JP2528184B2

JP2528184B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2528184B2
Application number: JP1184776A
Authority: JP
Inventors: 昌彦関谷; 潔千葉
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1989-07-19
Filing date: 1989-07-19
Publication date: 1996-08-28
Anticipated expiration: 2011-08-28
Also published as: JPH0352144A

Description

【発明の詳細な説明】［利用分野］本発明はレーザー等の光により情報の記録・再生・消
去等を行う光磁気記録媒体に関する。更に詳細には、交
換結合した、組成の異なる２層以上の希土類元素と遷移
金属元素との合金磁性薄膜からなる光磁気記録層を有す
る光磁気記録媒体の改良に関する。

［従来技術］光記録媒体は、高密度・大容量の情報記録媒体として
種々の研究開発が行われている。特に情報の消去可能な
光磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システム
が発表されており、その実用化が待望されている。

上述の光磁気記録層としては、例えば特開昭52−3170
3号公報記載のTbFe、特開昭56−126907号公報記載のGdT
bFe、特開昭58−73746号公報記載のTbFeCo,DyFeCo、特
開昭61−165846号公報記載のNdFe等、既に多くの提案が
ある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁気記録媒
体の実用化には、記録・再生特性のより一層の向上が必
要と言われている。

この解決策として、特開昭57−78652号公報記載のご
とく、組成の異なる２層の磁性層を交換結合させて積層
した記録層を用いる方法が提案されている。この方法
は、２層の磁性層としては光入射側、具体的には基板に
近い側から第１磁性層、第２磁性層と呼ぶことにする
と、第２磁性層に第１の磁性層よりも保磁力が大きく、
キュリー温度の低い磁性材料を用いる。記録の際には、
まずキュリー温度の低い第２磁性層にビットが記録さ
れ、続いて交換結合によって第１磁性層にビットが転写
されるという過程をとる。再生の際には、レーザー光は
キュリー温度の高い、即ちカー（Kerr）回転角の大きい
第１磁性層に入射するため、第２磁性層で用いたものと
同じ材料からなる単層膜を記録層とした媒体に比べ、高
いCN比が得られるとされている。

そこで、本発明者らは、実際にこの方法を検討するた
め、第１磁性層としてGdFeCo、第２磁性層としてTbFeCo
を用い、記録層の両面をAlSiNの透明誘電体層で挟んだ
構成からなる光磁気記録媒体について、その再生信号の
CN比を測定したところ、0.76μｍのビット長に対し、49
dB程度であった。これは記録層としてTbFeCo単層膜を用
い、AlSiNの透明誘電体層で挟んだ構成からなる媒体の
再生CN比が47dB程度であることに比べれば改善はなされ
ているが、光磁気ディスクをより高度なレベルでの使
用、例えばアナログ式画像記録等に用いるためには、よ
り一層のCN比向上が必要である。

［発明の目的］本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、前述の
交換結合した組成の異なる磁性層を積層した光磁気記録
層を有する光磁気記録媒体の更に一層の性能、特にC/N
の向上を目的とするものである。

［発明の構成及び作用］上述の目的は以下の本発明により達成される。すなわ
ち、本発明は、光磁気記録層が交換結合した組成の異な
る２層以上の希土類元素と遷移金属元素との合金磁性薄
膜の積層体からなる光磁気記録媒体において、前記光磁
気記録層の膜厚が250Å以上600Å以下であり、その光入
射側と反対側の面に接して屈折率ＮがＮ≦3.5で光吸収
係数ＫがＫ≧3.5で膜厚が500Å以上の金属反射膜を設け
たものであり、かつ金属反射膜は熱伝導率が20W/（ｍ・
Ｋ）以上100W/（ｍ・Ｋ）以下であることを特徴とする
光磁気記録媒体である。

