４図においては外部磁界強度とし
て４０００ｅを仮定し、膜の保磁力が４０００８に低下
する温度を記録閾値温度としている。

第４図のデータは次のようにして得られた。、酸化膜付
き８１基板上に組成の異なるＴｂＣｏＦＪを各々１１０
０ｎ形成し、全て　１００ｎｆｆｌ厚の５ｉＮＦオーバ
ーコートしたサンプルを１つずつサンプル加熱用ヒータ
の付いたカーヒステリシスループ測定用マグネットに設
置した。そして、サンプル面からＨｅ−Ｎｅレーザから
のレーザビームを照射してカーヒステリシスループの温
度特性を測定し、その結果から保磁力とＴｂＣ０ｍの温
度との関係をプロットし記録＠ｌＩ温度ｔｔｈを導出し
て、記録量ｌ！温度ｔｔｈとＴｂ組成比との関係をプロ
ットした。

第２図と第４図とから、本発明の光磁気ディスクのディ
スク半径ｒｄと、その半径位置における記録閾値温度ｔ
ｔｈとの関係を表わしたのが第５図である。これより記
録閾値温度ｔｔｈは、ディスク内周側から外周側へ向け
て一様に減少していることがわかる。

一方、第６図は１記録ビツトの形成に必要なレーザビー
ムの供給エネルギー密度Ｅとディスク半径ｒｄとの関係
を示す図である。Ｅは次式（＋）（２）より導出した。

Ｅ−Ｐ−ｔｐ／（（πｄ２／４）＋６℃）・・・・・・
（１） Ｉ！、−２７（ｒｄ　ｌ／Ｘｔｌ）　　　　　　　　”
’・（２）但し、Ｐ：記録レーザパワー、ｔｐ：記録用
レーザビーム照射時間、ｄ：レーザスポット直径、Ｃ：
時間１０におけるディスク移動距離、ｒｄ　：ディスク
半径、シ：ディスク回転速度である。

（ＩＯ２）式に第１表からシー２０ｒｐｓ　　（１２０
０ｒｐＨ＞　。

ｔ　ｐ　−４ｏｏｎｓｅｃ　（平均値）、　Ｐ−５ｍＷ
、ｄ−１，３μｍを代入すれば、第６図が得られる。

第６図に示されるように、ＣＡＶ方式では記録用レーザ
ビームの供給エネルギー密度はディスク半径ｒｄの関数
となる。従って、一様な膜厚の光磁気ディスクではディ
スク内周側が高感度に、外周側が低感度になる。

これに対し、本発明の光磁気ディスクのように、記録層
３における希土類成分比を変えて記録閾値温度を内周側
から外周側へ向けて一様に減少させれば、内周側では記
録層３が相対的に低感度化され、外周側では高感度化さ
れる。従って、ディスク半径方向において記録感度が一
様になり、また記録ビットの形状（大きさ）も一様とな
るので、再生Ｃ／Ｎも一様となる。

上述した本発明による光磁気ディスクの効果をより明ら
かにするため、従来技術に基づく光磁気ディスクを試作
し、同一のディスク駆動装置を用いて評価した。試作し
た従来技術に基づく光磁気ディスクは、記録層の組成を
除いて第１図と同様の構成とし、記録層であるＴｂＣ０
膜の組成をディスク半径ｒｄ−３〜６αの記録エリア内
で丁ｂ　２３Ｃｏ　７７　（±ｏ、ｓ　ａｔ０％）一定
とした。このような光磁気ディスクは実施例で述べたと
同じ２元同時スパッタリング法において組成分布を制御
するためのマスクを取除き、ＴｂターゲットおよびＣｏ
ターゲットを基板から見て全く対称となるように配置す
ることによって得られる。

