JPH05114180A

JPH05114180A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05114180A
Application number: JP30117591A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Sekiya; 昌彦関谷; Kazuhiko Honjo; 和彦本庄; Atsushi Koyamamatsu; 淳小山松
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1990-10-26
Filing date: 1991-10-22
Publication date: 1993-05-07

Abstract

(57)【要約】【目的】記録感度を劣化させることなく、繰り返しの記
録・消去耐久性もしくは連続消去耐久性が十分な光磁気
記録媒体を得る。【構成】光磁気記録層の背後に金属反射層を有する光磁
気記録媒体において、前記光磁気記録層はキュリー温度
Tc（℃）が 100≦Tc≦200 、膜厚ｔ（ｎｍ）が15≦ｔ≦
60の光磁気記録層であり、前記金属反射層は膜厚ｄ（ｎ
ｍ）がｄ≧60、熱伝導率λと膜厚ｄの積λｄ（μＷ／
Ｋ）（ここでμ：10^-6、Ｗ：ワット、Ｋ：絶対温度）が
2.5≦λｄ≦20の金属反射層であり、かつTc≦−10×λ
ｄ＋300 であるもの。あるいは光磁気記録層が２層構成
であり、保磁力をHcとすれば、 Tc1＞Tc2 、 Hc1＞Hc2
、 100≦Tc2 ≦180 、15≦t1＋t2≦60、t1＜t2、ｄ≧6
0、 2.5≦λｄ≦20、 Tc2≦−10×λｄ＋300 であるも
の。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザ等の光により情報
の記録・再生・消去等を行う光磁気記録媒体に関する。
更に詳細には、キュリー温度の低い希土類遷移金属合金
等よりなる光磁気記録層と、高熱伝導率および／または
膜厚の厚い金属反射層とを有し、高感度で、特に繰り返
し記録・消去耐久性、および連続消去耐久性に優れた光
磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は、高密度・大容量の情報記
録媒体として既に実用化が始まっており、特に情報の消
去可能な光磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・
システムが発表されている。

【０００３】そして従来発表されている光磁気記録媒体
の一つは、ほぼ次のような構成のものである。すなわ
ち、記録層としてキュリー温度Ｔｃ＝210 ℃のTbFeCoを
用い、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）基板（1.2 ｍｍ）
／第１の透明誘電体層AlSiＮ（110ｎｍ）／光磁気記録
層TbFeCo（22.5ｎｍ）／第２の透明誘電体層AlSiＮ（25
ｎｍ）／金属反射層AlTi（40ｎｍ）／紫外線硬化型樹脂
による有機物保護層（20μｍ）からなる、反射膜付構成
の直径 130ｍｍのディスクである。

【０００４】上述の従来構成の光磁気記録媒体に対し
て、本発明者らは次のような試験を行った。まず、半径
30ｍｍ位置のトラックにおいて、ディスク回転速度1800
rpm 、記録周波数3.7 ＭHz（pulse duty33％）、外部磁
場 300Oe、記録レーザパワー 5.5ｍＷ（Ｃ／Ｎが最大と
なる時の値）で記録し、再生レーザパワー 1.5ｍＷで再
生し、Ｃ／Ｎの初期値を測定した。その後、 9.0ｍＷの
レーザパワーで所定回転数までの間同一トラックを連続
的に照射する連続消去耐久性試験を行った。所定回転数
の上限としては、現在一般に必要と言われているところ
の、10の７乗回回転後にＣ／Ｎ≧45dBを確保するという
条件を考慮して、10の７乗回とした。連続消去耐久性試
験の間、上述のＣ／Ｎ初期値測定と同条件で記録、再生
を行い、Ｃ／Ｎを測定した。その結果、初期のＣ／Ｎ＝
48dBであったものが、10の３乗回回転の連続消去後には
2dB低下して46dBとなり、10の７乗回回転の連続消去後
には8dB低下して40dBとなり、10の７乗回回転後にＣ／
Ｎ≧45dBという条件を満足しないことが判明した。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、光磁気記
録媒体の記録・消去はレーザ光加熱によって行われるた
め、繰り返しの記録・消去による記録膜の加熱劣化の問
題が生じる。特に消去の場合には、高パワーのレーザ光
を照射するために、記録膜の温度は 500℃以上にまで昇
温すると言われており、１つのトラックを連続的に消去
するような動作を行うと、著しく記録膜が劣化してしま
う。書換え可能であることが特徴である光磁気記録媒体
としては、上述の繰り返し記録・消去、連続消去等の動
作による特性の劣化という課題を解決する必要がある。

【０００６】本発明は、かかる現状に鑑みなされたもの
で、記録感度を劣化させることなく、繰り返しの記録・
消去耐久性もしくは連続消去耐久性が十分な光磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる光磁気記
録媒体は、透明基板上に第１の透明誘電体層、光磁気記
録層、第２の透明誘電体層、金属反射層を少なくとも備
えた光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層はキュ
リー温度Ｔｃ（℃）が 100≦Ｔｃ≦200 、膜厚ｔ（ｎ
ｍ）が15≦ｔ≦60の光磁気記録層であり、前記金属反射
層は膜厚ｄ（ｎｍ）がｄ≧60、熱伝導率λと膜厚ｄの積
λｄ（μＷ／Ｋ）（ここでμ：10^-6、Ｗ：ワット、Ｋ：
絶対温度）が 2.5≦λｄ≦20の金属反射層であり、かつ
Ｔｃ≦−10×λｄ＋300 であることを特徴としている。

【０００８】あるいは透明基板上に第１の透明誘電体
層、光磁気記録層、第２の透明誘電体層、金属反射層を
少なくとも備えた光磁気記録媒体において、前記光磁気
記録層は、キュリー温度がＴｃ1 （℃）、室温での保磁
力がＨｃ1（Oe）、膜厚がｔ1（ｎｍ）である第１磁性層
と、キュリー温度がＴｃ2 （℃）、室温での保磁力がＨ
ｃ2 （Oe）、膜厚がｔ2 （ｎｍ）である第２磁性層の２
層を順次積層した積層体であり、Ｔｃ1 ＞Ｔｃ2 、Ｈｃ
2 ＞Ｈｃ1 、 100≦Ｔｃ2 ≦180 、15≦ｔ1 ＋ｔ2 ≦6
0、ｔ1 ＜ｔ2 、かつ前記金属反射層は膜厚ｄ（ｎｍ）
がｄ≧60、熱伝導率λと膜厚ｄの積λｄ（μＷ／Ｋ）
（ここでμ：10^-6、Ｗ：ワット、Ｋ：絶対温度）が 2.5
≦λｄ≦20の金属反射層であり、さらにＴｃ2 ≦−10×
λｄ＋300 であることを特徴としている。

