JPH0316049A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0316049A JPH0316049A JP10160290A JP10160290A JPH0316049A JP H0316049 A JPH0316049 A JP H0316049A JP 10160290 A JP10160290 A JP 10160290A JP 10160290 A JP10160290 A JP 10160290A JP H0316049 A JPH0316049 A JP H0316049A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気メモＩＪ−、磁気記録表示素子などに
用いられる光磁気記録媒体に係わるもので、具体的には
膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、円形あるいは任
意の形状の反転磁区を作ることにより情報を記録するこ
とができ、磁気カー効果などの磁気光学効果を利用して
読み出すことのできる磁性薄膜記録媒体に関するもので
ある。
用いられる光磁気記録媒体に係わるもので、具体的には
膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、円形あるいは任
意の形状の反転磁区を作ることにより情報を記録するこ
とができ、磁気カー効果などの磁気光学効果を利用して
読み出すことのできる磁性薄膜記録媒体に関するもので
ある。
（従来技術）
磁化容易軸か膜面と垂直な方向にある強磁性薄膜では、
Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜面中に一様磁化
極性と逆向きの磁極をもつ小さな反転磁区を作ることか
できる。この反転磁区の有無をｒＮ． ｒＯＪに対応
させれば、このような強磁性薄膜を高密度の光磁気記録
媒体として用いることができる。このような強磁性薄膜
のうち、室温にて大きな保磁力を有し、かつキューリー
点または磁気的補償温度が比較的室温に近い薄膜は、キ
ューリ一点または磁気的補償温度を利用して光ビームに
より、任意の位置に反転磁区を作ることによって情報を
記録させることができるため、般にビーム・アドレッサ
ブルファイルとして用いられている。
Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜面中に一様磁化
極性と逆向きの磁極をもつ小さな反転磁区を作ることか
できる。この反転磁区の有無をｒＮ． ｒＯＪに対応
させれば、このような強磁性薄膜を高密度の光磁気記録
媒体として用いることができる。このような強磁性薄膜
のうち、室温にて大きな保磁力を有し、かつキューリー
点または磁気的補償温度が比較的室温に近い薄膜は、キ
ューリ一点または磁気的補償温度を利用して光ビームに
より、任意の位置に反転磁区を作ることによって情報を
記録させることができるため、般にビーム・アドレッサ
ブルファイルとして用いられている。
従来、公知である膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、かつビーム・アドレッサブルファイルとして使用可能
な強磁性薄膜としては、ＭｎＢｉに代表される多結晶金
属薄膜、Ｇｄ−Ｃｏ．Ｇｄ−Ｆｅ ，Ｔｂ−Ｆｅ ，Ｄ
ｙ−Ｆｅ等の非晶質金属薄膜、ＧＩＧに代表される化合
物単結晶薄膜があるが、それぞれ以下に述べるような利
点及び欠点を有している。ＭｎＢｉに代表されるキュー
リー点を利用して書き込みを行なう多結晶金属薄膜は、
室温で数ｋｏｅの大きな保磁力を有している点では光磁
気記録媒体として優れているが、キューリー点が高い（
ＭｎＢｉではＴｃ＝ ３６０゜Ｃ）ために書き込みに大
きなエネルギーを必要とする欠点がある。
、かつビーム・アドレッサブルファイルとして使用可能
な強磁性薄膜としては、ＭｎＢｉに代表される多結晶金
属薄膜、Ｇｄ−Ｃｏ．Ｇｄ−Ｆｅ ，Ｔｂ−Ｆｅ ，Ｄ
ｙ−Ｆｅ等の非晶質金属薄膜、ＧＩＧに代表される化合
物単結晶薄膜があるが、それぞれ以下に述べるような利
点及び欠点を有している。ＭｎＢｉに代表されるキュー
リー点を利用して書き込みを行なう多結晶金属薄膜は、
室温で数ｋｏｅの大きな保磁力を有している点では光磁
気記録媒体として優れているが、キューリー点が高い（
ＭｎＢｉではＴｃ＝ ３６０゜Ｃ）ために書き込みに大
きなエネルギーを必要とする欠点がある。
また、多結晶体であるため化学量論的な組成の薄膜を作
製する必要があり、薄膜の作製が技術的に難しいという
欠点もある。また、Ｇｄ−Ｃｏ．Ｇｄ一Ｆｅの磁気的補
償点を利用して書き込みを行な・う非品質金属薄膜は、
