JPH0757318A

JPH0757318A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0757318A
Application number: JP3072118A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Koyamamatsu; 淳小山松; Kazutomi Suzuki; 和富鈴木; Kiyoshi Chiba; 潔千葉
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1990-03-27
Filing date: 1991-03-13
Publication date: 1995-03-03

Abstract

(57)【要約】【目的】高Ｃ／Ｎで、記録感度がよく、しかも、再生信
号のエラー率が低く、レーザー光に対する長期安定性に
優れた光磁気記録媒体を得る。【構成】基板上に光磁気記録層、金属反射層が順次積層
された光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層と金
属反射層の間にタンタル窒酸化物又は酸化物からなる膜
厚５〜５０ｎｍの透明断熱層を少なくとも有し、前記金
属反射層は熱伝導率×膜厚の値が１．３μＷ／Ｋ以上で
あるもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザー等の光ビームを
用い磁気光学効果により、情報の記録・再生を行なう光
磁気記録媒体に関し、更に詳しくは光磁気記録層の背後
に金属反射層を設けた光磁気記録媒体の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は高密度・大容量の情報記録
媒体として種々の研究開発が行なわれている。特に情報
の書替えが可能な光磁気記録媒体は、応用分野が広く、
種々の材料・システムが発表されており、注目されてい
る。

【０００３】その基本構成は、透明基板上に、膜面に対
し垂直な方向に磁化容易軸を有する、希土類−遷移金属
非晶質合金磁性膜からなる光磁気記録層を設けたもので
ある。

【０００４】該非晶質合金磁性膜の光磁気記録層は、単
独では耐久性が悪く、また、カー回転角が小さいため、
再生時に満足なＣ／Ｎ（搬送信号／ノイズ）が得られな
いなどの問題点を有する。そのため、それらの特性を改
善すべく、さまざまな提案が既になされている。

【０００５】例えば、基板／金属窒化物透明誘電体層／
記録層／金属窒化物透明誘電体層／金属反射層の順に積
層した４層構成は、カー効果とファラデー効果の併用
と、誘電体によるエンハンス効果で高Ｃ／Ｎ値が得ら
れ、さらに誘電体として金属窒化物を用いることによ
り、耐久性面でも優れている。なお、金属反射層を設け
たことによりそれが無い場合に比べて記録感度が低下す
るが、適当な記録感度を得る方法として、金属反射層の
膜厚調整もしくは、金属反射層に添加物を加えるなどし
て、金属反射層の熱伝導を低くする方法が提案されてい
る。

【０００６】しかしながら、本発明者らの検討では、前
記４層構成で、金属反射層の熱伝導を低くすると、記録
感度は良くなるが記録層からの熱の逃げが悪くなるた
め、さまざまな問題が生じる事がわかった。例えば、情
報の記録時には、隣接ビット同志が熱的に影響し合い、
ビットの書き込もうとする位置からのずれが大きくなる
という現象が生ずる。この位置のずれは、再生信号のピ
ークシフトとして検出することができる。ビットのずれ
が大きいとピークシフトが増大し、再生時のエラーが増
大するという問題がある。さらに、情報の消去時には、
高パワーのレーザー光が照射されるため、熱の逃げの悪
い構成では、記録層が過熱により劣化する恐れがある。
実際、発明者らの検討では、高パワーのレーザー光を連
続で照射した場合、Ｃ／Ｎが低下することがあった。つ
まり、レーザー光に対する長期安定性に問題が生じるの
である。

【０００７】

【発明の目的】本発明はかかる現状に鑑みなされたもの
で、前述の透明誘電体層と金属反射層との特性を生か
し、高Ｃ／Ｎで、記録感度が良く、しかも、レーザー光
に対する長期安定性に優れた光磁気記録媒体を提供する
ことを目的としたものである。

【０００８】

【発明の構成及び作用】上述の目的は、以下の本発明に
より達成される。すなわち、本発明は、基板上に光磁気
記録層、金属反射層が順次積層された光磁気記録媒体に
おいて、前記光磁気記録層と金属反射層の間にタンタル
窒酸化物又は酸化物からなる膜厚５〜５０ｎｍの透明断
熱層を少なくとも有し、前記金属反射層は熱伝導率×膜
厚の値が１．３μＷ／Ｋ以上であることを特徴とする光
磁気記録媒体である。

