JPS61276148A - 光磁気デイスク - Google Patents

光磁気デイスク

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Publication number
JPS61276148A
JPS61276148A JP11702085A JP11702085A JPS61276148A JP S61276148 A JPS61276148 A JP S61276148A JP 11702085 A JP11702085 A JP 11702085A JP 11702085 A JP11702085 A JP 11702085A JP S61276148 A JPS61276148 A JP S61276148A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
irradiated
magneto
disk
optical disk
Prior art date
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Pending
Application number
JP11702085A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Miyazaki
宮崎 正裕
Seiji Okada
誠二 岡田
Keiji Shono
敬二 庄野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS61276148A publication Critical patent/JPS61276148A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 光吸収による発熱を利用してキュリー温度の近傍にまで
温度上昇させ磁化反転を行う磁性膜において、光照射側
のキュリー温度を裏面側よりも高くなるように形成する
ことを特徴とする光磁気ディスク。
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報の記録と消去を行うレーザ照射部における
磁性膜の膜内温度を一定とする光磁気ディスクに関する
光磁気ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を
行うメモリであり、光ディスクと同様に記録容量が大き
く、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の
影響を受けないなど優れた特徴をもつメモリである。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が1μm以下小
さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って1ビ
ツトの情報記録に要する面積が1μll+2程度で足り
る。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープが1ビツトの情
報記録に数10〜数100μm2の面積が必要なのと較
べて蟲かに少なくて済み、従って大容量記録が可能であ
る。
またレンズで絞り込む際に光磁気ディスクの基板面では
ビーム径は約1 +n程度の広さになるので、基板面に
大きさが数10μm2の塵埃が存在していても記録・再
生に殆ど影響を与えずに済ませることができる。
このように光源としてレーザ光を用いる光磁気ディスク
及び光ディスクは優れた特性を備えているが、この両者
を比較すると、光ディスクは記録媒体として低融点金属
を用い、情報の記録と再生を穴(ピット)の有無により
行う読出し専用メモリ(Read 0nly Memo
ry)が主であり、既に実用化されている。
一方、光磁気ディスクは書替え可能なメモリ(Eras
able Memory)として開発が進められている
もので、レーザ照射された磁性膜の温度上昇による磁化
反転が情報の記録と消去に用いられ、磁性膜からの反射
光或いは透過光の偏光面の回転が光続出しに使用されて
いる。
ここで磁性膜として垂直磁性膜が用いられているが、こ
れは1と0の記録ビットが隣接するときに垂直磁性膜が
より安定で高密度記録が可能なためである。
〔従来の技術〕
光磁気ディスク(以下略してディスク)は先に記したよ
うに1μm以下の直径にまで絞ったレーザ光を記録媒体
である垂直磁化膜に投射し、照射部が部分的に加熱され
てキュリー温度の近傍或いはこれ以上の温度にまで上昇
するのを利用して記録や消去を行うものである。
ここで光ディスクの記録媒体である垂直磁化膜としては
希土類−遷移金属系のアモルファス合金例えばテルビウ
ム・鉄・コバルト(Tb−Fe −Co) 。
ガドリニウム・テルビウム・鉄(Gd−Tb−Fe)な
どが用いられ、真空蒸着法やスパッタ法などでディスク
基板上に膜形成されている。
第2図は光磁気ディスクの断面構造を示すもので、ポリ
メチル・メタクリエイト(PMM^)、ポリカーボネー
ト(PC)或いは硝子などからなるディスク基板1の上
に上記の垂直磁化膜2が約0.1μmの厚さに形成され
ており、この上に例えば酸化硅素(Sin)などからな
る保護膜3が設けられている。
かかる二枚のディスク基板1は図に示すように垂直磁化
膜2を内側とし、内周部と外周部にプラスチック或いは
金属からなるスペーサリング4を置き、上下から接着固
定した構造をとる。
かかる光磁気ディスクへの情報の記録は垂直に磁場を加
えている状態で透明なディスク基板1の側からレンズで
集光したレーザ光を照射し、垂直磁化膜の被照射部の温
度が上昇してキュリー温度の近傍にまで達し、磁場の方
向に磁化反転するのを利用して行われている。
また消去は記録位置の磁化の方向と逆の方向に磁場を加
えなからレーザ光を照射して加熱し、元どおりの方向に
磁化を反転させることにより行っている。
ここで記録と消去には充分なレーザパワーを垂直磁化膜
に加えて完全に磁化を反転させることが必要であるが、
垂直磁化膜のキュリー温度が高く、レーザ照射による温
度上昇の限界に近い状態ではレーザ照射側では磁化反転
が充分に起こっているが、裏側では磁化反転が不充分な
状態が起こり易い。
すなわち垂直磁化膜2の中で光吸収が大きいために裏側
