JP2550633B2 - 光熱磁気記録媒体 - Google Patents
光熱磁気記録媒体Info
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- JP2550633B2 JP2550633B2 JP63016122A JP1612288A JP2550633B2 JP 2550633 B2 JP2550633 B2 JP 2550633B2 JP 63016122 A JP63016122 A JP 63016122A JP 1612288 A JP1612288 A JP 1612288A JP 2550633 B2 JP2550633 B2 JP 2550633B2
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- amorphous magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光熱磁気記録媒体に関し、例えば光磁気
メモリ、磁気記録、表示素子などに用いられるものに関
する。
メモリ、磁気記録、表示素子などに用いられるものに関
する。
従来、光熱磁気記録媒体としては、MnBi、MnCuBiなど
の多結晶体薄膜、GdCo,GdFe,TbFe,DyFe、GdTbFe、TbDyF
eなどの非晶質薄膜、GIGなどの単結晶薄膜などが知られ
ている。これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する製膜性、信号を小さな光熱エネルギー
で書込むための書込み効率、書込まれた信号をSN比よく
読出すための読出し効率などの点から、最近では上記の
非晶質薄膜が優れていると考えられている。
の多結晶体薄膜、GdCo,GdFe,TbFe,DyFe、GdTbFe、TbDyF
eなどの非晶質薄膜、GIGなどの単結晶薄膜などが知られ
ている。これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する製膜性、信号を小さな光熱エネルギー
で書込むための書込み効率、書込まれた信号をSN比よく
読出すための読出し効率などの点から、最近では上記の
非晶質薄膜が優れていると考えられている。
しかしながら、これらの非晶質薄膜においても種々の
欠点が指摘されている。例えば、GdFeは保磁力が小さ
く、記録された情報が不安定である。また、GdFe、GdCo
は磁気的補償点を利用した書込みを行っており、書込み
効率を均一にするために、製膜の際、膜組成を厳しく管
理しなければならないという問題点がある。また、TbF
e、DyFe、TbDyFeはキュリー点書込みのため、膜組成を
それほど激しく管理する必要がないが、キュリー点が10
0℃前後と低いために、信号を読出す時にパワーの強い
光を用いることができないという問題点がある。キュリ
ー温度は低ければ書込み効率は向上するが、書込まれが
信号が、周囲の温度とか読出し光により乱されてしま
う。従ってキュリー温度は、書込み可能であれば高い程
よく、実用上の状態を考慮すれば200℃前後が望まし
い。
欠点が指摘されている。例えば、GdFeは保磁力が小さ
く、記録された情報が不安定である。また、GdFe、GdCo
は磁気的補償点を利用した書込みを行っており、書込み
効率を均一にするために、製膜の際、膜組成を厳しく管
理しなければならないという問題点がある。また、TbF
e、DyFe、TbDyFeはキュリー点書込みのため、膜組成を
それほど激しく管理する必要がないが、キュリー点が10
0℃前後と低いために、信号を読出す時にパワーの強い
光を用いることができないという問題点がある。キュリ
ー温度は低ければ書込み効率は向上するが、書込まれが
信号が、周囲の温度とか読出し光により乱されてしま
う。従ってキュリー温度は、書込み可能であれば高い程
よく、実用上の状態を考慮すれば200℃前後が望まし
い。
また、反射光による読出しはSN比は、反射率をＲ、カ
ー回転角をθＫとすると、 に比例する。従って、SN比よく読出すためには、カー回
転角を大きくすればよい。表１に非晶質薄膜による光熱
磁気記録媒体の主なもののカー回転角とキュリー温度を
示す。なお、第６図（ａ）及び（ｂ）は、各々Tbx（Fe
1-yCoy）1-x膜の組成（ｘ）によるカー回転角（deg）変
化を示す特性図および組成（ｘ）によるキュリー温度
（℃）変化を示す特性図である。
ー回転角をθＫとすると、 に比例する。従って、SN比よく読出すためには、カー回
転角を大きくすればよい。表１に非晶質薄膜による光熱
磁気記録媒体の主なもののカー回転角とキュリー温度を
示す。なお、第６図（ａ）及び（ｂ）は、各々Tbx（Fe
1-yCoy）1-x膜の組成（ｘ）によるカー回転角（deg）変
化を示す特性図および組成（ｘ）によるキュリー温度
（℃）変化を示す特性図である。