上述の発明は以下のようにしてなされたものである。
その効果確認のために、まず初めに光磁気記録媒体の記
録層として、下記の組成の異なる２層の希土類・遷移金
属合金磁性薄膜を交換結合させて積層させた交換結合膜
を用い、その両面をAlSiNの透明誘電体層ではさんだ構
成の媒体を透明基板上に作製し評価した。２層の記録層
としては、基板に近い側から第１磁性層、第２磁性層と
すれば、第２磁性層を第１磁性層よりも保磁力が大き
く、キュリー温度の低い材料を用いた。具体的には第１
磁性層としてはGd₂₁Fe₅₅Co₂₄（添数字は原子％、以下同
様）を300Å、第２磁性層としてはTb₂₂Fe₆₆Co₁₂を600Å
堆積した。この媒体のCN比を測定したところ、0.76μｍ
のビット長に対し、最高49dBであった。これは、第２磁
性層と同じ組成のTb₂₂Fe₆₆Co₁₂単層膜からなる膜厚900
Åの記録層をAlSiN透明誘電体で挟んだ構成の媒体のCN
比47dBに比べ2dBの改善であり、交換結合膜を記録層と
することの効果が確認された。なお、その理由として
は、その第１磁性層をキュリー温度の高い材料、すなわ
ちKerr回転角の大きいGdFeCoを用いているため、これに
比べるとKerr回転角の小さいTbFeCo単一層から信号再生
を行うよりもCN比が向上されているものと考えられる。
しかし、光磁気ディスクをより高度なレベルでの使用、
例えばアナログ式画像記録等に用いるためには、より一
層のCN比向上が必要である。

これに対して、本発明者らは、カー効果に加えファラ
ディー効果の利用に着目し、前述の構成において記録層
の第１、第２磁性層の膜厚を光がある程度通過する膜厚
以下とし、かつ記録層の基板側と反対側の面の透明誘電
体層に替えて金属反射層を設けた構成について検討し
た。その結果、上述の記録層の第１、第２磁性層の合計
膜厚が250〜600Åで、金属反射層が光学定数がＮ≦3.5
かつＫ≧3.5であり、更に好ましくは熱伝導率が20W/m・
Ｋ以上、100W/m・Ｋ以下であるような光学的及び熱的性
質を調節した金属反射層である構成において、0.76μｍ
のビット長に対するCN比は51.5dBという高い値が得られ
ることが見出された。すなわち金属反射層を設けない従
来の透明誘電体層で挟んだ構成の媒体では、キュリー温
度の高い第１磁性層を用いたこと、すなわちカー回転角
が向上したことのみによりCN比の向上が成されているの
に対し、前述の特定の金属反射層を設けた上述の本発明
による光磁気記録媒体では微少ビットが性能よく、また
安定に記録され、さらに本発明者らの期待通りレーザー
光が記録層を通過し、金属反射層で反射されて戻ってく
るときのファラディー効果が複層の交換結合膜において
も上乗せすることができ、一層のCN比向上が実現された
ものであると考えられる。上述の第１磁性層と第２磁性
層の合計膜厚は、その裏面の金属反射層の効果、及び前
面の透明誘電体層による光干渉効果を最大限に引き出す
ためには、前述の250〜600Åの範囲内におさめることが
必要である。なお、合計膜厚を600Å以上と厚くする
と、金属反射層の効果は低減し、従来用いられていると
ころの裏面を透明誘電体層とした構成の媒体並のCN比に
低下してしまう。

また、合計膜厚250〜600Åのうち、第１磁性層と第２
磁性層の膜厚d₁,d₂の配分は、少なくともd₁＜d₂である
ことが好ましい。d₁d₂では、第２磁性層を保磁力の高
い材料を用い、交換結合によって第１磁性層の磁化を保
持しているものの、第２磁性層が薄くなると、第１磁性
層の磁化を保持し切れなくなってしまい、逆に単一の磁
性層を記録層として用いた媒体よりもCN比が低下してし
まうという場合が生ずる恐れがある。但し、第１磁性層
の膜厚を薄くしすぎると、製膜上磁気特性を良好に発現
させることが難しく、また耐久性の面で安定性に欠ける
ため第１磁性層の膜厚は100Å以上が好ましく、よっ
て、第１磁性層の膜厚の範囲としては 100≦d₁＜（d₁＋d₂）/2（単位Å）であることが好まし
い。尚、本発明は、記録層をレーザー光が通過する際の
ファラディー効果をも利用することを特徴とするため、
前例で述べた第１、第２磁性層の積層順序を逆にした構
成に対しても適用できる。さらに同様の理由により、上
述のように記録層の層数を２層に限定せず、２種以上の
組成の異なる材料を用い、２層以上の交換結合させて積
層した記録層に対しても適用できる。但し、これらの場
合においても、記録層の合計膜厚は、250〜600Åとする
必要がある。

