JPH0330963B2 - - Google Patents
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- JPH0330963B2 JPH0330963B2 JP58236951A JP23695183A JPH0330963B2 JP H0330963 B2 JPH0330963 B2 JP H0330963B2 JP 58236951 A JP58236951 A JP 58236951A JP 23695183 A JP23695183 A JP 23695183A JP H0330963 B2 JPH0330963 B2 JP H0330963B2
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- magneto
- amorphous
- magnetic
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は希土類元素と鉄族元素を主成分とする
非晶質磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化容
易方向を有する光磁気記録媒体に関するものであ
る。
非晶質磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化容
易方向を有する光磁気記録媒体に関するものであ
る。
従来公知である膜面と垂直な方向に磁化容易軸
を有しかつ光ビームにより情報を書き込み、読み
出せる磁性膜合金としては多結晶、単結晶、非晶
質の各材料が知られている。しかも非晶質合金は
書き込み感度が良く、媒体ノイズが少なく、垂直
磁気異方性の大面積が安定に作製出来る、又磁気
特性もメモリ材として適切な値を持つて良いが、
読出し性能（Ｓ／Ｎ比）に大き影響を与える、カ
ー回転角（θk）が小さく、そのためにＳ／Ｎ比
が小さくなり光磁気記録媒体として使用すること
は困難とゆう欠点を有している。
を有しかつ光ビームにより情報を書き込み、読み
出せる磁性膜合金としては多結晶、単結晶、非晶
質の各材料が知られている。しかも非晶質合金は
書き込み感度が良く、媒体ノイズが少なく、垂直
磁気異方性の大面積が安定に作製出来る、又磁気
特性もメモリ材として適切な値を持つて良いが、
読出し性能（Ｓ／Ｎ比）に大き影響を与える、カ
ー回転角（θk）が小さく、そのためにＳ／Ｎ比
が小さくなり光磁気記録媒体として使用すること
は困難とゆう欠点を有している。
本発明は上記の従来の欠点を改良し、θkを大
きくし、Ｓ／Ｎ比が優れた光磁気記録媒体を提供
することにある。
きくし、Ｓ／Ｎ比が優れた光磁気記録媒体を提供
することにある。
本発明の光磁気記録媒体は膜面に垂直な大部分
の方向が磁化容易軸の磁気異方性を有するもので
あり大部分が非晶質状態の薄膜である。
の方向が磁化容易軸の磁気異方性を有するもので
あり大部分が非晶質状態の薄膜である。
そして従来から希土類元素として（Ｒ）Gd，
Tb，Dy，Ho，Sm，Prが知られており、かつこ
れらとの非晶質合金としてFe，Co，Ni，は光磁
気記録媒体として注目され研究が進められてい
る。しかしこれらより優れた記録媒体とするには
θkの大きな優れたものにする必要がある。これ
らの欠点を改良するために新しい合金を発明した
ことにある。
Tb，Dy，Ho，Sm，Prが知られており、かつこ
れらとの非晶質合金としてFe，Co，Ni，は光磁
気記録媒体として注目され研究が進められてい
る。しかしこれらより優れた記録媒体とするには
θkの大きな優れたものにする必要がある。これ
らの欠点を改良するために新しい合金を発明した
ことにある。
本発明は新しい希土類元素としてNd，Ybが一
種又は二種とFe，Coの一種又は二種の非晶質合
金は垂直磁化膜となりかつθkも大きいことが確
認できたことにある。そして又磁気特性である飽
和磁束密度（Bs）、残留磁束密度（Br）が大きく
そして保磁力（Hc）が大きく優れているために
記録されるビツトが小さく（1μm以下）かつ安定
であるため高密度メモリーとして応用できる。
種又は二種とFe，Coの一種又は二種の非晶質合
金は垂直磁化膜となりかつθkも大きいことが確
認できたことにある。そして又磁気特性である飽
和磁束密度（Bs）、残留磁束密度（Br）が大きく
そして保磁力（Hc）が大きく優れているために
記録されるビツトが小さく（1μm以下）かつ安定
であるため高密度メモリーとして応用できる。
更に添加元素としてＢ，Si，Zrを添加すること
により上記特性がより優れた結果になる。
により上記特性がより優れた結果になる。
以下本発明を詳細に説明する。
Fe，Co等のターゲツト上にNd，Yb又は添加
元素のチツプを乗せる複合ターゲツト法、合金と
して合金ターゲツト、又各元素のターゲツトを数
種類用いた多元ターゲツトを用いスパツター装置
にて膜を基板上（ガラス、プラスチツク等）に非
晶質合金膜を作製する。その他に真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法、クラスターイオンビーム
法、分子線エピタキシヤル法、化学反応法、プラ
ズマ重合法、液相エピタキシ法等多くの方法によ
つて薄膜を作製することが可能である。
元素のチツプを乗せる複合ターゲツト法、合金と
して合金ターゲツト、又各元素のターゲツトを数
種類用いた多元ターゲツトを用いスパツター装置
にて膜を基板上（ガラス、プラスチツク等）に非
晶質合金膜を作製する。その他に真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法、クラスターイオンビーム
法、分子線エピタキシヤル法、化学反応法、プラ
ズマ重合法、液相エピタキシ法等多くの方法によ
つて薄膜を作製することが可能である。
これらの膜の磁気特性をVSM法で測定できる
又θkについてもレザー光によつて測定すること
ができる。
又θkについてもレザー光によつて測定すること
ができる。
Ｒのモル濃度は0.1モル以下はθkの増大がはか
れないし又は0.4モル以上になると垂直磁化膜が
不可となることから0.1〜0.4モルが適当である。
又添加元素は0.1モル以上になるとθkが小さくな
ることと垂直磁化膜が得られなくなるために0.1
モル以下が妥当である。この非晶質薄膜は約1000
Å位で使用するのが良い。これらの発明した合金
についての特性を示す、そして今までの従来材と
の比較をしてみた。
れないし又は0.4モル以上になると垂直磁化膜が
不可となることから0.1〜0.4モルが適当である。
又添加元素は0.1モル以上になるとθkが小さくな
ることと垂直磁化膜が得られなくなるために0.1
モル以下が妥当である。この非晶質薄膜は約1000
Å位で使用するのが良い。これらの発明した合金
についての特性を示す、そして今までの従来材と
の比較をしてみた。
従来材として公知のGdCo、TbFe、GdTbFe、
TbFeCo、GdFeCo、GdDyFe、GdCoTbFe等の
θkは0.25〜0.4度で、又Hc＝500〜5000エルステ
ツド、Br＝50〜2000ガウスである。一方、本発
明の非晶質垂直磁化膜の特性は、本発明の主要組
成であるRXM1-X（NdFe，YbFe，NdYbFe，
NdCo，NdYbCo，NdFeCo，NdYbFeCo，
NdFeCo，YbFeCo，NdYbFeCo等）自体が高
く、上記従来材に比較してθkは0.3〜0.65度であ
り、しかも、Ｈ＝1000〜30000エルステツド、Ｂ
＝100〜14000ガウスと高いところに、本発明はさ
らにこれに添加元素のＢ，Zr，Siを加えることに
よつて上記特性を10％〜50％位に向上させたもの
である。
TbFeCo、GdFeCo、GdDyFe、GdCoTbFe等の
θkは0.25〜0.4度で、又Hc＝500〜5000エルステ
ツド、Br＝50〜2000ガウスである。一方、本発
明の非晶質垂直磁化膜の特性は、本発明の主要組
成であるRXM1-X（NdFe，YbFe，NdYbFe，
NdCo，NdYbCo，NdFeCo，NdYbFeCo，
NdFeCo，YbFeCo，NdYbFeCo等）自体が高
く、上記従来材に比較してθkは0.3〜0.65度であ
り、しかも、Ｈ＝1000〜30000エルステツド、Ｂ
＝100〜14000ガウスと高いところに、本発明はさ
らにこれに添加元素のＢ，Zr，Siを加えることに
よつて上記特性を10％〜50％位に向上させたもの
である。
１例を図について説明する。
主要成分であるNdXFe1-XについてＢを添加し
たNdXFe0.9-XB0.1は、0.1＜Ｘ＜0.5において、θk
は略0.5〜0.55の値を保つている。一方、Ｂを添
加しないNdXFe1-Xのθkは最大でも0.45であり、
本発明のNdXFe0.9-XB0.1は、概ね30％以上高くな
つていることが図より理解できる。
たNdXFe0.9-XB0.1は、0.1＜Ｘ＜0.5において、θk
は略0.5〜0.55の値を保つている。一方、Ｂを添
加しないNdXFe1-Xのθkは最大でも0.45であり、
本発明のNdXFe0.9-XB0.1は、概ね30％以上高くな
つていることが図より理解できる。
以上説明した本発明の光磁気記録媒体はカー効
果、フアラデー効果を利用して読出しを行なう。
果、フアラデー効果を利用して読出しを行なう。
書き込みはレザー光等の光ビームを用いてその
光熱磁気効果を利用するものである。このように
ビーム・アドレツサブルメモリーとして利用でき
る書換え可能なメモリーとなるそしてθkが大き
いため、Ｓ／Ｎが良くなり書き換え可能なメモリ
ーとして応用することが可能である。
光熱磁気効果を利用するものである。このように
ビーム・アドレツサブルメモリーとして利用でき
る書換え可能なメモリーとなるそしてθkが大き
いため、Ｓ／Ｎが良くなり書き換え可能なメモリ
ーとして応用することが可能である。
又磁気特性が優れていることを利用して垂直磁
気記録用として記録ヘツドによつて録再する用途
に用いることもできる。すなわち広く垂直磁化膜
を利用した高密度メモリーとして使うことが可能
である。
気記録用として記録ヘツドによつて録再する用途
に用いることもできる。すなわち広く垂直磁化膜
を利用した高密度メモリーとして使うことが可能
である。
図はRXM1-XにおいてＲ＝Nd，Ybが一種以上、
Ｍ＝Fe，Coが一種以上の組成又添加元素Ｂを加
えた時のカー回転角θk（゜）とＸモルの関係係を
示す。
Ｍ＝Fe，Coが一種以上の組成又添加元素Ｂを加
えた時のカー回転角θk（゜）とＸモルの関係係を
示す。
Claims (1)
- １ 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶
質合金の一般式（RXM1-X）1-YNYで示され、Ｒは
Nd，Ybが一種以上であり、ＭはFe，Coが一種
以上であり、ＮはＢ，Si，Zrの一種以上であり、
0.1＜Ｘ＜0.4、Ｎ＜0.1であることを特徴とする光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23695183A JPS60128606A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23695183A JPS60128606A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128606A JPS60128606A (ja) | 1985-07-09 |
| JPH0330963B2 true JPH0330963B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=17008172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23695183A Granted JPS60128606A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128606A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139252A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-25 | Kyocera Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2594030B2 (ja) * | 1985-01-16 | 1997-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH0670924B2 (ja) * | 1984-11-12 | 1994-09-07 | 住友特殊金属株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| DE3581378D1 (de) * | 1984-11-12 | 1991-02-21 | Sumitomo Spec Metals | Senkrecht magnetisiertes aufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung. |
| JPH084052B2 (ja) * | 1985-01-21 | 1996-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜作製用合金ターゲット |
| JP2587408B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1997-03-05 | 日立マクセル株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2601796B2 (ja) * | 1985-12-05 | 1997-04-16 | 日立マクセル株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH0782670B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体 |
| NL8600647A (nl) * | 1986-03-13 | 1987-10-01 | Philips Nv | Magneto-optisch registratie-element en een magneto-optische registratie-inrichting. |
| JPS6384005A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-14 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 垂直磁化膜の形成方法 |
| JPH07120596B2 (ja) * | 1987-10-23 | 1995-12-20 | 株式会社安川電機 | 強磁性薄膜の形成方法 |
| KR0183938B1 (ko) * | 1995-10-28 | 1999-04-15 | 삼성전자주식회사 | 비정질 경희토류-천이금속과 반금속의 합금,이로부터 형성되는 광자기 기록막 및 이 기록막을 채용한 광자기 디스크 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130106A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-08 | Philips Nv | Magnetic optical memory element |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23695183A patent/JPS60128606A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130106A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-08 | Philips Nv | Magnetic optical memory element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60128606A (ja) | 1985-07-09 |
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