図において、（Ａ）はｙ＝0.17の特性、（Ｂ）はｙ＝
0.1の特性を示し、各図中、横軸は組成（ｘ）、縦軸は
カー回転角（deg）（第６図（ａ））および横軸は組成
（ｘ）縦軸はキュリー温度（℃）（第６図（ｂ））を示
す。この表１におけるTbFeCoに関しては、特開昭58−73
746号公報に報告されている。
0.1の特性を示し、各図中、横軸は組成（ｘ）、縦軸は
カー回転角（deg）（第６図（ａ））および横軸は組成
（ｘ）縦軸はキュリー温度（℃）（第６図（ｂ））を示
す。この表１におけるTbFeCoに関しては、特開昭58−73
746号公報に報告されている。
又、キュリー温度の高い膜を用いる方法として、特開
昭56−153546号公報に示されている様に、基板の上面に
高保磁力で垂直磁気異方性を有する書き込み層を配設
し、該書き込み層の上面に磁気光学効果が大きく低保磁
力で垂直磁気異方性を有する読み出し層を配設した構造
の媒体が提案されている。
昭56−153546号公報に示されている様に、基板の上面に
高保磁力で垂直磁気異方性を有する書き込み層を配設
し、該書き込み層の上面に磁気光学効果が大きく低保磁
力で垂直磁気異方性を有する読み出し層を配設した構造
の媒体が提案されている。
さらに特開昭57−78652号公報においても、一面に垂
直磁化可能な低キュリー点を有する低保磁力層が形成さ
れ、他面には高キュリー点を有する低保磁力層が形成さ
れ、該高保磁力層と該低保磁力層とは交換結合されてい
る媒体が報告されている。
直磁化可能な低キュリー点を有する低保磁力層が形成さ
れ、他面には高キュリー点を有する低保磁力層が形成さ
れ、該高保磁力層と該低保磁力層とは交換結合されてい
る媒体が報告されている。
表１に示されるようにTbFeCo膜は、キュリー温度が20
0℃前後で望ましく、カー回転角もこの中では最も大き
く、SN比よく読み出すことができる。しかしこのTbFeCo
膜においてもカー回転角、キュリー温度は第５図に示す
様に組成に依存しており、最大のカー回転角を得るため
にはTb量は少ない方がよい。しかしTb量が少ない場合、
飽和磁化（Ms）の温度依存性のためＮ（ノイズ）レベル
が上昇し、SN比が低下するという欠点がある。そのため
Tb量が22〜35at％程度のTbFeCo膜が適当であった。又Co
量を多くしていくにつれカー回転角は大きくなるが、キ
ュリー温度が上昇し、書き込みに大きなエネルギーを必
要とする欠点がある。
0℃前後で望ましく、カー回転角もこの中では最も大き
く、SN比よく読み出すことができる。しかしこのTbFeCo
膜においてもカー回転角、キュリー温度は第５図に示す
様に組成に依存しており、最大のカー回転角を得るため
にはTb量は少ない方がよい。しかしTb量が少ない場合、
飽和磁化（Ms）の温度依存性のためＮ（ノイズ）レベル
が上昇し、SN比が低下するという欠点がある。そのため
Tb量が22〜35at％程度のTbFeCo膜が適当であった。又Co
量を多くしていくにつれカー回転角は大きくなるが、キ
ュリー温度が上昇し、書き込みに大きなエネルギーを必
要とする欠点がある。
またTbFeCo三元系合金薄膜においてTbx（Fe1-yCoy）
1-xとしたとき、ｙ≧0.5のときは第１層、第２層どちら
に用いたとしても膜のキュリー温度が高くなりすぎ、記
録ができないという欠点がある。
1-xとしたとき、ｙ≧0.5のときは第１層、第２層どちら
に用いたとしても膜のキュリー温度が高くなりすぎ、記
録ができないという欠点がある。
又、特開昭56−153546号公報に示された方法では、書
き込み層に情報を書き込んで、その書き込み層から読み
出し層に情報を転写して読み出し層に偏光を照射して情
報を再生する方法を用いているため、容易に転写が可能
である層の組み合わせを選ぶ必要がある。そのため書き
込み層などにはTbCo膜,DyFe膜を用い、読み出し層にはG
dFe膜,GdCo膜などを用いる必要があり、構造が複雑にな
り、製造方法も複雑になるという欠点がある。さらに読
み出し層は基板との間に書き込み層があるため、再生光
は基板をとおらず、保護膜を介したとしても膜側から直
接読み出すことになり、媒体に付着したゴミ、ほこりな
どの影響をうけるという欠点がある。
き込み層に情報を書き込んで、その書き込み層から読み
出し層に情報を転写して読み出し層に偏光を照射して情
報を再生する方法を用いているため、容易に転写が可能
である層の組み合わせを選ぶ必要がある。そのため書き
込み層などにはTbCo膜,DyFe膜を用い、読み出し層にはG
dFe膜,GdCo膜などを用いる必要があり、構造が複雑にな
り、製造方法も複雑になるという欠点がある。さらに読
み出し層は基板との間に書き込み層があるため、再生光
は基板をとおらず、保護膜を介したとしても膜側から直
接読み出すことになり、媒体に付着したゴミ、ほこりな
どの影響をうけるという欠点がある。
