JPS59201248A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS59201248A JPS59201248A JP7589283A JP7589283A JPS59201248A JP S59201248 A JPS59201248 A JP S59201248A JP 7589283 A JP7589283 A JP 7589283A JP 7589283 A JP7589283 A JP 7589283A JP S59201248 A JPS59201248 A JP S59201248A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- magneto
- thickness
- kerr rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザー光を用いて記録・再生・消去を行なう
光磁気ディスクにおいて、ガーネット磁性薄膜層と２層
の光磁気記録媒体膜を有する光磁気ディスクに関するも
のである。
光磁気ディスクにおいて、ガーネット磁性薄膜層と２層
の光磁気記録媒体膜を有する光磁気ディスクに関するも
のである。
従来より光磁気記録媒体の磁気カー回転角を増大させる
試みは数多くなされてきた。特に情報記録特性の優れて
いる希土類−遷移金属アモルファス膜を用いた光磁気デ
ィスクではその磁気カー回転角が小さいため情報再生感
度が悪い。そのため反射膜構造を持った多層膜にするこ
とによりその見かけの磁気カー回転角を約２倍近く増大
させ情報再生感度を向上させる努力がなされてきたのは
公知の事実である。しかしながら従来の希土類−遷移金
属アモルファス膜を用いた反射膜構造をもった多層膜構
造の光磁気ディスクの見かけの磁気カー回転角は依然と
して０，５〜０．６度と小さる、光磁気ディスクの情報
再生感度分向上させるにはまだ不充分であるという欠点
を有していた。
試みは数多くなされてきた。特に情報記録特性の優れて
いる希土類−遷移金属アモルファス膜を用いた光磁気デ
ィスクではその磁気カー回転角が小さいため情報再生感
度が悪い。そのため反射膜構造を持った多層膜にするこ
とによりその見かけの磁気カー回転角を約２倍近く増大
させ情報再生感度を向上させる努力がなされてきたのは
公知の事実である。しかしながら従来の希土類−遷移金
属アモルファス膜を用いた反射膜構造をもった多層膜構
造の光磁気ディスクの見かけの磁気カー回転角は依然と
して０，５〜０．６度と小さる、光磁気ディスクの情報
再生感度分向上させるにはまだ不充分であるという欠点
を有していた。
本発明は上記光磁気記録媒体では磁気カー回転角が小さ
いため情報再生感度が悪くなるという欠点を除去し、磁
気カー回転角を大きくすることによって光磁気ディスク
の情報再生特性を向上させることを目的としたものであ
る。
いため情報再生感度が悪くなるという欠点を除去し、磁
気カー回転角を大きくすることによって光磁気ディスク
の情報再生特性を向上させることを目的としたものであ
る。
本発明では透明基板上に光磁気記録媒体膜よりなる第１
層、ガーネット磁性薄膜よりなる第２７ｍ、光磁気記録
媒体膜よりなる第６層、保護膜よりなる第４層を設け、
特に第１層の光磁気記録媒体の膜厚を５０〜１ｓｏＸ、
第２層のガーネット磁性薄膜の膜厚ｆｒ：１０ｏｏＸ以
下、第３層の光磁気記録媒体の膜厚を８００１以上にす
ることによりその見かけの磁気カー回転角を光磁気記録
媒体膜単層の場合の磁気カー回転角の約３倍以上増大す
ることが出来上記の問題点を解決した。
層、ガーネット磁性薄膜よりなる第２７ｍ、光磁気記録
媒体膜よりなる第６層、保護膜よりなる第４層を設け、
特に第１層の光磁気記録媒体の膜厚を５０〜１ｓｏＸ、
第２層のガーネット磁性薄膜の膜厚ｆｒ：１０ｏｏＸ以
下、第３層の光磁気記録媒体の膜厚を８００１以上にす
ることによりその見かけの磁気カー回転角を光磁気記録
媒体膜単層の場合の磁気カー回転角の約３倍以上増大す
ることが出来上記の問題点を解決した。
本発明による光磁気ディスクの構造を一実施例について
、図面を参照して説明すると第１図のような構成をして
いる。１は透明基板で、ガラス。
、図面を参照して説明すると第１図のような構成をして
いる。１は透明基板で、ガラス。
又はＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）等で形成
している。２は透明基板の上面に配設された光磁気記録
媒体層で厚さ１２０ＸのＧｄＴｂＦｅ膜をスパッタリン
グ、あるいは蒸着して形成したものである。３は前記光
磁気記録媒体層２の上面に配設されたカー回転角の大き
いガーネット磁性薄膜層で厚さ１ｏｏｏＸのＹ工Ｇ膜を
スパッタリング、あるいは蒸着して形成したものである
。４は前記ガーネット磁性薄膜層３の上面に配設された
光磁気記録媒体層で厚さ１ ｏｏｏ＾のＧｄＴ１１Ｆｅ
膜をスパッタリング、あるいは蒸着して形成したもので
ある。５は前記光磁気記録媒体Ｎ４の上面に配設された
保護層であり、酸化ケイ素等で形成している。
している。２は透明基板の上面に配設された光磁気記録
媒体層で厚さ１２０ＸのＧｄＴｂＦｅ膜をスパッタリン
グ、あるいは蒸着して形成したものである。３は前記光
磁気記録媒体層２の上面に配設されたカー回転角の大き
いガーネット磁性薄膜層で厚さ１ｏｏｏＸのＹ工Ｇ膜を
スパッタリング、あるいは蒸着して形成したものである
。４は前記ガーネット磁性薄膜層３の上面に配設された
光磁気記録媒体層で厚さ１ ｏｏｏ＾のＧｄＴ１１Ｆｅ
膜をスパッタリング、あるいは蒸着して形成したもので
ある。５は前記光磁気記録媒体Ｎ４の上面に配設された
保護層であり、酸化ケイ素等で形成している。
レーザー光は第１図中の矢印で示されているように、透
明基板１を透過した後、光磁気記録媒体層２を透過する
際ファラデー効果を受け、次にＹ工Ｇ膜３で７アラデー
効果がさらに促進され、そのレーザー光は、光磁気記録
媒体層４で反射されてカー効果を受け、しかも再びＹ工
Ｇ膜３を透過し、光磁気記録媒体Ｎ２を透過するため、
カー回転角は、非常に大きくなり、見かけの磁気カー回
転角は、半導体レーザーを用いて測定した結果０．９４
度あり、ＧｄＴｂＦθ単層の場合の磁気カー回転角０．
６１度に比べ約３倍以上の大きさとなった。
明基板１を透過した後、光磁気記録媒体層２を透過する
際ファラデー効果を受け、次にＹ工Ｇ膜３で７アラデー
効果がさらに促進され、そのレーザー光は、光磁気記録
媒体層４で反射されてカー効果を受け、しかも再びＹ工
Ｇ膜３を透過し、光磁気記録媒体Ｎ２を透過するため、
カー回転角は、非常に大きくなり、見かけの磁気カー回
転角は、半導体レーザーを用いて測定した結果０．９４
度あり、ＧｄＴｂＦθ単層の場合の磁気カー回転角０．
６１度に比べ約３倍以上の大きさとなった。
次に第１層のＧｄ、ＴｂＦｅ膜の膜厚、第２層のＹＩＧ
膜の膜厚、第３層のＧｄ’Ｉ’ｂＦｅの膜厚各々と磁気
カー回転角との関係を明らかにするため各層の膜厚を変
化させた場合の見かけの磁気カー回転角の変化を調べた
。
膜の膜厚、第３層のＧｄ’Ｉ’ｂＦｅの膜厚各々と磁気
カー回転角との関係を明らかにするため各層の膜厚を変
化させた場合の見かけの磁気カー回転角の変化を調べた
。
第２図は第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を５００人。
第３層のＧａＴｂＦｅ膜膜の膜厚を１ｏｏｏＸと固定し
ておき第１層のＧｄＴｂＦｅ膜厚を変化させた場合の見
かけの磁気カー回転角の変化を示したものであり、横軸
に第１層のＧｄＴ１）Ｆｅ膜の膜厚と＾単位で、縦軸に
見かけの磁気カー回転角を度単位でとったものである。
ておき第１層のＧｄＴｂＦｅ膜厚を変化させた場合の見
かけの磁気カー回転角の変化を示したものであり、横軸
に第１層のＧｄＴ１）Ｆｅ膜の膜厚と＾単位で、縦軸に
見かけの磁気カー回転角を度単位でとったものである。
第２図から明らかなように第１層のＧａＴｂＦｅ膜の膜
厚を５０〜１ｓｏＸとすることにより本発明による光磁
気ディスクの見かけの磁気カー回転角を０．４度以上に
することができ従来のＧｄＴｂＦｅ光磁気記録媒体以上
の大きな磁気カー回転角の光磁気ディスクを得ることが
できた。
厚を５０〜１ｓｏＸとすることにより本発明による光磁
気ディスクの見かけの磁気カー回転角を０．４度以上に
することができ従来のＧｄＴｂＦｅ光磁気記録媒体以上
の大きな磁気カー回転角の光磁気ディスクを得ることが
できた。
第３図は第１層のＧｄ、ＴｂＦｅ膜の膜厚を１００１、
第３ＮのＧａＴｂＦｅ膜の膜厚を１０００＾と固定して
おき第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を変化させた場合の見かけ
の磁気カー回転角の変化を示したものであり、横軸にＹ
工Ｇ膜の膜厚を１単位で、縦軸に見かけの磁気カー回転
角を度単位で示したものである。第３図より第２層のＹ
ＩＧ膜が３ａａＸで見かけの磁気カー回転角は最大値を
とり膜厚が増加すると共に磁気カー回転角が減少してい
くことがわかる。この図から第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚は
１ｏｏｐｉ以下にするのが望ましい。
第３ＮのＧａＴｂＦｅ膜の膜厚を１０００＾と固定して
おき第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を変化させた場合の見かけ
の磁気カー回転角の変化を示したものであり、横軸にＹ
工Ｇ膜の膜厚を１単位で、縦軸に見かけの磁気カー回転
角を度単位で示したものである。第３図より第２層のＹ
ＩＧ膜が３ａａＸで見かけの磁気カー回転角は最大値を
とり膜厚が増加すると共に磁気カー回転角が減少してい
くことがわかる。この図から第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚は
１ｏｏｐｉ以下にするのが望ましい。
第４図は第１層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を１０ｏＸ、第
２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を５００又と固定しておき、第３
層のＧａＴｂＦｅ膜の膜厚を変化さぜたときの見かけの
磁気カー回転角の変化を示したものであり、横軸に第３
層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を＾単位で、縦軸に見かけの
磁気カー回転角を度単位で示したものである。第６図か
ら第６層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚が増大するにつれて見
かけの磁気カー回転角も増大し第３層のＧｄＴｂＦｅ膜
が１２００Ｘ以上になると見かけの磁気カー回転角は飽
和に達する。以上のことから第３層のＧｄＴｂＦｅ膜は
８００又以上であるこ・とが望ましい。
２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を５００又と固定しておき、第３
層のＧａＴｂＦｅ膜の膜厚を変化さぜたときの見かけの
磁気カー回転角の変化を示したものであり、横軸に第３
層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を＾単位で、縦軸に見かけの
磁気カー回転角を度単位で示したものである。第６図か
ら第６層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚が増大するにつれて見
かけの磁気カー回転角も増大し第３層のＧｄＴｂＦｅ膜
が１２００Ｘ以上になると見かけの磁気カー回転角は飽
和に達する。以上のことから第３層のＧｄＴｂＦｅ膜は
８００又以上であるこ・とが望ましい。
以上説明したように、光磁気記録媒体としてＧｄＴｂＦ
ｅを用いて本発明の構造による光磁気ディスクを作製し
た場合、見かけのカー回転角が増大する効果を有する。
ｅを用いて本発明の構造による光磁気ディスクを作製し
た場合、見かけのカー回転角が増大する効果を有する。
又、ＧｃｌＴｂＦｅ以外の光磁気記録媒体であるＭｎＢ
１Ｃｕ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｇｄ０ｏなどを使用した場合に
も類似の効果を有する。
１Ｃｕ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｇｄ０ｏなどを使用した場合に
も類似の効果を有する。
第１図は本発明の光磁気ディスクの断面図である。
１・・・・・・透明基板
２・・・・・・光磁気記録媒体層
３・・・・・・ガーネット磁性膜層
４・・・・・・光磁気記録媒体層
５・・・・・・保護層
第２図は第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を５ｏｏＸ。
第３層のＧｄＴ１）Ｆｅ膜の膜厚を１０００又と固定し
ておき第１層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を変化させた場合
の見かけの磁気カー回転角の変化を示したグラフである
。 第３図は第１層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を１゜ｏＸ、第
６層（７） Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ膜の膜厚を１００
０又と固定しておき第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を変化させ
た場合の見かけの磁気カー回転角の変化を示したグラフ
である。 第４図は第１層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を１００＾、第
２層のＹＩＧ膜の膜厚を５００１と固定しておき、第３
層のＧａＴｂＦｅ膜の膜厚を変化させたときの見かけの
磁気カー回転角の変化を示したグラフである。 以 上 （希）庫獅回−Ｕ殖菅
ておき第１層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を変化させた場合
の見かけの磁気カー回転角の変化を示したグラフである
。 第３図は第１層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を１゜ｏＸ、第
６層（７） Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ膜の膜厚を１００
０又と固定しておき第２層のＹ工Ｇ膜の膜厚を変化させ
た場合の見かけの磁気カー回転角の変化を示したグラフ
である。 第４図は第１層のＧｄＴｂＦｅ膜の膜厚を１００＾、第
２層のＹＩＧ膜の膜厚を５００１と固定しておき、第３
層のＧａＴｂＦｅ膜の膜厚を変化させたときの見かけの
磁気カー回転角の変化を示したグラフである。 以 上 （希）庫獅回−Ｕ殖菅
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）透明基板上に形成した光磁気記録媒体膜よりなる
第１層と、その上に形成したガーネット磁性薄膜よりな
る第２層と、その上に形成した光磁気記録媒体膜よりな
る第６層と、その上に形成した保護膜よりなる第４層を
有する光磁気ディスク（２） 第１層の光磁気記録媒
体膜は、膜厚が５０〜１５０＾の範囲であることを特徴
とする特許請求の範囲第１瑣記載の光磁気ディスク。 （８）第２層のガーネット磁性薄膜は、膜厚が１０００
＾以下の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光磁気ディスク。 （４） 第２Ｎのガーネット磁性薄膜は、Ｒ工Ｇ（Ｒ：
希土類元素）であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光磁気ディスク。 （５）第３層の光磁気記録媒体膜は、膜厚が８００Ｘ以
上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7589283A JPS59201248A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7589283A JPS59201248A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201248A true JPS59201248A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13589418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7589283A Pending JPS59201248A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201248A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2549630A1 (fr) * | 1983-07-20 | 1985-01-25 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Support d'enregistrement optico-magnetique |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7589283A patent/JPS59201248A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2549630A1 (fr) * | 1983-07-20 | 1985-01-25 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Support d'enregistrement optico-magnetique |
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