この従来技術に基づく光磁気ディスクについて、第１表
に示した仕様の駆動装置を用いて記録再生特性を評価し
た結果を第７図に示す。第７図から明らかなように、従
来技術に基づく光磁気ディスクをＣＡＶ方式で駆動した
場合、記録［Ｉレーザビ−ｐｔｈは外周側に移行するに
従い増加し、同じ記録パワーで記録した後に再生Ｃ／Ｎ
を測定すると、外周側に移行するに従って再生Ｃ／Ｎが
低下することがわかる。

なお、上記実施例では記録層を構成するＲＥ−丁Ｍ　Ｉ
ｌｌとしてＴ　ｂ　Ｃｏ　１ｍを用いた場合について）
ホべたが、他のＲＥ　−ＴＭＩＩＩを用いた場合にも、
本発明は有効である。第８図はＴｂＣｏＦｅ系キューリ
一点記録膜のＴｂ組成比Ｘとキューリ一温度ｔｃとの関
係を示す図である。前述した如く、キューリ一点記録系
材料の場合の記録閾値温度ｔｔｈはほぼキューリ一温度
ｔｃに等しいが、第８図からキューリ一点記録系材料に
おいても希土類組成比の増加に従って記録閾値温度ｔｔ
ｈが増加することがわかる。

一例として記録エリア内でＴｂ２３（Ｃｏ２０Ｆｅ８０
）　７７の一定組成の記録層を持つ光磁気ディスクを試
作し、同様に第１表の仕様の駆動装置で記録再生特性を
評価した結果を第９図に示す。第７図に示したＴｂＣｏ
１１ｉを記録層とする光磁気ディスクに比べてディスク
半径依存性は小さいものの、やはりディスク内周側から
外周側に向けて記録閾値レーザーパワーｐｔｈは増加し
再生Ｃ／Ｎが低下していることがわかる。

一方、本発明に基づいて第１０図に示される組成分布を
持つＴｂＣｏＦｅ１ｌ！を特徴とする特許気ディスクを
試作し、同様に記録再生特性を評価した結果、第３図に
示したと同様の安定した特性（Ｐｔｈ−２，５ｍＷ、Ｃ
／Ｎ＝４９ｄＢ、ｒｄ　−３７６ｍ）が得られた。

次に、本発明の他の実施例を説明する。本実施例は、Ｒ
Ｅ−ＴＭ膜からなる記録層を有し、記録および再生時に
ＣＡＶ方式により駆動される光磁気ディスクにおいて、
配録層の膜厚をディスク半径方向に沿って内周側から外
周側へ向けて一様に減少させることによって従来の問題
点を解決するものである。ＲＥ−ＴＭＩｌからなる記録
層はレーザビームが照射された際に数百度程度に高温化
され、その高温化されたレーザビーム照射部から常温近
傍に保持されている非照射部への、面内方向における熱
の拡散が生じる。この熱拡散効果は記録層の膜厚の二乗
にほぼ比例するから、上記のように記録層の膜厚をディ
スク半径方向に沿って内周側から外周側に向けて一様に
減少させると、１記録ビット形成時にレーザビームによ
るＲＥ−ＴＭ膜への供給エネルギー密度が相対的に大き
くなる内周側では記録閾値温度が相対的に増加（記録感
度が低下）し、供給エネルギー密度が相対的に小さくな
る外周側では記録量！温度が相対的に減少（記録感度が
上昇）する。これによって記録感度および記録ビット形
状（再生Ｃ／Ｎ　）が−株化される。

第１１図は上述した本発明の他の実施例に係る光磁気デ
ィスクの構成図であり、ディスク状の透明樹脂基板１１
、例えばピッチ２μｍのスパイラル状のガイドグループ
が設けられているポリカーボネイト基板上に、ＲＥ−Ｔ
ＭＩＩとして例えばＴｂＣｏ膜からなる記録層１２が形
成され、その上に透明干渉層１３として例えば膜厚１１
００ｎのＳ　ｉ　Ｎｉｌが設けられている。さらに、透
明干渉層１３の上に例えば膜厚５０ｎｍのＡ℃膜からな
る光反射層１４が形成されている。