さらに、特開昭57−78652号公報においても、望まし
くは高保磁力層としてTbFe膜,DyFe膜，低保磁力層とし
てGeFe膜,GdCo膜等が例示されており、異なった元素を
含有する２層膜を用いる場合には、構造上複雑になり製
造条件も難しくなる。
くは高保磁力層としてTbFe膜,DyFe膜，低保磁力層とし
てGeFe膜,GdCo膜等が例示されており、異なった元素を
含有する２層膜を用いる場合には、構造上複雑になり製
造条件も難しくなる。
また、交換結合されている媒体であっても、例えばTb
Fe膜とGdFe膜の組合せの場合、Tb副格子磁化優勢のTbFe
膜とGd副格子磁化優勢のGdFE膜の時は、大きなカー回転
角を得ることができずSN比の向上が期待できない。また
Fe副格子磁化優勢のTbFe膜とFe副格子磁化優勢のGdFe膜
の時は、ノイズレベルの上昇があり、やはりSN比の向上
が期待できないという欠点あった。
Fe膜とGdFe膜の組合せの場合、Tb副格子磁化優勢のTbFe
膜とGd副格子磁化優勢のGdFE膜の時は、大きなカー回転
角を得ることができずSN比の向上が期待できない。また
Fe副格子磁化優勢のTbFe膜とFe副格子磁化優勢のGdFe膜
の時は、ノイズレベルの上昇があり、やはりSN比の向上
が期待できないという欠点あった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされた
もので、得られる最大のカー回転角を有効に利用して効
率よく光再生出力をとり出し得る光熱磁気記録媒体を提
供するものである。
もので、得られる最大のカー回転角を有効に利用して効
率よく光再生出力をとり出し得る光熱磁気記録媒体を提
供するものである。
この発明の光熱磁気記録媒体は、膜面に垂直方向に磁
化容易軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示される
TbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層、および膜面に垂直
方向に磁化容易軸軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-x
で示されるTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層を基板に
積層し、上記第１と第２非晶質磁性合金層とは交換結合
されている磁性層を備え、上記第１非晶質磁性合金層に
おいて、第１の発明では0.1≦ｘ≦0.2,0.1≦ｙ＜0.5,第
２の発明では0.15≦ｘ≦0.2,0.1≦ｙ＜0.5,上記第２非
晶質磁性合金層において第１及び第２の発明で0.22≦ｘ
≦0.35、0.05＜ｙ＜0.5であり、室温において上記第１
非晶質磁性合金層がFeCo副格子磁化優勢で、上記第２非
晶質磁性合金層がTb副格子磁化優勢のものである。
化容易軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示される
TbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層、および膜面に垂直
方向に磁化容易軸軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-x
で示されるTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層を基板に
積層し、上記第１と第２非晶質磁性合金層とは交換結合
されている磁性層を備え、上記第１非晶質磁性合金層に
おいて、第１の発明では0.1≦ｘ≦0.2,0.1≦ｙ＜0.5,第
２の発明では0.15≦ｘ≦0.2,0.1≦ｙ＜0.5,上記第２非
晶質磁性合金層において第１及び第２の発明で0.22≦ｘ
≦0.35、0.05＜ｙ＜0.5であり、室温において上記第１
非晶質磁性合金層がFeCo副格子磁化優勢で、上記第２非
晶質磁性合金層がTb副格子磁化優勢のものである。
この発明の光熱磁気記録媒体は、基板に得られる最大
のカー回転角を有する室温でFeCo副格子磁化優勢のTbFe
Co3元系第１非晶質磁性合金層を配したことにより大き
なシグナルレベルが得られ、さらに室温でTb副格子磁化
優勢のTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層を配設し、交
換結合を利用することによりノイズレベルの上昇をおさ
え、大きなSN比を得ることができた。さらに交換結合を
利用した結果書き込みエネルギーを小さくすることが可
能となった。
のカー回転角を有する室温でFeCo副格子磁化優勢のTbFe
Co3元系第１非晶質磁性合金層を配したことにより大き
なシグナルレベルが得られ、さらに室温でTb副格子磁化
