JPS62293542A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62293542A JPS62293542A JP13717286A JP13717286A JPS62293542A JP S62293542 A JPS62293542 A JP S62293542A JP 13717286 A JP13717286 A JP 13717286A JP 13717286 A JP13717286 A JP 13717286A JP S62293542 A JPS62293542 A JP S62293542A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸素含有率が特定範囲内にある透明誘電体膜
を有する光磁気記録媒体に関する。
を有する光磁気記録媒体に関する。
光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。
光磁気記録媒体の基本的構成は、透明樹脂またはガラス
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばGdFe−IPGdTbFe等の磁性薄膜を
設けたものである。
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばGdFe−IPGdTbFe等の磁性薄膜を
設けたものである。
周知のように、光磁気記録は、記録に際して、熱磁気記
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態(大きさ
、方向)に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
ている。
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態(大きさ
、方向)に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
ている。
このカー効果を利用する読み出しでのSN比は、性能指
数=θにx 、/T (R:反射率)に比例し、この性
能指数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そ
こで、従来から、カー回転角θ8を増大し、SN比を高
めるために、種々の提案がなされてきた。
数=θにx 、/T (R:反射率)に比例し、この性
能指数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そ
こで、従来から、カー回転角θ8を増大し、SN比を高
めるために、種々の提案がなされてきた。
例えば、特開昭56−156943号公報では、磁性薄
膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛は
上のカー回転角の増大を図っている。
膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛は
上のカー回転角の増大を図っている。
しかしながら、従来、透明誘電体膜を形成したものであ
っても、見掛は上のカー回転角の増大の効果は一応はみ
られるものの、未だ満足するものが得られていないのが
現状であった。そして、見掛は上のカー回転角は屈折率
に依存するが、従来の光磁気記録媒体では、この屈折率
について、あまり高いものでなかった。
っても、見掛は上のカー回転角の増大の効果は一応はみ
られるものの、未だ満足するものが得られていないのが
現状であった。そして、見掛は上のカー回転角は屈折率
に依存するが、従来の光磁気記録媒体では、この屈折率
について、あまり高いものでなかった。
そこで、本発明の主たる目的は、屈折率などの光学的特
性が優れた光磁気記録媒体を提供することにある。
性が優れた光磁気記録媒体を提供することにある。
上記目的は、透明基板と、膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する磁性薄膜と、透明誘電体膜とを有する光磁気
記録媒体において;前記誘電体膜中に酸素が0.1at
%〜5at%含まれていることで達成される。
軸を有する磁性薄膜と、透明誘電体膜とを有する光磁気
記録媒体において;前記誘電体膜中に酸素が0.1at
%〜5at%含まれていることで達成される。
以下本発明をさらに詳説する。
本発明における光磁気記録媒体は、透明基板と、膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜と、透明誘電
体膜とを有する構造となっている。
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜と、透明誘電
体膜とを有する構造となっている。
しかも、本発明では、特に前記透明誘電体膜中の酸素含
有率が0.1at%〜5at%とされている。
有率が0.1at%〜5at%とされている。
酸素含有率がこの範囲であると、理由は定かでないが、
光学的特性、特に屈折率が高く、見掛は上のカー回転角
を増大させることができる。逆に、上記範囲の上下限を
外れると、後記実施例のように、いずれも屈折率の低下
が認められる。
光学的特性、特に屈折率が高く、見掛は上のカー回転角
を増大させることができる。逆に、上記範囲の上下限を
外れると、後記実施例のように、いずれも屈折率の低下
が認められる。
また、磁性薄膜についての耐食性についても、後記実施
例で示すように、透過率の経時変化を調べた場合、上記
範囲内においては、いずれも低いレベルで推移しており
、耐食性にも優れることが判る。
例で示すように、透過率の経時変化を調べた場合、上記
範囲内においては、いずれも低いレベルで推移しており
、耐食性にも優れることが判る。
本発明において好適に用いることができる透明誘電体と
しては、A I N、 5iJ4. A 1. SiN
等の窒化物のほか、Cep、、、 MgF21 LaF
z+ CaFz+ NaF+ ZnSを挙げることがで