ここで、記録層１２は第１１図右方の拡大断面図および
第１２図に示したように、少なくとも記録エリアにおけ
る膜厚が、ディスクの半径方向に沿って内周側から外周
側へ向けて一様に減少している。

この構造の光磁気ディスクは、以下の手順で作製するこ
とができた。先ず、フレオンガスによる洗浄の後、十分
に脱気したポリカーボネイト基板をＴｂ、Ｃｏ、Ｓ　ｉ
ｉ　Ｎ４　、Ａｎの４元ターケットを有するスパッタ装
置内の基板ホルダに設置した。スパッタ装置内部を排気
後５　ｍ　Ｔ　ｏｒｒのＡｒガスを導入し、Ｔｂ、Ｇｏ
の両ターゲットに同時にＤＣ電力を印加し、両ターゲッ
ト上に設けられているシャッタを閉じた状態で５分間の
ブリ・スパッタを行なった後、両シャッタを同時に開き
、４５秒間にわたってＴｂＣｏ１１！Ｊ、すなわち記録
層１２の形成を行なった。この際、基板ホルダは６０ｒ
ｐｌで回転させた。

ここで、ＴｂＣｏ膜の形成に際してはＴｂ。

００両ターゲットの上に自作のマスクを設置することに
よって、記録層１２の膜厚が第１２図の分布となるよう
にした。

次に、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットに５００ＷのＲＦパワーを
印加し、基板ホルダを回転させながら３０分間にわたり
透明干渉層１３としての５ｉＮＩＩを形成した。その後
、Ａ２ターゲットに３００ＷのＲＦパワーを投入し、６
分間で膜厚５０ｒ＋＋ａのＡ２膜、すなわち光反射層１
４を形成して、第１１図に示した構造の光磁気ディスク
を得た。

ターゲット上にマスクを配置し、その位置および形状を
調整することにより膜厚を調整する方法は、スパッタ膜
形成における膜厚制御法として通常よく使用されている
。記録層１２としてのＴｂＣｏｇｌを形成する際に用い
たマスクは、該ＴｂＣｏ膜の膜厚分布が第１２図となる
ような形状としたものであり、基礎実験結果に基づいて
製作したものである。膜厚分布はマスクの形状によって
とのよづにでも制頗でき、記録層１２の平均膜厚（第１
２図では平均膜厚２５ｎｍ）を変えたときや、記録層１
２の材料を変えたとき、例えばＴ　ｂ　Ｃｏ　腹に代え
てＴｂＦｅ膜、ＴｂＦｅＣｏ膜。

ＧｄＴｂＣ０ｇ！等を用いた場合には、それに適合した
！厚分布となるように、マスクの形状を変更すればよい
。

第１１図に示した光磁気ディスクの動特性（記録再生特
性）の評価を第２表に示した仕様のディスク駆動装置に
よって行なった。

その評１ｉＩｌｉ結果を第１３図に示す。第１３図に示
されるように、本発明に係る光磁気ディスクはＣＡＶ方
式のディスク駆動装置を用いて記録エリア内で極めて安
定した記録感度および再生Ｃ／Ｎが得られた。この理由
は次のように説明することができる。第１４図は第１表
に示した仕様のディスク駆動装置で光１ｉ気ディスクを
駆動したときに、１記録ビツトの形成に必要なレーザビ
ームの供給エネルギー密度Ｅとディスク半径ｒｄとの関
係を示す図である。Ｅは次式（１）＋２）より導出した
。

Ｅ−Ｐ−ｔｐ　／　（（πｄ２／４）＋６１２）・・・
・・・（３） ２−２πｒｄνｘｔｐ　　　　　　　・・・・・・（勾
但し、Ｐ：記録レーザパワー、ｔｐ：記録用レーザビー
ム照射時間、ｄ：レーザスポット直径、λ：時間ｔｐに
おけるディスク移動距離、ｒｄ：ディスク半径、シ：デ
ィスク回転速度である。

