JP2000228033A - 光記録媒体、その製造方法および光記録装置 - Google Patents
光記録媒体、その製造方法および光記録装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上の各層が平滑で高密度での記録再生を
可能とする光記録媒体、その製造方法および光記録装置
の提供。 【解決手段】 基板上に放熱層および光学的記録層を含
む多層膜が形成され、多層膜中の放熱層が金属膜からな
り、その表面がスパッタエッチング処理によって平滑化
されていることを特徴とする光記録媒体。
可能とする光記録媒体、その製造方法および光記録装置
の提供。 【解決手段】 基板上に放熱層および光学的記録層を含
む多層膜が形成され、多層膜中の放熱層が金属膜からな
り、その表面がスパッタエッチング処理によって平滑化
されていることを特徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、その製
造方法および光記録装置に関し、更に詳しくは、表面あ
るいは放熱層が平滑で高密度に情報を記録し、再生する
ことができる光記録媒体、その製造方法および光記録装
置に関する。
造方法および光記録装置に関し、更に詳しくは、表面あ
るいは放熱層が平滑で高密度に情報を記録し、再生する
ことができる光記録媒体、その製造方法および光記録装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクや相変化光ディスクなど
の光記録媒体は、その記録密度の高さと保持性から、映
像やデータの記録用として広く利用されている。これら
の光記録媒体は、透明基板側からレーザ光を照射し、レ
ンズにより膜面上すなわち透明基板の入射側と反対の側
で光を集束させることにより、１ミクロン程度のサイズ
で情報の記録、再生がなされているが、記録膜とヘッド
の距離を近づけてより高密度に記録、再生するために、
浮上光学ヘッドにより膜面側から直接記録、再生を行う
方式が提案されている。そのため、基板上に形成される
多層膜は、従来の基板側入射タイプの場合と逆の順序で
形成されることになる。つまり、従来では、基板上に第
１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射層の順で
形成することが一般的であったが、膜面側入射タイプで
は、基板上に、反射層、第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層の順で積層することになる。これにより、基
板入射タイプと同等の記録原理が実現される。
の光記録媒体は、その記録密度の高さと保持性から、映
像やデータの記録用として広く利用されている。これら
の光記録媒体は、透明基板側からレーザ光を照射し、レ
ンズにより膜面上すなわち透明基板の入射側と反対の側
で光を集束させることにより、１ミクロン程度のサイズ
で情報の記録、再生がなされているが、記録膜とヘッド
の距離を近づけてより高密度に記録、再生するために、
浮上光学ヘッドにより膜面側から直接記録、再生を行う
方式が提案されている。そのため、基板上に形成される
多層膜は、従来の基板側入射タイプの場合と逆の順序で
形成されることになる。つまり、従来では、基板上に第
１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射層の順で
形成することが一般的であったが、膜面側入射タイプで
は、基板上に、反射層、第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層の順で積層することになる。これにより、基
板入射タイプと同等の記録原理が実現される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光記録媒体において
は、光により記録、再生を行うため、光の入射側界面の
粗度が大きい場合、記録、再生時に信号が劣化するなど
の問題が生じる。基板側入射の場合、光は、基板と第１
の誘電体層との界面および、第１の誘電体層と記録層と
の界面で反射する成分が多く、この部分の粗度が問題と
なるが、前者は基板の表面粗度と相関し、後者は第１の
誘電体層の表面粗度と相関する。
は、光により記録、再生を行うため、光の入射側界面の
粗度が大きい場合、記録、再生時に信号が劣化するなど
の問題が生じる。基板側入射の場合、光は、基板と第１
の誘電体層との界面および、第１の誘電体層と記録層と
の界面で反射する成分が多く、この部分の粗度が問題と
なるが、前者は基板の表面粗度と相関し、後者は第１の