きる。
しては、A I N、 5iJ4. A 1. SiN
等の窒化物のほか、Cep、、、 MgF21 LaF
z+ CaFz+ NaF+ ZnSを挙げることがで
きる。
誘電体膜の膜厚としては、200人〜2000人が好ま
しい。
しい。
誘電体膜の形成手段としては、スパッタ法、プラズマC
VD法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などを採
用できる。
VD法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などを採
用できる。
本発明において、誘電体膜中の酸素含有率を調節する方
法としては、限定されないが、スパッタ法を採用するの
がよい。すなわち、誘電材としてAINを考えた場合、
AffまたはAINをターゲットとし、このターゲット
に不活性ガスを加速衝突させる際、主として不活性ガス
中に微量の酸素を添加してその含有率を変える、あるい
は従として、スパッタリングパワー、不活性ガス圧など
を調節する方法である。
法としては、限定されないが、スパッタ法を採用するの
がよい。すなわち、誘電材としてAINを考えた場合、
AffまたはAINをターゲットとし、このターゲット
に不活性ガスを加速衝突させる際、主として不活性ガス
中に微量の酸素を添加してその含有率を変える、あるい
は従として、スパッタリングパワー、不活性ガス圧など
を調節する方法である。
本発明の光磁気記録媒体の構造は、透明基板、磁性薄膜
、透明誘電体膜を構成要素としている限り、その順序に
限定されず、また他の機能を有する膜を含んでいてもよ
い。
、透明誘電体膜を構成要素としている限り、その順序に
限定されず、また他の機能を有する膜を含んでいてもよ
い。
たとえば、第1図のように、透明基板1、誘電体膜2、
磁性薄膜3、保護N4の順の構造、第2図のように、透
明基板1、第1誘電体膜2A、磁性薄膜3、第2誘電体
膜2Bの順の構造、さらに、第3図のように、第2図の
構造に対して反射膜5を付加した構造などを挙げること
ができる。
磁性薄膜3、保護N4の順の構造、第2図のように、透
明基板1、第1誘電体膜2A、磁性薄膜3、第2誘電体
膜2Bの順の構造、さらに、第3図のように、第2図の
構造に対して反射膜5を付加した構造などを挙げること
ができる。
本発明において用いることができる透明基板としては、
ポリメチルメタクリレ−) (PMMA)、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エ
ポキシ、三酢酸セルロース、ポリエチレ・ンテレフタレ
ート等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げ
ることができる。
ポリメチルメタクリレ−) (PMMA)、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エ
ポキシ、三酢酸セルロース、ポリエチレ・ンテレフタレ
ート等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げ
ることができる。
磁性薄膜の材質としては、希土類−遷移金属アモルファ
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、GdFe。
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、GdFe。
TbFe、 GdCo、 DyFe、 GdTbFe、
TbDyFe、 TbFeC0゜GdTbCo、 G
dTbFeCo、 GdFeB1. GdTbFeGe
;あるいはこれらにBi、 Sr、 Ge等の添加元
素が添加されたもの;MnB1. PtCo、 MnC
uB1. MnAj2Ge等がある。
TbDyFe、 TbFeC0゜GdTbCo、 G
dTbFeCo、 GdFeB1. GdTbFeGe
;あるいはこれらにBi、 Sr、 Ge等の添加元
素が添加されたもの;MnB1. PtCo、 MnC
uB1. MnAj2Ge等がある。
磁性薄膜の厚さは200人〜1500人が好ましい。こ
の膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様でよい。
の膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様でよい。
保護(オーバーコート)層としては、たとえばアクリル
系の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は、1〜20μmが
望ましい。
系の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は、1〜20μmが
望ましい。
反射膜は、A[、^tl+ 5iOz、 Cu、 Ar
+銅合金。
+銅合金。
Fe合金、 Ni合金等を用い、誘電体膜の形成法と同
じ方法をもって、望ましくは500人〜1000人に成
膜する。
じ方法をもって、望ましくは500人〜1000人に成
膜する。
なお、本発明は、上記構造において基板が相互に外側と
なるよう貼り合せたものも含む。
なるよう貼り合せたものも含む。
次に実施例を示す。
(実施例1)
ポリカーボネート基板上に第1表に示す層順序の層構造
で、磁性薄膜をスパッタリングする際に、不活性ガス中
に酸素を添加しながら、異なる酸素含有率をもつ4種の
試料を作成した。
で、磁性薄膜をスパッタリングする際に、不活性ガス中
に酸素を添加しながら、異なる酸素含有率をもつ4種の
試料を作成した。
第 1 表
誘電体膜中の酸素含有率としては、0.05at%。
0.1at%、5at%、6at%の4種とした。
この4種の試料について、60℃、80%R11の雰囲
気中での透過率(λ−830nm)、保磁力、カー回転
角の変化をそれぞれ測定した。
気中での透過率(λ−830nm)、保磁力、カー回転
角の変化をそれぞれ測定した。
その結果、保磁力およびカー回転角については、10’