（３（４１式に第２表からシー２０ｒｐｓ　　（１２０
Ｏｒｐｍ　）　。

ｔ　ｐ−ａｏｏｎｓｅｃ　（平均ＩＩ）、Ｐ−５ｍＷ、
ｄ−１，３μｍを代入すれば、第１４因が得られる。

第１４図に示されるように、ＣＡＶ方式では記録用レー
ザビームの供給エネルギー密度はディスク半径ｒｄの関
数となる。従って、一様な膜厚の光磁気ディスクではデ
ィスク内周側が高感度に、外周側が低感度になる。

これに対し、本発明の光磁気ディスクのように記録！ｉ
１２の膜厚を内周側から外周側へ向けて一様に減少させ
れば、内周側では記録層１２の面内方向における熱損失
が相対的に大きくなって低感度化され、外周側ではその
熱損失が相対的に小さくなって高感度化される。従って
、ディスク半径方向において記録感度が一様になり、ま
た記録ビットの形状（大きさ）も−襟となるので、再生
Ｃ／Ｎも一様となる。

上述した本発明の他の実１Ｍ例による光磁気ディスクの
効果をより明らかにするため、従来技術に基づく光磁気
ディスクを試作し、同一のディスク駆動￥！装置を用い
て評価した。従来技術に基づく光磁気ディスクの試作に
おいては、先に述べた本発明に基づ（光磁気ディスクの
製造プロセス中、スパッタ装置内でＴｂ、Ｃｏ両ツタ−
ゲット前面設けたｍ厚制郊用のマスクを取除き、基板上
に記録層として２５ｎｍ厚のＴｂＣｏ膜を形成した後、
透明干渉１　トシＴ　１００１００ｎ某膜厚の５ｉＮｆ
ｆ！ｌ、および光反射層として５０ｎｍ厚の八り膜を順
次積層した。

この従来技術に基づく光磁気ディスクを第２表の仕様の
ディスク駆動装置で評価した結果を第１５図に示す。第
１４図に示した計算結果から推定される傾向が明確に現
われている。すなわち、記録閾値レーザパワーは外周側
に移行するに従い増加しており、また外周側では記録ビ
ットの大きざが不十分となるために、再生Ｃ／Ｎは外周
側で減少している。

次に、５ｉＮＩｌ＊の膜厚を１１００ｎ、　Ａ　（２Ｍ
Ａ　（７）膜厚を５０ｒ＋ｍ一定として、ＴｂＣ０膜の
膜厚を変えた光Ｉａ気ディスクを試作して同様の評価を
行ない、記録エリア最外周（ｒｄ−５α）の部分の記録
閾値レーザパワーと最内周（ｒｄ−３ＣＩＲ）の部分の
記録閾値レーザパワーとの差を調べた結果を第１６図に
示す。この第１６図から、本実施例は記録層の膜厚（平
均膜厚）が厚い場合はど効果的であることがわかる。ま
た、第１６図に示されるように、従来の光磁気ディスク
では記録層のＩｌｌ厚が２０ｎ８１の場合でも１ｍＷも
の記録閾値レーザパワーの差が見られる。本実施例はこ
のように記録層の膜厚が薄い場合でも、実用上大きな効
果が期待できる。

なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではな
く、例えば透明干渉層の材料としてはＳｉＮのほかに、
Ｓｉｎ、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４゜ｚｎｓ、ＡＱＮ、Ｃａ
Ｆ２．ＩＴＯ等を用いることができる。透明樹脂基板の
材料としても、ポリカーボネイトのほかポリメチルメタ
クリレート。

エポキシ等を幅広く選択できる。その他、本発明は要旨
を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが可能で
ある。