上述の記録層に用いる材料としては、光磁気効果によ
り記録・再生できるもの、具体的には膜面に垂直な方向
に磁化容易軸を有し、任意の反転磁区を作ることにより
光磁気効果に基いて情報の記録・再生が可能な磁性薄
膜、例えば希土類・遷移金属合金系のTbFeCo,GdFeCo,Gd
TbFe,GdTbFeCo,GdDyFeCo,NdDyFeCo,NdDyTbFeCo,NdFe,Pr
Fe,CeFe等の希土類と遷移金属との非晶質合金膜、ある
いはガーネット膜、CoCr膜、Baフェライト膜、等公知の
ものが適用できる。

本発明において用いる金属反射膜としては、CN比の評
価に用いるドライブヘッドのレーザー光に対し、記録層
よりも反射率の高い材料であることがCN比向上のために
必要である。具体的には用いるレーザー光の波長に対す
る光学定数N,K（N:屈折率、K:吸収係数）において、Ｎ
≦3.5かつＫ≧3.5であるような材料を選択する必要があ
る。また、更に好ましくはＮ≦2.5かつ4.5≦Ｋ≦8.5で
あり、この条件で作成した媒体では、金属反射膜の反射
率向上によりカー効果エンハンスメントが向上し、媒体
CN比のより一層の向上が実現できる。

一方、レーザー光による加熱で信号を記録する際、金
属反射層の熱伝導率が高すぎると熱の拡散が大きく、記
録にようするレーザーパワーが大きくなり、微少ビット
が安定に記録できず、また記録感度が低下してしまう。
金属反射層に用いる材料の熱伝導率は、パワーが10mW以
下のレーザーで信号の記録を可能とするためには100（W
/m・Ｋ）（W:ワット、m:メートル、K:絶対温度）以下、
さらにレーザーパワー8mW以下で記録可能とするために
は50（W/m・Ｋ）以下であることが好ましい。

ところが、金属反射層として上述のような条件を満足
する理想的な材料は、単独の元素からなる金属では存在
しない。そのため、２種以上の元素を混合して材料を設
計する必要がある。一般に600〜850nmの波長域の光に対
して高い反射率を有する材料、すなわち光学定数でＮ≦
3.5かつＫ≧3.5、さらに好ましくはＮ≦2.5かつ4.5≦Ｋ
≦8.5を満たす金属としては、Al,Cu,Ag,Auが代表的であ
る。ところが、これらはすべて熱伝導率が100（W/m・
Ｋ）以上であるために、10mW以下のレーザーパワーでは
信号記録が不可能である。これに対しては、これらの金
属に熱伝導率の低い元素を、反射率が低下しすぎない程
度に添加する方法が有効である。このような元素として
は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Tc,Re,Ru,Os,Irがあげ
られ、特に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で
Ti,Zr,Nb,Ta,Cr,Reが好ましい。これらの元素の添加量
を増すことにより、熱伝導率を50（W/m・Ｋ）にするこ
とも可能であり、すなわち、8mW以下のレーザーパワー
で信号を記録することも可能となる。

さらに減少ビットを高性能、かつ安定して記録すべく
鋭意検討した結果、記録層及び金属反射層の熱伝導率の
値が、おおよそ同じオーダーである場合にレーザー光加
熱による温度上昇が高性能ビットを形成する上で有効な
レベルに到達することを見出した。さらに好ましくは誘
電体の熱伝導率も同イオーダーであることはビットの安
定化に有効である。これは、媒体の記録感度及びCN比に
大きく反映する。

透明基板の材料としては、ポリカーボネート樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、２−メチル−ペンテン樹脂
など、またそれらの共重合体等の高分子樹脂、もしくは
ガラスなどが適用できる。中でも機構強度、耐候性、耐
熱性、透湿性の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

透明誘電体層としては、カー効果エンスハンスメント
を高めるという点で、屈折率の高い材料、すなわち2.0
以上の屈折率を有する材料、さらに好ましくは2.05以上
である材料が望ましい。

このような材料としては、AlN,MgF₂,ZnS,CeF₃,AlF₃・
3NaF,Si₃N₄,AlSiN,SiO,SiO₂,Zr₂O₃,In₂O₃,SnO₂,Ta₂O₅,A
lON,SiON,ZrON,InON,SnON,TaONまたはこれらの混合体な
どが適用できる。特に屈折率が2.05以上という点ではAl
SiN,ZnS,Zr₂O₃,Ta₂O₅,ZrON,TaONが好ましい。

以上で述べた透明誘電体層、記録層、金属反射層の無
機薄膜の製造方法としては、公知の真空蒸着法、スパッ
タリング法等のPVD法、あるいはCVD法等、種々の薄膜形
成法が適用できる。しかし、光磁気記録媒体としては、
高温高湿耐環境性試験で生じる剥離を生じさせないため
に、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製する
ことが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ま
しい。

上述の本発明の効果は以下の通りである。

透明プラスチック基板を用い、膜面反射によるカー回
転角を大きくするため、基板と記録層との間に屈折率2.
1のAlSiN透明誘電体層約700Åを設け、次に記録層とし
て、基板に近い側からGd₂₁Fe₅₅Co₂₄合金（添数字は原子
％）を300Å、Tb₂₂Fe₆₆Co₁₂合金を600Å、最後に保護膜
として再びAlSiNを700Å設けた媒体に関し、ナカミチ
（株）製OMS−1000（type III）を用いてCN比を測定し
たところ、半径30mm、回転数1800rpm、周波数3.7MHz、d
uty33.3％（ビット長0.76μｍ）、再生パワー1.5mWにお
いて、49.0dBであった。

これに対し、本発明の透明基板上に、AlSiN透明誘電
体層に続いて、記録層を基板に近い側からGd₂₁Fe₅₅Co₂₄
を150Å、Tb₂₂Fe₆₆Co₁₂を250Å堆積し、最後に金属反射
膜としてCu₈₀Ti₂₀合金を500Å堆積したディスクでは、
前述と同様の条件でCN比を測定したところ、51.5dBであ
った。これは本発明においては金属反射膜として用いる
Cu₈₀Ti₂₀合金等の特定の合金の反射率及び熱的性質が好
適範囲にあること、この反射膜でレーザー光が反射を受
ける前後のファラディー効果が利用できること及び交換
結合２層膜を用いたことによるカー回転角向上の３つの
効果が組合されたことによりCN比が向上したものと考え
られる。

以下、本発明を実験例及び実施例を用いて説明する。

［実験例１〜18］以下のようにして基板上に金属反射膜を作成し、その
特性を評価した。

基板として、５×５×1mmのサイズのNaCl結晶、10×1
0×0.5mmのサイズのSiウェハーを３ターゲットの高周波
マグネトロンスパッタ装置（アネルバ（株）製SPF−430
H型）真空槽内に固定し、４×10^-7Torrになるまで排気
する。

次にArガス（5N）を真空槽内に導入し、圧力5m Torr
になるようにArガス流量を調整した。ターゲットとして
は、直径100mm、厚さ5mmのCu₁₀₀,Al₁₀₀,Ag₈₅Cu₁₅（添数
字は組成（原子％）を示す）の円盤上に、必要に応じて
Ti,Re,Taのチップ（５×５×1mm）を適宜適当数配置し
た。放電電力100W、放電周波数13.56MHzで高周波スパッ
タリングを行い、表１の膜組成の欄に示すところの組成
をもつ金属膜もしくは合金膜を約１μｍ堆積した。

まず、Siウェハー上に堆積したサンプルを用いて、波
長830nmの光に対する薄膜の屈折率Ｎ及び吸収係数Ｋを
求めた。測定装置としては、（株）溝尻光学工業所製、
自動エリプソメーターDHA−OLWを用いた。結果を表１の
N,Kの欄に示す。

次に、NaCl結晶上に堆積したサンプルを用いて、薄膜
の熱伝導率を求めた。サンプルを純水に浸することによ
りNaClのみを溶解させ金属膜もしくは合金膜だけを取り
出した。この薄膜を、真空理工（株）製、薄膜用光交流
法熱定数測定装置PIT−１により熱伝導率を測定した。
結果を表１の熱伝導率の欄に示す。

［実験例19］以下のようにして基板上にAlSiN透明誘電体膜を作成
し、その特性を評価した。

基板として５×５×1mmのサイズのNaCl結晶を、実験
例１〜18と全く同じ装置内に固定し、４×10^-7Torrにな
るまで排気する。

次にAr/N₂混合ガス（N₂30vol％）を真空槽内に導入
し、圧力5m TorrになるようにAr/N₂混合ガス流量を調節
した。ターゲットとしては直径100mm、厚さ5mmのAl₅₀Si
₅₀（添数字は組成（原子％）を示す）の焼結体を用い、
実験例１〜18と同条件でスパッタリングを行い、Al₄₀Si
₄₀N₂₀透明誘電体膜を約１μｍ堆積した。