【０００９】以下、本発明の詳細を説明する。

【００１０】前述した記録時のビットの位置のずれ、換
言すればピークシフトの生じる原因の一つには、隣接ビ
ット間の熱的干渉が考えられる。つまり、光磁気記録層
が、書き込みに必要な温度より過度に加熱された場合、
その熱が隣接ビットに影響すると考えられる。さらに、
高パワーのレーザーを連続で照射した場合のＣ／Ｎの低
下の原因も、光磁気記録層が消去に必要な温度よりも過
度に加熱されるためと考えられる。

【００１１】従って、それらを防止するためには、熱の
逃げを良くする構成が必要であるが、単に金属反射層の
熱伝導率を高くしたり、膜厚を厚くしただけでは、記録
感度が低下してしまう。よって、記録感度を考慮に入れ
れば、ピークシフトが小さく、高パワーのレーザー光に
対する長期安定性に優れた媒体には、ある程度の温度
（記録温度）までは、温度が上昇し易いが、それ以上で
は、温度が上昇しにくく、過度の加熱が防止される構成
が必要であると考えられる。

【００１２】そして、かかる構成を実現するものとし
て、熱の逃げの良い金属反射層を用いて光磁気記録層の
過熱を防止する一方、記録感度が低下しないだけ充分に
断熱性のよい透明断熱層を金属反射層の前面に設ける組
合せ構成に着目した。そして、断熱性のよいTaの窒酸化
物（以下“TaＯＮ”と略記する）またはTaの酸化物（以
下“TaＯ”と略記する）を透明断熱層として金属反射層
と光磁気記録層との間に設けると共に金属反射層の膜厚
を厚くしてその熱伝導性を良くした構成により、高Ｃ／
Ｎで記録感度が良く、しかも再生信号のピークシフトが
小さく、高パワーのレーザーに対する長期安定性に優れ
た光磁気記録媒体が得られることを確認した。

【００１３】上述の構成では、TaＯＮ、TaＯの熱伝導率
が著しく低いため、その断熱効果により、光磁気記録層
の温度が上昇し易くなる。さらにTaＯＮ、TaＯの断熱効
果が著しく大きいため、金属反射層の熱伝導性をかなり
良くしても、高感度が保たれ、その金属反射層により余
分の熱が逃がされ、過度の加熱が防止されるのである。
また、TaＯＮ、TaＯは透明性が良く、媒体の高Ｃ／Ｎ値
にも寄与している。以上が本発明により高Ｃ／Ｎ、高感
度、低ピークシフト、高パワーのレーザー光に対する長
期安定性が実現される理由と考えられる。

【００１４】なお、光磁気記録層とTaＯＮ、TaＯが直接
接した場合、作製方法によっては光磁気記録層が酸化を
受ける（例えば、プレスパッタ等の影響）恐れがあり、
それを防止する意味で、光磁気記録層と透明断熱層の間
に、金属窒化物からなる透明誘電体層を介在させる事が
さらに望ましい。そしてかかる窒化物透明誘電体層とし
ては、公知の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、およびそ
れらの金属複合窒化物等が好ましい。しかし、透明性の
良い金属窒化物であれば、これに限定されるものではな
い。またさらにその膜厚は、厚い方が保護性は良くなる
が、ファラデー効果のエンハンスメントを考えると、５
〜３０ｎｍが好ましい。そして以上の窒化物透明誘電体
層は、常法により形成される。それは例えば公知の真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリン
グ法、ＣＶＤ法等である。

【００１５】本発明に置けるTaＯＮすなわちTa窒酸化物
とはTaと酸素、窒素よりなる膜で、中でも窒素含有率が
１〜４５atom％、酸素含有率が２７〜７１atom％の組成
のものが、その透明性、断熱性の点から好ましい。な
お、Ta、Ｏ、Ｎ以外の元素も、不純物オーダーで含まれ
てよいことはいうまでもない。Ta窒酸化物膜の製造方法
としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法等のＰ
ＶＤ法、あるいはＣＶＤ法など種々の薄膜形成法が適用
できる。中でもTa酸化物のターゲットを用いたArとＮ₂
の混合ガスでの反応性スパッタリング法、もしくは、Ta
ターゲットを用いたArとＮ₂、Ｏ₂の混合ガスでの反応
性スパッタリング法が異常放電等が少なく安定運転面、
生産性面で好ましい。

【００１６】またTa酸化物としては、透明性、断熱性の
面よりTa含有率が２０〜４５atom％のものが好ましく用
いられる。その製造はTaＯＮと同様に前述の種々の薄膜
形成法が適用できる。

【００１７】なお、スパッタリング法によりTaＯを製造
する場合、TaターゲットまたはTa₂Ｏ₅ターゲットを、A
rとＯ₂の混合ガスでスパッタリングする反応性スパッ
タリングの他に、Ta₂Ｏ₅ターゲットをArガスのみでス
パッタリングする方法も考えられる。しかしながら、Ar
のみのスパッタリングでは、膜の透明性が悪く、その方
法は適用できない。

【００１８】さらに、本発明者らの検討では、ArとＯ₂
の混合ガスを用いたTaＯは、TaＯＮとほぼ同等の断熱性
及び透明性を有し、本発明においてTaＯＮと同様に適用
できることがわかった。ところが、このTaＯは前述した
ように真空槽内に酸素を導入する事が必要であり、一方
TaＯＮはTa₂Ｏ₅ターゲットをArガスとＮ₂の混合ガス
でスパッタリングする事により透明な膜を作製できるた
め、製造プロセス上ではTaＯＮの方が記録層が酸素に触
れない点で優れている。

【００１９】なお、透明断熱層の膜厚は、厚い方が断熱
性が良くなるが、この層によるファラデー効果のエンハ
ンスメントも考えると、５〜５０ｎｍが好ましい。

【００２０】本発明での金属反射層は、熱の放散を行な
うという重要な役割を有し、金属反射層の熱伝導性が良
い程、本発明の効果は大きくなる。金属反射層の熱伝導
性は、その熱伝導率が高く、また膜厚が厚い程良くな
る。本発明者らの検討では、光磁気記録媒体での金属薄
膜の熱伝導性は、ほぼ熱伝導率×膜厚の値に対応し、そ
の値で熱伝導性の比較を行う事ができる事がわかった。
そしてこの方法で、熱伝導性を定義した場合、本発明の
目的を達する金属反射層としては、熱伝導率×膜厚の値
が１．３μＷ／Ｋ以上である事が必要で、さらに好まし
くは２．０μＷ／Ｋ以上が必要である。

【００２１】なお、ここでいう熱伝導率は以下のように
してもとめた値である。図４に示すように、金属薄膜(1
2)はガラス基板(11)上に作製した。ただし、金属薄膜(1
2)の幅（ａ）は１０ｍｍ、膜厚（ｄ）は１００ｎｍとし
た。次に、金属薄膜(12)上に図４のように４本のAu電極
(13)〜(16)を等間隔に蒸着により形成した。Au電極(13)
〜(16)の間隔（ｂ）は、４ｍｍとした。以上のような
サンプルで、金属薄膜(12)の電気抵抗（Ｒ）を４端子法
により測定し、電気伝導率（σ）、熱伝導率（λ）を下
式により求めた。ただし、Ｌはローレンツ数（Lorenz n
umber)、Ｔは測定温度であり、Ｌ＝２４．５ｎＷΩ／Ｋ
²、Ｔ＝３００Ｋとした。

【００２２】σ＝ｂ／（ａ・ｄ・Ｒ） λ＝Ｌ・Ｔ・σ 以上の方法により求めた、Al膜及び、後述する実施例に
示すAg_95.0Au_4.1Ti_0.9合金膜（以下、合金および薄膜
組成式中の添数字は、ことわり書のない限り組成（atom
％）を示す）、およびAl_92.7Au_4.8Ti_2.5合金膜の電気
伝導率及び熱伝導率を表１に示す。

【００２３】この表１に示すとおり、Al膜の電気伝導率
は１．６×１０⁷Ω^-1・ｍ^-1、熱伝導率は１．２×１０
²Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1であり、Ag_95.0Au_4.1Ti_0.9合金膜の
電気伝導率は７．９×１０⁶Ω^-1・ｍ^-1、熱伝導率は
５．８×１０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1であり、Al_92.7Au_4.8Ti
_2.5合金膜の電気伝導率は１．８×１０⁶Ω^-1・ｍ^-1、
熱伝導率は１．３×１０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1である。

【００２４】前述した理由から、金属反射層の材料とし
ては熱伝導性の良い金属が好ましく、Ag、Au、Al、Cu又
はこれを主体とした合金が好適に用いられる。これらの
金属では光の反射率も高いため、高いＣ／Ｎが得られる
いう利点も有する。中でもAgAu合金、AlAu合金は反射
率、熱伝導率、耐久性といった観点から優れており、特
に更にTiを添加した反射層はこの点で更に好ましい。こ
の金属反射層の膜厚は、熱の放散を適当な範囲に制御す
るということから決定される。金属の熱伝導率が低い場
合には厚い膜厚を要するし、逆に高い場合には薄くて良
い。ただし、製造の能率やコストの面からは、膜厚が５
〜５００ｎｍであることが好ましい。これら金属反射層
は公知の真空蒸着法、スパッタリング法によって形成さ
れる。