では充分な温度上昇が起こらないのである。
このような現象が起こると光磁気ディスクのC/N特性
(Carrier Level  / No1se I
、evel)を低下させて品質が損われる。
一方、C/N特性を向上するためにはカー回転角(ek
)を大きくすればよいが、θにの大きな材料はキュリー
温度(Tc)も大きいと云う問題があり、そのためにe
kを大きくとると共に垂直磁化膜がレーザ照射面の反対
側でも良(磁化反転させることが必要である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上記したようにC/N特性の優れた垂直磁化膜を形成
することが必要であるが、ekの高い材料はTcが高い
ためにレーザ照射面の裏側では充分な磁化反転が起こり
にくいと云う問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の問題はディスク基板上に情報の記録・再生を行う
垂直磁性膜が形成されてなる光磁気ディスク基板におい
て、前記磁性膜φの組成をレーザ光の照射が行われる表
面側はキュリー温度が高く、裏面側に行くに従って低く
なるように形成したことを特徴とする光磁気ディスクに
より解゛決することができる。
〔作用〕
本発明は垂直磁化膜の膜厚方向にキュリー温度Tcを変
化させて膜形成を行うことにより上記の問題を解決する
ものである。
光磁気記録媒体として働く垂直磁化膜として先に記した
ように希土類−遷移金属系のアモルファス合金膜がよく
使用されているが、この代表種であるTb Fe Co
合金について本発明を説明する。
光磁気記録媒体としてTb Feアモルファス膜を用い
る場合にCoの添加によりθにとTcが増加することは
公知である。
(例えば 田中他、電気通信学会 磁気記録研究会資料
 MR83−231、1983)第1図はこの関係を示
すもので、Co含有量が増すに従ってTcとθには共に
増加している。
それ故に本発明は光磁気記録媒体を厚さ方向に組成を変
えて膜形成することにより、光照射側はTcが高く、裏
側に行くに従ってTcが低くなるようにするものである
第3図は第2図におけるディスク基板1.垂直磁化膜2
.保護膜3の部分を拡大して示すもので、ディスク基板
1には位置決め用としてプリグループ5が一定の間隔を
置いて設けてあり、この上に垂直磁化膜2が真空蒸着、
スバフタなどの方法により設けられているが、本発明は
例えば垂直磁化膜2の組成としてTb Fe Coを用
いる場合、レーザ光6の照射が行われる側はCOの含有
量を多くし、膜形成が進行するに従ってCOの量を少な
く形成するものである。
〔実施例〕
TeとFeとCOの三元蒸発源を備えた真空蒸着装置に
厚さ1.2龍、直径200 mのPMM^よりなるディ
スク基板を装着し、蒸着装置の上部に備えであるモータ
により低速回転させながら3 X 1O−2torrに
まで排気した状態で各蒸発源を加熱し、一定の蒸発速度
で蒸着を行った。
その蒸発速度はCoは当初は0.7人/secで最終段
階では0.2人/sec、 Peは当初は1.5人/s
ecで最終段階では2人へec、またTbは蒸着中を通
じて2人/secであり、このようにして0.1 μm
の垂直磁化膜2を形成した。
次ぎにかかる磁化膜2の上にSiOを0.1 μmの厚
さに蒸着して保護膜3とした。
そしてかかるディスク基板を用いて光磁気ディスクを形
成し、2IllWのレーザパワーで情報の記録を行った
が再生特性は良好であり、本発明を実施しない光磁気デ
ィスクのC/Nが45dBであるのに対し48dBの値
を示し、本発明の有効性が証明された。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の実施により光磁気ディスク
におけるC/N特性が改善され、品質の向上が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はCo含有量のTc、θにとの関係図、第2図は
光ディスクの断面構造図、 第3図は光デイスク基板の部分拡大断面図、である。 図において、 1はディスク基板、   2は垂直磁化膜、3は保護膜
、 である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ディスク基板上に情報の記録・再生を行う垂直磁性膜が
    形成されてなる光磁気ディスク基板において、前記磁性
    膜の組成をレーザ光の照射が行われる表面側はキュリー
    温度が高く、裏面側に行くに従って低くなるように形成
    したことを特徴とする光磁気ディスク。
JP11702085A 1985-05-30 1985-05-30 光磁気デイスク Pending JPS61276148A (ja)

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JP11702085A JPS61276148A (ja) 1985-05-30 1985-05-30 光磁気デイスク

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JP11702085A JPS61276148A (ja) 1985-05-30 1985-05-30 光磁気デイスク

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JPS61276148A true JPS61276148A (ja) 1986-12-06

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ID=14701454

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0362340A (ja) * 1989-07-28 1991-03-18 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
EP0657880A2 (en) * 1993-12-06 1995-06-14 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof

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