非晶質であるため任意の基板上に作製可能であり、多少
の不純物を加えることによってある程度磁気的補償温度
を任意に制御できる等の利点を有するか、室温における
保磁力が小さ＜（３００〜５０００ｅ）、記録された情
報が不安定であるという欠点を有する。しかも、この程
度の保磁力を有する薄膜を作製するためにも組成をほぼ
ｌａｔｏｍ％以内に制御する必要があり、薄膜作製面で
も容易でない。
製する必要があり、薄膜の作製が技術的に難しいという
欠点もある。また、Ｇｄ−Ｃｏ．Ｇｄ一Ｆｅの磁気的補
償点を利用して書き込みを行な・う非品質金属薄膜は、
非晶質であるため任意の基板上に作製可能であり、多少
の不純物を加えることによってある程度磁気的補償温度
を任意に制御できる等の利点を有するか、室温における
保磁力が小さ＜（３００〜５０００ｅ）、記録された情
報が不安定であるという欠点を有する。しかも、この程
度の保磁力を有する薄膜を作製するためにも組成をほぼ
ｌａｔｏｍ％以内に制御する必要があり、薄膜作製面で
も容易でない。
さらに、ＧＩＧに代表される化合物単結晶薄膜は他のも
のに比べて非常にコスト高になるという大きな欠点を有
する。
のに比べて非常にコスト高になるという大きな欠点を有
する。
また、これらの欠点を除去した新しい磁性薄膜記録媒体
として提案された１５ａｔＯｍ％〜３０ａｔｏｍ％のＴ
ｂまたはＤｙを含むＴｂＦｅやＤｙＦｅの非晶質合金薄
膜は、次のような利点を有している。
として提案された１５ａｔＯｍ％〜３０ａｔｏｍ％のＴ
ｂまたはＤｙを含むＴｂＦｅやＤｙＦｅの非晶質合金薄
膜は、次のような利点を有している。
■ 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、室温におい
て数ｋｏｅの大きな保磁力を有するため、高密度の情報
記録が可能で、記録された情報が極めて安定である。
て数ｋｏｅの大きな保磁力を有するため、高密度の情報
記録が可能で、記録された情報が極めて安定である。
■ 保磁力が大きく所望の形状の磁区を書き込むことが
可能である。
可能である。
■ 幅広い組成範囲にわたって大きな保磁力を有してお
り、記録媒体として優れた特性を持っている組成範囲も
また広いため、組成の厳しく限定された薄膜を作る必要
がなく非常に容易に作製でき、歩留まりも良い。
り、記録媒体として優れた特性を持っている組成範囲も
また広いため、組成の厳しく限定された薄膜を作る必要
がなく非常に容易に作製でき、歩留まりも良い。
■ キューリー点かＴｂＦｅては１２０℃、ＤｙＦｅで
は６０゜Ｃと低いため、キューリー点を利用して熱書き
込みを行なう場合には非常に小さなエネルギーにより書
き込みを行なうことかできる。
は６０゜Ｃと低いため、キューリー点を利用して熱書き
込みを行なう場合には非常に小さなエネルギーにより書
き込みを行なうことかできる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このＴｂＦｅ ，ＤｙＦｅ等の非品質合
金薄膜は次のような欠点がある。即ち、キューリー点が
低いと確かに小さなエネルギーで書き込みは出来るが、
光で読み出すときのＳ／Ｎは逆に悪くなる。図ｌには、
非品質合金薄膜の光再生時の光再生出力（Ｓ）及び信号
対雑音比（Ｓ／Ｎ）を照射レーザーバワー（ＩＯ）の関
数として示してあるが、記録媒体として良い特性を有す
るＴｂＦｅ、ＤｙＦｅは光再生の点では記録媒体として
良くないＧｄＦｅよりも悪いことがわかる。これはこの
記録媒体を光磁気メモリーとして考える場合には非常に
大きな欠点となる。
金薄膜は次のような欠点がある。即ち、キューリー点が
低いと確かに小さなエネルギーで書き込みは出来るが、
光で読み出すときのＳ／Ｎは逆に悪くなる。図ｌには、
非品質合金薄膜の光再生時の光再生出力（Ｓ）及び信号
対雑音比（Ｓ／Ｎ）を照射レーザーバワー（ＩＯ）の関
数として示してあるが、記録媒体として良い特性を有す
るＴｂＦｅ、ＤｙＦｅは光再生の点では記録媒体として
良くないＧｄＦｅよりも悪いことがわかる。これはこの
記録媒体を光磁気メモリーとして考える場合には非常に
大きな欠点となる。
本発明の目的は、上記のような膜面と垂直な方向に磁化
容易軸を有する従来のＤｙ−Ｆｅ二元系の非品質金属薄
膜の保磁力を大にし、かつ効率よく光再生出力を取り出
し得る光磁気記録媒体を提供することにある。
容易軸を有する従来のＤｙ−Ｆｅ二元系の非品質金属薄
膜の保磁力を大にし、かつ効率よく光再生出力を取り出
し得る光磁気記録媒体を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の光磁気記録媒体は、膜面と垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系合金薄膜を