実験例１〜18と同様の装置で、薄膜の熱伝導率を測定
した。結果を表１の熱伝導率の欄に示す。

［実験例20,21］以上のようにして基板上にTbFeCo,GdFeCo合金膜を作
成し、その特性を評価した。

基板として５×５×1mmのサイズのNaCl結晶を、実験
例１〜19と全く同じ装置内に固定し、４×10^-7Torrにな
るまで排気する。

次に純Ar（5N）を真空槽内に導入し、圧力5m Torrに
なるようにArガス流量を調整した。ターゲットとしては
直径100mm、厚さ5mmのGd₂₁Fe栄₅₅ Co₂₄合金、及びTb₂₂Fe₆₆Co₁₂合金（添数字は組成（原
子％）を示す）の円盤を用い、実験例１〜19と同条件で
スパッタリングを行い、Gd₂₁Fe₅₅Co₂₄,Tb₂₂Fe₆₆Co₁₂合
金膜を約１μｍ堆積した。実験例１〜19と同様の装置
で、薄膜の熱伝導率を測定した。結果を表１の熱伝導率
の欄に示す。

［実施例１〜15、比較例１〜３］以下のようにして基板上に第１図に示す構成の光磁気
記録媒体を作成し評価した。図において１は基板、２は
透明誘電体層、3a,3bは記録層、４は金属反射層であ
る。

直径130mm、厚さ1.2mmの円盤で、1.6μｍピッチのグ
ルーブを有するポリカーボネート樹脂（PC）のディスク
基板１を３ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装
置（アネルバ（株）製SPF−430H型）の真空槽内に固定
し、４×10^-7Torrになるまで排気する。なお、膜形成に
おいて基板１は15rpmで回転させた。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径
100mm、厚さ5mmの円盤で、Al₅₀Si₅₀（添数字は組成（原
子％）を示す）の焼結体を用い、真空槽内にAr/N₂混合
ガス（N₂30vol％）を導入し、圧力5m Torrになるように
Ar/N₂混合ガス流量を調整した。放電電力100W、放電周
波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行い、誘電体層
２としてAl₄₀Si₄₀N₂₀透明誘電体層700Åを堆積した。

次に光磁気記録層3aとして、ターゲットをGd₂₁Fe₅₅Co
₂₄合金の円盤に変えスパッタリングガスを純Ar（5N）と
する以外は上述と同様の放電条件でGd₂₁Fe₅₅Co₂₄合金膜
を約150Å堆積した。

さらに、光磁気記録層3bとして、ターゲットTb₂₂Fe₆₆
Co₁₂合金の円盤に変え、上述と同様の放電条件でTb₂₂Fe
₆₆Co₁₂合金膜を約250Å堆積した。

最後に、前述の実験例１〜18と同様に、種々の組成か
らなる金属反射膜４を形成した。すなわち、ターゲット
としては直径100mm、厚さ5mmのCu₁₀₀,Al₁₀₀,Ag₈₅Cu₁₅の
円盤上にTi,Re,Taのチップ（５×５×1mm）を適宜適当
数配置し、上述と同様の放電条件で、金属反射層４とし
て表２に示すところの組成の金属膜もしくは合金膜を約
500Å堆積した。

以上の順序で、第１図に示すところの積層体、すなわ
ち光磁気記録媒体を得た。

この光磁気ディスクの最適記録レーザーパワー及びCN
比を測定した。測定には光磁気記録再生装置（ナカミチ
OMS−100Type III）を用い、ディスクを1800rpmで回転
させ、半径30mmの位置で記録・再生・消去を行った。信
号の再生は1.5mWのレーザーパワーで行った。記録時の
最適レーザーパワーは、信号再生時の１次高周波と２次
高周波の差が最大となる値に決定した。信号周波数は3.
7MHz、duty33.3％とし、0.76μｍのビットが記録される
条件で行った。尚、記録・消去の際の印加磁界は500Oe
（エルステッド）である。各媒体の最適記録レーザーパ
ワー及びCN比を表２の各欄に示す。

［比較例４］以下のようにして、比較のため、従来例の透明誘電体
層AlSiNを記録層の両面に設けたところの、第２図に示
す構成の光磁気記録媒体を作成し評価した。

直径130mm、厚さ1.2mmの円盤で、1.6μｍピッチのグ
ルーブを有するポリカーボネート樹脂（PC）のディスク
基板を、実施例１〜15で用いたものと全く同じスパッタ
装置内に全く同じ条件で固定した。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径
100mm、厚さ5mmの円盤上のAl₅₀Si₅₀焼結体（添数字は組
成（原子％）を示す）を用い、真空槽内にAr/N₂混合ガ
ス（N₂30vol％）を導入し、圧力5m TorrになるようにAr
/N₂混合ガス流量を調整した。放電電力100W、放電周波
数13.56MHzで高周波スパッタリングを行い、誘電体層２
としてAl₄₀Si₄₀N₂₀透明誘電体層を約700Å堆積した。

次に、光時期記録層3aとして、ターゲットをGd₂₁Fe₅₅
Co₂₄合金の円盤に変え、スパッタリングガスを純Ar（5
N）とする以外は上述と同様の放電条件でGd₂₁Fe₅₅Co₂₄
合金膜を約150Å堆積した。

さらに光磁気記録層3bとして、ターゲットをTb₂₂Fe₆₆
Co₁₂合金の円盤に変え、上述と同様の放電条件でTb₂₂Fe
₆₆Co₁₂合金膜を約600Å堆積した。

最後にターゲットをAl₅₀Si₅₀焼結体に戻し、スパッタ
リングガスをAr/N₂混合ガス（N₂30vol％）として、上述
と同様の放電条件で、透明誘電体保護層５としてAl₄₀Si
₄₀N₂₀膜を約700Å堆積した。

以上の順序で、第２図に示すところの積層体、すなわ
ち光磁気記録媒体を得た。

実施例１〜15と同様に、最適記録パワー、及びCN比の
測定を行った。結果を表２の比較例４に示す。

以上、実施例及び比較例より、本発明における金属反
射層を有し、かつ交換係合させた複数の光磁気記録層の
合計膜厚を250〜600Åとした光磁気記録媒体では、従来
のごとく記録層の両面を透明誘電体層で挟んだ構成の媒
体に比べ、CN比の向上が実現できることがわかった。

さらに、金属反射層の熱伝導率を、記録層とほぼ同等
レベルに調整することにより、CN比は最も向上すること
がわかった。

以上の通り本発明は、光磁気記録媒体の記録再生特
性、具体的にはC/Nの向上に大きな効果を奏するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１〜15、比較例１〜３の、第２図は比較
例４の積層構成の説明図である。 1:基板、2:透明誘電体層、3a,3b:記録層、4:金属反射
層、5:透明誘電体保護層

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光磁気記録層が交換結合した組成の異なる
２層以上の希土類元素と遷移金属元素との合金磁性薄膜
の積層体からなる光磁気記録媒体において、前記光磁気
記録層の膜厚が250Å以上600Å以下であり、その光入射
側と反対側の面に接して屈折率ＮがＮ≦3.5で光吸収係
数ＫがＫ≧3.5で膜厚が500Å以上の金属反射膜を設けた
ものであり、かつ金属反射膜は熱伝導率が20W/（ｍ・
Ｋ）以上100W/（ｍ・Ｋ）以下であることを特徴とする
光磁気記録媒体。
【請求項２】前記金属反射膜の屈折率ＮがＮ≦2.5で、
その光吸収係数Ｋが4.5≦Ｋ≦8.5である請求項１記載の
光磁気記録媒体。
【請求項３】前記金属反射膜が、Al,Cu,Ag,Auの群から
選ばれた１種以上の金属または合金に、Ti,Zr,Hf,V,Nb,
Ta,Cr,Mo,W,Tc,Re,Ru,Os,Irの群から選ばれた１種以上
の元素を含有した合金からなる請求項１または２記載の
いずれかの光磁気記録媒体。
【請求項４】前記光磁気記録層が、第１磁性層、第２磁
性層の２層を順次積層した積層体であり、第２磁性層は
第１磁性層より保磁力が高く、キュリー温度が低い磁性
層であり、第１磁性層、第２磁性層それぞれの膜厚d1,d
2が、250Å≦d1＋d2≦600Å、かつd1＜d2を満足する請
求項1,2または３記載のいずれかの光磁気記録媒体。