優勢のTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層を配設し、交
換結合を利用することによりノイズレベルの上昇をおさ
え、大きなSN比を得ることができた。さらに交換結合を
利用した結果書き込みエネルギーを小さくすることが可
能となった。
第１図はこの発明の一実施例の光熱磁気記録媒体の断
面図であり（１）は基板、（２）はTbFeCo3元系第１非
晶質磁性合金層、（３）はTbFeCo3元系第２非晶質磁性
合金層で、上記第1,第２非晶質磁性合金層で磁性層
（４）を形成する。基板（１）としては、ガラス、セラ
ミックス、プラスチック等の非磁性体が材料として用い
られる。
面図であり（１）は基板、（２）はTbFeCo3元系第１非
晶質磁性合金層、（３）はTbFeCo3元系第２非晶質磁性
合金層で、上記第1,第２非晶質磁性合金層で磁性層
（４）を形成する。基板（１）としては、ガラス、セラ
ミックス、プラスチック等の非磁性体が材料として用い
られる。
TbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層（２）は、Tbx（Fe
1-yCoy）1-xとしたとき第１の発明ではｘが0.1≦ｘ≦0.
2、第２の発明ではｘが0.15≦ｘ≦0.2の範囲であり、第
１及び第２の発明でｙが0.1≦ｙ＜0.5の範囲であり、室
温でFeCo副格子磁化優勢である。
1-yCoy）1-xとしたとき第１の発明ではｘが0.1≦ｘ≦0.
2、第２の発明ではｘが0.15≦ｘ≦0.2の範囲であり、第
１及び第２の発明でｙが0.1≦ｙ＜0.5の範囲であり、室
温でFeCo副格子磁化優勢である。
TbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層（３）は、Tbx（Fe
1-yCoy）1-xとしたときのｘが0.2＜ｘ0.35の範囲であ
り、ｙが０ｙ＜0.5の範囲であり、室温でTb副格子磁
化優勢である。そして、TbFeCo3元系第１非晶質磁性合
金層とTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層とが交換結合
していることが必要である。
1-yCoy）1-xとしたときのｘが0.2＜ｘ0.35の範囲であ
り、ｙが０ｙ＜0.5の範囲であり、室温でTb副格子磁
化優勢である。そして、TbFeCo3元系第１非晶質磁性合
金層とTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層とが交換結合
していることが必要である。
なお、上記のような構成の磁性層を形成するには、例
えばスパッタリング法や真空蒸着法などによって製膜す
る。
えばスパッタリング法や真空蒸着法などによって製膜す
る。
以下、この発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例１ 基板:1.2mm厚プラスチック基板 TbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層:Tb18.4（Fe70Co30）
81.4 膜厚:200Å保磁力:Hc2KOe キュリー温度:250℃ TbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層:Tb23.6（Fe90Co10）
76.4 膜厚:600Å保磁力:Hc10KOe キュリー温度:180℃ 上記構成材料を用い、スパッタリング法によってこの
発明の一実施例の光熱磁気記録媒体を得た。
81.4 膜厚:200Å保磁力:Hc2KOe キュリー温度:250℃ TbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層:Tb23.6（Fe90Co10）
76.4 膜厚:600Å保磁力:Hc10KOe キュリー温度:180℃ 上記構成材料を用い、スパッタリング法によってこの
発明の一実施例の光熱磁気記録媒体を得た。
比較例１ 実施例１におけるTbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層
を省略し、Tb18.4（Fe70Co30）81.4のものを800Åのみ
を実施例１と同様に積層して光熱磁気記録媒体を得た。
第２図にその断面図を示す。
を省略し、Tb18.4（Fe70Co30）81.4のものを800Åのみ
を実施例１と同様に積層して光熱磁気記録媒体を得た。
第２図にその断面図を示す。
実施例２〜11 表２に示したような構成材料を用いる他は実施例１と
同様にこの発明の他の実施例の光熱磁気記録媒体を得
た。
同様にこの発明の他の実施例の光熱磁気記録媒体を得
た。
比較例２〜９ 表２に示したような構成材料を用いる他は実施例１と
同様に光熱磁気記録媒体を得た。
同様に光熱磁気記録媒体を得た。
記録再生特性試験 上記のようにして得られたこの発明の実施例の光熱磁
