JP2804165B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜利用分野＞ 本発明はレーザー等の光ビームを用い磁気光学効果に
より、情報の記録・再生を行なう光磁気記録媒体に関
し、更に詳しくは光磁気記録層の背後に金属反射層を設
けた光磁気記録媒体の改良に関する。
より、情報の記録・再生を行なう光磁気記録媒体に関
し、更に詳しくは光磁気記録層の背後に金属反射層を設
けた光磁気記録媒体の改良に関する。
＜従来技術＞ 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種
々の研究開発が行なわれている。特に情報の書替えが可
能な光磁気記録媒体は、応用分野が広く、種々の材料・
システムが発表されており、注目されている。
々の研究開発が行なわれている。特に情報の書替えが可
能な光磁気記録媒体は、応用分野が広く、種々の材料・
システムが発表されており、注目されている。
その基本構成は、透明基板上に、膜面に対し垂直な方
向に磁化容易軸を有する、希土類〜遷移金属非晶質合金
磁性膜からなる光磁気記録層を設けるものである。
向に磁化容易軸を有する、希土類〜遷移金属非晶質合金
磁性膜からなる光磁気記録層を設けるものである。
該非晶質合金磁性膜の光磁気記録層は、単独では耐久
性が悪く、また、カー回転角が小さいため、再生時に満
足なC/Nが得られないなどの問題点を有する。そのた
め、それらの特性を改善すべく、さまざまな提案が既に
なされている。
性が悪く、また、カー回転角が小さいため、再生時に満
足なC/Nが得られないなどの問題点を有する。そのた
め、それらの特性を改善すべく、さまざまな提案が既に
なされている。
例えば、基板上に金属窒化物透明誘電体層／記録層／
金属窒化物透明誘電体層／金属反射層の順に積層した４
層構成は、カー効果とファラデー効果の併用と、誘電体
によるエンハンス効果で高C/N値が得られ、さらに誘電
体として金属窒化物を用いることにより、耐久性面でも
優れている。また、適当な記録感度を得る方法として金
属反射層の膜厚調整や添加物を加えるなどして、金属反
射層の熱伝導を低くする方法が提案されている。
金属窒化物透明誘電体層／金属反射層の順に積層した４
層構成は、カー効果とファラデー効果の併用と、誘電体
によるエンハンス効果で高C/N値が得られ、さらに誘電
体として金属窒化物を用いることにより、耐久性面でも
優れている。また、適当な記録感度を得る方法として金
属反射層の膜厚調整や添加物を加えるなどして、金属反
射層の熱伝導を低くする方法が提案されている。
しかしながら、本発明者らの検討では、前記４層構成
で、金属反射層の熱伝導を低くすると、記録感度は改善
されるが記録層からの熱の逃げが悪くなるため、記録時
に隣接ビット同志が熱的に影響し合い、ビットの書き込
もうとする位置からのずれが大きくなるという現象を有
することがわかった。なお、この位置のずれは、再生信
号のピークシフトとして検出することができる。ビット
のずれが大きいとピークシフトが増大し、再生時のエラ
ーが増大するという問題がある。
で、金属反射層の熱伝導を低くすると、記録感度は改善
されるが記録層からの熱の逃げが悪くなるため、記録時
に隣接ビット同志が熱的に影響し合い、ビットの書き込
もうとする位置からのずれが大きくなるという現象を有
することがわかった。なお、この位置のずれは、再生信
号のピークシフトとして検出することができる。ビット
のずれが大きいとピークシフトが増大し、再生時のエラ
ーが増大するという問題がある。
＜発明の目的＞ 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、透明誘電
体層と金属反射層との特性を生かし、且つピークシフト
を小さくすることにより高C/Nで、記録感度がよく、し
かも、再生信号のエラー率も低い耐久性に優れた光磁気
記録媒体を提供することを目的としたものである。
体層と金属反射層との特性を生かし、且つピークシフト
を小さくすることにより高C/Nで、記録感度がよく、し
かも、再生信号のエラー率も低い耐久性に優れた光磁気
記録媒体を提供することを目的としたものである。
＜発明の構成及び作用＞ 上述の目的は、以下の本発明により達成される。
すなわち本発明は、基板上に第１の透明誘電体層、光
磁気記録層、第２の透明誘電体層、金属反射層が順次積
層された光磁気記録媒体において、第２の透明誘電体層
が水素を含有するカーボン層を少なくとも有することを
特徴とする光磁気記録媒体である。
磁気記録層、第２の透明誘電体層、金属反射層が順次積