誘電体層の表面粗度と相関する。
【０００４】ところが、膜面側入射の場合、光の反射
は、記録層表面粗度と、第２の誘電体の粗度により決ま
り、これらはいずれも、反射層（放熱層）を形成された
後に形成されているため、反射層の表面粗度が反映され
てしまう。一般に反射層はアルミ合金などの金属膜であ
り、結晶質なので、誘電体層などと比べると、表面粗度
が大きい。これにより、膜面入射タイプでは、基板側入
射タイプに比べて反射光の散乱が多くなり、さらに記録
層の垂直磁気異方性が劣化するため、記録、再生特性が
悪化するという問題がある。本発明は、基板上の各層が
平滑で高密度で記録し、再生を可能とする光記録媒体、
その製造方法および光記録装置を提供するものである。
は、記録層表面粗度と、第２の誘電体の粗度により決ま
り、これらはいずれも、反射層（放熱層）を形成された
後に形成されているため、反射層の表面粗度が反映され
てしまう。一般に反射層はアルミ合金などの金属膜であ
り、結晶質なので、誘電体層などと比べると、表面粗度
が大きい。これにより、膜面入射タイプでは、基板側入
射タイプに比べて反射光の散乱が多くなり、さらに記録
層の垂直磁気異方性が劣化するため、記録、再生特性が
悪化するという問題がある。本発明は、基板上の各層が
平滑で高密度で記録し、再生を可能とする光記録媒体、
その製造方法および光記録装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる目的を達
成するために鋭意検討を行った結果なされたもので、 基板上に放熱層および光学的記録層を含む多層膜が形
成され、多層膜中の放熱層が金属膜からなり、その表面
がスパッタエッチング処理によって平滑化されているこ
とを特徴とする光記録媒体、 基板上に放熱層を形成した後、真空槽に収容し、低圧
下にアルゴンガスを導入すると共に基板に高周波バイア
スをかけてスパッタエッチング処理して放熱層表面を平
滑化し、次いで光学的記録層を形成することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法、および、 光記録媒体駆動部と、浮上量が０．２μｍ以下の範囲
で媒体上に浮上して光学的に記録再生を行う浮上型ヘッ
ドと、当該浮上型ヘッドの駆動部と、記録再生信号処理
機構とを有し、上記に記載の光記録媒体に記録再生を
行うように構成したことを特徴とする光記録装置、を提
供するものである。
成するために鋭意検討を行った結果なされたもので、 基板上に放熱層および光学的記録層を含む多層膜が形
成され、多層膜中の放熱層が金属膜からなり、その表面
がスパッタエッチング処理によって平滑化されているこ
とを特徴とする光記録媒体、 基板上に放熱層を形成した後、真空槽に収容し、低圧
下にアルゴンガスを導入すると共に基板に高周波バイア
スをかけてスパッタエッチング処理して放熱層表面を平
滑化し、次いで光学的記録層を形成することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法、および、 光記録媒体駆動部と、浮上量が０．２μｍ以下の範囲
で媒体上に浮上して光学的に記録再生を行う浮上型ヘッ
ドと、当該浮上型ヘッドの駆動部と、記録再生信号処理
機構とを有し、上記に記載の光記録媒体に記録再生を
行うように構成したことを特徴とする光記録装置、を提
供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明光記録媒体は、膜面側入射
タイプとして適するもので、基板上に放熱層および光学
的記録層を含む多層膜が形成される。従来の基板側入射
タイプの光記録媒体では、基板は光を透過する必要があ
るので、透明基板が用いられており、一般的には安価で
成形性が高く、光学的にも優れているポリカーボネート
樹脂が用いられる。一方、膜面側入射タイプでは、透明
基板を用いる必要はないが、形成される膜の表面が平滑
である必要があり、基板においても表面が鏡面のように
平滑なものが使用される。例えば、ピットや溝を設けた
樹脂基板、アルミ基板等の金属基板あるいはガラス基板
が用いられる。
タイプとして適するもので、基板上に放熱層および光学
的記録層を含む多層膜が形成される。従来の基板側入射
タイプの光記録媒体では、基板は光を透過する必要があ
るので、透明基板が用いられており、一般的には安価で
成形性が高く、光学的にも優れているポリカーボネート
樹脂が用いられる。一方、膜面側入射タイプでは、透明
基板を用いる必要はないが、形成される膜の表面が平滑
である必要があり、基板においても表面が鏡面のように
平滑なものが使用される。例えば、ピットや溝を設けた
樹脂基板、アルミ基板等の金属基板あるいはガラス基板
が用いられる。
【０００７】使用される樹脂としては、アクリル系樹
脂、ノルボルネン系などのポリオレフィン樹脂、液晶ポ
リマー、ポリカーボネート等が挙げられ、具体的には、
例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ＡＲＴ
ＯＮ（日本合成ゴム社 ノルボルネン系エステル置換環
状オレフィン開環重合体水添物）、ＺＥＯＮＥＸ（日本
ゼオン社 ノルボルネン系環状オレフィン開環重合体水
添物）、芳香族ポリエステル系液晶ポリマー、ポリカー
ボネートなどが挙げられる。ピット／溝を設けたスタン
パーをもとに、これら樹脂を用いて射出成形、射出圧縮
成形、放射線硬化などによりピット／溝を転写形成して
樹脂基板とする。
脂、ノルボルネン系などのポリオレフィン樹脂、液晶ポ
リマー、ポリカーボネート等が挙げられ、具体的には、
例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ＡＲＴ
ＯＮ（日本合成ゴム社 ノルボルネン系エステル置換環
状オレフィン開環重合体水添物）、ＺＥＯＮＥＸ（日本
ゼオン社 ノルボルネン系環状オレフィン開環重合体水
添物）、芳香族ポリエステル系液晶ポリマー、ポリカー
ボネートなどが挙げられる。ピット／溝を設けたスタン
パーをもとに、これら樹脂を用いて射出成形、射出圧縮
成形、放射線硬化などによりピット／溝を転写形成して
樹脂基板とする。
【０００８】また金属基板の場合、ピットや溝の形成は
基板表面に直接行うのは困難であるため例えば薄い樹脂
製のシートをいったん金属基板に貼り付け、次いでピッ
ト／溝を設けたスタンパーをもとに圧縮成形することに
より行う。またガラス基板の場合はエッチング等により
ピットや溝の形成を行うことができる。基板の厚みは
０．５〜３ｍｍ程度が一般的である。これより薄いと、
特に樹脂基板の場合に顕著に見られることであるが、基
板が自重によりたわんで平面性が出にくくなる。また３
ｍｍを超えると強度面ではほとんど差がなくなる。本発
明において、基板上に光記録層を含む多層膜、例えば基
板上に、放熱層、第１の誘電体層、記録層、第２の誘電
体層の順で積層した多層膜を形成する。
基板表面に直接行うのは困難であるため例えば薄い樹脂
製のシートをいったん金属基板に貼り付け、次いでピッ
ト／溝を設けたスタンパーをもとに圧縮成形することに
より行う。またガラス基板の場合はエッチング等により
ピットや溝の形成を行うことができる。基板の厚みは
０．５〜３ｍｍ程度が一般的である。これより薄いと、
特に樹脂基板の場合に顕著に見られることであるが、基
板が自重によりたわんで平面性が出にくくなる。また３
ｍｍを超えると強度面ではほとんど差がなくなる。本発
明において、基板上に光記録層を含む多層膜、例えば基
板上に、放熱層、第１の誘電体層、記録層、第２の誘電
体層の順で積層した多層膜を形成する。
【０００９】基板上への多層膜の形成は、通常スパッタ
リング装置を用いて行われる。スパッタリングは、膜形
成に必要な材料をターゲットとし、真空中で負のバイア
スをかけ、例えばアルゴンイオンで叩くことにより、対
向させて設置された基板上にターゲットと同じ材料の薄
膜を形成する。まず、基板と光学的記録層との間に放熱
層が形成される。放熱層はレーザビームによる記録の
際、照射されたスポットの熱を放散するための層で金属
で形成され、一般には反射層としての機能をもつもので
あり、この場合、反射層と称することもできる。
リング装置を用いて行われる。スパッタリングは、膜形
成に必要な材料をターゲットとし、真空中で負のバイア
スをかけ、例えばアルゴンイオンで叩くことにより、対
向させて設置された基板上にターゲットと同じ材料の薄
膜を形成する。まず、基板と光学的記録層との間に放熱
層が形成される。放熱層はレーザビームによる記録の
際、照射されたスポットの熱を放散するための層で金属
で形成され、一般には反射層としての機能をもつもので
あり、この場合、反射層と称することもできる。
【００１０】放熱層としては、熱伝導率の高い金属（合
金を含む）が用いられ、高反射率の金属が望ましい。例
えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕやこれを主成分とする合金
である。特にＡｌは反射率が高いと同時に熱伝導率が高
く、放熱層の材料として広く用いられている。さらに耐
食性を上げる等の目的で他の元素が混合された、ＡｌＴ
ｉ、ＡｌＴａ、ＡｌＣｒなどの合金も広く用いられてい
る。この放熱層の膜厚としては、通常２００〜１５００
Å程度である。また、この放熱層と記録層との間に、光
を干渉させ増幅させる目的や記録層保護の目的等で誘電
体層を設けてもよい。この第１の誘電体層としては、酸
化物、窒化物、カルコゲン化物、炭化物、フッ化物、お
よびその混合物などが用いられる。
金を含む）が用いられ、高反射率の金属が望ましい。例
えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕやこれを主成分とする合金
である。特にＡｌは反射率が高いと同時に熱伝導率が高
く、放熱層の材料として広く用いられている。さらに耐
食性を上げる等の目的で他の元素が混合された、ＡｌＴ
ｉ、ＡｌＴａ、ＡｌＣｒなどの合金も広く用いられてい
る。この放熱層の膜厚としては、通常２００〜１５００
Å程度である。また、この放熱層と記録層との間に、光
を干渉させ増幅させる目的や記録層保護の目的等で誘電
体層を設けてもよい。この第１の誘電体層としては、酸
化物、窒化物、カルコゲン化物、炭化物、フッ化物、お
よびその混合物などが用いられる。
【００１１】酸化物としてＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｔ
ｉＯ2 等の金属酸化物単独またはこれらの混合物、或い
はＡｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化物等が挙げられ、また非金
属酸化物としてＳｉＯ2 、ＳｉＯが挙げられる。窒化物
としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム等が挙げら
れる。カルコゲン化物としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の
カルコゲン化亜鉛、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等のII−Ｖ族化合
物、Ｌａ2 Ｓ3 、Ｃｅ2 Ｓ3 等の希土類硫化物、ＴａＳ
2 、ＭｇＳ、ＣａＳ等が挙げられる。
ｉＯ2 等の金属酸化物単独またはこれらの混合物、或い
はＡｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化物等が挙げられ、また非金
属酸化物としてＳｉＯ2 、ＳｉＯが挙げられる。窒化物
としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム等が挙げら
れる。カルコゲン化物としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の
カルコゲン化亜鉛、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等のII−Ｖ族化合
物、Ｌａ2 Ｓ3 、Ｃｅ2 Ｓ3 等の希土類硫化物、ＴａＳ
2 、ＭｇＳ、ＣａＳ等が挙げられる。
【００１２】これらの誘電体層は、反応性スパッタリン
グ、或いは、高周波スパッタリングにより得られる。例
えば、窒化シリコン膜は、シリコンのターゲットをアル
ゴンと窒素との混合ガスで反応性スパッタリングするこ
とにより得られる。また、ＺｎＳは、ＺｎＳターゲット
をアルゴンガスで高周波スパッタリングすることにより
得られる。この誘電体層の膜厚としては、通常２００〜
１０００Å程度である。誘電体層上に形成する光記録層
としては、各種のものを採用することができ、例えば光
磁気記録層や相変化型記録層及び色素型記録層が用いら
れる。また、層構成としても特に制限はなく、各種層構
成を採用することができる。
グ、或いは、高周波スパッタリングにより得られる。例
えば、窒化シリコン膜は、シリコンのターゲットをアル
ゴンと窒素との混合ガスで反応性スパッタリングするこ
とにより得られる。また、ＺｎＳは、ＺｎＳターゲット
をアルゴンガスで高周波スパッタリングすることにより
得られる。この誘電体層の膜厚としては、通常２００〜
１０００Å程度である。誘電体層上に形成する光記録層
としては、各種のものを採用することができ、例えば光
磁気記録層や相変化型記録層及び色素型記録層が用いら
れる。また、層構成としても特に制限はなく、各種層構
成を採用することができる。
【００１３】光磁気記録層としては、例えばＴｂＦｅ、
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅ
Ｃｏ等の希土類と遷移金属との非晶質磁性膜、ＭｎＢ
ｉ、ＭｎＣｕＢｉ等の多結晶垂直磁化膜、Ｐｔ／Ｃｏ多
層膜等が用いられる。光磁気記録層は単層であってもよ
いし、オーバーライトやＭＳＲを可能とするためにＧｄ
ＴｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の磁性層を重ねて
用いてもよい。相変化型記録層としては、例えばＧｅＳ
ｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅといった化合物が使用できる。これらの記録層の膜厚
としては、通常２００〜５００Å程度である。
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅ
Ｃｏ等の希土類と遷移金属との非晶質磁性膜、ＭｎＢ
ｉ、ＭｎＣｕＢｉ等の多結晶垂直磁化膜、Ｐｔ／Ｃｏ多
層膜等が用いられる。光磁気記録層は単層であってもよ
いし、オーバーライトやＭＳＲを可能とするためにＧｄ
ＴｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の磁性層を重ねて
用いてもよい。相変化型記録層としては、例えばＧｅＳ
ｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅといった化合物が使用できる。これらの記録層の膜厚
としては、通常２００〜５００Å程度である。
【００１４】この光記録層上には耐候性、高硬度、高滑
性などの性質を備えた誘電体層を設ける。この第２の誘
電体層の材質は、上記第１の誘電体層と同様のものが用
いられるが、特に記録層の酸化を防止するという意味
で、酸化物は用いないことが望ましい。この第２の誘電
体層の膜厚としては、通常４００〜１５００Å程度であ
る。上記したように基板上に多層膜をスパッタリング法
により、順次積層して形成することができる。望ましく
は、同一装置内で真空を破ることなく連続的にスパッタ
リング処理することにより、界面の酸化等のない、純度
の高い多層膜を形成することができる。
性などの性質を備えた誘電体層を設ける。この第２の誘
電体層の材質は、上記第１の誘電体層と同様のものが用
いられるが、特に記録層の酸化を防止するという意味
で、酸化物は用いないことが望ましい。この第２の誘電
体層の膜厚としては、通常４００〜１５００Å程度であ
る。上記したように基板上に多層膜をスパッタリング法
により、順次積層して形成することができる。望ましく
は、同一装置内で真空を破ることなく連続的にスパッタ
リング処理することにより、界面の酸化等のない、純度
の高い多層膜を形成することができる。
【００１５】なお、多層膜は必要に応じて基板の両面に
形成することができる。本発明においては、上記基板上
に放熱層となる金属膜を形成後、その放熱層の表面をス
パッタエッチング処理を行い、多層膜最表面の粗度を１
ｎｍ以下、望ましくは０．１〜１．０ｎｍの範囲となる
ように、平滑化する。
形成することができる。本発明においては、上記基板上
に放熱層となる金属膜を形成後、その放熱層の表面をス
パッタエッチング処理を行い、多層膜最表面の粗度を１
ｎｍ以下、望ましくは０．１〜１．０ｎｍの範囲となる
ように、平滑化する。
【００１６】本発明で金属膜をエッチングする一例とし
て、アルゴンイオンによるスパッタエッチングがある。
これは、通常のスパッタとは逆に、基板側に負のバイア
スをかけ、アルゴンイオンにより基板上の金属膜を叩
き、金属膜表面の微少な凹凸を除去するものである。通
常のスパッタエッチングでは、絶縁物もエッチングでき
るように、直流ではなく、高周波を用いて負のバイアス
を発生させている。これはＲＦスパッタと呼ばれる。第
１図に、その概要を示す。図１のスパッタリング装置１
は真空槽２を有し、排気孔３より排気されて高度の真空
にされると共に、スパッタガス供給管４からアルゴンガ
スが導入される。この状態で基板５が基板保持具６に装
着されて高周波発生機７から基板５に高圧の高周波電位
を印加して発生したアルゴンイオンで基板５をスパッタ
エッチングする。
て、アルゴンイオンによるスパッタエッチングがある。
これは、通常のスパッタとは逆に、基板側に負のバイア
スをかけ、アルゴンイオンにより基板上の金属膜を叩
き、金属膜表面の微少な凹凸を除去するものである。通
常のスパッタエッチングでは、絶縁物もエッチングでき
るように、直流ではなく、高周波を用いて負のバイアス
を発生させている。これはＲＦスパッタと呼ばれる。第
１図に、その概要を示す。図１のスパッタリング装置１
は真空槽２を有し、排気孔３より排気されて高度の真空
にされると共に、スパッタガス供給管４からアルゴンガ
スが導入される。この状態で基板５が基板保持具６に装
着されて高周波発生機７から基板５に高圧の高周波電位
を印加して発生したアルゴンイオンで基板５をスパッタ
エッチングする。
【００１７】スパッタエッチングにより滑らかになった
金属膜上に、続けてスパッタリング法により、光記録に
必要な膜を順次積層していくことにより、本発明の光記
録媒体を得ることができる。こうて得られた光記録媒体
１０は、図２に示すように、浮上量が０．２μｍ以下、
好ましくは０．１５μｍ以下、更に好ましくは０．０５
〜０．１０μｍの範囲で浮上して光学的に記録再生を行
う浮上型ヘッド１１と、該浮上型ヘッドの駆動部１２
と、記録再生信号処理機構１３と光記録媒体駆動部１４
を有する光記録装置に装着して記録・再生が行われる。
金属膜上に、続けてスパッタリング法により、光記録に
必要な膜を順次積層していくことにより、本発明の光記
録媒体を得ることができる。こうて得られた光記録媒体
１０は、図２に示すように、浮上量が０．２μｍ以下、
好ましくは０．１５μｍ以下、更に好ましくは０．０５
〜０．１０μｍの範囲で浮上して光学的に記録再生を行
う浮上型ヘッド１１と、該浮上型ヘッドの駆動部１２
と、記録再生信号処理機構１３と光記録媒体駆動部１４
を有する光記録装置に装着して記録・再生が行われる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。基板として、直径１３０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍの射出成形されたポリカーボネート樹脂基板
を用いた。スパッタリング装置としては、光磁気ディス
ク用の回転式スパッタリング装置を用いた。この装置
は、複数の連続した真空槽を持ち、多層膜形成中に真空
を破ることなく、連続して膜形成ができるものである。
まずターゲットとして８インチ径のＡｌＴａ合金を用
い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入して１５０
０ワットのパワーでスパッタを行い、５００Åの膜厚の
ＡｌＴａ合金層を形成した。
る。基板として、直径１３０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍの射出成形されたポリカーボネート樹脂基板
を用いた。スパッタリング装置としては、光磁気ディス
ク用の回転式スパッタリング装置を用いた。この装置
は、複数の連続した真空槽を持ち、多層膜形成中に真空
を破ることなく、連続して膜形成ができるものである。
まずターゲットとして８インチ径のＡｌＴａ合金を用
い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入して１５０
０ワットのパワーでスパッタを行い、５００Åの膜厚の
ＡｌＴａ合金層を形成した。
【００１９】続いて、アルゴンを３ｍＴｏｒｒの圧力ま
で導入し、基板側にＲＦバイアスをかけ、３００ワット
のパワーで６０秒間エッチングを行った。続いて、ター
ゲットとして８インチ径の単結晶シリコンを用い、アル
ゴンと窒素の比率を３：１として３ｍＴｏｒｒの圧力ま
で導入し、１５００ワットのパワーでスパッタを行い、
３００Åの膜厚の窒化シリコン層を形成した。続いて、
ターゲットとして８インチ径のＴｂＦｅＣｏ合金を用
い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入して１５０
０ワットのパワーでスパッタを行い、３００Åの膜厚の
ＴｂＦｅＣｏ合金層を形成した。続いて、ターゲットと
して８インチ径の単結晶シリコンを用い、アルゴンと窒
素の比率を３：１として３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入
し、１５００ワットのパワーでスパッタを行い、９００
Åの膜厚の窒化シリコン層を形成した。
で導入し、基板側にＲＦバイアスをかけ、３００ワット
のパワーで６０秒間エッチングを行った。続いて、ター
ゲットとして８インチ径の単結晶シリコンを用い、アル
ゴンと窒素の比率を３：１として３ｍＴｏｒｒの圧力ま
で導入し、１５００ワットのパワーでスパッタを行い、
３００Åの膜厚の窒化シリコン層を形成した。続いて、
ターゲットとして８インチ径のＴｂＦｅＣｏ合金を用
い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入して１５０
０ワットのパワーでスパッタを行い、３００Åの膜厚の
ＴｂＦｅＣｏ合金層を形成した。続いて、ターゲットと
して８インチ径の単結晶シリコンを用い、アルゴンと窒