【０００９】

【作用】前述のとおり、従来発表されているものと同等
の構成からなる媒体に関し、連続消去耐久性試験を行っ
たところ、回転数10の７乗回の試験でＣ／Ｎの大幅な低
下が認められた。この原因としては、連続消去時のレー
ザ照射による記録膜の温度上昇のために記録膜の熱的劣
化が起ったためと考えられる。すなわち、前述の例では
光磁気記録層の希土類・遷移金属非晶質合金が、消去時
には500 ℃以上にまで温度が上昇し、非晶質の構造緩
和、結晶化、酸化、窒化等の現象が起こり、磁気光学特
性の劣化が生じ、Ｃ／Ｎが低下したものと考えられる。

【００１０】そこで、記録膜の温度上昇を抑える構成に
ついて検討を進めた結果、記録膜に対してその背後に設
ける金属反射膜として熱伝導率λの高い材料を選択する
か、および／または金属反射膜の膜厚ｄを厚くするかに
より、金属反射層のλｄを大きくする方法が最も有効で
あることがわかった。ところが、この方法をとると、記
録膜の温度上昇は抑えられるが、媒体としての記録感度
が低下し、記録時に高いレーザパワーが必要となってし
まう問題があることがわかった。

【００１１】これに対して、記録感度を、すでに市販さ
れている光磁気ディスクと同等、すなわちそれと同じレ
ーザパワーで記録できるようにするためには、光磁気記
録層のキュリー温度Ｔｃを下げることが効果的と考え、
次のような構成の光磁気ディスクを作製し検討を行っ
た。すなわちディスクは、ＰＣ基板（1.2 ｍｍ）／AlSi
Ｎ（ 110ｎｍ）／TbFeCo（22.5ｎｍ）／AlSiＮ（25ｎ
ｍ）／AlTi（80ｎｍ）／紫外線硬化型樹脂による有機保
護層（20μｍ）からなる、金属反射膜付構成の直径130
ｍｍのディスクで、反射膜を従来のものの倍の膜厚の80
ｎｍとすると共に、記録層はTbFeCoのキュリー温度Ｔｃ
を約 190℃にまで低下させたものである。このディスク
に関し、消去レーザパワー 9.0ｍＷで前述の連続消去耐
久性試験を行ったところ、驚くべきことに、10の７乗回
回転の試験後にもＣ／Ｎ≧45dBという良好な結果が得ら
れた。記録感度もレーザパワー 5.5ｍＷでＣ／Ｎ最大と
なり、現在市販されている光磁気ディスクと同等である
ことがわかった。これはAlTi金属反射膜の膜厚を、従来
の40ｎｍから80ｎｍに厚くしたことにより、レーザによ
り加熱されるスポットからのヒートシンク的特性に相当
するλｄが増加し記録膜の温度上昇が大幅に抑えられた
ためと考えられる。

【００１２】さらに、次のような構成の光磁気ディスク
を作製した。すなわち、ＰＣ基板（1.2 ｍｍ）／AlSiＮ
（ 110ｎｍ）／NdDyTbFeCo（22.5ｎｍ）／AlSiＮ（25ｎ
ｍ）／AlTi（ 100ｎｍ）／紫外線硬化型樹脂による有機
物保護層（20μｍ）からなる、金属反射膜付構成の直径
130ｍｍのディスクで、反射膜を従来のものの倍以上の
膜厚の 100ｎｍとすると共に、記録層はNdDyTbFeCoのキ
ュリー温度Ｔｃを約 150℃にまで低下させたものであ
る。このディスクに関し、消去レーザパワー 8.5ｍＷで
前述の連続消去耐久性試験を行ったところ、驚くべきこ
とに、回転数10の６乗回の試験後にもＣ／Ｎの低下は 1
dB以内であり、回転数10の７乗回の試験後のＣ／Ｎの低
下は 1.5dB程度でその値も45.5dBであった。また記録感
度もレーザパワー 5.0ｍＷでＣ／Ｎ最大となり、現在市
販されている光磁気ディスク以上の感度であった。

【００１３】このような高感度ディスクは2400rpm や36
00rpm 以上の高速回転ドライブ用として好ましい。高速
回転時には低速回転の時より、同じレーザパワーでも記
録膜の温度上昇は小さく、耐久性にとっても好ましい。
ゆえに、現在標準より高感度なディスクは 9.0ｍＷの消
去レーザパワーよりゆるやかな条件、すなわち高速回転
で評価するか、またはより小さい消去パワーで評価すれ
ば良い。本発明者らは後者の方法を採用し、記録感度が
レーザパワー 5.5ｍＷでＣ／Ｎが最大となるディスクは
消去レーザパワー 9.0ｍＷで評価する一方、記録感度が
レーザパワー 5.0ｍＷでＣ／Ｎが最大となるディスクは
消去レーザパワー 8.5ｍＷで評価することとした。また
同じ理由により、記録感度がレーザパワー 4.5ｍＷでＣ
／Ｎが最大となるディスクは消去レーザパワー 8.0ｍＷ
で評価することとした。

【００１４】この効果を発現させるためには、金属反射
層の熱伝導率および／または膜厚を調整し、前述のλｄ
を適切に選択する必要がある。基本的には、記録膜の温
度上昇を抑える方向、具体的には金属反射層のλｄが大
きくなる方向に設定すればよい。すなわち、金属反射膜
として熱伝導率の低い材料を用いる場合には、金属反射
層のλｄを大きくするために、金属反射層の膜厚を厚く
する。反対に熱伝導率の高い材料を用いる場合には、熱
伝導率の低い材料を用いる場合よりも膜厚は薄くでき
る。

【００１５】ただし、反射率および耐久性面から金属反
射層の膜厚ｄ（ｎｍ）は、ｄ≧60に設定する必要があ
る。ところで、金属反射層のλｄを大きくすると、レー
ザ照射の記録膜の温度上昇が抑えられるため、用いる光
磁気記録層のキュリー温度Ｔｃを下げ、記録感度を上げ
る必要がある。