層された光磁気記録媒体において、第２の透明誘電体層
が水素を含有するカーボン層を少なくとも有することを
特徴とする光磁気記録媒体である。
以下、本発明を詳細に説明する。
前述のビットの位置のずれ、換言すればピークシフト
の生じる原因の一つには、隣接ビット間の熱的干渉が考
えられる。つまり、記録層が、書き込みに必要な温度よ
り過度に加熱された場合、その熱が隣接ビットに影響す
ると考えられる。よって、ピークシフトを小さくしよう
とする場合、熱の逃げを良くし、記録層の過熱を防止す
ればよいが、そうすると、感度が低下してしまう。逆
に、熱の逃げを悪くすれば感度は向上するが、ピークシ
フトは増大してしまう。従って、感度，ピークシフトの
双方の特性を満足させるには、記録層温度が上昇し易
く、しかも、ある温度（書き込み温度）になると、熱が
逃げて記録層が過度に加熱されない構成が必要であると
考えられる。
の生じる原因の一つには、隣接ビット間の熱的干渉が考
えられる。つまり、記録層が、書き込みに必要な温度よ
り過度に加熱された場合、その熱が隣接ビットに影響す
ると考えられる。よって、ピークシフトを小さくしよう
とする場合、熱の逃げを良くし、記録層の過熱を防止す
ればよいが、そうすると、感度が低下してしまう。逆
に、熱の逃げを悪くすれば感度は向上するが、ピークシ
フトは増大してしまう。従って、感度，ピークシフトの
双方の特性を満足させるには、記録層温度が上昇し易
く、しかも、ある温度（書き込み温度）になると、熱が
逃げて記録層が過度に加熱されない構成が必要であると
考えられる。
本発明者らは、上記方向で小さいピークシフトと優れ
た記録感度という相反する両特性を満足する媒体を得ん
と鋭意検討した結果、光磁気記録層上の透明誘電体層と
しての断熱性の高い水素を含有するカーボン膜を用い、
これと金属反射層との組み合わせにより、問題が解決さ
れることを見い出し、本発明に到達したのである。
た記録感度という相反する両特性を満足する媒体を得ん
と鋭意検討した結果、光磁気記録層上の透明誘電体層と
しての断熱性の高い水素を含有するカーボン膜を用い、
これと金属反射層との組み合わせにより、問題が解決さ
れることを見い出し、本発明に到達したのである。
本発明の水素を含有するカーボン層（以下“カーボン
層”と略記する）とは、カーボン膜中に水素原子が−C
H,−CH2,−CH3の型で含まれているものである。この水
素が熱伝導率を低下させることに大きな役割を果し、水
素含有率が増加する程、熱伝導率が低下する。
層”と略記する）とは、カーボン膜中に水素原子が−C
H,−CH2,−CH3の型で含まれているものである。この水
素が熱伝導率を低下させることに大きな役割を果し、水
素含有率が増加する程、熱伝導率が低下する。
また水素含有率が増加する程、膜の透過率も向上し光
磁気記録媒体の特性上好ましい。しかしあまり多くなり
すぎると膜の軟化、接着性の低下などが生じ好ましくな
い。
磁気記録媒体の特性上好ましい。しかしあまり多くなり
すぎると膜の軟化、接着性の低下などが生じ好ましくな
い。
ところで、カーボン膜中の水素含有量については、簡
便な定量方法がなく、従って上記観点より好ましいカー
ボン膜中の水素含有量は明確ではないが、製造条件、水
素の膜中での存在形態等より数at％〜数10at％の範囲と
推定される。
便な定量方法がなく、従って上記観点より好ましいカー
ボン膜中の水素含有量は明確ではないが、製造条件、水
素の膜中での存在形態等より数at％〜数10at％の範囲と
推定される。
なお、水素以外にシリコン、酸素、窒素などが膜の透
明性、接着性などを改善する目的で添加されていても構
わない。
明性、接着性などを改善する目的で添加されていても構
わない。
またこの膜厚も光磁気記録層と金属反射層との間の第
２の透明誘電体層の熱伝導に大きな影響を与える。膜厚
が薄すぎると断熱性が充分でない。一方厚すぎると断熱
性は大きくなり、前述のピークシフト等の問題を生ず
る。従って、適当な記録感度で良好な特性を得るために
は金属反射層の熱伝導率を向上させるか、あるいはその
膜厚を大きくする等の金属反射層との組み合わせによる
総合的な調整の必要がある。しかしこれには物性上の限
界、およびプロセス、コスト上の問題がある。更にこの
他に第２の透明誘電体層は第１の透明誘電体層と同様に
光学的な光干渉にも重要な役割を果しており、C/N（信
号／ノズル）を高くするためには最適な膜厚範囲が存在
する。これらの観点からカーボン層の膜厚が決定され
る。この断熱性といった熱的性質と、光干渉の光学的性
質を満足するために、該カーボン層の膜厚は30〜400Å
が好ましい。また両特性を満足するために、第２の透明
誘電体層を、該カーボン層と他の透明誘電体からなる層
の複層膜にすることが有効である。この際用いられる透
明誘電体としては公知の窒化物、炭化物、ホウ化物、酸
化物などが用いられるが、光磁気記録層の酸化など耐久
性に与える影響、製膜の容易さなどから窒化物が好適に
用いられる。特にシリコン窒化物、アルミニウム−シリ
コン窒化物、アルミニウム窒化物などが好ましいがもち
ろんこれに限定されるものではない。なお、耐久性面等
から複層膜の場合光磁気記録層に接する層は、窒化物層
とすることが好ましい。
２の透明誘電体層の熱伝導に大きな影響を与える。膜厚
が薄すぎると断熱性が充分でない。一方厚すぎると断熱
性は大きくなり、前述のピークシフト等の問題を生ず
る。従って、適当な記録感度で良好な特性を得るために
は金属反射層の熱伝導率を向上させるか、あるいはその
膜厚を大きくする等の金属反射層との組み合わせによる
総合的な調整の必要がある。しかしこれには物性上の限
界、およびプロセス、コスト上の問題がある。更にこの
他に第２の透明誘電体層は第１の透明誘電体層と同様に
光学的な光干渉にも重要な役割を果しており、C/N（信
号／ノズル）を高くするためには最適な膜厚範囲が存在
する。これらの観点からカーボン層の膜厚が決定され
る。この断熱性といった熱的性質と、光干渉の光学的性
質を満足するために、該カーボン層の膜厚は30〜400Å
が好ましい。また両特性を満足するために、第２の透明
誘電体層を、該カーボン層と他の透明誘電体からなる層
の複層膜にすることが有効である。この際用いられる透
明誘電体としては公知の窒化物、炭化物、ホウ化物、酸
化物などが用いられるが、光磁気記録層の酸化など耐久
性に与える影響、製膜の容易さなどから窒化物が好適に
用いられる。特にシリコン窒化物、アルミニウム−シリ
コン窒化物、アルミニウム窒化物などが好ましいがもち
ろんこれに限定されるものではない。なお、耐久性面等
から複層膜の場合光磁気記録層に接する層は、窒化物層
とすることが好ましい。
カーボン層は公知の方法、例えばグラファイトターゲ
ットを用いてAr＋H2雰囲気下中での反応性スパッタ法な
どにより形成される。
ットを用いてAr＋H2雰囲気下中での反応性スパッタ法な
どにより形成される。
本発明での基板にはポリカーボネート樹脂，アクリル
樹脂，エポキシ樹脂,4−メチル−ペンテン樹脂，アモル
ファスポリオレフィン樹脂などまたそれらの共重合体等
の高分子樹脂、もしくはガラスなどが適用できる。中で
も機械強度，耐候性，透湿性の点でポリカーボネート樹
脂が好ましい。
樹脂，エポキシ樹脂,4−メチル−ペンテン樹脂，アモル
ファスポリオレフィン樹脂などまたそれらの共重合体等
の高分子樹脂、もしくはガラスなどが適用できる。中で
も機械強度，耐候性，透湿性の点でポリカーボネート樹
脂が好ましい。
また基板と光磁気記録層との間の第１の透明誘電体層
としては、公知のシリコン窒化物、アルミニウムシリコ
ン窒化物、アルミニウム窒化物等からなるものが好まし
く適用できる。しかし透明性，屈折率，熱伝導率等、適
当な特性を有しているものであれば、これに限定されな
いことは言うまでもない。またその膜厚は光学的、熱的
な観点から設計され、媒体構成によって変化するため一
義的には決められないが、通常400〜1600Åの範囲で用
いられることが多い。これらの膜はスパッタリング法、
真空蒸着法、CVD法等通常の方法で形成される。
としては、公知のシリコン窒化物、アルミニウムシリコ
ン窒化物、アルミニウム窒化物等からなるものが好まし
く適用できる。しかし透明性，屈折率，熱伝導率等、適
当な特性を有しているものであれば、これに限定されな
いことは言うまでもない。またその膜厚は光学的、熱的
な観点から設計され、媒体構成によって変化するため一
義的には決められないが、通常400〜1600Åの範囲で用
いられることが多い。これらの膜はスパッタリング法、
真空蒸着法、CVD法等通常の方法で形成される。
また本発明の光磁気記録層としては、光熱磁気効果に
より記録・再生できるもの、具体的には膜面に垂直な方
向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることに
より光磁気効果に基いて情報の記録・再生が可能な磁性
金属薄膜であればよく、例えばTbFe,TbFeCo,GdTbFe,GdF
eCo,NdDyFeCo,NdDyTbFeCo,NdFe,PrFe,CeFe等の希土類元
素と遷移金属元素との非晶質合金膜、Co/Pt、Co/Pd等の
人工格子多層膜等が適用できる。
より記録・再生できるもの、具体的には膜面に垂直な方
向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることに
より光磁気効果に基いて情報の記録・再生が可能な磁性
金属薄膜であればよく、例えばTbFe,TbFeCo,GdTbFe,GdF
eCo,NdDyFeCo,NdDyTbFeCo,NdFe,PrFe,CeFe等の希土類元
素と遷移金属元素との非晶質合金膜、Co/Pt、Co/Pd等の
人工格子多層膜等が適用できる。
本発明での金属反射層は、熱の放散を行なうという重
要な役割を有する。そこでその材料としては熱伝導性の
良い金属が好ましく、Ag,Au,Al,Cu又はこれを主体とし
た合金が好適に用いられる。これらの金属では光の反射
率も高いため、高いC/N（信号／ノイズ）が得られると
いう利点も有する。中でもAgAu合金、AlAu合金は耐久性
といたった観点から優れており、特に更にTiを添加した
反射層はこの点で更に好ましい。この金属反射層の膜厚
は、熱の放散を適当な範囲に制御するということから決
定される。金属の熱伝導率が低い場合には厚い膜厚を要
するし、逆に高い場合には薄くて良い。いずれにしても
熱の放散という立場から、300Å以上の銀薄膜と同等以
上の熱伝導性を有していることが好ましい。これらの金
属反射層は公知の真空蒸着法，スパッタリング法等によ
って形成される。
要な役割を有する。そこでその材料としては熱伝導性の
良い金属が好ましく、Ag,Au,Al,Cu又はこれを主体とし
た合金が好適に用いられる。これらの金属では光の反射
率も高いため、高いC/N（信号／ノイズ）が得られると
いう利点も有する。中でもAgAu合金、AlAu合金は耐久性
といたった観点から優れており、特に更にTiを添加した
反射層はこの点で更に好ましい。この金属反射層の膜厚
は、熱の放散を適当な範囲に制御するということから決
定される。金属の熱伝導率が低い場合には厚い膜厚を要
するし、逆に高い場合には薄くて良い。いずれにしても
熱の放散という立場から、300Å以上の銀薄膜と同等以
上の熱伝導性を有していることが好ましい。これらの金
属反射層は公知の真空蒸着法，スパッタリング法等によ
って形成される。
以上、本発明の基本構成を説明したが、この金属反射
層上に、前述の誘電体等からなる無機保護層を介して又
は直接に機械的保護、更なる耐久性の向上等の目的で有
機の光及び熱硬化型樹脂あるいは熱可塑性樹脂からなる
有機保護層を設けても良い。
層上に、前述の誘電体等からなる無機保護層を介して又
は直接に機械的保護、更なる耐久性の向上等の目的で有
機の光及び熱硬化型樹脂あるいは熱可塑性樹脂からなる
有機保護層を設けても良い。
以上の構成の光磁気記録媒体は、公知の通り上記構成
のままで、更に保護平板，保護フィルム等必要な保護を
付加して片面記録媒体として、あるいはその２枚を金属
反射層側で貼り合わせた両面記録媒体として使用され
る。
のままで、更に保護平板，保護フィルム等必要な保護を
付加して片面記録媒体として、あるいはその２枚を金属
反射層側で貼り合わせた両面記録媒体として使用され
る。
以上の通り、本発明は熱伝導性の低い水素を含有する
カーボン層と熱伝導の良い金属反射層との組み合わせに
より、ビットエラーレイトに関係するピークシフトと記
録感度の相反する両特性を向上せしめ、且つ高C/Nで耐
久性も優れた光磁気記録媒体を実現したものである。
カーボン層と熱伝導の良い金属反射層との組み合わせに
より、ビットエラーレイトに関係するピークシフトと記
録感度の相反する両特性を向上せしめ、且つ高C/Nで耐
久性も優れた光磁気記録媒体を実現したものである。
更にこの光磁気記録媒体ではこの他に、レーザー光の
連続照射によってもC/Nの低下がないこともわかった。
連続照射によってもC/Nの低下がないこともわかった。
以下、本発明の実施例を比較例と対比して説明する。
＜実施例１＞ 第１図に示す基板１上に、第１の透明誘電体層2,光磁
気記録層3,第２の窒化物透明誘電体層としての窒化物層
4a,カーボン層4b,金属反射層5,を順次積層し、更に有機
保護層６を積層した構成の光磁気ディスクを以下のよう
に作製した。
気記録層3,第２の窒化物透明誘電体層としての窒化物層
4a,カーボン層4b,金属反射層5,を順次積層し、更に有機
保護層６を積層した構成の光磁気ディスクを以下のよう
に作製した。
直径130mm,厚さ1.2mmの円盤で1.6μｍピッチのグルー
プを有するポリカーボネート樹脂（PC）製のディスク基
板１を、３ターゲット設置可能なマグネトロンスパッタ
装置の真空槽内に配置し、４×10-7Torrになるまで排気
した。
プを有するポリカーボネート樹脂（PC）製のディスク基
板１を、３ターゲット設置可能なマグネトロンスパッタ
装置の真空槽内に配置し、４×10-7Torrになるまで排気
した。
次にAr,N2混合ガス（Ar:N2＝70:30vol％）を真空槽内
に導入し、圧力10mTorrになるようにAr/N2混合ガス流量
を調整した。ターゲットとしては直径100mm,厚さ5mmのA
l30Si70（以下、添数字は組成（原子％）を示す）の焼
結体からなる円盤を用い、放電電力500W,放電周波数13.
56MHzで高周波スパッタリングを行ない、PC基板を回転
（自転）させながら、第１の透明誘電体層２としてAlSi
N膜を1200Å堆積した。
に導入し、圧力10mTorrになるようにAr/N2混合ガス流量
を調整した。ターゲットとしては直径100mm,厚さ5mmのA
l30Si70（以下、添数字は組成（原子％）を示す）の焼
結体からなる円盤を用い、放電電力500W,放電周波数13.
56MHzで高周波スパッタリングを行ない、PC基板を回転
（自転）させながら、第１の透明誘電体層２としてAlSi
N膜を1200Å堆積した。
形成したAlSiN膜の組成は、オージェ電子分光装置（P
HI社,SAM610）を用いて分析した所Al19Si39N42であっ
た。
HI社,SAM610）を用いて分析した所Al19Si39N42であっ
た。
続いて光磁気記録層３として、直径100mm,4.5mm厚のT
b19Fe2.5Co8.5合金ターゲットを用い、Arガス厚4mTorr,
放電電力150Wの条件でDCスパッタリングを行ない、膜厚
225ÅのTb20.5Fe70.9Co8.6非晶質合金膜を堆積した。
b19Fe2.5Co8.5合金ターゲットを用い、Arガス厚4mTorr,
放電電力150Wの条件でDCスパッタリングを行ない、膜厚
225ÅのTb20.5Fe70.9Co8.6非晶質合金膜を堆積した。
合金膜の組成は、誘導結合高周波プラズマ分光分析
（ICP）により求めた。以下に挙げるその他の合金膜の
組成も全てICPによるものである。
（ICP）により求めた。以下に挙げるその他の合金膜の
組成も全てICPによるものである。
更に引き続いて第２の透明誘電体層４の第１層として
第１の透明誘電体層２と同様の条件でAlSiN膜を窒化物
層4aとして100Å堆積した。
第１の透明誘電体層２と同様の条件でAlSiN膜を窒化物
層4aとして100Å堆積した。
引き続いて第２の透明誘電体層４の第２層として、グ
ラファイトターゲットを用い、Ar−H2混合ガス（H250vo
l％）を用い、圧力10mTorr,放電電力500WでRFスパッタ
リングを行ない、膜厚100Åのカーボン膜4bを堆積し
た。カーボン膜4bは、Ｘ線回析によりアモルファスであ
った。
ラファイトターゲットを用い、Ar−H2混合ガス（H250vo
l％）を用い、圧力10mTorr,放電電力500WでRFスパッタ
リングを行ない、膜厚100Åのカーボン膜4bを堆積し
た。カーボン膜4bは、Ｘ線回析によりアモルファスであ
った。
また同じ条件でシリコンウエハー上にカーボン層を積
層し、FT−IRスペクトル分析したところ、3000カイザー
付近にCHに基づく吸収が認められた。従ってカーボン層
にはCH結合が生成していると推定される。
層し、FT−IRスペクトル分析したところ、3000カイザー
付近にCHに基づく吸収が認められた。従ってカーボン層
にはCH結合が生成していると推定される。
さらに金属反射層５としてAgターゲットのDCスパッタ
リング（Arガス圧2mTorr,放電電力60W）法により、300
ÅのAg膜を堆積した。
リング（Arガス圧2mTorr,放電電力60W）法により、300
ÅのAg膜を堆積した。
続いて、金属反射層５上に、スピンコーターで紫外線
硬化型のフェノールノボラックエポキシアクリレート樹
脂を塗布し、その後紫外線照射により、約10μｍの有機
保護層ｂを設けた。
硬化型のフェノールノボラックエポキシアクリレート樹
脂を塗布し、その後紫外線照射により、約10μｍの有機
保護層ｂを設けた。
＜実施例２＞ 金属反射層５を、Ag94.5Au4.4Ti1.1合金ターゲットを
用いてArガス圧2mTorr,放電電力60Wでスパッタリング法
によって設けた600ÅのAgAuTi合金膜にした以外は、実
施例１と同様の条件で光磁気記録媒体を作製した。
用いてArガス圧2mTorr,放電電力60Wでスパッタリング法
によって設けた600ÅのAgAuTi合金膜にした以外は、実
施例１と同様の条件で光磁気記録媒体を作製した。
＜実施例３＞ Al91Au6Ti3合金ターゲットを用いて、Arガス圧1.5mTo
rr,放電電力125Wの条件でスパッタリング法によって設
けた1200ÅのAgAuTi合金膜を金属反射層５とした以外
は、実施例１と同様の条件で光磁気記録媒体を作製し
た。
rr,放電電力125Wの条件でスパッタリング法によって設
けた1200ÅのAgAuTi合金膜を金属反射層５とした以外
は、実施例１と同様の条件で光磁気記録媒体を作製し
た。
＜実施例４＞ カーボン膜4bの膜厚を200Å，金属反射層５のAg層の
膜厚を500Åとした以外は実施例１と同じ条件で光磁気
記録媒体を作製した。
膜厚を500Åとした以外は実施例１と同じ条件で光磁気
記録媒体を作製した。
＜実施例５＞ カーボン膜4bの膜厚を200Å，金属反射層５のAgAuTi
膜の膜厚を1000Åとした以外は、実施例２と同じ条件で
光磁気記録媒体を作製した。
膜の膜厚を1000Åとした以外は、実施例２と同じ条件で
光磁気記録媒体を作製した。
＜実施例６＞ カーボン膜4bの膜厚を200Å，金属反射層５のAgAuTi
膜の膜厚を2000Åとした以外は、実施例３と同じ条件で
光磁気記録媒体を作製した。
膜の膜厚を2000Åとした以外は、実施例３と同じ条件で
光磁気記録媒体を作製した。
＜実施例７＞ カーボン膜4bの膜厚を300Å，金属反射層５のAgAuTi
膜の膜厚を1400Åとした以外は実施例２と同じ条件で光
磁気記録媒体を作製した。
膜の膜厚を1400Åとした以外は実施例２と同じ条件で光
磁気記録媒体を作製した。
＜実施例８＞ 光磁気記録層３とTbFeCo合金膜を225Å形成した後、
窒化物層4aを設けないでカーボン膜4bを100Å形成し、
その後金属反射層のAgAuTi膜を1000Å設けた以外は実施
例２と同じ条件で光磁気記録媒体を形成した。
窒化物層4aを設けないでカーボン膜4bを100Å形成し、
その後金属反射層のAgAuTi膜を1000Å設けた以外は実施
例２と同じ条件で光磁気記録媒体を形成した。
＜比較例１＞ 光磁気記録層３のTbFeCo合金膜を225Å形成した後、
第２の透明誘電体層４として窒化物膜4aのAlSiN膜を300
Å形成し、その後カーボン膜4bを形成しないで金属反射
層５のAgAuTi膜を400Å設けた以外は、実施例２と同じ
条件で光磁気記録媒体を作製した。
第２の透明誘電体層４として窒化物膜4aのAlSiN膜を300
Å形成し、その後カーボン膜4bを形成しないで金属反射
層５のAgAuTi膜を400Å設けた以外は、実施例２と同じ
条件で光磁気記録媒体を作製した。
＜比較例２＞ 金属反射層５のAgAuTi膜を800Åとした以外は、比較
例１と同じ条件で光磁気記録媒体を作製した。
例１と同じ条件で光磁気記録媒体を作製した。
次に実施例１〜8,比較例1,2で得られた光磁気ディス
クを光磁気記録再生装置（パルステック工業製、DDU−1
000型）を用い、下記条件でC/Nと最適記録レーザーパワ
ーを評価した。書込み時の半導体レーザーパワーを変化
させ、再生信号の二次高調波が最小となる時が最適記録
レーザーパワーとした。
クを光磁気記録再生装置（パルステック工業製、DDU−1
000型）を用い、下記条件でC/Nと最適記録レーザーパワ
ーを評価した。書込み時の半導体レーザーパワーを変化
させ、再生信号の二次高調波が最小となる時が最適記録
レーザーパワーとした。
［記録条件］ ディスク回転速度:1800rpm,記録トラック位置：半径3
0mm位置，記録周波数:3.7MHZ,記録時の印加磁界:300エ
ルステッド，記録パルス幅:90nsec ［再生条件］ ディスク回転速度:1800rpm,読出レーザーパワー:1.5m
W さらに、実施例１〜８、比較例1,2で得られた光磁気
ディスクについて、ピークシフトを測定した。ここでい
うピークシフトは、第２図に示す信号を記録、再生した
時に、記録しようとした信号のパルス間の時間T2と、実
際に再生された信号のピーク間の時間T2′の差の絶対値
とした。従って、 ピークシフト＝|T2−T2′｜ である。記録再生には、前記光磁気再生装置を用いた。
記録再生条件は下記する。なお、再生信号のピーク間の
時間T2′は、ヒュートレット パッカード（HEWLETT PA
CKARD）製、フリクエンシ アンドインターバル アナ
ライザー（FREQUENCY AND INTERVAL ANALYZER）を用い
て測定した。
0mm位置，記録周波数:3.7MHZ,記録時の印加磁界:300エ
ルステッド，記録パルス幅:90nsec ［再生条件］ ディスク回転速度:1800rpm,読出レーザーパワー:1.5m
W さらに、実施例１〜８、比較例1,2で得られた光磁気
ディスクについて、ピークシフトを測定した。ここでい
うピークシフトは、第２図に示す信号を記録、再生した
時に、記録しようとした信号のパルス間の時間T2と、実
際に再生された信号のピーク間の時間T2′の差の絶対値
とした。従って、 ピークシフト＝|T2−T2′｜ である。記録再生には、前記光磁気再生装置を用いた。
記録再生条件は下記する。なお、再生信号のピーク間の
時間T2′は、ヒュートレット パッカード（HEWLETT PA
CKARD）製、フリクエンシ アンドインターバル アナ
ライザー（FREQUENCY AND INTERVAL ANALYZER）を用い
て測定した。
［記録条件］ ディスク回転速度:1800rpm,記録トラック位置：半径3
0mm位置，記録レーザーパワー:6mW,記録時の印加磁界:3
00エルステッド，記録パルス幅:90nsec ［再生条件］ ディスク回転速度:1800rpm,読出レーザーパワー:1.5m
W さらに、実施例１〜８、比較例1,2で得られた光磁気
ディスクについて、レーザー光に対する長期安定性を測
定した。判断基準は、回転させたディスクの半径30mm位
置の特定トラックにレーザーを連続照射しながら、ディ
スクを1000回転させた後、初期値からのC/Nの低下が小
さいもの程安定であると考えた。レーザーの連続照射時
のデッスクの回転速度は、光磁気記録層の温度上昇を加
速する意味で300rpmとし、連続照射するパワーは6mWと
した。C/N測定の方法及び記録・再生条件は前述した通
りである。
0mm位置，記録レーザーパワー:6mW,記録時の印加磁界:3
00エルステッド，記録パルス幅:90nsec ［再生条件］ ディスク回転速度:1800rpm,読出レーザーパワー:1.5m
W さらに、実施例１〜８、比較例1,2で得られた光磁気
ディスクについて、レーザー光に対する長期安定性を測
定した。判断基準は、回転させたディスクの半径30mm位
置の特定トラックにレーザーを連続照射しながら、ディ
スクを1000回転させた後、初期値からのC/Nの低下が小
さいもの程安定であると考えた。レーザーの連続照射時
のデッスクの回転速度は、光磁気記録層の温度上昇を加
速する意味で300rpmとし、連続照射するパワーは6mWと
した。C/N測定の方法及び記録・再生条件は前述した通
りである。
これらの結果を表１に示す。
表−１に示すように第２の透明誘電体層４として窒素
物層4aのAlSiN膜とカーボン膜4bを組み合わせた場合及
びカーボン膜4b単独の場合は、記録感度、C/N,ピークシ
フト，レーザー連続照射での耐久性のいずれも優れてい
ることがわかる。
物層4aのAlSiN膜とカーボン膜4bを組み合わせた場合及
びカーボン膜4b単独の場合は、記録感度、C/N,ピークシ
フト，レーザー連続照射での耐久性のいずれも優れてい
ることがわかる。
実施例１〜3,4〜６は金属反射層を除いた他の構成は
同じで、金属反射層の種類、膜厚を変化させたものであ
る。従って、これらの記録感度（最適記録レーザーパワ
ー）が等しいということは、例えばAg300Å,AgAuTi600
Å,AlAuTi1200Åの金属反射層の熱の放散が同じレベル
であることすなわち熱伝達特性が同等であるを示してい
る。
同じで、金属反射層の種類、膜厚を変化させたものであ
る。従って、これらの記録感度（最適記録レーザーパワ
ー）が等しいということは、例えばAg300Å,AgAuTi600
Å,AlAuTi1200Åの金属反射層の熱の放散が同じレベル
であることすなわち熱伝達特性が同等であるを示してい
る。
実施例１〜３と比較してカーボン層4bの膜厚を厚くし
た実施例４〜６は、ピークシフト及びレーザー連続照射
での耐久性で優れている。このことは第２の透明誘電体
層４では熱の放散を抑え、後の金属反射層５では熱の放
散を大きくして結果的に最適記録パワーを同じとする構
成がピークシフト，レーザー照射に対する耐久性の両面
で優れていることを示している。
た実施例４〜６は、ピークシフト及びレーザー連続照射
での耐久性で優れている。このことは第２の透明誘電体
層４では熱の放散を抑え、後の金属反射層５では熱の放
散を大きくして結果的に最適記録パワーを同じとする構
成がピークシフト，レーザー照射に対する耐久性の両面
で優れていることを示している。
比較例２のように金属反射層５のAgAuTi膜の膜厚を厚
くすることにより、ピークシフト、レーザー照射での耐
久性をある程度改善することができるが、実施例に比較
してその効果は小さいばかりでなく、記録感度が低下す
る問題がある。
くすることにより、ピークシフト、レーザー照射での耐
久性をある程度改善することができるが、実施例に比較
してその効果は小さいばかりでなく、記録感度が低下す
る問題がある。
なお、実施例８より第２の透明誘電体層４が単独のカ
ーボン膜4bのみでも、複層膜の実施例１〜７と同等の性
能が得られることがわかる。この場合カーボン膜4bの膜
厚は100Å，金属反射層５のAgAuTi膜の膜厚が1000Åと
実施例７に対して大巾に薄くでき、生産性面で有利とな
る。
ーボン膜4bのみでも、複層膜の実施例１〜７と同等の性
能が得られることがわかる。この場合カーボン膜4bの膜
厚は100Å，金属反射層５のAgAuTi膜の膜厚が1000Åと
実施例７に対して大巾に薄くでき、生産性面で有利とな
る。
第１図は実施例の積層構成の説明図，第２図はピークシ
フトの測定方法の説明図である。 1:基板、2:第１の透明誘電体層 3:光磁気記録層、4:第２の透明誘導体層 4a:窒化物層、4b:カーボン層 5:金属反射層、6:有機保護層
フトの測定方法の説明図である。 1:基板、2:第１の透明誘電体層 3:光磁気記録層、4:第２の透明誘導体層 4a:窒化物層、4b:カーボン層 5:金属反射層、6:有機保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 521
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に第１の透明誘電体層、光磁気記録
層、第２の透明誘電体層、金属反射層が順次積層された
光磁気記録媒体において、第２の透明誘電体層が水素を
含有するカーボン層を少なくとも有することを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記第２の透明誘電体層が金属窒化物層と
水素を含むカーボン層の２層よりなる請求項第１項記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記第２の透明誘電体層の光磁気記録層側
が金属窒化物層である請求項第２項記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項４】金属反射層の膜厚が、300Åの銀薄膜と同
等以上の熱伝導性を有する金属膜である請求項第１項か
ら第３項記載のいずれかの光磁気記録媒体。 - 【請求項５】前記金属反射層がAgAu合金、またはAlAu合
金である請求項第１項から第４項記載のいずれかの光磁
気記録媒体。 - 【請求項６】前記金属窒化物層が、シリコン窒化物、ま
たはアルミニウム・シリコン窒化物である請求項第２項
から第５項記載のいずれかの光磁気記録媒体。 - 【請求項７】前記水素を含むカーボン層の膜厚が400Å
以下であることを特徴とする請求項第１項から第６項記
載のいずれかの光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25698690A JP2804165B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25698690A JP2804165B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137239A JPH04137239A (ja) | 1992-05-12 |
| JP2804165B2 true JP2804165B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=17300140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25698690A Expired - Lifetime JP2804165B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804165B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038716A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP25698690A patent/JP2804165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04137239A (ja) | 1992-05-12 |
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