気記録媒体および比較例の光熱磁気記録媒体について、
ディスクスピード9.8m/s、記録周波数1MHzで記録再生特
性試験を行った。その結果を第３図および第４図に示
す。第３図は書き込みパワー（mW）によるS/N（dB）変
化を示す特性図であり、図中（ｍ）は実施例の特性、
（ｎ）は比較例１の特性である。ここで、横軸は書き込
みパワー（mW）を、縦軸はS/N（dB）を示す。第４図は
読み出しパワー（mW）によるS/N（dB）変化を示す特 性図であり、図中（A1）（A2）は実施例の特性、（B1）
（B2）は比較例１の特性である。ここで、横軸は読み出
しパワー（mW）を、縦軸はS/N（dB）を示す。又、表２
に、用いた構成材料と、得られた光熱磁気記録媒体のS/
Nを示す。
気記録媒体および比較例の光熱磁気記録媒体について、
ディスクスピード9.8m/s、記録周波数1MHzで記録再生特
性試験を行った。その結果を第３図および第４図に示
す。第３図は書き込みパワー（mW）によるS/N（dB）変
化を示す特性図であり、図中（ｍ）は実施例の特性、
（ｎ）は比較例１の特性である。ここで、横軸は書き込
みパワー（mW）を、縦軸はS/N（dB）を示す。第４図は
読み出しパワー（mW）によるS/N（dB）変化を示す特 性図であり、図中（A1）（A2）は実施例の特性、（B1）
（B2）は比較例１の特性である。ここで、横軸は読み出
しパワー（mW）を、縦軸はS/N（dB）を示す。又、表２
に、用いた構成材料と、得られた光熱磁気記録媒体のS/
Nを示す。
それによると、実施例は、比較例より低いパワーから
SN比は高く、即ち、より小さなエネルギーで書き込むこ
とができる。又、実施例においては、大きな読み出しパ
ワーまで高いSN比を保つことができる。またTbの組成を
変化させたことによるS/N（dB）の変化は第５図に示
す。この図からの0.1ｘ0.2でS/Nが良いことがわか
る。このようにこの発明の実施例の光熱磁気記録媒体を
用いると小さなエネルギーで書き込むことが可能であ
り、又、大きな読み出しパワーまで高いSN比を保つこと
ができ、光再生出力は従来よりも大きい。従って、光ビ
ームを用いて書き込みカー効果を利用して読み出しを行
なういわゆるビームアドレッサブルファイルメモリ等の
光熱磁気メモリとして使用すれば、極めて高密度でSN比
の大きい優れたメモリ装置を実現できる。
SN比は高く、即ち、より小さなエネルギーで書き込むこ
とができる。又、実施例においては、大きな読み出しパ
ワーまで高いSN比を保つことができる。またTbの組成を
変化させたことによるS/N（dB）の変化は第５図に示
す。この図からの0.1ｘ0.2でS/Nが良いことがわか
る。このようにこの発明の実施例の光熱磁気記録媒体を
用いると小さなエネルギーで書き込むことが可能であ
り、又、大きな読み出しパワーまで高いSN比を保つこと
ができ、光再生出力は従来よりも大きい。従って、光ビ
ームを用いて書き込みカー効果を利用して読み出しを行
なういわゆるビームアドレッサブルファイルメモリ等の
光熱磁気メモリとして使用すれば、極めて高密度でSN比
の大きい優れたメモリ装置を実現できる。
なお、基板（１）とTbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層
（２）の間に窒化ケイ素膜などの誘電体層を設けて、カ
ー回転各増大効果をもたせる構成をとっても良いことは
いうまでもない。
（２）の間に窒化ケイ素膜などの誘電体層を設けて、カ
ー回転各増大効果をもたせる構成をとっても良いことは
いうまでもない。
又、上記実施例においては、基板側からの記録再生を
行っているが、膜面側から記録再生を行う場合において
は、TbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層とTbFeCo3元系第
２非晶質磁性合金層を逆に形成し、実施する構成につい
ても、この発明の実施例と同様であることはいうまでも
ない。
行っているが、膜面側から記録再生を行う場合において
は、TbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層とTbFeCo3元系第
２非晶質磁性合金層を逆に形成し、実施する構成につい
ても、この発明の実施例と同様であることはいうまでも
ない。
即ち、TbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層とTbFeCo3元
系第２非晶質磁性合金層はどちらを読み出し層、書き込
み層と規定するものではない。
系第２非晶質磁性合金層はどちらを読み出し層、書き込
み層と規定するものではない。
また、高保磁力層と低保磁力層とを規定するものでも
ない。
ない。
以上説明したとおり、この発明は、膜面に垂直方向に