【００２５】また本発明の光磁気記録層としては、光熱
磁気効果により記録・再生・消去できるもの、具体的に
は膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、任意の反転
磁区を作ることにより光熱磁気効果に基いて情報の記録
・再生・消去が可能な磁性金属薄膜であればよく、例え
ばTbFe、TbFeCo、GdTbFe、GdFeCo、NdDyFeCo、NdDyTbFe
Co、NdFe、PrFe、CeFe等の希土類元素と遷移金属元素と
の非晶質合金膜、交換結合を利用したそれらの二層膜、
Co／Pt、Co／Pd等の人工格子多層膜等が使用できる。

【００２６】基板の材料としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、４−メチル−ペンテ
ン樹脂などまたそれらの共重合体等の高分子樹脂、アモ
ルファスポリオレフィンもしくはガラスなどが適用でき
る。中でも機械強度、耐候性、耐熱性、透湿性の点でポ
リカーボネート樹脂が好ましい。

【００２７】以上本発明の基本構成を説明したが、本発
明の光磁気記録媒体の構成は、前述のものに限定されな
い。特に公知の基板と光磁気記録層の間にカー効果のエ
ンハンスメントを目的とした第２の透明誘電体層を有す
る構成が好ましい。かかる透明誘電体層は、高温高湿下
における耐久性が良好である事から、シリコン窒化物ま
たは、アルミニウム・シリコン窒化物である事が好まし
い。そしてその膜厚は、光磁気記録層と金属反射層との
間の誘電体層の膜厚とも関係するので、一義的に決める
ことはできないが、光磁気記録層と金属反射層との間の
誘電体層の膜厚が３〜６０ｎｍ程度であり、基板と光磁
気記録層との間の第２の透明誘電体層の膜厚は３０〜１
６０ｎｍ程度であることが好ましい。

【００２８】さらに、通常は金属反射層上に、前述の誘
電体等からなる無機保護層を介して又は直接に機械的保
護、更なる耐久性の向上等の目的で有機の光及び熱硬化
型樹脂あるいは熱可塑性樹脂からなる有機保護層を設け
るのが一般である。

【００２９】以上の構成の光磁気記録媒体は、公知の通
り上記構成のままで、更に保護平板、保護フィルム等必
要な保護を付加して片面記録媒体として、あるいはその
２枚を金属反射層側で貼り合わせた両面記録媒体として
使用される。

【００３０】以上の通り、本発明は透明断熱層と熱伝導
の良い金属反射層との組み合わせにより、ビットエラー
レイトに関係するピークシフトと記録感度の相反する両
特性を向上せしめ、且つ高Ｃ／Ｎで、レーザー光に対す
る長期安定性にも優れた光磁気記録媒体を実現したもの
である。

【００３１】以下、本発明の実施例を比較例と対比して
説明する。以下の通り、実施例１〜７、比較例１〜３の
光磁気ディスクを作成し、その最適記録レーザーパワ
ー、Ｃ／Ｎ及びピークシフトを評価した。

【００３２】さらに、レーザー光に対する長期安定性
は、ディスクの回転数を低くして、レーザー光を連続照
射した後Ｃ／Ｎのを測定し、初期値から２dBＣ／Ｎが低
下するまでに、レーザー光を照射したディスク回転数に
より評価した。

【００３３】

【実施例１】図１に示す基板(1) 上に、透明誘電体層
(2) 、光磁気記録層(3) 、窒化物透明誘電体層(4) 、透
明断熱層(5) 、金属反射層(6) 、を順次積層し、更に有
機保護層(7) を積層した構成の光磁気ディスクを以下の
ように作製した。

【００３４】直径１３０ｍｍ、厚さ１. ２ｍｍの円盤で
１．６μｍピッチのグルーブを有するポリカーボネート
樹脂（ＰＣ）製のディスク基板(1) を、３ターゲット設
置可能なマグネトロンスパッタ装置の真空槽内に配置
し、０．４μTorrになるまで排気した。

【００３５】次にAr、Ｎ₂の混合ガス（Ar：Ｎ₂＝70：
30 vol％）を真空槽内に導入し、圧力１０ｍTorrになる
ように調整した。ターゲットとしては直径１００ｍｍ、
厚さ５ｍｍのAl₃₀Si₇₀の焼結体からなる円盤を用い、放
電電力５００Ｗ、放電周波数１３．５６ＭHzで高周波ス
パッタリングを行ない、ＰＣ基板を回転（自転）させな
がら、透明誘電体層(2) として膜厚１１２．５ｎｍのAl
SiＮ膜を堆積した。

【００３６】形成したAlSiＮ膜の組成は、オージェ電子
分光装置（ＰＨＩ社、SAM610）を用いて分析したところ
Al₁₉Si₃₉Ｎ₄₂であった。

【００３７】続いて光磁気記録層(3) として、直径１０
０ｍｍ、４．５ｍｍ厚のTb₁₉Fe_72.5Co_8.5合金ターゲッ
トを用い、Arガス圧４ｍTorr、放電電力１５０Ｗの条件
でＤＣスパッタリングを行ない、膜厚２２．５ｎｍのTb
_20.5Fe_70.9Co_8.6非晶質合金膜を堆積した。

【００３８】合金膜の組成は、誘導結合高周波プラズマ
分光分析（ＩＣＰ）により求めた。以下に挙げるその他
の合金膜の組成も全てＩＣＰによるものである。

【００３９】さらに引続いて、前記と同様の条件で、Al
SiＮ膜を窒化物透明誘電体層(4) として膜厚５ｎｍ堆積
した。

【００４０】次にAl₃₀Si₇₀ターゲットをTa₂Ｏ₅（添字
は化学量論比）ターゲットに取り替え、再び０．４μTo
rrになるまで排気後、Ar、Ｎ₂の混合ガス（Ar：Ｎ₂＝
70：30 vol％）を真空槽内に導入し、圧力１０ｍTorrに
なるように調節した。ターゲットは直径１００ｍｍ、厚
さ５ｍｍのTa₂Ｏ₅の焼結体からなる円盤で、放電電力
４００Ｗ、放電周波数１３．５６ＭHzで高周波スパッタ
リングを行ない、TaＯＮ膜を透明断熱層(5) として３０
ｎｍ堆積した。また形成したTaＯＮ膜の組成を前記のオ
ージェ電子分光装置を用いて分析した所、膜中の酸素及
び窒素はそれぞれ５１atom％、２１atom％であった。

【００４１】さらに、金属反射層(6) として直径１００
ｍｍ、厚さ３ｍｍのAg_94.5Au_4.4Ti_1.1合金ターゲット
を用いて、Arガス圧２ｍTorr、放電電力６０Ｗで、ＤＣ
スパッタリングを行ない、膜厚７０ｎｍのAg_95.0Au_4.1
Ti_0.9合金膜を堆積した。

【００４２】これら各層の形成時において、ＰＣ基板は
２０rpm で回転させた。

【００４３】続いて、金属反射層(6) 上に、スピンコー
ターで紫外線硬化型のフェノールノボラックエポキシア
クリレート樹脂を塗布し、その後紫外線照射により硬化
させ、約１０μｍの有機保護層(7) を設けた。

【００４４】

【実施例２】実施例１の透明断熱層(5) であるTaＯＮ膜
厚を２０ｎｍとし、さらに金属反射層(6) を、直径１０
０ｍｍ、厚さ５ｍｍのAl_92.5Au_4.5Ti_3.0合金ターゲッ
トを用いて、Arガス圧１．５ｍTorr、放電電力１２５Ｗ
で、ＤＣスパッタリングを行ない、膜厚１００ｎｍのAl
_92.7Au_4.8Ti_2.5合金膜にした以外は、実施例１と同様
の条件で光磁気ディスクを作製した。

【００４５】

【実施例３】実施例１の金属反射層(6) を、膜厚１５０
ｎｍの実施例２と同様のAl_92.7Au_4.8Ti_2.5合金膜にし
た以外は、実施例１と同様の条件で光磁気ディスクを作
製した。

【００４６】

【実施例４】実施例１と同様の基板(1) 上に、実施例１
と同様の条件で、透明誘電体層(2)としてAlSiＮ膜を膜
厚１００ｎｍ、光磁気記録層(3) としてTbFeCo非晶質合
金膜を膜厚２２．５ｎｍ、窒化物透明誘電体層(4) とし
てAlSiＮ膜を膜厚５ｎｍ、透明断熱層(5) としてTaＯＮ
膜を膜厚３０ｎｍを順次積層し、続いて実施例２と同様
の条件で金属反射層(6) としてAl_92.7Au_4.8Ti_2.5合金
膜を膜厚２１０ｎｍ積層した。さらに、金属反射層(6)
上に実施例１と同様の有機保護層(7) を設けて光磁気デ
ィスクを作製した。

【００４７】

【実施例５】実施例１と同様の基板(1) 上に、実施例１
と同様の条件で、透明誘電体層(2)としてAlSiＮ膜を膜
厚１１２．５ｎｍ、光磁気記録層(3) としてTbFeCo非晶
質合金膜を膜厚２２．５ｎｍ、窒化物透明誘電体層(4)
としてAlSiＮ膜を膜厚５ｎｍ、後記のようにして透明断
熱層(5) としてTaＯ膜を膜厚３０ｎｍ、再び実施例１と
同様にして金属反射層(6) としてAg_95.0Au_4.1Ti_0.9合
金膜を膜厚７０ｎｍ順次積層した。さらに、金属反射層
(6) 上に実施例１と同様の有機保護層(7) を設けた。

【００４８】ここでTaＯ膜は、直径１００ｍｍ、厚さ５
ｍｍのTa₂Ｏ₅焼結体からなるターゲットを、Ar、Ｏ₂
の混合ガス（Ar：Ｏ₂＝70：30 vol％）で高周波スパッ
タリングして作製した。その際の放電電力は４００Ｗ、
放電周波数は１３．５６ＭHzであり、ガス圧は１０ｍTo
rrになるように調節した。なお、TaＯの組成は前述のオ
ージェ電子分光装置で分析したところTa₃₂Ｏ₆₈であっ
た。

【００４９】

【実施例６】実施例１の光磁気記録層(3) 前後の透明誘
電体層(2) 、(4) を窒化ケイ素（SiＮ）膜とした以外
は、実施例１と同様の条件で光磁気ディスクを作製し
た。SiＮ膜は、直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのSiターゲ
ットを用い、Ar、Ｎ₂の混合ガス（Ar：Ｎ2 ＝70：30 v
ol％）圧１５ｍTorr、放電電力５００Ｗで作製した。堆
積した膜厚は、光磁気記録層(3) の基板(1) 側の透明誘
電体層(2) として１１２．５ｎｍ、光磁気記録層(3) の
基板(1) と反対側の窒化物透明透電体層(4) として５ｎ
ｍである。ここで形成したSiＮ膜の窒素含有率は、前記
オージェ電子分光装置で分析したところ４３atom％であ
った。

【００５０】

【実施例７】図２に示す基板(1) 上に、透明誘電体層
(2) 、光磁気記録層(3) 、透明断熱層(5) 、金属反射層
(6) 、を順次積層し、さらに有機保護層(7) を積層した
構成の光磁気ディスクを以下のように作製した。

【００５１】実施例１と同様の基板(1) に実施例１と同
様の条件で、透明誘電体層(2) としてAlSiＮ膜を膜厚１
１２．５ｎｍ、光磁気記録層(3) としてTbFeCo非晶質合
金膜を膜厚２２．５ｎｍ、透明断熱層(5) としてTaＯＮ
膜を膜厚３５ｎｍ、金属反射層(6) としてAg_95.0Au_4.1
Ti_0.9合金膜を膜厚７０ｎｍ順次積層した。さらに、金
属反射層(6) 上に実施例１と同様の有機保護層(7) を設
けた。ただし、TbFeCo非晶質合金膜を堆積後、TaＯＮ膜
形成用のTa₂Ｏ₅ターゲットのプレスパッタを行なう
と、TbFeCo非晶質合金膜が劣化するため、該ターゲット
のプレスパッタは、TbFeCo非晶質合金膜堆積前に行なっ
た。

【００５２】

【比較例１】図３に示す基板(1) 上に、透明誘電体層
(2) 、光磁気記録層(3) 、透明誘電体層(4) 、金属反射
層(6) を順次積層し、更に有機保護層(7) を積層した構
成の光磁気ディスクを以下のように作製した。

【００５３】実施例１と同様の基板(1) 上に、実施例１
と同様の条件で、透明誘電体層(2)としてAlSiＮ膜を膜
厚１１２．５ｎｍ、光磁気記録層(3) としてTbFeCo非晶
質合金膜を膜厚２２．５ｎｍ、透明誘電体層(4) として
AlSiＮ膜を膜厚３５ｎｍ、実施例２と同様の条件で金属
反射層(6) としてAl_92.7Au_4.8Ti_2.5合金膜を膜厚６０
ｎｍ順次積層した。さらに、金属反射層(6) 上に実施例
１と同様の有機保護層(7) を設けた。

【００５４】

【比較例２】比較例１の金属反射層(6) の膜厚を１００
ｎｍとした以外は、比較例１と同様の条件で光磁気ディ
スクを作製した。

【００５５】

【比較例３】比較例１に対して、透明断熱層(5) として
膜厚１０ｎｍのTaＯＮ膜を追加し、透明誘電体層(4) と
してのAlSiＮ膜の膜厚を５ｎｍにした構成の光磁気ディ
スクを、実施例２と同様の条件で作製した。

【００５６】次に実施例１〜７、比較例１〜３で得られ
た光磁気ディスクを光磁気記録再生装置（パルステック
工業製、DDU-1000型）を用い、下記条件でＣ／Ｎと最適
記録レーザーパワーを評価した。書込み時の半導体レー
ザーパワーを変化させ、再生信号の二次高調波が最小と
なる時が最適記録レーザーパワーとした。

【００５７】［記録条件］ディスク回転速度＝１８０
０rpm 、記録トラック位置＝半径３０ｍｍ位置、記録周
波数＝３．７ＭHz、記録時の印加磁界＝２５０Oe、記録
パルス幅＝９０ｎsec 。

【００５８】［再生条件］ディスク回転速度＝１８０
０rpm 、読出レーザーパワー＝１．５ｍＷ。

【００５９】さらに、実施例１〜７、比較例１〜３で得
られた光磁気ディスクについて、ピークシフトを測定し
た。ここでいうピークシフトは、図５に示す信号を記
録、再生した時に、記録しようとした信号のパルス間の
時間Ｔ2 と、実際に再生された信号のピーク間の時間Ｔ
2 ’の平均値 <Ｔ2 ’> との差の絶対値とした。従っ
て、ピークシフト＝｜Ｔ2 − <Ｔ2 ’> ｜である。記録再生には、前記光磁気再生装置を用いた。
記録再生条件は下記する。再生信号のピーク間の時間Ｔ
2 ’は、ヒューレットパッカード（HEWLETT PACKARD
）製、フリクエンシーアンドインターバルアナ
ライザー（FREQUENCY AND INTERVAL ANALYZER)を用いて
測定した。

【００６０】［記録条件］ディスク回転速度＝１８０
０rpm 、記録トラック位置＝半径３０ｍｍ位置、記録レ
ーザーパワー＝６ｍＷ、記録時の印加磁界＝２５０Oe、
記録パルス幅＝９０ｎsec 。

【００６１】［再生条件］ディスク回転速度＝１８０
０rpm 、読出レーザーパワー＝１．５ｍＷ。

【００６２】さらに、実施例１〜７、比較例１〜３で得
られた光磁気ディスクについて、レーザー光に対する長
期安定性を測定した。判断基準は、回転させたディスク
の半径３０ｍｍ位置の特定トラックにレーザーを連続照
射しながら、ディスクを適当な回転数だけ回転させた後
Ｃ／Ｎを測定し、初期値からのＣ／Ｎが２dB低下する回
転数を求め、その回数が多いもの程安定であると考え
た。レーザーの連続照射時のディスクの回転速度は、光
磁気記録層の温度上昇を加速する意味で３００rpm と
し、連続照射するレーザーパワーは６ｍＷとした。Ｃ／
Ｎ測定の方法及び記録・再生条件は前述した通りであ
る。

【００６３】最適記録レーザーパワー、Ｃ／Ｎ、ピーク
シフト、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照射回転数の、
各測定結果を表２に示す。

【００６４】この表２に示す通り、実施例１における最
適レーザーパワーは４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．
６dB、ピークシフトは９．６ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下
するレーザー照射回転数は３．４×１０³である。

【００６５】また実施例２における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．５dB、ピークシフ
トは１０．２ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照
射回転数は９．０×１０²である。

【００６６】また実施例３における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．４dB、ピークシフ
トは１０．０ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照
射回転数は１．８×１０³である。

【００６７】また実施例４における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．４dB、ピークシフ
トは９．８ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照射
回転数は２．７×１０³である。

【００６８】また実施例５における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．５dB、ピークシフ
トは９．６ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照射
回転数は３．３×１０³である。

【００６９】また実施例６における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．４dB、ピークシフ
トは９．６ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照射
回転数は３．３×１０³である。

【００７０】また実施例７における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４７．８dB、ピークシフ
トは９．７ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照射
回転数は３．３×１０³である。

【００７１】一方比較例１における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．３dB、ピークシフ
トは１２．８ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照
射回転数は２．０×１０である。

【００７２】また比較例２における最適レーザーパワー
は５．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．４dB、ピークシフ
トは１０．２ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照
射回転数は７．８×１０²である。

【００７３】また比較例３における最適レーザーパワー
は４．５ｍＷ、Ｃ／Ｎ最大値は４８．２dB、ピークシフ
トは１２．６ｎsec 、Ｃ／Ｎが２dB低下するレーザー照
射回転数は２．５×１０である。

【００７４】比較例１、２のように、透明断熱層(5) を
用いない場合、熱の逃げの悪い金属反射層(6) を用いて
も、また熱の逃げの良い金属反射層(6) を用いても、本
発明の目的である高感度で、かつピークシフトが小さ
く、その上レーザー光に対する長期安定性に優れるとい
う３特性を同時に満足する事はできない。熱の逃げを抑
制した金属反射層(6) を用いた比較例１では、最適記録
パワーは４．５ｍＷと小さいが、ピークシフトが大き
く、わずか２０回レーザー光を照射しただけでＣ／Ｎが
２dB低下してしまう。それに対して熱の逃げを良くした
金属反射層(6) を用いた比較例２では、ピークシフトは
比較的小さく、レーザー光に対する安定性も比較例１よ
り良いが、最適記録パワーが５．５ｍＷとなり、感度が
低下してしまう。

【００７５】また、比較例３をみれば、透明断熱層(5)
を用いても、熱の逃げを抑制した金属反射層(6) を用い
た場合は、本発明の効果は発揮されない事がわかる。

【００７６】それに対して、透明断熱層(5) を用い、同
時に熱の逃げの良い金属反射層(6)を用いた実施例１〜
７は、全て最適記録パワー４．５ｍＷと高感度を保ちな
がら、ピークシフトが小さく、レーザー光に対する長期
安定性も優れている。

【００７７】さらに、実施例２〜４をみれば、本発明で
は、金属反射層(6) の熱の逃げを良くする程、効果が大
きくなる事がわかる。

【００７８】以上より、ピークシフトや高パワーレーザ
ー光に対する長期安定性は、実施例２のレベルであれば
充分である事を考えれば、本発明は、透明断熱層(5) を
用い、さらに膜厚１００ｎｍのAl_92.7Au_4.8Ti_2.5合金
膜と同等以上の熱伝導性を有する金属反射層(6) を用い
て、はじめて達成されると考えられる。つまり、熱伝導
率×膜厚の値としては１．３μＷ／Ｋ以上が必要であ
る。さらに、より大きな効果を期待すれば、金属反射層
(6) の熱伝導性としては、膜厚１５０ｎｍのAl_92.7Au
_4.8Ti_2.5合金膜と同等以上が必要で、熱伝導率×膜厚
の値としては２．０μＷ／Ｋ以上が好ましい。

【００７９】各層に用いる好適な膜は、実施例１〜６よ
り、透明断熱層(5) としては、TaＯＮとTaＯが、窒化物
透明誘電体層(2) および(4) としては、AlSiＮとSiＮ
が、金属反射層(6) としては、AgAuTi合金とAlAuTi合金
が同等に使用できる事がわかる。また実施例７より、光
磁気記録層(3) 上に、直接TaＯＮ膜が接する場合でも、
本発明の効果としては充分である。

【００８０】以上、本発明は、光磁気記録媒体の実用上
重要な特性を大きく向上させるものである事は明らかで
ある。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【表２】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１〜６および比較例３の膜構成図

【図２】実施例７の膜構成図

【図３】比較例１〜２の膜構成図

【図４】熱伝導率測定配置図

【図５】ピークシフト説明図

【符号の説明】

１基板２透明誘電体層３光磁気記録層４窒化物透明誘電体層５透明断熱層６金属反射層７有機保護層１１ガラス基板１２金属薄膜（サンプル）１３〜１６ Au電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に光磁気記録層、金属反射層が順次
積層された光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層
と金属反射層の間にタンタル窒酸化物又は酸化物からな
る膜厚５〜５０ｎｍの透明断熱層を少なくとも有し、前
記金属反射層は熱伝導率×膜厚の値が１．３μＷ／Ｋ以
上であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】前記金属反射層の熱伝導率×膜厚の値が
２．０μＷ／Ｋ以上である請求項１記載の光磁気記録媒
体。
【請求項３】前記透明断熱層がタンタルの窒酸化物であ
る請求項１または請求項２記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】前記光磁気記録層と透明断熱層との間に金
属窒化物からなる透明誘電体層を介在させた請求項１、
請求項２、または請求項３記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】光磁気記録層の他方の側にも金属窒化物か
らなる第２透明誘電体層が設けられた請求項１、請求項
２、請求項３、または請求項４記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】前記金属窒化物がシリコン窒化物またはア
ルミニウム・シリコン窒化物である請求項４、または請
求項５記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】前記反射層がAgAu合金またはAlAu合金であ
る請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５
または請求項６記載の光磁気記録媒体。