hrまで、各試料のいずれも殆んどみられなかったが、
磁性薄膜の孔食によると考えられる光透過率の変化は、
第4図の通りであった。
hrまで、各試料のいずれも殆んどみられなかったが、
磁性薄膜の孔食によると考えられる光透過率の変化は、
第4図の通りであった。
一方、誘電材として5iJnを選択し、スパッタリング
時に不活性ガス中の酸素添加率を変え、誘電膜を製膜し
た。スパッタリング条件としては、パワー:600W、
不活性ガス圧(全ガス圧)=10 mTorrとした。
時に不活性ガス中の酸素添加率を変え、誘電膜を製膜し
た。スパッタリング条件としては、パワー:600W、
不活性ガス圧(全ガス圧)=10 mTorrとした。
かくして得た誘電体膜中の酸素含有率が異なる各試料に
ついて、その酸素含有率と屈折率nとの相関を調べたと
ころ、第5図の結果を得た。
ついて、その酸素含有率と屈折率nとの相関を調べたと
ころ、第5図の結果を得た。
(実施例2)
実施例1での誘電材Si3N4に代え八INを用いた以
外は実施例1と同一条件で試料を作成し、各特性を測定
した。
外は実施例1と同一条件で試料を作成し、各特性を測定
した。
結果をそれぞれ第6図および第7図に示した。
(実施例3)
AASiN、 CeF3. MgFz、 LaF:++
CaF、 ZnSについても同様な実験を行ったが、
上記各実施例と同様の結果をみた。
CaF、 ZnSについても同様な実験を行ったが、
上記各実施例と同様の結果をみた。
(考 察)
上記各結果から、誘電体膜中の酸素含有率が0.1〜5
at%の範囲内において、十分な耐食性をもつとともに
、特に屈折率が高く、したがって光学的特性に優れた光
磁気記録媒体を得ることができることが明らかである。
at%の範囲内において、十分な耐食性をもつとともに
、特に屈折率が高く、したがって光学的特性に優れた光
磁気記録媒体を得ることができることが明らかである。
また、屈折率は、特に4〜5at%が優れていることも
判る。
判る。
以上の通り、本発明によれば、誘電体膜中の酸素含有率
を適切な範囲内に調節することにより、光学的特性、特
に屈折率に優れたものを得ることができる。
を適切な範囲内に調節することにより、光学的特性、特
に屈折率に優れたものを得ることができる。
第1図〜第3図は本発明に係る光磁気記録媒体の構造例
の断面図、第4図〜第7図は実施例での特性測定結果の
グラフである。 1・・・透明基板、2.2A、2B・・・誘電体膜、3
・・・磁性薄膜、4・・・保護膜、5・・・反射膜。 特許出願人 小西六写真工業株式会社 代理人く弁理士) 永 井 義 久 第1図 乙 第2図 ] 第3図 第4図 第5図 02合肩ギ(αt%)
の断面図、第4図〜第7図は実施例での特性測定結果の
グラフである。 1・・・透明基板、2.2A、2B・・・誘電体膜、3
・・・磁性薄膜、4・・・保護膜、5・・・反射膜。 特許出願人 小西六写真工業株式会社 代理人く弁理士) 永 井 義 久 第1図 乙 第2図 ] 第3図 第4図 第5図 02合肩ギ(αt%)
Claims (2)
- (1)透明基板と、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する磁性薄膜と、透明誘電体膜とを有する光磁気記録媒
体において;前記誘電体膜中に酸素が0.1at%〜5
at%含まれていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - (2)前記透明誘電体膜がAlN、Si_3N_4、A
lSiN、CeF_3、MgF_2、LaF_3、Ca
F_2、NaF、ZnSの少くとも一種以上から形成さ
れた上記第1項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13717286A JPS62293542A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13717286A JPS62293542A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62293542A true JPS62293542A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15192497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13717286A Pending JPS62293542A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62293542A (ja) |
Cited By (5)
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JPH038151A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の作製方法 |
JPH03205631A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担持体 |
US5565278A (en) * | 1990-11-29 | 1996-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
US5635310A (en) * | 1989-10-20 | 1997-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | ZnS dielectric thin film and magnetic recording medium |
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-
1986
- 1986-06-12 JP JP13717286A patent/JPS62293542A/ja active Pending
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