素の比率を３：１として３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入
し、１５００ワットのパワーでスパッタを行い、９００
Åの膜厚の窒化シリコン層を形成した。
【００２０】比較のため、同じ層構成でエッチングを行
わないディスクも作製した。まずターゲットとして８イ
ンチ径のＡｌＴａ合金を用い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒ
の圧力まで導入して１５００ワットのパワーでスパッタ
を行い、５００Åの膜厚のＡｌＴａ合金層を形成した。
続いて、ターゲットとして８インチ径の単結晶シリコン
を用い、アルゴンと窒素の比率を３：１として３ｍＴｏ
ｒｒの圧力まで導入し、１５００ワットのパワーでスパ
ッタを行い、９００Åの膜厚の窒化シリコン層を形成し
た。続いて、ターゲットとして８インチ径のＴｂＦｅＣ
ｏ合金を用い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入
して１５００ワットのパワーでスパッタを行い、３００
Åの膜厚のＴｂＦｅＣｏ合金層を形成した。続いて、タ
ーゲットとして８インチ径の単結晶シリコンを用い、ア
ルゴンと窒素の比率を３：１として３ｍＴｏｒｒの圧力
まで導入し、１５００ワットのパワーでスパッタを行
い、９００Åの膜厚の窒化シリコン層を形成した。
わないディスクも作製した。まずターゲットとして８イ
ンチ径のＡｌＴａ合金を用い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒ
の圧力まで導入して１５００ワットのパワーでスパッタ
を行い、５００Åの膜厚のＡｌＴａ合金層を形成した。
続いて、ターゲットとして８インチ径の単結晶シリコン
を用い、アルゴンと窒素の比率を３：１として３ｍＴｏ
ｒｒの圧力まで導入し、１５００ワットのパワーでスパ
ッタを行い、９００Åの膜厚の窒化シリコン層を形成し
た。続いて、ターゲットとして８インチ径のＴｂＦｅＣ
ｏ合金を用い、アルゴンを３ｍＴｏｒｒの圧力まで導入
して１５００ワットのパワーでスパッタを行い、３００
Åの膜厚のＴｂＦｅＣｏ合金層を形成した。続いて、タ
ーゲットとして８インチ径の単結晶シリコンを用い、ア
ルゴンと窒素の比率を３：１として３ｍＴｏｒｒの圧力
まで導入し、１５００ワットのパワーでスパッタを行
い、９００Åの膜厚の窒化シリコン層を形成した。
【００２１】こうして作製した２種類のディスクについ
て、まず表面の平滑さを評価するため、ＡＦＭによりＲ
ａ（平均粗さ値）の測定を行ったところ、エッチング処
理を行わない媒体のＲａが１．５ｎｍであったのに対
し、エッチング処理をおこなった媒体ではＲａが０．９
ｎｍであり、エッチング処理により表面の平滑性が改善
されていることがわかった。続いて記録再生特性を比較
した。図３にそれぞれのディスクの記録特性を示す。エ
ッチング処理を行ったディスクは、エッチング処理を行
ってないディスクに比べて、記録時のＣＮＲが高くなっ
ている。さらに低磁場でもＣＮＲが出ており、消去磁場
感度もよく、磁気特性が改善されていることがわかる。
て、まず表面の平滑さを評価するため、ＡＦＭによりＲ
ａ（平均粗さ値）の測定を行ったところ、エッチング処
理を行わない媒体のＲａが１．５ｎｍであったのに対
し、エッチング処理をおこなった媒体ではＲａが０．９
ｎｍであり、エッチング処理により表面の平滑性が改善
されていることがわかった。続いて記録再生特性を比較
した。図３にそれぞれのディスクの記録特性を示す。エ
ッチング処理を行ったディスクは、エッチング処理を行
ってないディスクに比べて、記録時のＣＮＲが高くなっ
ている。さらに低磁場でもＣＮＲが出ており、消去磁場
感度もよく、磁気特性が改善されていることがわかる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は膜面から情報を記録、再生する
光記録媒体の多層膜、特に反射膜形成後にエッチング処
理を行うことによって、反射膜の表面を平滑にし、記録
再生特性の良好な光記録媒体が得られる。具体的には、
ノイズレベルが低く、磁場感度の良好な光記録媒体が得
られる。
光記録媒体の多層膜、特に反射膜形成後にエッチング処
理を行うことによって、反射膜の表面を平滑にし、記録
再生特性の良好な光記録媒体が得られる。具体的には、
ノイズレベルが低く、磁場感度の良好な光記録媒体が得
られる。
【図１】ＲＦスパッタエッチング装置の側面図
【図２】本発明光記録装置を示す側面図
【図３】実施例で得られた光記録媒体の記録特性