［発明の効果］ 本発明による光磁気ディスクは、記録および再生時にＣ
ＡＶ方式で駆動され、記録レーザパワー。

記録用磁界および記録周波数が一定の下で記録されても
、ディスク全面にわたり一様な記録感度および再生Ｃ／
Ｎが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る光磁気ディスクの断面
図、第２図は同実施例の光磁気ディスクにおける記録層
のディスク半径方向の希土類成分比の分布を示す図、第
３図は同実施例の光磁気ディスクをＣＡＶ方式のディス
ク駆動装置で駆動した場合のディスク半径における記録
量値レーザパワーおよび再生Ｃ／Ｎの変化を示す図、第
４図は同実施例の光磁気ディスクにおける記録層の希土
類成分比と記録閾値温度との関係を示す図、第５図は同
実施例の光磁気ディスクにおけるディスク半径方向の記
録間＠温度の分布を示す図、第６図はＣＡＶ方式におけ
るディスク半径方向の記録エネルギー密度分布を示す図
、第７図は従来技術に基づく光磁気ディスクをＣＡＶ方
式のディスク駆動装置で駆動した場合のディスク半径の
記録閾値レーザパワーおよび再生Ｃ／Ｎの変化を示す図
、第８図は同実施例の光磁気ディスクにおける記録層の
希土類成分比とキューリ一温度との関係を示す図、第９
図は従来技術に基づく他の光…気ディスクのディスク半
径の記録閾値レーザパワーおよび再生Ｃ／Ｎの変化を示
す図、第１０図は本発明に基づく光磁気ディスクのディ
スク半径方向の希土類成分比の分布を示す図、第１１図
は本発明の他の実施例に係る光磁気ディスクの断面図、
第１２図は同実施例の光磁気ディスクにおける記録層の
ディスク半径方向の膜厚分布を示す図、第１３図は同実
施例の光磁気ディスクをＣＡＶ方式のディスク駆り装置
で駆動した場合のディスク半径の記録量値レーザパワー
および再生Ｃ／Ｎの変化を示す図、第１４図はＣＡＶ方
式におけるディスク半径方向の記録エネルギー密度分布
を示す図、第１５図は従来技術に基づく光磁気ディスク
をＣＡＶ方式のディスク駆動装置で駆動した場合のディ
スク半径の記録ｆｆ４ｉル−ザパワーおよび再生Ｃ／Ｎ
の変化を示す図、第１６図は従来技術に基づく光磁気デ
ィスクの記録層膜厚とディスク最内周および最外周間の
記録量値レーザパワーの差との関係を示す図である。 １・・・透明樹脂基板、２・・・透明干渉層、３・・・
記録層、４・・・第２干渉層、５・・・光反！Ｆ１層、
１１・・・透明樹脂基板、１２・・・記録層、１３・・
・透明干渉層、１４・・・光反射層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 セｒイス７ギ’Ｌ　　　ｒｄ［ｃｍｌ 第３図 Ｘ　　（ａｔ、＠／ａｌ 第４　図 １　ヒ、／トシＳりの・０配（４ン工４りＸ　＊Ａ　　
　　　　　　　　　Ｅ　　Ｃ’Ｉ／ｐｍ２１０　　　　
　〜　　　　　　・ト　　　　　　の　　　　　　Ｑ盆
練＠逗纂展　　ｔｔｈ（・Ｃ〕 子イスフ４ｔｌ！、　　ｒｄ　（ｃｍｌ第７図 ｘ　　［ａｔ、１．］ 第８　図 ティスフイＱ　　ｒｄ　　（Ｃｍ］ 第９図 ブイズフイ畳　ｒｄ　　［ｃｍｌ 第１０図 つ゛イス７．４　＜Ｌ　　　ｒｃＪ　Ｃｃｍ３第１３図 ； ； ディス７１％　　　ｒｄ　　（ｃｍ］ 第１４図 ナイス７１！ｒｄ　　Ｃａｍ） 第１５図 記録Ａ嫌凡［ｎｍ］ 第１６は

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜を記
   録層とし、記録および再生時に一定角速度回転方式によ
   り駆動される光磁気ディスクにおいて、前記記録層中の
   希土類成分比がディスク半径方向に沿つて内周側から外
   周側へ向けて一様に減少していることを特徴とする光磁
   気ディスク。
2. （２）前記記録層がＴｂＣｏ膜からなることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク。