JPH039545B2 - - Google Patents
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- JPH039545B2 JPH039545B2 JP58130771A JP13077183A JPH039545B2 JP H039545 B2 JPH039545 B2 JP H039545B2 JP 58130771 A JP58130771 A JP 58130771A JP 13077183 A JP13077183 A JP 13077183A JP H039545 B2 JPH039545 B2 JP H039545B2
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- magneto
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光磁気メモリー、磁気記録表示素子な
どに用いられる光磁気記録媒体に係り、具体的に
は膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する媒体に円
形あるいは任意の形状に反転磁区を作ることによ
り情報を記録し、磁気カー効果を利用して情報を
再生する磁性薄膜記録媒体に関するものである。
どに用いられる光磁気記録媒体に係り、具体的に
は膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する媒体に円
形あるいは任意の形状に反転磁区を作ることによ
り情報を記録し、磁気カー効果を利用して情報を
再生する磁性薄膜記録媒体に関するものである。
磁化容易軸が膜面と垂直な方向にある強磁性薄
膜には、Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜
面内の一様磁化極性と逆向きの磁性をもつ小さな
反転磁区を作ることができる。この反転磁区の有
無をデイジタル信号の“１”，“０”に対応させれ
ば、このような強磁性薄膜を高密度の磁気記録媒
体として用いることができる。これらの強磁性垂
直磁化膜は非晶質希土類・遷移金属合金で代表さ
れ、例えばGd−Co，Gd−Fe，Tb−Fe，Dy−
Fe，GdTbFe等があり、その他に多結晶金属薄
膜ではMnBi、化合物単結晶薄膜ではGIGがあ
る。
膜には、Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜
面内の一様磁化極性と逆向きの磁性をもつ小さな
反転磁区を作ることができる。この反転磁区の有
無をデイジタル信号の“１”，“０”に対応させれ
ば、このような強磁性薄膜を高密度の磁気記録媒
体として用いることができる。これらの強磁性垂
直磁化膜は非晶質希土類・遷移金属合金で代表さ
れ、例えばGd−Co，Gd−Fe，Tb−Fe，Dy−
Fe，GdTbFe等があり、その他に多結晶金属薄
膜ではMnBi、化合物単結晶薄膜ではGIGがあ
る。
これらの薄膜への情報の記録は、一般にはレー
ザビームを用いて薄膜のキユリー温度又は磁気的
補償温度以上に温度を上昇させて任意の位置に反
転磁区を作ることによつて行なわれる。記録され
た情報の再生は、直線偏光が磁性薄膜に入射して
反射する際に、その偏光面が磁化の向きによつて
右方向あるいは左方向に回転（カー回転）すると
いう磁気カー効果を利用して行なわれる。ところ
で、光で記録信号を読み出す時のＳ／Ｎは Ｓ／Ｎ∝√・θk という関係にある。ここで、Ｒは磁性薄膜の反射
率、θkは磁気カー効果による偏光面の回転角
（カー回転角）である。この式により、Ｓ／Ｎ比
を大きくするためには、反射率Ｒあるいはカー回
転角θkを大きくすれば良いことがわかるが、磁
性媒体の反射率Ｒはほぼ50％程度で前述した媒体
の種類に依らず一定である。カー回転角θkは図
１に示すように媒体の種類によつて違いがあり、
一般的に、キユリー温度Tcが高い程大きくなる
傾向がある。そこでカー回転角θkの大きな
GdFeBiあるいはGdTbFeを用いればＳ／Ｎを改
善できるのであるが、キユリー温度Tcあるいは
磁気的補償温度が高いため大きな記録パワーを必
要とし、現在のところ半導体レーザを用いての高
速記録が不可能であるという欠点がある。
ザビームを用いて薄膜のキユリー温度又は磁気的
補償温度以上に温度を上昇させて任意の位置に反
転磁区を作ることによつて行なわれる。記録され
た情報の再生は、直線偏光が磁性薄膜に入射して
反射する際に、その偏光面が磁化の向きによつて
右方向あるいは左方向に回転（カー回転）すると
いう磁気カー効果を利用して行なわれる。ところ
で、光で記録信号を読み出す時のＳ／Ｎは Ｓ／Ｎ∝√・θk という関係にある。ここで、Ｒは磁性薄膜の反射
率、θkは磁気カー効果による偏光面の回転角
（カー回転角）である。この式により、Ｓ／Ｎ比
を大きくするためには、反射率Ｒあるいはカー回
転角θkを大きくすれば良いことがわかるが、磁
性媒体の反射率Ｒはほぼ50％程度で前述した媒体
の種類に依らず一定である。カー回転角θkは図
１に示すように媒体の種類によつて違いがあり、
一般的に、キユリー温度Tcが高い程大きくなる
傾向がある。そこでカー回転角θkの大きな
GdFeBiあるいはGdTbFeを用いればＳ／Ｎを改
善できるのであるが、キユリー温度Tcあるいは
磁気的補償温度が高いため大きな記録パワーを必
要とし、現在のところ半導体レーザを用いての高
速記録が不可能であるという欠点がある。
なお、単層媒体で得られているＣ／Ｎ〔Ｃ／Ｎ
＝Ｓ／Ｎ＋10log（雑音帯域）／（分解能帯域幅）〕
のトツプデータとしては、TbFeを用いた媒体で
記録周波数1MHz、帯域30KHzにおいて42dBとい
う値が報告されている。そこで、さらに高いＣ／
Ｎを得るための一改善方法として、記録層と再生
層を分離した図２のような構造が提案されてい
る。すなわち、ガラスあるいはプラスチツクの如
き透明体基板１上に再生層２として高キユリー温
度で低保磁力層を、また記録層３として低キユリ
ー温度で高保磁力層を用いたもので、一般に前者
にGdFe，GdCo、後者にTbFe，DyFeが用いら
れる。これは、記録、再生両層間の静磁力と交換
力による結合現象によつて、記録層で形成したビ
ツトが再生層にも形成されることを利用したもの
である。このために、低記録パワーでも記録で
き、また再生層のθkが大きいために高いＣ／Ｎ
で再生することができる。図３には、実際に記録
周波数1MHz、記録レーザパワー8mWで記録した
場合の再生信号スペクトルをスペクトラムアナラ
イザを用いて測定した例を示した。Ｃ／Ｎ
45dBで前述した単層膜TbFeの42dBを上回つて
いる。
＝Ｓ／Ｎ＋10log（雑音帯域）／（分解能帯域幅）〕
のトツプデータとしては、TbFeを用いた媒体で
記録周波数1MHz、帯域30KHzにおいて42dBとい
う値が報告されている。そこで、さらに高いＣ／
Ｎを得るための一改善方法として、記録層と再生
層を分離した図２のような構造が提案されてい
る。すなわち、ガラスあるいはプラスチツクの如
き透明体基板１上に再生層２として高キユリー温
度で低保磁力層を、また記録層３として低キユリ
ー温度で高保磁力層を用いたもので、一般に前者
にGdFe，GdCo、後者にTbFe，DyFeが用いら
れる。これは、記録、再生両層間の静磁力と交換
力による結合現象によつて、記録層で形成したビ
ツトが再生層にも形成されることを利用したもの
である。このために、低記録パワーでも記録で
き、また再生層のθkが大きいために高いＣ／Ｎ
で再生することができる。図３には、実際に記録
周波数1MHz、記録レーザパワー8mWで記録した
場合の再生信号スペクトルをスペクトラムアナラ
イザを用いて測定した例を示した。Ｃ／Ｎ
45dBで前述した単層膜TbFeの42dBを上回つて
いる。
本発明は、上記従来型構造を改良してさらに
Ｓ／Ｎの高い光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
Ｓ／Ｎの高い光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
以下に本発明を詳細に説明する。
図４は本発明の一実施例における構造を示して
いる。ガラスあるいはプラスチツクの如き透明体
基板１の上に再生層２としてカー回転角の大きい
GdFe，GdFeBi等の物質を用い、記録層３とし
てキユリー温度の低いTbFe，DyFe等の物質を
用いた層が形成されており、かつ再生層２と記録
層３の両者の層厚は光を透過できる厚さ、すなわ
ち500Å以下であり、最上層にはこれらの層２と
３を透過した光を反射させるための反射層５が存
在する。反射層５としては例えばAu，Ag，Cu等
が用いられる。このような反射層構造にすれば基
板１側からの入射光に対して、再生層２の表面で
反射して起きるカー効果と、磁性層である再生層
２と記録層３を通過する際と、さらに反射層５で
反射され再度記録層３と再生層２を通過する際に
光が受けるフアラデー効果による偏光面のフアラ
デー回転との和によつて見かけ上のカー回転角
θkが増大されてＳ／Ｎが改善されることになる。
実際に、He−Neレーザ光で測定したカー回転角
θkを図２の構造と本実施例とで比較すると、前
者は0.55、後者は0.7であり２割以上大きくなつ
ている。図５には本実施例のＣ／Ｎ測定例を示し
たが、図３の場合と同じ条件でも48dBが得られ
ており、約3dB改善されていることがわかる。こ
のように、本発明の構造を用いれば、Ｓ／Ｎの高
い記録媒体が得られ、光磁気メモリの用途をさら
に広げることができる。
いる。ガラスあるいはプラスチツクの如き透明体
基板１の上に再生層２としてカー回転角の大きい
GdFe，GdFeBi等の物質を用い、記録層３とし
てキユリー温度の低いTbFe，DyFe等の物質を
用いた層が形成されており、かつ再生層２と記録
層３の両者の層厚は光を透過できる厚さ、すなわ
ち500Å以下であり、最上層にはこれらの層２と
３を透過した光を反射させるための反射層５が存
在する。反射層５としては例えばAu，Ag，Cu等
が用いられる。このような反射層構造にすれば基
板１側からの入射光に対して、再生層２の表面で
反射して起きるカー効果と、磁性層である再生層
２と記録層３を通過する際と、さらに反射層５で
反射され再度記録層３と再生層２を通過する際に
光が受けるフアラデー効果による偏光面のフアラ
デー回転との和によつて見かけ上のカー回転角
θkが増大されてＳ／Ｎが改善されることになる。
実際に、He−Neレーザ光で測定したカー回転角
θkを図２の構造と本実施例とで比較すると、前
者は0.55、後者は0.7であり２割以上大きくなつ
ている。図５には本実施例のＣ／Ｎ測定例を示し
たが、図３の場合と同じ条件でも48dBが得られ
ており、約3dB改善されていることがわかる。こ
のように、本発明の構造を用いれば、Ｓ／Ｎの高
い記録媒体が得られ、光磁気メモリの用途をさら
に広げることができる。
なお、以上の実施例では基板１側に再生層２を
設けたが、基板１側に記録層３を設けその上に再
生層２、反射層５の順序で構成してもよい。特に
基板１として熱膨張係数の大きなプラスチツク基
板を用いて、その上に再生層２を設ける場合にお
いて、製造するときに再生層２に熱歪が加わり、
磁化容易軸が所望のような膜面垂直とならないこ
とがある。この現象はGdFeを用いるときに特に
顕著であり、このようなとき、再生層２と記録層
３との配列順を逆にすると効果がある。
設けたが、基板１側に記録層３を設けその上に再
生層２、反射層５の順序で構成してもよい。特に
基板１として熱膨張係数の大きなプラスチツク基
板を用いて、その上に再生層２を設ける場合にお
いて、製造するときに再生層２に熱歪が加わり、
磁化容易軸が所望のような膜面垂直とならないこ
とがある。この現象はGdFeを用いるときに特に
顕著であり、このようなとき、再生層２と記録層
３との配列順を逆にすると効果がある。
次に、図６に示した本発明の他の実施例につい
て説明する。これらの実施例は媒体の内部で光に
多重反射を起こさせ、再生層２または記録層３で
反射する際に受けるカー回転と、透過する際に受
けるフアラデー回転とを複数回作用させようとす
るものである。図中、６は媒体中に屈折率差を設
けるために配置されたSiO，SiO2等からなる誘電
体層である。図６において、(a)は記録層３と反射
層５との間に誘電体層６を設け、この間での多重
反射を利用したものであり、(b)は基板１と再生層
２との間に誘電体層６を設けこの間での多重反射
を利用するものである。なお(c)は(a)，(b)の組合せ
である。
て説明する。これらの実施例は媒体の内部で光に
多重反射を起こさせ、再生層２または記録層３で
反射する際に受けるカー回転と、透過する際に受
けるフアラデー回転とを複数回作用させようとす
るものである。図中、６は媒体中に屈折率差を設
けるために配置されたSiO，SiO2等からなる誘電
体層である。図６において、(a)は記録層３と反射
層５との間に誘電体層６を設け、この間での多重
反射を利用したものであり、(b)は基板１と再生層
２との間に誘電体層６を設けこの間での多重反射
を利用するものである。なお(c)は(a)，(b)の組合せ
である。
なお、本実施例においても、図４と同様に再生
層２と記録層３の設置位置を逆にすることができ
る。
層２と記録層３の設置位置を逆にすることができ
る。
以上説明したように、反射層５を設けること、
さらに誘電体層６を設けることにより、カー回転
に加えてフアラデー回転を積極的に利用し、みか
け上のカー回転角を大ならしめ、Ｓ／Ｎの高い再
生光を得ることができ、その効果は大きい。
さらに誘電体層６を設けることにより、カー回転
に加えてフアラデー回転を積極的に利用し、みか
け上のカー回転角を大ならしめ、Ｓ／Ｎの高い再
生光を得ることができ、その効果は大きい。
なお、本発明の各実施例はいずれも真空蒸着
法、スパツタリング法、イオンプレーデイング法
等によつて容易に作製することができる。
法、スパツタリング法、イオンプレーデイング法
等によつて容易に作製することができる。
また、基板１としては、トラツキングを容易に
するために作られた溝付基板を採用しても本発明
の効果を得ることができる。
するために作られた溝付基板を採用しても本発明
の効果を得ることができる。
図１はキユリー温度Tcとカー回転角θkとの関
係を示す特性図、図２は記録層と再生層を分離し
た従来の光磁気記録媒体の構造例を示す縦断面
図、図３は図２の従来例のＣ／Ｎ特性の測定例
図、図４は本発明の実施例を示す縦断面図、図５
は図４の実施例のＣ／Ｎ特性の測定例図、図６は
ａ，ｂ，ｃは本発明の他の実施例を示す縦断面図
である。 １……透明体基板、２……再生層、３……記録
層、４……保護層、５……反射層、６……誘電体
層。
係を示す特性図、図２は記録層と再生層を分離し
た従来の光磁気記録媒体の構造例を示す縦断面
図、図３は図２の従来例のＣ／Ｎ特性の測定例
図、図４は本発明の実施例を示す縦断面図、図５
は図４の実施例のＣ／Ｎ特性の測定例図、図６は
ａ，ｂ，ｃは本発明の他の実施例を示す縦断面図
である。 １……透明体基板、２……再生層、３……記録
層、４……保護層、５……反射層、６……誘電体
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ キユーリー温度または磁気的補償温度が低く
保磁力が大きくかつ膜面に垂直に磁化容易軸を有
する磁性薄膜の記録層と、該記録層に隣接して配
置され磁気カー回転角が大きくかつ膜面に垂直な
磁化容易軸を有するGdFe，GdFeBiの如き非晶
質希土類・遷移金属合金磁性薄膜の再生層と、光
の入射側に配置される透明体基板と、該透明体基
板側から入射し前記記録層及び前記再生層を透過
した光を反射するための金属反射層とを備えた光
磁気記録媒体。 ２ 前記記録層と前記再生層のうち前記再生層が
前記透明体基板に配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 ３ 前記記録層と前記再生層のうち前記記録層が
前記透明体基板側に配置されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒
体。 ４ キユーリー温度または磁気的補償温度が低く
保磁力が大きくかつ膜面に垂直に磁化容易軸を有
する磁性薄膜の記録層と、該記録層に隣接して配
置され磁気カー回転角が大きくかつ膜面に垂直な
磁化容易軸を有するGdFe，GdFeBiの如き非晶
質希土類・遷移金属合金磁性薄膜の再生層と、光
の入射側に配置される透明体基板と、該透明体基
板側から入射し前記記録層及び前記再生層を透過
した光を反射するための金属反射層と、前記記録
層及び前記再生層の前記透明体基板側又は前記金
属反射層側の少なくとも一方側に配置された誘電
体層とを備えた光磁気記録媒体。 ５ 前記記録層と前記再生層のうち前記再生層が
前記透明体基板側に配置されていることを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載の光磁気記録媒
体。 ６ 前記記録層と前記再生層のうち前記記録層が
前記透明体基板に配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130771A JPS6025036A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 光磁気記録媒体 |
| US06/631,580 US4628485A (en) | 1983-07-20 | 1984-07-17 | Magneto-optical recording medium |
| FR848411445A FR2549630B1 (fr) | 1983-07-20 | 1984-07-19 | Support d'enregistrement optico-magnetique |
| DE3426646A DE3426646A1 (de) | 1983-07-20 | 1984-07-19 | Magneto-optisches speichermedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130771A JPS6025036A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025036A JPS6025036A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH039545B2 true JPH039545B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15042270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58130771A Granted JPS6025036A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4628485A (ja) |
| JP (1) | JPS6025036A (ja) |
| DE (1) | DE3426646A1 (ja) |
| FR (1) | FR2549630B1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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