【００１６】この光磁気記録層のキュリー温度Ｔｃは、
金属反射層のλｄとの関係で選定する必要がある。その
関係は実施例等の検討から、金属反射層のλｄ（μＷ／
Ｋ）が 2.5≦λｄ≦20の範囲にあり、光磁気記録層のキ
ュリー温度Ｔｃ（℃）がＴｃ≦200 であれば、光磁気ド
ライブ装置に使用されるレーザの記録パワーで充分記録
でき、かつ目的である回転数10の７乗回以上の消去耐久
性が実現できることがわかった。

【００１７】膜厚、媒体構成が同じ場合には、光磁気記
録層のＴｃと金属反射層のλｄとの組み合わせで記録感
度が概ね決定される。より小さいＴｃとより小さいλｄ
との組み合わせで高感度媒体が得られ、高速回転ドライ
ブに対応できる。また、誘電体層や記録層の膜厚によっ
ても、記録感度を調整できる。媒体反射率やＣ／Ｎ値な
どのドライブ側よりの要求より判断して、Ｔｃとλｄが
前記の範囲であれば、現状と将来の光磁気ドライブに適
合させた記録感度と消去耐久性を持つ媒体を得ることが
できる。

【００１８】ところで、光磁気記録媒体は80℃、85％RH
の高温高湿中での耐久性試験が行われるところから、実
用上そのキュリー温度Ｔｃ（℃）はＴｃ≧100 とする必
要がある。一方前述したところよりＴｃ≦200 、さらに
本発明の効果を顕著に発現させるためには、10の７乗回
の連続消去試験後のＣ／Ｎ値が45dB以上であるのみでな
く初期値よりの低下幅が小さいことにより、Ｔｃ≦180
とすることが好ましい。さらには 110≦Ｔｃ≦160 の範
囲で選択することが特に好ましい。

【００１９】ここで光磁気記録層の膜厚は、その背後の
金属反射層の効果、および前面の透明誘電体層による光
干渉効果を最大限に引き出すためには、前述の15〜60ｎ
ｍの範囲内におさめることが必要である。なお、合計膜
厚を60ｎｍ以上と厚くすると、金層反射層の効果は低減
し、Ｃ／Ｎは低下してしまう。

【００２０】一方、本発明のごとく記録層のキュリー温
度Ｔｃを下げると、それに伴いＣ／Ｎに直接関わるKerr
回転角θk が低下し、Ｃ／Ｎも低下してしまうという欠
点がある。この問題を解決するには、記録層に基板側よ
り第１磁性層と第２磁性層という２つの層を設ける。そ
の際第１磁性層としては第２磁性層に比べ、キュリー温
度が高く、Kerr回転角が大きく、保磁力Ｈｃの小さい材
料を用いる。そして第２磁性層としては、本発明の効果
をより発現させるために、そのキュリー温度Ｔｃ2
（℃）が 100≦Ｔｃ2≦180 の材料を用いる。これによ
り再生の際には、レーザ光はキュリー温度の高い、すな
わちKerr回転角の大きい第１磁性層に入射するため、高
いＣ／Ｎが得られるようになる。記録の際には、まず、
キュリー温度の低い第２磁性層にビットが記録され、続
いて交換結合により第１磁性層にビットが転写されると
いう過程をとるため、記録感度は第２磁性層のキュリー
温度により決定される。

【００２１】第１磁性層と第２磁性層の合計膜厚は、前
述と同じ理由で、15〜60ｎｍの範囲内におさめることが
必要である。合計膜厚15〜60ｎｍのうち、第１磁性層と
第２磁性層の膜厚をｔ1 （ｎｍ）、ｔ2 （ｎｍ）とした
時その配分は、少なくともｔ1 ＜ｔ2 であることが好ま
しい。ｔ1 ≧ｔ2 では、第２磁性層に保磁力の高い材料
を用い、交換結合によって第１磁性層の磁化を保持して
いるものの、第２磁性層が薄くなると第１磁性層の磁化
を保持しきれなくなってしまい、逆に単一の磁性層を記
録層として用いた媒体よりもＣ／Ｎが低下してしまうと
いう場合が生ずる恐れがある。但し、第１磁性層を薄く
しすぎると、製膜上磁気特性を良好に発現させることが
難しく、また耐久性の面で安定性に欠けるため第１磁性
層の膜厚は10ｎｍ以上が好ましく、よって、第１磁性層
の膜厚の範囲としては、10≦ｔ1＜（ｔ1 ＋ｔ2 ）／２
であることが好ましい。

【００２２】さらに前述と同様、膜厚や媒体構成が同じ
場合には、第２磁性層のキュリー温度Ｔｃ2 と金属反射
層のλｄとの組み合わせで、記録感度が概ね決定され
る。より小さいＴｃ2 とより小さいλｄとの組み合わせ
で高感度媒体が得られ、高速回転ドライブに対応でき
る。また、誘電体層や記録層の膜厚によっても、記録感
度を調整できる。媒体反射率やＣ／Ｎ値などのドライブ
側よりの要求より判断して、Ｔｃ2 とλｄが前記の範囲
であれば、現状と将来の光磁気ドライブに適合させた記
録感度と消去耐久性を持つ媒体を得ることができる。

【００２３】また第１の磁性層の室温での保持力Ｈｃ1
（Oe）が大き過ぎると、記録時に交換結合によるビット
の転写が行えない。それを防ぐためには、Ｈｃ1 ≦2000
であることが好ましい。

【００２４】尚、本発明は、記録層をレーザ光が通過す
る際のファラデー効果をも利用することを特徴とするた
め、交換結合複層膜としては通常前述の通り第２磁性層
を第１磁性層よりも保磁力が大きく、キュリー温度が低
いものとするが、この積層順序を逆にした構成に対して
も適用できる。また第１磁性層と第２磁性層との間に、
交換結合力を調整する層が有っても良い。

【００２５】上述の記録層に用いる材料としては、光磁
気効果により記録・再生できるもの、具体的には膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有し、任意の反転磁区を作る
ことにより光磁気効果に基いて情報の記録・再生が可能
な磁性薄膜、例えば希土類・遷移金属合金系のTbFeCo、
TbDyFeCo、GdFeCo、GdTbFe、GdTbFeCo、GdDyFeCo、GdTb
DyFeCo、NdDyFeCo、NdDyTbFeCo、NdFe、PrFe、CeFe等の
希土類と遷移金属との非晶質合金膜、あるいはガーネッ
ト膜、CoCr膜、Baフェライト膜、等公知のものが全て適
用できる。

【００２６】本発明において用いる金属反射膜として
は、前述したところよりその膜厚ｄ（ｎｍ）がｄ≧60
で、熱伝導率λと膜厚ｄとの積λｄ（μＷ／Ｋ）が 2.5
≦λｄ≦20の範囲にあるものであれば、材料等特に制限
はない。なお、具体的な材料の選定としては、上記λｄ
の範囲で、熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）（ここでｍ：メー
トル）が 5≦λ≦100 の範囲にある材料を用いる場合に
は、膜厚ｄ（ｎｍ）は80≦ｄ≦300 の範囲が、 100≦λ
≦200 の材料の場合には、60≦ｄ≦200 の範囲が実用的
である。

【００２７】一方本発明において、キュリー温度Ｔｃを
比較的高い値に設定した場合、前述の試験で用いた媒体
と同等、もしくは高速回転での使用を考慮してより高い
記録感度を実現するためには、高いλｄ値を持つ金属反
射膜を用いることは不可能である。この点を考慮する
と、Ｔｃおよびλｄ値はある範囲に設定する必要があ
る。そして鋭意検討した結果、次の範囲に設定すること
が必要であると判明した。すなわち、Ｔｃ≦−10×λｄ
＋300 である。この条件は、より高感度の光磁気記録媒
体に関しては、Ｔｃ≦−10×λｄ＋240 であることが好
ましい。

【００２８】さらに、媒体のＣ／Ｎ向上をはかるために
は、金属反射層の光学定数である屈折率ｎと消衰係数ｋ
が、波長 830nmの光に対して、ｎ≦3.5 かつｋ≧3.5 、
さらに好ましくはｎ≦2.5 かつ 4.5≦ｋ≦8.5 であるよ
うな材料を選択する必要がある。このような条件を満足
する材料は、安価な材料としてはAl、Agが代表的である
が、この２種の材料は、耐腐食性が低いという欠点があ
る。この欠点を補う材料としては、AlAu、AgAu合金が上
げられる。耐腐食性改善の効果は、Au添加量 0.5atom％
以上であらわれるが、20atom％以上とすると、AlAu、Ag
Au合金膜の反射率の低下が大きく、媒体のＣ／Ｎの低下
を招く。従って、Auの含有量は 0.5〜20atom％の範囲に
おさめる必要がある。さらに、反射率の低下をAlもしく
はAg単独膜に比べ 2％以内に抑えるためには、Au含有量
は 0.5〜15atom％、さらには 0.5〜10atom％であること
が好ましい。

【００２９】また、ターゲットや媒体のコストを低減す
る意味からAuの含有量は少ないことが好ましい。このよ
うにAuの添加量を低減するという目的からは、Ti、Zr、
Hf、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Mo、Ｗ、Ｔｃ、Re、Ru、Os、Ir、
Pt、Pdの群の1 種以上の特定元素を補助的に添加すると
効果がある。特に、Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Reが好まし
い。これら特定元素の添加量は5.0 atom％以内にとどめ
るべきであり、これより多いと金属反射膜の反射率が低
下してしまう。 5.0atom％以内では光磁気記録再生装置
で使用される半導体レーザの波長である 830ｎｍでの反
射率の低下は 2％以内の低下幅にとどまる。一方、 0.3
atom％より少ないとAuを節約したことによる耐食性の低
下を補うことができない。したがって、特定元素の添加
量は 0.3〜5.0atom％の範囲に設定する必要がある。こ
の特定元素の添加により、Auの添加量は 0.5〜10atom％
の範囲であれば、反射膜の反射率はAlもしくはAg単独膜
に比べ、 2％以内の低下に抑えることができAuも低減で
きると同時に、前述の熱伝導特性、光学特性および耐食
性も満足することができる。

【００３０】ところで金属反射層が光磁気記録層の背
後、具体的には光入射面に対して反対側に形成されたも
のであれば、本発明における光磁気記録媒体の積層構成
を適用できる。すなわち、金属反射層を光磁気記録層上
に直接設けたもの、または透明誘電体層を介して設けた
もの、更には金属反射層上に透明誘電体層等の無機保護
層および／または光硬化性樹脂等の有機保護層を設けた
もの等あらゆる構成に適用できるが、本発明の効果を十
分に発揮させるためには、基本構成として透明基板／第
１の透明誘電体層／光磁気記録層／第２の透明誘電体層
／金属反射層の構成が最も好ましい。

【００３１】その際、これら各層が積層される透明基板
の材料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、２−メチル−ペンテン樹脂など、ま
たそれらの共重合体等の高分子樹脂、もしくはガラスな
どが適用できる。中でも機械強度、耐候性、耐熱性、透
湿性の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

【００３２】また、前述の有機保護層としては、光硬化
型および／または熱硬化型樹脂、あるいは熱可塑性樹脂
等が適用でき、スピンコーティング法等により形成でき
る。なお、これら保護層は少なくとも記録層の側面まで
被覆するように設けるのが好ましい。

【００３３】透明誘電体層としては、Kerr効果エンハン
スメントを高めるという点で屈折率の高い材料、すなわ
ち1.8 以上の屈折率を有する材料、更に好ましくは2.0
以上である材料が望ましい。

【００３４】このような材料としては、AlＮ、MgＦ₂、
ZnＳ、CeＦ₃、Si₃Ｎ₄、AlSiＮ、SiＯ、SiＯ₂、Zr₂
Ｏ₃、In₂Ｏ₃、SnＯ₂、Ta₂Ｏ₅、AlＯＮ、SiＯＮ、
ZrＯＮ、InＯＮ、SnＯＮ、TaＯＮまたはこれらの混合体
などが適用できる。特に屈折率が2.0 以上という点およ
び透湿性、ガスバリアー性、耐腐食性等の観点より、Al
SiＮ、ZnＳ、Zr₂Ｏ₃、Ta₂Ｏ₅、ZrＯＮ、TaＯＮが好
ましい。

【００３５】そして第１の透明誘電体層は、Kerr効果の
エンハンスメントを高めるために、その膜厚が30〜160
ｎｍの範囲であることが好ましい。

【００３６】また第２の透明誘電体層は、前述の金属反
射層の熱特性を生かしつつ、光磁気記録媒体の反射率と
Ｃ／Ｎを向上させるという観点から、その膜厚が15〜40
ｎｍの範囲であることが好ましい。さらに好ましくは、
膜厚が20〜35ｎｍの範囲であることが好ましい。

【００３７】以上で述べた透明誘電体層、記録層、金属
反射層の無機薄膜の製造方法としては、公知の真空蒸着
法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法
等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光磁気記
録媒体としては、耐久性試験で生じる剥離を生じさせな
いために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作
製することが好ましい。このためにはスパッタリング法
が好ましい。

【００３８】また、ディスクの形態として、単板構造、
両面貼合せ構造、片面フラット基板の貼合せ構造等いず
れに対しても適用可能で、ディスクのサイズも2インチ
φ、3.5インチφ、5.25インチφ、 8インチφ、12イン
チφ等、公知の全ての形態について使用可能である。ま
た、サーボ方式についても、連続サーボ、サンプルサー
ボ等に関わりなく、あらゆる方式に適用可能である。

【００３９】以上の通り、本発明は、特定のヒートシン
ク的特性を有する金属反射膜と、特定のキュリー温度を
有する光磁気記録膜とを組み合わせて、繰り返し記録・
消去耐久性、連続消去耐久性を大幅に改善した光磁気記
録媒体を実現したもので、実用化レベルでの信頼性の高
い光磁気記録媒体が得られるものである。

【００４０】なお、本発明でいう金属反射膜の熱伝導率
は、以下のようにして基板上に金属反射膜を作製し、そ
の特性を評価することにより求めた。

【００４１】まず基板として、20×20× 1ｍｍのサイズ
の石英基板を３ターゲットの高周波マグネトロンスパッ
タ装置（アネルバ製SPF-430H型）の真空槽内に固定し、
5.3×10^-5Pa（ 4×10^-7Torr）になるまで排気する。

【００４２】次にArガス（濃度99.999％）を真空槽内に
導入し、圧力0.67Pa（ 5ｍTorr）になるようにArガス流
量を調整した。ターゲットとしては、直径 100ｍｍ、厚
さ 5ｍｍのAl、またはAgの円盤上に、必要に応じてAu、
Tiのチップ（ 5× 5× 1ｍｍ）を適宜適当数配置した。
放電電力 100Ｗ、放電周波数 13.56ＭHzで高周波スパッ
タリングを行い、必要な膜組成をもつ合金膜を 100ｎｍ
堆積した。

【００４３】このサンプルを用いて、薄膜の熱伝導率λ
（Ｗ／ｍ・Ｋ）を求めた。熱伝導率λの測定は、４端子
法で電気伝導率を測定し、ヴィーデマン−フランツの法
則により電気伝導率から換算して熱伝導率を求める方法
を用いた。

【００４４】その結果、純Alはλ＝ 140Ｗ／ｍ・Ｋ、Al
Ti(98:2)はλ＝80Ｗ／ｍ・Ｋ、AlAuTi(91:7:2)はλ＝20
Ｗ／ｍ・Ｋ、AgTi(98:2)はλ＝ 150Ｗ／ｍ・Ｋ、AgAuTi
(93:5:2)はλ＝51Ｗ／ｍ・Ｋという値が得られた。なお
組成に付記した括弧内の数字は、その構成元素順に対応
した組成比（atom％）を示す。

【００４５】また記録層のキュリー温度は、以下のよう
にして、ガラス基板上に両側をAlSiＮ透明誘電体で保護
したNdDyTbFeCo、またはTbFeCo合金膜をそれぞれ作製
し、その特性を評価することにより求めた。

【００４６】基板として、26×76×1 ｍｍのサイズのス
ライドガラスを用い、前述の熱伝導率測定のときと同じ
装置内に固定し、 5.3×10^-5Pa（ 4×10^-7Torr）になる
まで排気する。

【００４７】まず、ターゲットとしては直径 100ｍｍ、
厚さ 5ｍｍの円盤のAlSi(50:50) の焼結体を用い、真空
槽内にAr／Ｎ₂混合ガス（Ｎ₂ 30vol％）を導入し、圧
力0.40Pa（ 3ｍTorr）になるようにガス流量を調整し
た。放電電力 400Ｗ、放電周波数 13.56ＭHzで高周波ス
パッタリングを行い、第１の透明誘電体層としてAlSiＮ
膜を 110ｎｍ堆積した。

【００４８】次にターゲットをNdDyTbFeCo(6.9:17.4:5.
7:60.0:10.0)合金、TbFeCo(22:68:10)合金、もしくはTb
FeCo(22:71:7) 合金の円盤を適宣用い、スパッタリング
ガスを純Ar（濃度99.999％）とし、圧力0.67Pa（ 5ｍTo
rr）、放電電力 100Ｗで、上記３種の合金膜をAlSiＮ膜
上に20ｎｍ堆積した。

【００４９】続いて、再びターゲットを前述のAlSiの焼
結体ターゲットに戻し、スパッタリングガスをAr／Ｎ₂
混合ガス（Ｎ₂ 30vol％）に変え、先に設けた第１の透
明誘電体層と同様の放電条件で、第２の透明誘電体層と
してAlSiＮを25ｎｍ堆積した。

【００５０】各合金膜のキュリー温度Ｔｃを振動試料型
磁力計（ＶＳＭ）により求めたところ、NdDyTbFeCo膜が
150℃、TbFeCo膜がそれぞれ 210℃（ターゲットのCoが
10atom％組成のとき）と 190℃（ターゲットのCoが 7at
om％組成のとき）であった。

【００５１】

【実施例１、２】以下のようにして基板上に図１に示す
構成の光磁気記録媒体を作製した。図において１は基
板、２は第１の透明誘電体層、３は光磁気記録層、４は
第２の透明誘電体層、５は金属反射層、６は有機保護層
である。

【００５２】直径 130ｍｍ、厚さ 1.2ｍｍの円盤で、
1.6μｍピッチのグルーブを有するポリカーボネート樹
脂（ＰＣ）のディスク基板１を３ターゲットの高周波マ
グネトロンスパッタ装置（アネルバ製SPF-430H型）の真
空槽内に固定し、 5.3×10^-5Pa（ 4×10^-7Torr）になる
まで排気する。なお、膜形成において基板１は15rpm で
回転させた。

【００５３】まず第１の透明誘電体層２としてAlSiＮ膜
を形成した。すなわち、ターゲットとしては直径 100ｍ
ｍ、厚さ 5ｍｍの円盤状のAlSi(50:50) の焼結体を用
い、真空槽内にAr／Ｎ2 混合ガス（Ｎ2 30vol％）を導
入し、圧力 0.4Pa（ 3ｍTorr）になるようにガス流量を
調整した。放電電力 400Ｗ、放電周波数 13.56ＭHzで高
周波スパッタリングを行い、誘電体層２としてAlSiＮ膜
を 110ｎｍ堆積した。

【００５４】次に光磁気記録層３として、ターゲットを
TbFeCo(22:71:7) 合金の円盤に変え、スパッタリングガ
スを純Ar（濃度99.999％）とし、圧力0.67Pa（ 5ｍTor
r）、放電電力 100ＷでTbFeCo合金膜（Ｔｃ＝190 ℃）
を20ｎｍ堆積した。

【００５５】続いて、第２の透明誘電体層４としてター
ゲットを前記のAlSiの焼結体ターゲットに戻し、スパッ
タリングガスもAr／Ｎ₂混合ガス（Ｎ₂ 30vol％）に戻
し、第１の透明誘電体層２と同様の放電条件で、AlSiＮ
膜を25ｎｍ堆積した。

【００５６】最後に、金属反射膜５を形成した。ターゲ
ットとしては、直径 100ｍｍ、厚さ5ｍｍのAl、もしく
はAgの円盤上にTiのチップ（5 ×5 ×1 ｍｍ）を適当数
配置したものを用い、スパッタリングガスを純Ar（濃度
99.999％）に変え、記録層３と同様の放電条件で金属反
射層５としてAlTi(98:2)を80ｎｍ堆積したλｄ＝ 6.4μ
Ｗ／Ｋのサンプル（実施例１）、もしくはAgTi(98:2)を
60ｎｍ堆積したλｄ＝9.0μＷ／Ｋのサンプル（実施例
２）を得た。

【００５７】このサンプルをスパッタンリング装置から
取り出し、スピンコーターに取り付けた。ディスクを回
転させながら紫外線硬化性のフェノールノボラックエポ
キシアクリレート樹脂を塗布した後、紫外線照射装置を
通過させて樹脂を硬化させ、約20μｍの有機保護層６を
設けた。

【００５８】

【実施例３、４】金属反射層５として、ターゲットには
直径 100ｍｍ、厚さ 5ｍｍのAlもしくはAgの円盤上に、
Au、Tiのチップ（5 ×5 ×1 ｍｍ）を適当数配置したも
のを用い、純Arガス（濃度99.999％）で圧力0.67Pa（ 5
ｍTorr）、放電電力 100Ｗ、放電周波数13.56 ＭHzで高
周波スパッタリングを行い、AlAuTi(91:7:2)を150ｎｍ
（実施例３）、AgAuTi(93:5:2)を 100ｎｍ（実施例４）
設ける以外は、実施例１、２と同じ条件で製膜を行っ
た。そしてλｄ＝3.0 μＷ／Ｋ（実施例３）、λｄ＝5.
1 μＷ／Ｋ（実施例４）の各サンプルを得た。

【００５９】

【実施例５、６】実施例１、２と同様の操作で、ただし
記録層３をＴｃ＝ 150℃の前述のNdDyTbFeCo膜とし、Al
Ti合金（実施例５）とAgTi合金（実施例６）の金属反射
膜の膜厚をそれぞれ100 ｎｍ、80ｎｍとしたサンプルを
作製した。記録層３と金属反射層５の製膜条件を以下に
示す。

【００６０】光磁気記録層３としてはターゲットをNdDy
TbFeCo(6.9:17.4:5.7:60.0:10.0)合金の円盤とし、スパ
ッタリングガスを純Ar（濃度99.999％）とし、圧力0.67
Pa（5ｍTorr）、放電電力 100ＷでNdDyTbFeCo合金膜
（Ｔｃ＝150 ℃）を20ｎｍ堆積した。

【００６１】金属反射膜５としては、ターゲットを直径
100ｍｍ、厚さ 5ｍｍのAl、もしくはAgの円盤上にTiの
チップ（5×5 ×1 ｍｍ）を適当数配置したものとし、
スパッタリングガスを純Ar（濃度99.999％）に変え、記
録層３と同様の放電条件で金属反射層５としてAlTi(98:
2)を 100ｎｍ堆積したλｄ＝ 8.0μＷ／Ｋのサンプル
（実施例５）、もしくはAgTi(98:2)を80ｎｍ堆積したλ
ｄ＝12.0μＷ／Ｋのサンプル（実施例６）を得た。

【００６２】

【実施例７、８】金属反射層５としてターゲットを、直
径 100ｍｍ、厚さ 5ｍｍのAlもしくはAgの円盤上に、A
u、Tiのチップ（5 ×5 ×1 ｍｍ）を適当数配置したも
のを用い、純Arガス（濃度99.999％）で圧力0.67Pa（ 5
ｍTorr）、放電電力 100Ｗ、放電周波数 13.56ＭHzで高
周波スパッタリングを用い、金属反射層５として、AlAu
Ti(91:7:2)を 200ｎｍ（実施例７）、AgAuTi(93:5:2)を
120ｎｍ（実施例８）設ける以外は、実施例５、６と全
く同じ材料、製膜条件、膜厚で、図１に示すところの光
磁気ディスクのλｄ＝4.0μＷ／Ｋ（実施例７）、λｄ
＝ 6.1μＷ／Ｋ（実施例８）の各サンプルを得た。

【００６３】

【実施例９、１０】実施例７、８の記録層を、GdFeCoと
NdDyTbFeCoからなる交換結合した２層の記録層３ａ、３
ｂとする以外は、実施例７、８と材料、製膜条件、膜厚
は全く同じに設定した。第２図に示すところの光磁気デ
ィスクを作製した。記録層３ａと３ｂの製膜条件を以下
に示す。

【００６４】まず、ＰＣ基板側に近い第１の記録層３ａ
として、ターゲットはGdFeCo(21:55:24)の合金の円盤を
用い、純Ar（濃度99.999％）をスパッタリングガスとし
て、圧力0.67Pa（ 5ｍTorr）、放電電力100 Ｗ、放電周
波数13.56 ＭＨz で高周波スパッタリングを行い、記録
層３ａとして、GdFeCo合金膜を12.5ｎｍ堆積する。

【００６５】次に、第１の記録層３ａと交換結合した第
２の記録層３ｂとして、ターゲットをNdDyTbFeCo(6.9:1
7.4:5.7:60.0:10.0)合金の円盤に変え、上述と同様の放
電条件でNdDyTbFeCo合金膜（Ｔｃ＝150 ℃）を17.5ｎｍ
堆積する。

【００６６】記録層３ａ、３ｂは上述のように製膜し、
図２に示すところの光磁気ディスクのサンプルを得た。
すなわち、金属反射層がAlAuTiでλｄ＝4.0 μＷ／Ｋの
サンプルが実施例９、AgAuTiでλｄ＝6.1 μＷ／Ｋのサ
ンプルが実施例１０である。

【００６７】

【比較例１、２】実施例１、２の記録層３を、Ｔｃ＝21
0 ℃のTbFeCo(22:68:10)合金膜とし、金属反射膜の膜厚
をAlTi(98:2)は40ｎｍ（比較例１）、AgTi(98:2)は30ｎ
ｍ（比較例２）とする以外は、実施例１、２と材料、製
膜条件、膜厚は全く同じに設定した、図１に示すところ
の光磁気ディスクを作製した。記録層３の製膜条件を以
下に示す。

【００６８】ターゲットはTbFeCo(22:68:10)の合金の円
盤を用い、純Ar（濃度99.999％）をスパッタリングガス
として、圧力0.67Pa（ 5ｍTorr）、放電電力100 Ｗ、放
電周波数13.56 ＭＨz で高周波スパッタリングを行い、
記録層３としてTbFeCo合金膜（Ｔｃ＝210 ℃）を20ｎｍ
堆積し、図１に示すところの光磁気ディスクのサンプル
を得た。

【００６９】

【比較例３】比較例１、２の金属反射膜をAgAuTi(93:5:
2)の合金膜60ｎｍとする点以外は、比較例１、２と材
料、製膜条件、膜厚は全く同じとした図１に示す構成の
光磁気ディスクのサンプルを作製した。

【００７０】

【比較例４】光磁気記録層３として、ターゲットをTbFe
Co(22:71:7) の合金の円盤を用い、純Ar（濃度99.999
％）をスパッタリングガスとして、圧力0.67Pa（ 5ｍTo
rr）、放電電力100 Ｗ、放電周波数13.56 ＭHzで高周波
スパッタリングを行い、記録層３としてTbFeCo合金膜
（Ｔｃ＝190 ℃）を20ｎｍ堆積する点、金属反射層５を
AlAuTi(91:7:2)の合金膜60ｎｍとする点以外は、比較例
３と材料、製膜条件、膜厚は全く同じとした図１に示す
ところの光磁気ディスク（λｄ＝1.2 μＷ／Ｋ）のサン
プルを作製した。

【００７１】

【比較例５、６】金属反射層５として、ターゲットを直
径100 ｍｍ、厚さ5 ｍｍのAlの円盤を用い、純Arガス
（純度99.999％）で圧力0.67Pa（ 5ｍTorr）、放電電力
100Ｗ、放電周波数13.56 ＭHzで高周波スパッタリング
を行い、金属反射層としてAl膜を120 ｎｍ設ける以外
は、実施例２、６と材料、製膜条件、膜厚等は

【００７２】

【評価試験】以上のようにして得られた各サンプルに対
して、次のようにして評価試験を行った。

【００７３】まずは、これら各サンプルのＣ／Ｎの記録
パワー依存性を測定した。測定には、光磁気記録再生装
置（パルステック工業製DDU-1000型）を用い、半径30ｍ
ｍ位置のトラックにおいて、ディスク回転速度1800rpm
、信号周波数 3.7ＭHz（pulse duty33％）、外部磁場
300Oe、再生パワー 1.5ｍＷとし、記録パワーを変化さ
せてＣ／Ｎを測定した。そしてＣ／Ｎが最大となる記録
パワーＰｗと、その時のＣ／Ｎ値を求めた。

【００７４】続いて、この初期のＣ／Ｎ測定を行った同
じトラックで、連続消去耐久性試験を行った。すなわち
ディスク回転速度1800rpm 、前述の記録感度に応じた
8.0〜9.0ｍＷの消去パワーで、同一トラック上の消去動
作を所定回数繰り返した。その後、初期のＣ／Ｎ測定を
行ったときと同様の条件で、ただし初期にＣ／Ｎの最大
値が得られた記録パワーを用いて記録し、Ｃ／Ｎを測定
した。

【００７５】さらに、各サンプルの膜面を観察してピン
ホール等の欠陥がないことを確認した後、80℃、85％RH
の高温高湿雰囲気中で2000時間保存する環境試験を行
い、膜面における腐食によるピンホール発生数を目視で
観察した。

【００７６】その結果実施例１では、初期のＣ／Ｎが最
大となる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ
／Ｎが48.5dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の７乗回
消去後のＣ／Ｎは45.5dBであった。また環境試験の結果
は、膜面に約10個のピンホールが発生していた。

【００７７】そして実施例２では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが49.0dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の７乗回消
去後のＣ／Ｎは46.0dBであった。また環境試験の結果
は、膜面に約20個のピンホールが発生していた。

【００７８】そして実施例３では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.0 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが49.5dB、さらに消去パワー 8.5ｍＷで10の７乗回消
去後のＣ／Ｎは46.5dBであった。また環境試験の結果
は、膜面にピンホールは発生していなかった。

【００７９】そして実施例４では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが50.0dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の７乗回消
去後のＣ／Ｎは47.0dBであった。また環境試験の結果
は、膜面にピンホールは発生していなかった。

【００８０】そして実施例５では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.0 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが47.0dB、さらに消去パワー 8.5ｍＷで10の６乗回消
去後のＣ／Ｎは46.5dBであり、10の７乗回消去後のＣ／
Ｎは45.5dBであった。また環境試験の結果は、膜面に約
10個のピンホールが発生していた。

【００８１】そして実施例６では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが48.0dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の６乗回消
去後のＣ／Ｎは47.5dBであり、10の７乗回消去後のＣ／
Ｎは47.0dBであった。また環境試験の結果は、膜面に約
20個のピンホールが発生していた。

【００８２】そして実施例７では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは4.5 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが48.0dB、さらに消去パワー 8.0ｍＷで10の６乗回消
去後のＣ／Ｎは47.5dBであり、10の７乗回消去後のＣ／
Ｎは46.5dBであった。また環境試験の結果は、膜面にピ
ンホールは発生していなかった。

【００８３】そして実施例８では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.0 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが49.0dB、さらに消去パワー 8.5ｍＷで10の６乗回消
去後のＣ／Ｎは48.5dBであり、10の７乗回消去後のＣ／
Ｎは47.0dBであった。また環境試験の結果は、膜面にピ
ンホールは発生していなかった。

【００８４】そして実施例９では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.0 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが48.5dB、さらに消去パワー 8.5ｍＷで10の６乗回消
去後のＣ／Ｎは48.0dBであり、10の７乗回消去後のＣ／
Ｎは47.0dBであった。また環境試験の結果は、膜面にピ
ンホールは発生していなかった。

【００８５】そして実施例１０では、初期のＣ／Ｎが最
大となる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ
／Ｎが49.5dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の６乗回
消去後のＣ／Ｎは49.0dBであり、10の７乗回消去後のＣ
／Ｎは48.0dBであった。また環境試験の結果は、膜面に
ピンホールは発生していなかった。

【００８６】一方比較例１では、初期のＣ／Ｎが最大と
なる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ／Ｎ
が48.0dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の７乗回消去
後のＣ／Ｎは40.0dBであった。また環境試験の結果は、
膜面に約10個のピンホールが発生していた。

【００８７】そして比較例２では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが49.0dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の７乗回消
去後のＣ／Ｎは41.0dBであった。また環境試験の結果
は、膜面に約20個のピンホールが発生していた。

【００８８】そして比較例３では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.5 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが48.0dB、さらに消去パワー 9.0ｍＷで10の６乗回消
去後のＣ／Ｎは43.0dBであり、10の７乗回消去後のＣ／
Ｎは38.0dBであった。また環境試験の結果は、膜面にピ
ンホールは発生していなかった。

【００８９】そして比較例４では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは5.0 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが48.0dB、さらに消去パワー 8.5ｍＷで10の６乗回消
去後のＣ／Ｎは45.0dBであり、10の７乗回消去後のＣ／
Ｎは43.0dBであった。また環境試験の結果は、膜面にピ
ンホールは発生していなかった。

【００９０】そして比較例５では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは6.0 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが46.5dBであった。この時点で記録感度に関しては本
発明の目的を満足しないため、連続消去試験は実施しな
かった。また環境試験の結果は、膜面に数100 個のピン
ホールが発生していた。

【００９１】そして比較例６では、初期のＣ／Ｎが最大
となる記録パワーＰｗは6.0 ｍＷであり、その時のＣ／
Ｎが46.0dBであった。この時点で記録感度に関しては本
発明の目的を満足しないため、連続消去試験は実施しな
かった。また環境試験の結果は、膜面に数100 個のピン
ホールが発生していた。

【００９２】以上の結果を表にまとめたのが、表１であ
る。

【００９３】

【表１】

【００９４】

【発明の効果】本発明は以上詳述したごとく、記録感度
を劣化させることなく、繰り返しの記録・消去耐久性も
しくは連続消去耐久性が十分な光磁気記録媒体を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１〜８、比較例１〜４の積層構成の説明
図

【図２】実施例９、１０の積層構成の説明図

【符号の説明】

１基板２第１の透明誘電体層３光磁気記録層４第２の透明誘電体層５金属反射層６有機保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に第１の透明誘電体層、光磁気
記録層、第２の透明誘電体層、金属反射層を少なくとも
備えた光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層はキ
ュリー温度Ｔｃ（℃）が 100≦Ｔｃ≦200 、膜厚ｔ（ｎ
ｍ）が15≦ｔ≦60の光磁気記録層であり、前記金属反射
層は膜厚ｄ（ｎｍ）がｄ≧60、熱伝導率λと膜厚ｄの積
λｄ（μＷ／Ｋ）（ここでμ：10^-6、Ｗ：ワット、Ｋ：
絶対温度）が 2.5≦λｄ≦20の金属反射層であり、かつ
Ｔｃ≦−10×λｄ＋300 であることを特徴とする光磁気
記録媒体。
【請求項２】キュリー温度Ｔｃ（℃）の温度範囲が 100
≦Ｔｃ≦180 である請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】透明基板上に第１の透明誘電体層、光磁気
記録層、第２の透明誘電体層、金属反射層を少なくとも
備えた光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層は、
キュリー温度がＴｃ1 （℃）、室温での保磁力がＨｃ1
（Oe）、膜厚がｔ1 （ｎｍ）である第１磁性層と、キュ
リー温度がＴｃ2 （℃）、室温での保磁力がＨｃ2 （O
e）、膜厚がｔ2 （ｎｍ）である第２磁性層の２層を順
次積層した積層体であり、Ｔｃ1 ＞Ｔｃ2 、Ｈｃ2 ＞Ｈ
ｃ1 、 100≦Ｔｃ2 ≦180 、15≦ｔ1 ＋ｔ2 ≦60、ｔ1
＜ｔ2 、かつ前記金属反射層は膜厚ｄ（ｎｍ）がｄ≧6
0、熱伝導率λと膜厚ｄの積λｄ（μＷ／Ｋ）（ここで
μ：10^-6、Ｗ：ワット、Ｋ：絶対温度）が 2.5≦λｄ≦
20の金属反射層であり、さらにＴｃ2 ≦−10×λｄ＋30
0 であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項４】第１磁性層の室温での保磁力Ｈｃ1 （Oe）
が、Ｈｃ1 ≦2000である請求項３記載の光磁気記録媒
体。
【請求項５】第２の透明誘電体層の膜厚が、15〜40ｎｍ
の範囲にある請求項１、請求項２、請求項３、あるいは
請求項４記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】光磁気記録層が希土類元素と遷移金属元素
との非晶質合金薄膜である請求項１、請求項２、請求項
３、請求項４、あるいは請求項５記載の光磁気記録媒
体。
【請求項７】金属反射膜が少なくともAlAuもしくはAgAu
を含む合金である請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４、請求項５、あるいは請求項６記載の光磁気記録媒
体。
【請求項８】金属反射膜が、Ti、Zr、Hf、Ｖ、Nb、Ta、
Cr、Mo、Ｗ、Tc、Re、Ru、Os、Ir、Pt、Pdの群から選ば
れた１種以上の特定元素を含有したAlAu合金もしくはAg
Au合金からなる請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５、請求項６、あるいは請求項７記載の光磁
気記録媒体。