磁化容易軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示され
るTbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層、および膜面に垂
直方向に磁化容易軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-x
で示されるTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層を基板に
積層し、上記第１と第２非晶質磁性合金層とは交換結合
されている磁性層を備え、上記第１非晶質磁性合金層に
おいて、第１の発明では0.1≦ｘ≦0.2,0.1≦ｙ＜0.5,第
２の発明では0.15≦ｘ≦0.2、0.1≦ｙ＜0.5,、また上記
第２非晶質磁性合金層において、第１及び第２の発明に
おいて0.22≦ｘ≦0.35、0.05＜ｙ＜0.5であり、室温に
おいて上記第１非晶質磁性合金層が、FeCo副格子磁化優
勢で、上記第２非晶質磁性合金層がTb副格子磁化優勢で
あるものを用いることにより、得られる最大のカー回転
角を有効に利用して効率良く光再生出力をとり出し得る
光熱磁気記録媒体を得ることができる。
磁化容易軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示され
るTbFeCo3元系第１非晶質磁性合金層、および膜面に垂
直方向に磁化容易軸を有し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-x
で示されるTbFeCo3元系第２非晶質磁性合金層を基板に
積層し、上記第１と第２非晶質磁性合金層とは交換結合
されている磁性層を備え、上記第１非晶質磁性合金層に
おいて、第１の発明では0.1≦ｘ≦0.2,0.1≦ｙ＜0.5,第
２の発明では0.15≦ｘ≦0.2、0.1≦ｙ＜0.5,、また上記
第２非晶質磁性合金層において、第１及び第２の発明に
おいて0.22≦ｘ≦0.35、0.05＜ｙ＜0.5であり、室温に
おいて上記第１非晶質磁性合金層が、FeCo副格子磁化優
勢で、上記第２非晶質磁性合金層がTb副格子磁化優勢で
あるものを用いることにより、得られる最大のカー回転
角を有効に利用して効率良く光再生出力をとり出し得る
光熱磁気記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明の一実施例の光熱磁気記録媒体の断面
図、第２図は従来の光熱磁気記録媒体の断面図、第３図
は書き込みパワー（mW）によるS/N（dB）変化を示す特
性図、第４図は読み出しパワー（mW）によるS/N（dB）
変化を示す特性図、第５図はTbの組成を変化させた時の
S/N（dB）変化を示す特性図、第６図（ａ）および
（ｂ）は、Tbx（Fe1-yCoy）1-x膜の各々組成（ｘ）によ
るカー回転角（deg.）変化および組成（ｘ）によるキュ
リー温度（℃）変化を示す特性図である。 図において、（１）は基板、（２）はTbFeCo3元系第１
非晶質磁性合金層、（３）はTbFeCo3元系第２非晶質磁
性合金層、（４）は磁性層である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
図、第２図は従来の光熱磁気記録媒体の断面図、第３図
は書き込みパワー（mW）によるS/N（dB）変化を示す特
性図、第４図は読み出しパワー（mW）によるS/N（dB）
変化を示す特性図、第５図はTbの組成を変化させた時の
S/N（dB）変化を示す特性図、第６図（ａ）および
（ｂ）は、Tbx（Fe1-yCoy）1-x膜の各々組成（ｘ）によ
るカー回転角（deg.）変化および組成（ｘ）によるキュ
リー温度（℃）変化を示す特性図である。 図において、（１）は基板、（２）はTbFeCo3元系第１
非晶質磁性合金層、（３）はTbFeCo3元系第２非晶質磁
性合金層、（４）は磁性層である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、一般
式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示されるTbFeCo3元系第１非晶
質磁性合金層、及び膜面に垂直方向に磁性容易軸を有
し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示されるTbFeCo3元系
第２非晶質磁性合金層を基板に積層し、上記第１及び第
２非晶質磁性合金層とは交換結合されている磁性層を備
え、上記第１非晶質磁性合金層において、0.1≦ｘ≦0.
2,0.1≦ｙ＜0.5,上記第２非晶質磁性合金層において0.2
2≦ｘ≦0.35、0.05＜ｙ＜0.5であり、室温において上記
第１非晶質磁性合金層がFeCo副格子磁化優勢で、上記第
２非晶質磁性合金層がTb副格子優勢である光熱磁気記録
媒体。 - 【請求項２】膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、一般
式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示されるTbFeCo3元系第１非晶
質磁性合金層、及び膜面に垂直方向に磁性容易軸を有
し、一般式Tbx（Fe1-yCoy）1-xで示されるTbFeCo3元系
第２非晶質磁性合金層を基板に積層し、上記第１及び第
２非晶質磁性合金層とは交換結合されている磁性層を備
え、上記第１非晶質磁性合金層において、0.15≦ｘ≦0.
2,0.1≦ｙ＜0.5,上記第２非晶質磁性合金層において0.2
2≦ｘ≦0.35、0.05＜ｙ＜0.5であり、室温において上記
第１非晶質磁性合金層がFeCo副格子磁化優勢で、上記第
２非晶質磁性合金層がTb副格子優勢である光熱磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63016122A JP2550633B2 (ja) | 1987-01-26 | 1988-01-26 | 光熱磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-15702 | 1987-01-26 | ||
| JP1570287 | 1987-01-26 | ||
| JP63016122A JP2550633B2 (ja) | 1987-01-26 | 1988-01-26 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63302448A JPS63302448A (ja) | 1988-12-09 |
| JP2550633B2 true JP2550633B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=26351888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63016122A Expired - Lifetime JP2550633B2 (ja) | 1987-01-26 | 1988-01-26 | 光熱磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550633B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6898158B2 (en) | 1999-09-20 | 2005-05-24 | Fujitsu Limited | Information recording medium and information recording and reproducing slider |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2714085B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1998-02-16 | キヤノン株式会社 | 情報記録方法 |
| US5418076A (en) * | 1990-11-20 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic-optical recording medium |
| CN103692705B (zh) * | 2013-12-16 | 2015-06-03 | 杨全民 | 一种复合磁性材料及其制备方法与用途 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105082B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP63016122A patent/JP2550633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6898158B2 (en) | 1999-09-20 | 2005-05-24 | Fujitsu Limited | Information recording medium and information recording and reproducing slider |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63302448A (ja) | 1988-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070822 Year of fee payment: 11 |
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