有し、Ｄｙ− （Ｆｅ＋−ｙＣｏｙ）＋−ｘとしたとき
、ｘが０．ｌ５≦ｘ≦０．３５の範囲で、ｙかＯ。００
＜ｙ≦０．５０の範囲であり、かつキューリー点か１２
０℃以上でキューリー点を利用した熱書き込みを行う範
囲内にして、Ｄｙ−Ｆｅ二元系非晶質合金薄膜に比べて
保磁力を大にし、効率よく光再生出力を取り出し得るよ
うに構成されたことを特徴とするものである。
易軸を有する非晶質Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系合金薄膜を
有し、Ｄｙ− （Ｆｅ＋−ｙＣｏｙ）＋−ｘとしたとき
、ｘが０．ｌ５≦ｘ≦０．３５の範囲で、ｙかＯ。００
＜ｙ≦０．５０の範囲であり、かつキューリー点か１２
０℃以上でキューリー点を利用した熱書き込みを行う範
囲内にして、Ｄｙ−Ｆｅ二元系非晶質合金薄膜に比べて
保磁力を大にし、効率よく光再生出力を取り出し得るよ
うに構成されたことを特徴とするものである。
以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方向が磁化容
易軸であるとともに、１２０゜Ｃ〜２００゜Ｃの間のキ
ューリー点を有するＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏの非晶質合金薄膜
である。膜面に垂直な方向に磁化を向けるに充分な磁気
異方性をもたせるには、非晶質にすることが必要である
が、この条件はスパッタリング法あるいは真空蒸着法に
よって薄膜作製を行なうことによって達成される。また
、磁化を安定して膜面に垂直な方向に向かせるためには
、膜の厚さを１００Ａ以上とし、前記のようにＤｙとＦ
ｅとＣＯの組戒をＤ Ｙｘ （ Ｆ ｅ＋−ｙＣ ｏｙ
） ＋−ｘとして、Ｘが０．１５≦ｘ≦０．３５の範囲
であり、ｙか０．００〈ｙ≦０．５０の範囲にすること
が必要である。なお、ｏ．ｓｏ＜ｙでは、キューリー点
または磁気的補償温度の組成依存性が大きく、実用性が
ない。また、Ｘの範囲をこの組成範囲外にした光磁気記
録媒体は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を揃えることが
困難であり、角型ヒステリシス特性が劣化するので、実
用性のある記録再生特性は得られないことになる。
易軸であるとともに、１２０゜Ｃ〜２００゜Ｃの間のキ
ューリー点を有するＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏの非晶質合金薄膜
である。膜面に垂直な方向に磁化を向けるに充分な磁気
異方性をもたせるには、非晶質にすることが必要である
が、この条件はスパッタリング法あるいは真空蒸着法に
よって薄膜作製を行なうことによって達成される。また
、磁化を安定して膜面に垂直な方向に向かせるためには
、膜の厚さを１００Ａ以上とし、前記のようにＤｙとＦ
ｅとＣＯの組戒をＤ Ｙｘ （ Ｆ ｅ＋−ｙＣ ｏｙ
） ＋−ｘとして、Ｘが０．１５≦ｘ≦０．３５の範囲
であり、ｙか０．００〈ｙ≦０．５０の範囲にすること
が必要である。なお、ｏ．ｓｏ＜ｙでは、キューリー点
または磁気的補償温度の組成依存性が大きく、実用性が
ない。また、Ｘの範囲をこの組成範囲外にした光磁気記
録媒体は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を揃えることが
困難であり、角型ヒステリシス特性が劣化するので、実
用性のある記録再生特性は得られないことになる。
本発明の磁気光学記録媒体は１２０〜２００゜Ｃ程度の
比較的低いキューリー点を有するにもかかわらず、磁気
カー効果を利用した光再生出力が同程度のキューリー点
を有するＤｙＦｅのものより大きいことを特徴としてい
る。
比較的低いキューリー点を有するにもかかわらず、磁気
カー効果を利用した光再生出力が同程度のキューリー点
を有するＤｙＦｅのものより大きいことを特徴としてい
る。
（実施例）
図２は、本発明によるＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系合金薄膜
のＣｏの添加量とカー回転角ｅ，との特性図である。図
は膜厚が１０００人で、ＤｙＦｅ二元系のＦｅの一部を
Ｃｏに置換した場合の特性図を示しており、約ｔ ｏ
ａｔｏｍ％添加することにより、カー回転角は２倍の０
．２度となるため、ＤｙＦｅ二元系に比べて読み出し特
性を大幅に改善出来ることがわかる。なお、図２のＤｙ
の組成は、室温が補償温度となるように定めた。図のよ
うにＣＯの添加量を増やしていった場合、Ｃｏの添加量
が約４０ａｔｏｍ％からその増加傾向が鈍化するが、Ｃ
Ｏの増加に伴ってカー回転角も増大する。また、Ｄｙの
組成割合を増加させた場合、力一回転角はＤｙの割合が
増えるに従って低下する。
のＣｏの添加量とカー回転角ｅ，との特性図である。図
は膜厚が１０００人で、ＤｙＦｅ二元系のＦｅの一部を
Ｃｏに置換した場合の特性図を示しており、約ｔ ｏ
ａｔｏｍ％添加することにより、カー回転角は２倍の０
．２度となるため、ＤｙＦｅ二元系に比べて読み出し特
性を大幅に改善出来ることがわかる。なお、図２のＤｙ
の組成は、室温が補償温度となるように定めた。図のよ
うにＣＯの添加量を増やしていった場合、Ｃｏの添加量
が約４０ａｔｏｍ％からその増加傾向が鈍化するが、Ｃ
Ｏの増加に伴ってカー回転角も増大する。また、Ｄｙの
組成割合を増加させた場合、力一回転角はＤｙの割合が
増えるに従って低下する。
一方、図３は本発明によるＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系合金
薄膜の各補償組成（室温が補償温度となる組成）近傍に
おけるＣＯの添加量と保磁力Ｈｅとの特性図である。図
で特性図■はｙ一かＯａｔｏｍ％であるＤｙＦｅ二元系
の場合（補償組成ｘ．：Ｄｙ約２３．７％）、特性図■
はｙを１０ａｔｏｍ％添加した場合（補償組成ｘ ＠
： Ｄ ｙ約２４．３％）、特性図■はｙを２０ａｔｏ
ｍ％添加した場合（補償組成Ｘ６：Ｄｙ約２５．１％）
、特性図■はｙを３４ａｔｏｍ％添加した場合（補償組
成ｘａ：Ｄｙ約２５．９％）、特性図■はｙを５０ａｔ
ｏｍ％添加した場合（補償組成Ｘ．：Ｄｙ約２６．８％
）をそれぞれ示している。保磁力か増加した場合の効果
については、従来技術のところでも述べているように、
高密度の情報記録が可能で、記録された情報が極めて安
定し、所望の形状の磁区を書き込むことか可能等の記録
特性を向上させることができる。従って、本発明ではＣ
ｏの添加量を増加することにより、読み出し特性に関係
するカー回転角と記録特性に関係する保磁力とを共に増
大させることかできるので、記録及び光再生特性の双方
を向上させることかできる。
薄膜の各補償組成（室温が補償温度となる組成）近傍に
おけるＣＯの添加量と保磁力Ｈｅとの特性図である。図
で特性図■はｙ一かＯａｔｏｍ％であるＤｙＦｅ二元系
の場合（補償組成ｘ．：Ｄｙ約２３．７％）、特性図■
はｙを１０ａｔｏｍ％添加した場合（補償組成ｘ ＠
： Ｄ ｙ約２４．３％）、特性図■はｙを２０ａｔｏ
ｍ％添加した場合（補償組成Ｘ６：Ｄｙ約２５．１％）
、特性図■はｙを３４ａｔｏｍ％添加した場合（補償組
成ｘａ：Ｄｙ約２５．９％）、特性図■はｙを５０ａｔ
ｏｍ％添加した場合（補償組成Ｘ．：Ｄｙ約２６．８％
）をそれぞれ示している。保磁力か増加した場合の効果
については、従来技術のところでも述べているように、
高密度の情報記録が可能で、記録された情報が極めて安
定し、所望の形状の磁区を書き込むことか可能等の記録
特性を向上させることができる。従って、本発明ではＣ
ｏの添加量を増加することにより、読み出し特性に関係
するカー回転角と記録特性に関係する保磁力とを共に増
大させることかできるので、記録及び光再生特性の双方
を向上させることかできる。
この光再生特性も改善されることを次のキューリー温度
Ｔｃから説明する。
Ｔｃから説明する。
図４は本発明によるＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系合金薄膜の
Ｃｏの添加量とキューリー温度Ｔｃとの特性図である。
Ｃｏの添加量とキューリー温度Ｔｃとの特性図である。
キューリー温度Ｔｃは図のようにＣＯの添加量に比例し
て大幅に高くなる。従って、ＤｙＦｅ二元系はキューリ
ー点が６０゜Ｃと極めて低く、小さなエネルギーで書き
込みが出来る反面光再生時のＳ／Ｈの劣化を招いていた
が、ＣＯの添加によってキューリー点を１２０゜Ｃ以上
に高くすることができる。なお、キューリー点が逆に３
６０゜Ｃ以上と高くなった場合には、書き込みに用いる
半導体レーザ等の光源の出力が不足してキューリー点書
き込みが不可能となり、Ｇｄ−Ｆｅ系のごとき磁気的補
償点書込みが必要となるが、磁気的補償点書き込みでは
従来技術で述べたような欠点が生じる。
て大幅に高くなる。従って、ＤｙＦｅ二元系はキューリ
ー点が６０゜Ｃと極めて低く、小さなエネルギーで書き
込みが出来る反面光再生時のＳ／Ｈの劣化を招いていた
が、ＣＯの添加によってキューリー点を１２０゜Ｃ以上
に高くすることができる。なお、キューリー点が逆に３
６０゜Ｃ以上と高くなった場合には、書き込みに用いる
半導体レーザ等の光源の出力が不足してキューリー点書
き込みが不可能となり、Ｇｄ−Ｆｅ系のごとき磁気的補
償点書込みが必要となるが、磁気的補償点書き込みでは
従来技術で述べたような欠点が生じる。
表ｉはＤｙ−Ｆｅ二元系と本発明のＤｙ−Ｆｅ一Ｃｏ三
元系とを比較するための表であり、Ｃｏの組成割合を変
化させた場合の各補償組成近傍におけるキューリー温度
Ｔｃ，保磁力Ｈｅ，及びカー回転角ｅ，のそれぞれを示
す。再生Ｃ（キャリャ）／Ｎ （ノイズ）の測定条件は
、ビット長３μｍで、測定帯域幅が３ ０ ｋ［｛ｚで
の値である。表１から明らかなように、ＣＯの添加量か
少ない場合には、キューリー温度及び保磁力か小さいた
め、十分な再生Ｃ／Ｎが得られないか、約ｌＯ％以上に
した場合にはＣ／Ｎが大幅に向上する。なお、一般にＣ
ｏの添加量が一定の場合、ＤＹの組成割合を多くした時
には、力一回転角、保磁力及びキューリー温度がそれぞ
れ低下する方向に作用する。
元系とを比較するための表であり、Ｃｏの組成割合を変
化させた場合の各補償組成近傍におけるキューリー温度
Ｔｃ，保磁力Ｈｅ，及びカー回転角ｅ，のそれぞれを示
す。再生Ｃ（キャリャ）／Ｎ （ノイズ）の測定条件は
、ビット長３μｍで、測定帯域幅が３ ０ ｋ［｛ｚで
の値である。表１から明らかなように、ＣＯの添加量か
少ない場合には、キューリー温度及び保磁力か小さいた
め、十分な再生Ｃ／Ｎが得られないか、約ｌＯ％以上に
した場合にはＣ／Ｎが大幅に向上する。なお、一般にＣ
ｏの添加量が一定の場合、ＤＹの組成割合を多くした時
には、力一回転角、保磁力及びキューリー温度がそれぞ
れ低下する方向に作用する。
表１
各補償組成近傍における諸特性
表１から明らかなように、補償組成からのＤＹ組戒のず
れ量かほぼ等しい場合、Ｄｙ−Ｆｅ二元系にＣＯを僅か
に添加したＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系では、キューリー温
度Ｔｃ．保磁力ＨＣ、力一回転角ｅ，及び再生Ｃ／Ｎか
改善されるか、その効果が顕著に現れるのはキューリー
温度が１２０゜Ｃ以上の時である。特に、キューリー温
度とカー回転角はＤＹの組成によっても変わり、一般に
Ｄｙの組成割合が減少するとキューリー温度とカー回転
角か増加する傾向にある。
れ量かほぼ等しい場合、Ｄｙ−Ｆｅ二元系にＣＯを僅か
に添加したＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系では、キューリー温
度Ｔｃ．保磁力ＨＣ、力一回転角ｅ，及び再生Ｃ／Ｎか
改善されるか、その効果が顕著に現れるのはキューリー
温度が１２０゜Ｃ以上の時である。特に、キューリー温
度とカー回転角はＤＹの組成によっても変わり、一般に
Ｄｙの組成割合が減少するとキューリー温度とカー回転
角か増加する傾向にある。
（発明の効果）
以上のように、本発明の光磁気記録媒体は良く知られた
非品質合金薄膜ＤｙＦｅと同じく膜面に垂直な方向に磁
化容易軸を有し、かつ室温で大きな保磁力を有し、作製
も容易であるという非晶質合金薄膜の利点を有しており
、しかも効率よく光再生出力を取り出すことができる。
非品質合金薄膜ＤｙＦｅと同じく膜面に垂直な方向に磁
化容易軸を有し、かつ室温で大きな保磁力を有し、作製
も容易であるという非晶質合金薄膜の利点を有しており
、しかも効率よく光再生出力を取り出すことができる。
従って、光ビームを用いて書き込み、力一効果を利用し
て読み出しを行なう、いわゆる光磁気メモリの貯蔵媒体
として使用すれば、極めて高密度でＳ／Ｎの大きい優れ
たメモリ装置を実現することができる。書き込み方法と
しては光ビームに限らず、針型磁気ヘッド、熱ペン、電
子ビームなどの反転磁区を生じせしめるのに必要なエネ
ルギーを供給するいかなる方法で行なっても良い。
て読み出しを行なう、いわゆる光磁気メモリの貯蔵媒体
として使用すれば、極めて高密度でＳ／Ｎの大きい優れ
たメモリ装置を実現することができる。書き込み方法と
しては光ビームに限らず、針型磁気ヘッド、熱ペン、電
子ビームなどの反転磁区を生じせしめるのに必要なエネ
ルギーを供給するいかなる方法で行なっても良い。
４は本発明によるＤｙＦｅＣｏ薄膜のＣＯ添加量とキュ
ーリー温度との特性図である。
ーリー温度との特性図である。
Claims (1)
- （１）膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ三元系合金薄膜を有し、Ｄｙ＿ｘ（Ｆｅ
＿１＿−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿−＿ｘとしたとき、ｘが
０．１５≦ｘ≦０．３５の範囲で、ｙが０．００＜ｙ≦
０．５０の範囲にあり、かつキューリー点が１２０℃以
上で該キューリー点を利用した熱書き込みを行う範囲内
にして、Ｄｙ−Ｆｅ二元系非晶質合金薄膜に比べて保磁
力を大にし、効率よく光再生出力を取り出し得るように
構成されたことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160290A JPH0316049A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160290A JPH0316049A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光磁気記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17083781A Division JPS5873746A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316049A true JPH0316049A (ja) | 1991-01-24 |
| JPH0465523B2 JPH0465523B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=14304939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10160290A Granted JPH0316049A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316049A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229096A (en) * | 1990-11-19 | 1993-07-20 | Scm Chemicals, Inc. | Silica gel |
| US5473582A (en) * | 1993-09-02 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Magneto-optical recording method having constant recording sensitivity and magneto-optical recording medium used therefor |
| US6130845A (en) * | 1997-09-29 | 2000-10-10 | Nec Corporation | Dynamic type semiconductor memory device having function of compensating for threshold value |
| KR100805164B1 (ko) * | 2002-08-27 | 2008-02-21 | 펜탁스 가부시키가이샤 | 전진/후퇴 기구를 포함하는 렌즈 배럴 |
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| JPS52109193A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Magnetoooptic memory medium |
| JPS5441179A (en) * | 1977-09-08 | 1979-04-02 | Citizen Watch Co Ltd | Multivibrator for temperature detection |
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| JPS5873746A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-04 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS60237655A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-26 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6423927A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-26 | Nobuhiko Sato | Opening and closing holder of bag mouth due to adhesive substance |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10160290A patent/JPH0316049A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465523B2 (ja) | 1992-10-20 |
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