JPH0330963B2 - - Google Patents

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JPH0330963B2
JPH0330963B2 JP58236951A JP23695183A JPH0330963B2 JP H0330963 B2 JPH0330963 B2 JP H0330963B2 JP 58236951 A JP58236951 A JP 58236951A JP 23695183 A JP23695183 A JP 23695183A JP H0330963 B2 JPH0330963 B2 JP H0330963B2
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JP
Japan
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film
magneto
amorphous
magnetic
recording medium
Prior art date
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JP58236951A
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English (en)
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JPS60128606A (ja
Inventor
Katsuhiko Yahagi
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は希土類元素と鉄族元素を主成分とする
非晶質磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化容
易方向を有する光磁気記録媒体に関するものであ
る。
従来公知である膜面と垂直な方向に磁化容易軸
を有しかつ光ビームにより情報を書き込み、読み
出せる磁性膜合金としては多結晶、単結晶、非晶
質の各材料が知られている。しかも非晶質合金は
書き込み感度が良く、媒体ノイズが少なく、垂直
磁気異方性の大面積が安定に作製出来る、又磁気
特性もメモリ材として適切な値を持つて良いが、
読出し性能(S/N比)に大き影響を与える、カ
ー回転角(θk)が小さく、そのためにS/N比
が小さくなり光磁気記録媒体として使用すること
は困難とゆう欠点を有している。
本発明は上記の従来の欠点を改良し、θkを大
きくし、S/N比が優れた光磁気記録媒体を提供
することにある。
本発明の光磁気記録媒体は膜面に垂直な大部分
の方向が磁化容易軸の磁気異方性を有するもので
あり大部分が非晶質状態の薄膜である。
そして従来から希土類元素として(R)Gd,
Tb,Dy,Ho,Sm,Prが知られており、かつこ
れらとの非晶質合金としてFe,Co,Ni,は光磁
気記録媒体として注目され研究が進められてい
る。しかしこれらより優れた記録媒体とするには
θkの大きな優れたものにする必要がある。これ
らの欠点を改良するために新しい合金を発明した
ことにある。
本発明は新しい希土類元素としてNd,Ybが一
種又は二種とFe,Coの一種又は二種の非晶質合
金は垂直磁化膜となりかつθkも大きいことが確
認できたことにある。そして又磁気特性である飽
和磁束密度(Bs)、残留磁束密度(Br)が大きく
そして保磁力(Hc)が大きく優れているために
記録されるビツトが小さく(1μm以下)かつ安定
であるため高密度メモリーとして応用できる。
更に添加元素としてB,Si,Zrを添加すること
により上記特性がより優れた結果になる。
以下本発明を詳細に説明する。
Fe,Co等のターゲツト上にNd,Yb又は添加
元素のチツプを乗せる複合ターゲツト法、合金と
して合金ターゲツト、又各元素のターゲツトを数
種類用いた多元ターゲツトを用いスパツター装置
にて膜を基板上(ガラス、プラスチツク等)に非
晶質合金膜を作製する。その他に真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法、クラスターイオンビーム
法、分子線エピタキシヤル法、化学反応法、プラ
ズマ重合法、液相エピタキシ法等多くの方法によ
つて薄膜を作製することが可能である。
これらの膜の磁気特性をVSM法で測定できる
又θkについてもレザー光によつて測定すること
ができる。
Rのモル濃度は0.1モル以下はθkの増大がはか
れないし又は0.4モル以上になると垂直磁化膜が
不可となることから0.1〜0.4モルが適当である。
又添加元素は0.1モル以上になるとθkが小さくな
ることと垂直磁化膜が得られなくなるために0.1
モル以下が妥当である。この非晶質薄膜は約1000
Å位で使用するのが良い。これらの発明した合金
についての特性を示す、そして今までの従来材と
の比較をしてみた。
従来材として公知のGdCo、TbFe、GdTbFe、
TbFeCo、GdFeCo、GdDyFe、GdCoTbFe等の
θkは0.25〜0.4度で、又Hc=500〜5000エルステ
ツド、Br=50〜2000ガウスである。一方、本発
明の非晶質垂直磁化膜の特性は、本発明の主要組
成であるRXM1-X(NdFe,YbFe,NdYbFe,
NdCo,NdYbCo,NdFeCo,NdYbFeCo,
NdFeCo,YbFeCo,NdYbFeCo等)自体が高
く、上記従来材に比較してθkは0.3〜0.65度であ
り、しかも、H=1000〜30000エルステツド、B
=100〜14000ガウスと高いところに、本発明はさ
らにこれに添加元素のB,Zr,Siを加えることに
よつて上記特性を10%〜50%位に向上させたもの
である。
1例を図について説明する。
主要成分であるNdXFe1-XについてBを添加し
たNdXFe0.9-XB0.1は、0.1<X<0.5において、θk
は略0.5〜0.55の値を保つている。一方、Bを添
加しないNdXFe1-Xのθkは最大でも0.45であり、
本発明のNdXFe0.9-XB0.1は、概ね30%以上高くな
つていることが図より理解できる。
以上説明した本発明の光磁気記録媒体はカー効
果、フアラデー効果を利用して読出しを行なう。
書き込みはレザー光等の光ビームを用いてその
光熱磁気効果を利用するものである。このように
ビーム・アドレツサブルメモリーとして利用でき
る書換え可能なメモリーとなるそしてθkが大き
いため、S/Nが良くなり書き換え可能なメモリ
ーとして応用することが可能である。
又磁気特性が優れていることを利用して垂直磁
気記録用として記録ヘツドによつて録再する用途
に用いることもできる。すなわち広く垂直磁化膜
を利用した高密度メモリーとして使うことが可能
である。
【図面の簡単な説明】
図はRXM1-XにおいてR=Nd,Ybが一種以上、
M=Fe,Coが一種以上の組成又添加元素Bを加
えた時のカー回転角θk(゜)とXモルの関係係を
示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶
    質合金の一般式(RXM1-X1-YNYで示され、Rは
    Nd,Ybが一種以上であり、MはFe,Coが一種
    以上であり、NはB,Si,Zrの一種以上であり、
    0.1<X<0.4、N<0.1であることを特徴とする光
    磁気記録媒体。
JP23695183A 1983-12-15 1983-12-15 光磁気記録媒体 Granted JPS60128606A (ja)

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JPS60128606A (ja) 1985-07-09

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