１．スパッタリング装置 ２．真空槽 ３．排気孔 ４．スパッタガス供給管 ５．基板 ６．基板保持具 ７．高周波発生機 １０．光記録媒体 １１．浮上型ヘッド １２．ヘッドの駆動部 １３．記録再生信号処理機構 １４．光記録媒体駆動部
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に放熱層および光学的記録層を含
む多層膜が形成され、多層膜中の放熱層が金属膜からな
り、その表面がスパッタエッチング処理によって平滑化
されていることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 放熱層のスパッタエッチングにより、多
層膜最表面の粗度Ｒａが１ｎｍ以下に形成されてなる請
求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に、放熱層、単層もしくは複層の
光学的記録層、および、誘電体層が順次積層されて多層
膜が形成されてなる請求項１または２記載の光記録媒
体。 - 【請求項４】 基板上に、放熱層、第１の誘電体層、単
層もしくは複層の光学的記録層、第２の誘電体層が順次
積層されて多層膜が形成されてなる請求項１〜３いずれ
かに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 基板上に放熱層を形成した後、真空槽に
収容し、低圧下にアルゴンガスを導入すると共に基板に
高周波バイアスをかけてスパッタエッチング処理して放
熱層表面を平滑化し、次いで光学的記録層を形成するこ
とを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 光記録媒体駆動部と、浮上量が０．２μ
ｍ以下の範囲で媒体上に浮上して光学的に記録再生を行
う浮上型ヘッドと、該浮上型ヘッドの駆動部と、記録再
生信号処理機構とを有し、請求項１〜４いずれかに記載
の光記録媒体に記録再生を行うように構成したことを特
徴とする光記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11029592A JP2000228033A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | 光記録媒体、その製造方法および光記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11029592A JP2000228033A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | 光記録媒体、その製造方法および光記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228033A true JP2000228033A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12280356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11029592A Pending JP2000228033A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | 光記録媒体、その製造方法および光記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228033A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596366B2 (en) | 2000-08-02 | 2003-07-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and process for producing an optical recording medium |
-
1999
- 1999-02-08 JP JP11029592A patent/JP2000228033A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596366B2 (en) | 2000-08-02 | 2003-07-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and process for producing an optical recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |