JP2002319193A

JP2002319193A - 光学記録媒体の製造装置および光学記録媒体の製造方法、並びに誘電体膜の成膜装置

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Publication number: JP2002319193A
Application number: JP2001125738A
Authority: JP
Inventors: Toru Abiko; 透安孫子
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-04-24
Filing date: 2001-04-24
Publication date: 2002-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電体膜などの積層膜を成膜する際に、それ
ぞれの膜の各膜厚における膜厚分布を均一にする。【解決手段】基板の一主面上に、情報信号を記録可能
および／または再生可能に構成された積層構造の情報信
号層７を形成する。情報信号層７を構成する積層膜の上
層誘電体膜６を、２回に分け、スパッタリング装置にお
ける第５の真空チャンバと第６の真空チャンバとを用い
て、第１の上層誘電体膜６ａと第２の上層誘電体膜６ｂ
とを用いて順次成膜する。この際、第５の真空チャンバ
および第６の真空チャンバを、これらの真空チャンバに
より成膜する膜の膜厚分布が互いに補間するように構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光学記録媒体の
製造装置および光学記録媒体の製造方法、並びに誘電体
膜の成膜装置に関し、特に、複数のチャンバを用いて誘
電体膜を成膜する際に用いられる、光学記録媒体の製造
装置および誘電体膜の成膜装置に適用して好適なもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、相変化記録材料を用いた書き換え
可能な光ディスクの実用例として、いわゆるＤＶＤ−Ｒ
Ｗ（Digital Versatile Disc-ReWritable）が市販され
ている。このＤＶＤ−ＲＷは、２枚の相変化型のディス
ク状光記録媒体（以下、光ディスク）を貼り合わせたも
のである。この貼り合わせ前の光ディスク１０１を図１
１に示す。

【０００３】図１１に示すように、この貼り合わせ前の
光ディスク１０１においては、ＰＣからなるディスク基
板２０２の一主面１０２ａ上に、誘電体からなる第１の
誘電体膜１０３、結晶相と非晶質相との相変化を利用し
て情報信号が記録される相変化記録膜１０４、第２の誘
電体膜１０５、レーザ光を反射するための反射膜１０６
および、これらの第１の誘電体膜１０３から反射膜１０
６の積層膜を保護するための保護層１０７が順次積層さ
れて設けられている。

【０００４】そして、図１２Ａに示すように、以上のよ
うに構成された光ディスク１０１を２枚用意し、それら
の一主面１０２ａ側の保護層１０７どうしを、接着層１
０８を介して貼り合わせることにより、両面記録構成の
ＤＶＤ−ＲＷを得ることができる。また、片面のみを記
録面とする場合には、図１２Ｂに示すように、ディスク
基板２０２の一主面１０２ａ上に反射膜１０９および保
護層１０７が順次積層されて構成されたダミーディスク
と、図１１に示す光ディスクとを、それらの保護層１０
７側を、接着層１０８を介して貼り合わせることによ
り、片面記録構成のＤＶＤ−ＲＷを得ることができる。

【０００５】このようなＤＶＤ−ＲＷ１０１に対する記
録／再生時に用いられるレーザ光は、ディスク基板２０
２側から相変化記録膜１０４に向けて照射される。そし
て、このＤＶＤ−ＲＷ１０１においては、線速が３．４
９ｍ／ｓ、記録ビット長が０．２６７μｍ／ｂｉｔ、ト
ラックピッチ（Ｔｐ）が０．７４μｍ、レーザ光の波長
が約６５０μｍ、データ転送レートが１１Ｍｂｐｓ、記
録容量４．７ＧＢが実現されている。ところが、近年の
コンピュータなどのアプリケーションを考慮すると、デ
ータ転送レートをより向上させ、この高転送レートでの
ＣＡＶによる記録／再生が望まれている。

【０００６】そして、このＤＶＤ−ＲＷ１０１を上回る
大容量化、高転送レート化を実現するためには、記録用
のレーザ光におけるスポットサイズ（スポット径）を小
さくし、記録線速の向上する方法が有効である。ここ
で、記録用のレーザ光におけるスポットサイズを小さく
するためには、具体的には、レーザ光を短波長化する方
法や、対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくする方法な
どを挙げることができる。

【０００７】特に、レーザ光の短波長化と対物レンズの
高ＮＡ化とを併用すると、これらのそれぞれの方法を単
独に採用した場合に比べ、スポットサイズをより小さく
することができる。例えば、光源として、波長λが４０
０ｎｍ付近のいわゆる青紫色レーザを用い、さらに対物
レンズのＮＡが０．８５の対物レンズを用いると、理論
上、さらなる高密度記録が可能となる。

【０００８】このように、記録密度を上げるためには、
ＮＡ／λの向上を図ることが不可欠となる。この場合、
記録容量として８ＧＢを達成するためには、少なくとも
ＮＡを０．７０以上とし、さらにレーザ光の波長λを
０．６８μｍ（６８０ｎｍ）以下にする必要がある。

【０００９】そして、現状用いられている赤色レーザか
ら、将来普及が見込まれる青色レーザまで対応すること
を考慮すると、光透過層は１０〜１７７μｍに設定する
のが最適である。すなわち、一般的に、ディスクスキュ
ーマージンΘと、記録再生用光学ピックアップの光源波
長λ、開口数（ＮＡ）および、ディスクの光透過保護層
の膜厚ｔとは相関関係にある。そして、実用上、そのプ
レイヤビリティが十分に実証されているコンパクトディ
スク（ＣＤ）を基準として、これらのパラメータとディ
スクスキューマージンΘとの関係が、特開平３−２２５
６５０号公報（文献１）に示されている。

【００１０】すなわち、文献１によれば、−８４．１１
５（λ／ＮＡ³／ｔ）≦Θ≦８４．１１５（λ／ＮＡ³／
ｔ）にする必要がある。ここで、ディスクを実際に量産
する場合のスキューマージンΘの具体的な限界値を考え
ると、０．４°とするのが妥当である。これは、量産を
考えた場合、これより小さくすると製造歩留まりが低下
し、コストが増加してしまうからである。既存の光学記
録媒体についても、ディスクスキューマージンΘの限界
値は、ＣＤにおいて０．６°、ＤＶＤにおいて０．４°
である。

【００１１】そこで、Θ＝０．４°として、レーザの短
波長化および高ＮＡ化により、光透過保護層の厚みをど
の程度に設定すべきかを計算すると、レーザ光の波長λ
がλ＝０．６５μｍ（赤色レーザ）である場合、ＮＡは
０．７８以上が要求される。また、レーザ光の短波長化
が進み、波長λが０．４μｍ程度の半導体レーザを用
い、ＮＡを上述の０．７８以上に固定した場合、ディス
クの光透過保護層の膜厚ｔは、１７７μｍ以下に小さく
する必要がある。他方、この光透過保護層の膜厚の下限
は、光記録膜を保護する光透過保護層の保護機能によっ
て決定される。さらに、信頼性や２群レンズの衝突など
の影響を考慮すると、光透過保護層の膜厚としては、１
０μｍ以上が望ましい。

【００１２】ここで、光透過保護層が薄膜化された、上
述したような光学記録媒体（光ディスク）について説明
する。図１３に、この光ディスク２０１を示す。

【００１３】図１３に示すように、光透過保護層が薄膜
化された光ディスク２０１は、支持基板２０２上に、反
射膜２０３、第１の誘電体膜２０４、記録膜２０５およ
び第２の誘電体膜２０６からなる光記録膜２０７と、こ
の光記録膜２０７上に、接着層２０８を介して光透過保
護層２０９とが積層された構成を有する。これらのうち
支持基板２０２は、これを単板で構成する場合にある程
度の剛性が要求される。そのため、支持基板２０２の厚
さは、０．６ｍｍ程度である。

【００１４】ところで、上述したようなＤＶＤ−ＲＷ１
０１や光ディスク２０１などの光学記録媒体において、
支持基板として用いられるポリカーボネート樹脂やポリ
オレフィン系樹脂は、溶融成型時に耐熱性を有しつつ、
成形しやすく、変質が少なく、さらに機械的特性も優れ
ているという利点を有している。そのため、光学記録媒
体の支持基板として有用な材料である。

【００１５】また、２枚のディスクを貼り合わせて構成
されるものにおいては、支持基板上に記録用薄膜を形成
後、貼り合わせにより光透過保護層が形成される点が重
要である。光ディスクにおいては、このような貼り合わ
せによって歩留まりや光学記録媒体の信頼性が左右され
ることも多い。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このような、情報信号
の記録／再生に４００ｎｍ程度の短波長のレーザ光を用
いる、光透過保護層が薄膜化された光ディスク２０１に
おいては、波長が６５０ｎｍ程度のレーザ光を用いて情
報信号の記録／再生を行うようにした光ディスクに比し
て、情報信号が記録される積層膜のそれぞれの膜厚変動
に対して、特性上の変化が大きくなってしまう。

【００１７】また、この光ディスクにおける積層膜を成
膜する際に用いられる製造装置においても、膜厚分布を
改良するために、マグネットの配置や、ガス噴出口の最
適化などを行っている。しかしながら、このような最適
化による膜厚分布の改良には限界がある。特に、ターゲ
ットの使用時間に応じて、エロージョンと呼ばれる溝が
生じるため、その膜厚分布はさらに悪くなってしまう。

【００１８】したがって、この発明の目的は、ディスク
基板上に積層膜を成膜する際に、それぞれの膜の各膜厚
における膜厚分布を改良することができ、製造される光
学記録媒体の記録特性などの特性を向上させることがで
きる光学記録媒体の製造装置および光学記録媒体の製造
方法を提供することにある。

【００１９】また、この発明の他の目的は、複数層の誘
電体膜を積層する際にそれらの誘電体からなる積層膜の
膜厚分布を、成膜される領域においてほぼ均一にするこ
とにより、誘電体からなる膜を積層させる際にその積層
された誘電体膜の膜厚均一性を向上させ、誘電体膜を用
いる種々の装置、媒体において、良好な誘電体膜を得る
ことができる誘電体膜の成膜装置を提供することにあ
る。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、基板の一主面上に、情報
信号を記録可能および／または再生可能に構成された、
積層構造の情報信号層を有し、情報信号層を構成する積
層膜の部分の、複数層からなる膜を順次成膜可能に構成
された光学記録媒体の製造装置であって、複数層からな
る膜を順次それぞれ成膜可能に構成された複数の成膜手
段を有し、複数の成膜手段が、成膜手段によって成膜さ
れる膜の膜厚分布が、互いに補間するように構成されて
いることを特徴とするものである。

【００２１】この第１の発明において、製造タクトを向
上させるために、典型的には、複数層からなる膜は、第
１の誘電体膜と第２の誘電体膜とが順次積層されて構成
されている。そして、この第１の発明において、好適に
は、第１の誘電体膜と第２の誘電体膜とが互いに同種の
材料から構成されている。また、このときの材料として
は、好適には、窒化シリコン、または硫化亜鉛と酸化シ
リコンとの混合体である。また、この第１の発明におい
て、典型的には、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜
がレーザ光を透過可能に構成されている。

【００２２】この第１の発明において、複数層からなる
膜は、第１の誘電体膜と第２の誘電体膜とが順次積層さ
れて構成されており、この第１の誘電体膜と第２の誘電
体膜とが互いに異なる材料から構成されている。また、
このときの材料としては、窒化シリコン、または硫化亜
鉛と酸化シリコンとの混合体である。

【００２３】この第１の発明において、典型的には、情
報信号の記録／再生に用いられるレーザ光の波長は、４
００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下である。

【００２４】この第１の発明において、典型的には、情
報信号の記録／再生の際に用いられる対物レンズの開口
数が０．６０以上０．８５以下である。

【００２５】この第１の発明において、典型的には、情
報信号の記録／再生の際に用いられる対物レンズは、超
半球状レンズまたはソリッドイマージョンレンズであ
る。

【００２６】この第１の発明において、典型的には、成
膜手段は、スパッタリングチャンバであり、スパッタリ
ングチャンバに設置されるスパッタリング用ターゲット
が１つである。そして、このようにスパッタリングチャ
ンバに１つのターゲットを設置して、１枚のディスク基
板に膜を成膜する場合には、典型的には、ディスク基板
とスパッタリング用ターゲットとを互いに対向させると
ともに、ディスク基板の一主面に垂直な方向のディスク
基板の中心軸と、スパッタリング用ターゲットの固着面
に垂直な方向のスパッタリング用ターゲットの中心軸と
が互いに重なるように配置した状態で、膜を成膜するよ
うに構成されている。

【００２７】この第１の発明において、典型的には、成
膜手段は枚葉式である。また、一方で、この第１の発明
において、好適には、成膜手段が複数のディスク基板に
同時に成膜を行うように構成されている。

【００２８】この第１の発明において、典型的には、情
報信号層が、下層誘電体膜、情報信号を記録可能に構成
された記録膜、上層誘電体膜、および情報信号の記録／
再生に用いられるレーザ光を反射可能に構成された反射
膜が順次積層されて構成され、レーザ光をディスク基板
側から情報信号層に向けて照射することにより、情報信
号を記録可能および／または再生可能に構成されてい
る。そして、典型的には、この複数層からなる膜は、光
学記録媒体における反射率に大きな影響を及ぼすので、
より高い平坦性を保つことによって、その成膜領域の反
射率を一定にするために、この複数層からなる膜は下層
誘電体膜である。

【００２９】この第１の発明において、典型的には、情
報信号層が、情報信号の記録／再生に用いられるレーザ
光を反射可能に構成された反射膜、下層誘電体膜、情報
信号を記録可能に構成された記録膜、および上層誘電体
膜が順次積層されて構成され、レーザ光を上層誘電体膜
側から情報信号層に向けて照射することにより、情報信
号を記録可能および／または再生可能に構成されてい
る。そして、この第１の発明において、好適には、複数
層からなる膜は、光学記録媒体における反射率に大きな
影響を及ぼすので、より高い平坦性を保つことによっ
て、その成膜領域の反射率を一定にするために、上層誘
電体膜である。

【００３０】この第１の発明において、アルミニウム合
金における熱伝導率の制御を容易に行うとともに、十分
な耐食性を確保するために、典型的には、添加物は銅で
あり、添加物の含有率は、０．５重量パーセント以上
１．５重量パーセント以下である。

【００３１】この発明の第２の発明は、基板の一主面上
に、情報信号を記録可能および／または再生可能に構成
された、積層構造の情報信号層を構成する積層膜の部分
の、複数層からなる膜を、複数の成膜手段を用いて順次
成膜するようにした光学記録媒体の製造方法であって、
複数層からなる膜を、複数の成膜手段における個々の成
膜手段によって成膜される膜の膜厚分布が互いに補間す
るように、順次成膜するようにしたことを特徴とするも
のである。

【００３２】この第２の発明において、典型的には、複
数層の膜が、第１の誘電体膜と第２の誘電体膜との２層
の誘電体膜である。また、好適には、第１の誘電体膜と
第２の誘電体膜とが互いに同種の材料からなる。そし
て、この材料は、窒化シリコン、または硫化亜鉛と酸化
シリコンとの混合体であるが、その他の材料を用いるこ
とも可能である。

【００３３】この第２の発明において、典型的には、第
１の誘電体膜と第２の誘電体膜とが互いに異なる材料か
らなる。このとき、この材料としては、窒化シリコン、
または硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体である。

【００３４】この第２の発明において、好適には、複数
層からなる膜が、レーザ光を透過可能に構成されてい
る。

【００３５】この第２の発明において、好適には、情報
信号の記録／再生に用いられるレーザ光の波長は４００
ｎｍ以上６５０ｎｍ以下である。

【００３６】この第２の発明において、好適には、情報
信号の記録／再生の際に用いられる対物レンズの開口数
は、０．６０以上０．８５以下である。

【００３７】この第２の発明において、好適には、情報
信号の記録／再生の際に用いられる対物レンズは、超半
球状レンズまたはソリッドイマージョンレンズである。

【００３８】この第２の発明において、好適には、成膜
手段がスパッタリングチャンバであり、このスパッタリ
ングチャンバに設置されるスパッタリング用ターゲット
は、好適には１つである。そして、この第２の発明にお
いて、典型的には、ディスク基板とスパッタリング用タ
ーゲットとを互いに対向させるとともに、ディスク基板
の一主面に垂直な方向のディスク基板の中心軸と、スパ
ッタリング用ターゲットの固着面に垂直な方向のスパッ
タリング用ターゲットの中心軸とが互いに重なるように
配置した状態で、膜を成膜する。

【００３９】この第２の発明において、典型的には、情
報信号層は、下層誘電体膜、情報信号を記録可能に構成
された記録膜、上層誘電体膜、および情報信号の記録／
再生に用いられるレーザ光を反射可能に構成された反射
膜が順次積層されて構成され、レーザ光をディスク基板
側から情報信号層に向けて照射することにより、情報信
号を記録可能および／または再生可能に構成されてい
る。そして、この複数層からなる膜は、下層誘電体膜で
ある。

【００４０】この第２の発明において、好適には、情報
信号層は、情報信号の記録／再生に用いられるレーザ光
を反射可能に構成された反射膜、下層誘電体膜、情報信
号を記録可能に構成された記録膜、および上層誘電体膜
が順次積層されて構成され、レーザ光を上層誘電体膜側
から情報信号層に向けて照射することにより、情報信号
を記録可能および／または再生可能に構成されている。
また、好適には、複数層からなる膜は上層誘電体膜であ
る。

【００４１】この第２の発明において、好適には、成膜
手段は枚葉式である。一方で、この第２の発明におい
て、成膜手段は、複数のディスク基板に同時に成膜を行
うように構成されている。

【００４２】この第２の発明において、銀合金における
熱伝導率の制御を容易に行うとともに、十分な耐食性を
確保するために、典型的には、添加物は、カルシウム
（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、鉄（Ｆｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群より選ば
れた少なくとも１種類の元素であり、良好な信号特性
と、十分な耐食性を確保するために、好適には、添加物
の含有率は、０．５重量パーセント以上３．３重量パー
セント以下である。

【００４３】この第１および第２の発明において、平面
円環状の光学記録媒体において、内周部の熱伝導率を増
加させるとともに、外周部の熱伝導率を内周部に比して
低くするために、反射膜の外周部における添加物の添加
量を、反射膜の内周部における添加物の添加量より多く
する。そして、角速度一定で情報信号の記録／再生を行
う場合に良好に信号特性を確保するために、好適には、
この反射膜に添加された添加物の添加量を、ディスク基
板の半径方向に沿って、反射膜の内周部から外周部に向
けて増加させる。

【００４４】この第１および第２の発明において、従来
のＤＶＤ−ＲＷなどの光学記録媒体よりも大容量化する
ために、典型的には、ディスク基板の一主面に凹凸の溝
トラックが形成されており、溝トラックのトラックピッ
チは０．７４μｍ以下である。また、溝トラックのトラ
ックピッチは、照射されるレーザ光のスポット径などに
よって決定され、好適には、トラックピッチは、０．２
４μｍ以上である。

【００４５】この第１および第２の発明において、光学
記録媒体を書換可能または追記可能とするために、典型
的には、記録膜は、少なくとも２つの可逆的な状態の変
化により情報信号を記録可能に構成されており、好適に
は、記録膜は、結晶相と非晶質相との相変化（相転移）
により情報信号を記録可能に構成された相変化材料から
なる。

【００４６】この第１および第２の発明において、６５
０ｎｍ程度のレーザ光を用いて情報信号の記録および／
または再生を行うために、具体的には、ディスク基板の
一主面上に、下層誘電体膜、記録膜、上層誘電体膜およ
び反射膜が順次積層されて構成された情報信号層が設け
られ、ディスク基板の一主面とは反対側の他主面から情
報信号層に向けてレーザ光を照射することにより、情報
信号層に対して情報信号を記録可能および／または再生
可能に構成されている。また、情報信号の記録／再生に
寄与する情報信号層を保護するために、典型的には、デ
ィスク基板の一主面上における情報信号層上に接着層を
介して保護層が設けられている。また、このように構成
された光学記録媒体を２枚用いて、それらの保護層側
を、接着剤を介して貼り合わせることにより、両面記録
型の光学記録媒体を構成することも可能である。また、
上述のように構成された光学記録媒体と、記録／再生す
るための情報信号層を有しないダミーディスクとを用い
て、これらを貼り合わせることにより、片面記録型の光
学記録媒体を構成することも可能である。

【００４７】この第１および第２の発明において、レー
ザ光の波長がより短波長化され、対物レンズがより高開
口数（ＮＡ）化された光学ピックアップを用いて情報信
号の記録／再生を行うために、好適には、この第１およ
び第２の発明による光学記録媒体は、ディスク基板の一
主面上に、反射膜、下層誘電体膜、記録膜および上層誘
電体膜が順次積層されて構成された情報信号層が設けら
れ、ディスク基板に対して情報信号層が存在する側か
ら、この情報信号層に向けてレーザ光を照射することに
より、情報信号を記録可能および／または再生可能に構
成されている。また、レーザ光の波長がより短波長化さ
れ、対物レンズがより高開口数（ＮＡ）化された光学ピ
ックアップを用いて情報信号の記録／再生を行う際に、
光学ヘッドから情報信号層を保護するために、ディスク
基板の一主面上における情報信号層上に接着層を介し
て、少なくともレーザ光を透過可能な光透過保護層が設
けられている。

【００４８】この発明の第３の発明は、基板の一主面上
に、複数の誘電体膜を順次成膜可能に構成された誘電体
膜の成膜装置であって、複数の誘電体膜の成膜にそれぞ
れ用いられる複数の成膜手段を有し、複数の成膜手段に
おける誘電体膜の膜厚分布特性が、それぞれの成膜手段
において互いに補正し合うように構成されていることを
特徴とするものである。

【００４９】この第３の発明において、典型的には、複
数の誘電体膜が互いに同種の材料からなり、好ましい具
体例は、材料は、窒化シリコン（ＳｉＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄）、
または硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体（ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂）である。なお、言うまでもなく、材料として
は、上述の材料に限定するものではなく、その他の材料
を用いることが可能である。

【００５０】この第３の発明において、典型的には、複
数の誘電体膜が２層の誘電体膜からなる。そして、典型
的には、複数の成膜手段として、第１の成膜手段により
基板上に第１の誘電体膜を成膜した場合の膜厚分布特性
と、第２の成膜手段により基板上に第２の誘電体膜を成
膜した場合の膜厚分布特性とが、互いに補間し合うよう
に第１の成膜手段と第２の成膜手段とを選択する。ま
た、他方、２層の誘電体膜は、互いに異なる材料から構
成することも可能であり、この場合、材料の具体例は、
窒化シリコン、または硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合
体である。

【００５１】この第３の発明において、典型的には、複
数の誘電体膜は、レーザ光を透過可能に構成されてい
る。

【００５２】この第３の発明において、典型的には、成
膜手段がスパッタリングチャンバであり、スパッタリン
グチャンバに設置されるスパッタリング用ターゲット
は、１つである。そして、このとき、１枚の基板と１つ
のスパッタリング用ターゲットとを互いに対向させると
ともに、基板の一主面に垂直な方向の基板の中心軸と、
スパッタリング用ターゲットの固着面に垂直な方向のス
パッタリング用ターゲットの中心軸とが互いに重なるよ
うに配置した状態で、誘電体膜を成膜可能に構成されて
いる。

【００５３】この第３の発明において、典型的には、成
膜手段は枚葉式に構成されているか、または、成膜手段
が複数の基板に同時に成膜を行うように構成されてい
る。

【００５４】この発明において、典型的には、光透過性
シートの材料として使用されるポリカーボネート樹脂
は、二価フェノール系（例えばビスフェノールＡ）を酸
結合剤（例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）など）の
存在下、ホスゲンと反応させることにより合成されるホ
スゲン法によって製造されるものであり、具体的には、
通常のポリカーボネート樹脂のほか、分岐化剤としてフ
ェノール性水酸基を有する分岐化ポリカーボネート、末
端停止剤として長鎖アルキル酸クロライドもしくは長鎖
アルキルエステル置換フェノールなどの末端長鎖アルキ
ルポリカーボネート樹脂、上述の分岐剤および末端停止
剤をともに用いた末端長鎖アルキル分岐ポリカーボネー
ト樹脂、さらにこれらの混合物などが使用される。そし
て、これらのポリカーボネート樹脂は、押し出し装置に
投入され、ヒータなどの加熱装置によって溶融してシー
ト状に押し出され、複数個の冷却ロールを用いることに
より、シート状に形成される。

【００５５】この発明において、典型的には、記録膜の
全体もしくは部分を構成する記録材料は、レーザ光の照
射により可逆的な状態変化を生じる材料からなる。特
に、非晶質状態と結晶状態との間において、可逆的相変
化（相転移）を生じる相変化材料が好ましく、カルゴゲ
ン化合物または単体のカルゴゲンなどの、公知のものが
いずれも使用可能である。具体的には、テルル（Ｔ
ｅ）、セレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム・アンチモン・テ
ルル（Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ）、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、
インジウム・アンチモン・テルル（Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ）、銀・インジウム・アンチモン・テルル（Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ）、金・インジウム・アンチモン・テル
ル（Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ）、ゲルマニウム・アンチ
モン・テルル・パラジウム（Ｇｅ−Ｓｂ―Ｔｅ−Ｐ
ｄ）、ゲルマニウム・アンチモン・テルル・セレン（Ｇ
ｅ−Ｓｂ―Ｔｅ−Ｓｅ）、インジウム・アンチモン・セ
レン（Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ）、ビスマス・テルル（Ｂｉ−
Ｔｅ）、ビスマス・セレン（Ｂｉ−Ｓｅ）、Ｓｂ−Ｓ
ｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、ゲルマニウム・アンチモ
ン・テルル・コバルト（Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ）、ま
たはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、あるいはこれら
の系に窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）などのガス添加物を導入
した系などを挙げることができる。これらのうち、特に
好ましいのは、Ｓｂ−Ｔｅ系を主成分とするものであ
り、このＳｂ−Ｔｅ系を主成分としたものに、例えばＳ
ｅ、Ｐｄ、Ｇｅ、またはＩｎなどの任意の元素を添加し
たものを用いるのが好ましい。

【００５６】また、この発明において、記録膜として相
変化記録膜を用いた場合、レーザ光の強弱により非晶質
（アモルファス）状態と結晶状態の間を可逆的に相変化
（相転移）させることができる。そして、この非晶質状
態と結晶状態との２つの状態変化による反射率などの光
学的変化を利用して、記録、再生、消去などを行った
り、消去を行わずに直接上書き（オーバーライト）など
を行ったりすることができる。通常、記録膜を成膜した
後、いったん結晶化して初期化（フォーマット）を行
い、その後に記録／再生を行うようにする。

【００５７】この発明は、例えば、ＤＶＲ(Digital Vid
eo Recording system)などの、薄い光透過層を有する光
ディスクに適用することができ、発光波長が６５０ｎｍ
程度の半導体レーザを用いて情報信号の記録や再生を行
うように構成された、いわゆるＤＶＲ−ｒｅｄや、発光
波長が４００ｎｍ程度の半導体レーザを用いて情報信号
の記録や再生を行うように構成された、いわゆるＤＶＲ
−ｂｌｕｅなどの光ディスクに適用することが可能であ
る。このＤＶＲは、好ましくは、２個のレンズを直列に
組み合わせることによりＮＡを０．８５以上にまで高め
た対物レンズを用いて、情報信号を記録可能に構成され
ており、具体的には、片面で２２ＧＢ程度の記憶容量を
有する。また、このＤＶＲなど、この発明の適用が好ま
しい光ディスクは、好適にはカートリッジに納められて
いるが、この発明の適用は、必ずしもカートリッジに納
められているものに限定されるものではない。

【００５８】上述のように構成された第１および第２の
発明による光学記録媒体の製造装置および光学記録媒体
の製造方法によれば、複数層からなる膜を順次それぞれ
成膜可能に構成された複数の成膜手段を有し、複数の成
膜手段が、個々の成膜手段によって成膜される膜の膜厚
分布が、互いに補間するように構成されているので、複
数の成膜手段を用いて、複数層からなる膜を成膜する際
に、その膜厚分布を均一にすることができる。

【００５９】また、上述のように構成された第３の発明
による誘電体膜の成膜装置によれば、複数の誘電体膜の
成膜にそれぞれ用いられる複数の成膜手段における誘電
体膜の膜厚分布特性が、それぞれの成膜手段において互
いに補正し合うように構成されていることにより、同
種、異種に限らず、複数の誘電体膜を順次成膜する場合
に、その膜厚分布を相互に補正し合うことができ、膜厚
分布を均一にすることができる。

【００６０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。

【００６１】次に、この発明の一実施形態による光学記
録媒体について説明する。図１に、この一実施形態によ
る光ディスクを示す。

【００６２】図１に示すように、この一実施形態による
相変化型の光ディスク１においては、ディスク基板２の
一主面上に、反射膜３、下層誘電体膜４、記録膜５およ
び上層誘電体膜６が順次積層されて構成された情報信号
層７が設けられている。また、このディスク基板２の一
主面上の情報信号層７における、ディスク基板２が存在
する側とは反対側の主面に、接着層８および光透過性シ
ート９が順次積層された光透過層１０が設けられてい
る。以上のようにして、ディスク基板２の一主面上に情
報信号層７および光透過層１０が順次設けられ、この一
実施形態による光ディスク１が構成されている。また、
この光ディスク１において、記録／再生用のレーザ光Ｌ
₁は、ディスク基板２に対して光透過層１０が設けられ
た側から照射される。また、この光ディスク１は、その
一主面に形成された凹凸の双方に情報信号が記録され
る、いわゆるランド・グルーブ記録方式を採用した光デ
ィスクである。

【００６３】ディスク基板２は、例えばポリカーボネー
ト系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂など
の、低コスト化に優れたプラスチック材料からなる。こ
れらの材料のうち、ポリカーボネート（ＰＣ）を用いる
場合には、熱膨張係数が７．０×１０^-5程度で、曲げ弾
性率が２．４×１０⁴程度のものが用いられる。また、
シクロオレフィンポリマーなどの低吸水性のポリオレフ
ィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））を用い
る場合には、熱膨張係数が６．０×１０^-5程度で、曲げ
弾性率が２．３×１０⁴程度のものが用いられる。な
お、この一実施形態による光ディスク１は、ディスク基
板２に対して、薄い光透過層１０が設けられた側からレ
ーザ光を照射することにより、情報信号の記録／再生を
行うように構成されている。そのため、ディスク基板２
としては、透過性を有するか否かを考慮する必要がない
ので、例えばＡｌなどの金属からなる基板を用いること
も可能である。また、このディスク基板２の作製は、例
えば、射出成形法や紫外線硬化樹脂を用いた２Ｐ法によ
り行われる。また、ディスク基板２の厚さは、０．３〜
１．３ｍｍから選ばれ、この一実施形態においては、例
えば１．１ｍｍに選ばれる。これは、ディスク基板の厚
さが０．３ｍｍより小さいと、光ディスク１自体の強度
が下がったり、反りやすくなったりするためである。他
方、ディスク基板２の厚さが１．３ｍｍより大きいと、
光ディスク１の厚みが、ＣＤやＤＶＤなどの光ディスク
の厚さ（約１．２ｍｍ）に比して大きくなってしまい、
ＣＤやＤＶＤと、この一実施形態による光ディスクとの
両方に対応する駆動装置の商品化を考慮すると、同じデ
ィスクトレイを共用できなくなる可能性があるためであ
る。

【００６４】また、ディスク基板２は、その中央部にセ
ンターホール（図示せず）が形成された平面円環形状を
有する。そして、ディスク基板２の内径（センターホー
ルの径）は例えば１５ｍｍ、外径は例えば１２０ｍｍで
ある。なお、このディスク基板２の情報信号層７が形成
される一主面には、ランドおよびグルーブからなる凹凸
の溝トラック（図示せず）が形成されている。この凹凸
の溝トラックにおけるトラックピッチＴｐは、例えば
０．３μｍである。また、溝トラックの形状において
は、スパイラル状、同心円状、ピット列などの様々な形
状とすることが可能である。そして、このような溝トラ
ックによる案内により、光ディスク１を回転させてレー
ザスポットを任意の位置に移動可能に構成されている。

【００６５】また、反射膜３は、例えば金属や半金属か
らなる。そして、反射膜３における反射機能を考慮する
と、反射膜３の材料としては、記録再生用に用いられる
レーザ光の波長に対して反射能を有するとともに、熱伝
導率が例えば４．０×１０^-2〜４．５×１０²Ｊ／ｍ・
Ｋ・ｓ（４．０×１０^-4〜４．５Ｊ／ｃｍ・Ｋ・ｓ）の
範囲内の値を有する金属元素、半金属元素、およびこれ
らの化合物または混合物からなることが好ましい。すな
わち、反射膜３の材料としては、具体的には、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの単体を
主成分とする合金を挙げることができる。そして、実用
性の面を考慮すると、これらのうちのＡｌ系、Ａｇ系、
Ａｕ系、Ｓｉ系またはＧｅ系の材料が好ましい。また、
反射膜３の材料として合金を用いる場合には、例えば、
ＡｌＣｕ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＣｏ、ＡｌＭｇＳ
ｉ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＰｄＴｉ、ＡｇＣｕＴｉ、Ａｇ
ＰｄＣａ、ＡｇＰｄＭｇ、ＡｇＰｄＦｅ、ＡｇまたはＳ
ｉＢなどが好ましい。さらに、反射膜３の材料は、光学
特性および熱特性を考慮して設定される。すなわち、一
般的に、反射膜３の膜厚を、レーザ光Ｌ₂が透過しない
程度の大きさ（例えば５０ｎｍ以上）に設定すると、反
射率が高くなるとともに、放熱性が向上する。特に、Ａ
ｌ系の材料やＡｇ系の材料は、波長λが４００ｎｍ程度
の青色レーザ光の照射に対して、その反射率が８０％以
上になるなど、レーザ光が短波長の場合においても高い
反射率を有するため、Ａｌを主成分とした合金またはＡ
ｇを主成分とした合金が好ましい。以上のことから、こ
の一実施形態においては、反射膜３として、例えばＡｇ
合金を用いる。また、反射膜３の膜厚は、記録膜５に生
じる熱の拡散、すなわち熱冷却特性を十分確保し、ジッ
ター特性を良好に保つとともに、反射膜３に生じる応力
により、スキューなどの機械的特性に与える影響を最小
限に抑える観点から設定され、具体的には、５０〜２０
０ｎｍから選ばれ、この一実施形態においては、例えば
１２０ｎｍに選ばれる。

【００６６】また、下層誘電体膜４および上層誘電体膜
６は、記録再生用レーザ光に対して、吸収能が低い材料
から構成され、具体的には、消衰係数ｋの値が０．３以
下の材料から構成することが好ましい。この一実施形態
においては、下層誘電体膜４および上層誘電体膜６とし
て、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂（特に、モル比が約４：
１）が用いられる。また、下層誘電体膜４の膜厚は、例
えば１４ｎｍであり、上層誘電体膜６の膜厚は、例えば
１４０ｎｍである。

【００６７】また、記録膜５は、この光ディスク１とし
て相変化型の光ディスクを採用する場合、相変化記録材
料からなり、この一実施形態においては、例えばＳｂＴ
ｅ系材料、具体的にはＳｂＴｅからなる。また、記録膜
５の膜厚は、例えば１２ｎｍである。

【００６８】また、情報信号層７上に設けられた接着層
８は、例えば感圧性粘着剤や紫外線硬化樹脂などからな
る。そして、情報信号層７の経時変化を防止するため
に、好ましくは、接着層８の半径方向における外周端
は、情報信号層７における半径方向の外周端より０．５
ｍｍ以上外周側になるように設けられる。

【００６９】また、情報信号層７上に接着層８を介して
形成された光透過性シート９は、記録／再生に用いられ
るレーザ光に対して、吸収能が低い材料から構成するこ
とが好ましく、レーザ光の透過率が９０％以上の材料か
ら構成することがより望ましい。具体的には、光透過性
シート９は、例えばポリカーボネート樹脂材料やポリオ
レフィン系樹脂から構成された平面円環状のシート状基
材からなる。具体的には、ポリカーボネート（ＰＣ）を
用いる場合、熱膨張係数が７．０×１０^-5程度、曲げ弾
性率が２．４×１０⁴程度の材料が用いられ、ポリオレ
フィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））を用
いる場合、熱膨張係数が６．０×１０^-5程度、曲げ弾性
率が２．３×１０⁴程度の材料が用いられる。また、こ
の光透過性シート９の厚さは、３〜１７７μｍの範囲内
から選ばれ、この一実施形態においては、接着層８との
合計の厚さが例えば１００μｍになるように選ばれる。
また、このような薄い光透過層と、０．８５程度の高Ｎ
Ａ化された対物レンズとを組み合わせることによって、
高密度記録を実現することができる。なお、この一実施
形態による光透過性シート９は、ポリカーボネート樹脂
を押出機に投入し、このポリカーボネート樹脂をヒータ
（図示せず）を用いて２５０〜３００℃の温度で溶融さ
せ、複数個の冷却ロールを用いてシート状に成形され、
ディスク基板２に合わせた形状に裁断することにより形
成されたものである。

【００７０】また、以上のように構成された光ディスク
１の作成方法としては、大きく分けて以下の２つの方法
を用いることができる。

【００７１】第１の方法は、案内溝が形成された支持基
板上に多層膜を積層し、最後に平滑な光透過保護層を形
成する方法である。光透過保護層の形成方法としては、
例えば厚さ１００μｍ以下のポリカーボネート系樹脂や
ポリオレフィン系樹脂などからなる光学的に十分平滑な
光透過性のシート（フィルム）を、紫外線硬化樹脂を接
着剤とし紫外線照射により貼り合わせる方法、または粘
着性の機能を有する感圧性粘着剤を介し貼り合わせる方
法を用いることができる。

【００７２】また、第２の方法は、案内溝が形成された
光透過保護層上に多層膜を積層し、最後に平滑なディス
ク基板２を形成する方法である。なお、厚さ１００μｍ
以下の光透過保護層に凹凸の溝トラックを形成する方法
としては、射出成形法、２Ｐ法、または圧着および加圧
により凹凸を転写する方法などを用いることができる。

【００７３】以上のような２つの方法のうち、光透過保
護層上に凹凸を形成する工程または多層膜を成膜する工
程は必ずしも容易ではないので、量産性を考慮すると第
１の方法を用いることが望ましい。以下に、上述の２つ
の方法のうちの、第１の方法による光ディスク１の製造
方法について説明する。まず、この第１の方法による成
膜に用いられるスパッタリング装置について説明する。

【００７４】すなわち、この一実施形態による光ディス
ク１の製造に用いられるスパッタリング装置は、基板自
転可能な枚葉式の静止対向型スパッタリング装置であ
る。まず、ここで、図２に、この一実施形態による静止
対向型のＤＣスパッタリング装置を示す。また、この静
止対向型のスパッタリング装置は、１つのターゲットを
用い、１枚のディスク基板２上に薄膜を成膜する枚葉式
のスパッタリング装置である。

【００７５】図２に示すように、この一実施形態による
スパッタリング装置においては、成膜室となる真空チャ
ンバ２１、この真空チャンバ２１内の真空状態を制御す
る真空制御部２２、プラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３、
このプラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３と電源ライン２４
を通じて接続されているスパッタリングカソード部２
５、このスパッタリングカソード部２５と所定の距離を
持って対向配置されているパレット２６および、Ａｒな
どの不活性ガスや反応ガスといったスパッタガスを真空
チャンバ２１内に供給するためのスパッタガス供給部２
７を有して構成されている。

【００７６】スパッタリングカソード部２５において
は、負電極として機能するＡｌＣｕ合金や、ＳｂＴｅ合
金や、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂などのターゲット材料からなる
ターゲット２８、このターゲット２８を固着するように
構成されたバッキングプレート２９および、このバッキ
ングプレート２９のターゲット２８が固着される面とは
反対側の面に設けられた磁石系３０から構成されてい
る。また、正電極として機能するパレット２６と、負電
極として機能するターゲット２８とから、一対の電極が
構成されている。パレット２６上には、スパッタリング
カソード部２５と対向して被成膜体であるディスク基板
２が内周マスク３１と外周マスク３２とにより、ディス
クベース３３を間にはさんで取り付けられている。ま
た、パレット２６のディスクベース３３が取り付けられ
る面とは反対側の面に、パレット２６を、ディスク基板
２の面内方向に回転させ、これによってディスク基板２
を自転させるための基板自転駆動部３４が連動可能に設
けられている。

【００７７】また、この一実施形態によるスパッタリン
グ装置２０において、図３Ａに示すような平面円環状を
有する被成膜体としてのディスク基板２と、図３Ｂに示
すような円板形状を有する成膜材料からなるターゲット
２８とは、図３Ｃに示すように、それらの平面的な位置
関係において、ディスク基板２の中心Ｏと、ターゲット
２８の中心Ｏ′とがほぼ一致するように配置される。ま
た、ディスク基板２は、図２に示す基板自転駆動部３４
により、その中心Ｏの周りで自転させることができるよ
うに構成されている。

【００７８】以上のようにして、この一実施形態におけ
る光ディスクの製造に用いられるスパッタリング装置が
構成されている。

【００７９】上述した図２に示すＤＣスパッタリング装
置を使用する際においては、まず、真空制御部２２によ
り、真空チャンバ２１内を、スパッタリングに好ましい
所定の真空状態になるまで排気を行う。

【００８０】次に、スパッタガス供給部２７により、真
空チャンバ２１内に、例えばＡｒガスやＮ₂ガスなどの
スパッタガスを、所定の圧力になるまで導入する。その
後、この状態において、プラズマ放電用ＤＣ高圧電源２
３より、バッキングプレート２９に所定の負電位を印加
することによって、ターゲット２８に所定の負電位を印
加する。これにより一対の電極を形成するパレット２６
とバッキングプレート２９との間に電界が生じ、グロー
放電が発生する。このグロー放電によって、イオン化し
たＡｒガスがターゲット２８をスパッタリングする。こ
れにより、ターゲット２８からターゲット材料が原子な
どの状態となって叩き出される。この叩き出されたター
ゲット材料は、ターゲット２８に対向して配置されたパ
レット２６に取り付けられたディスク基板２表面に堆積
する。この堆積を所定の時間継続させることにより、デ
ィスク基板２上に所望の材料からなる薄膜が形成され
る。

【００８１】この一実施形態による光ディスクの製造に
おいては、ディスク基板２上に反射膜３、下層誘電体膜
４、記録膜５、および２層の誘電体膜からなる上層誘電
体膜６を順次成膜する際には、それらの界面を清浄に保
つために、以上のように構成されたＤＣスパッタリング
チャンバを複数台、この一実施形態においては、６台の
第１〜第６のＤＣスパッタリングチャンバを用いて、情
報信号層７を構成する膜を順次成膜する。なお、以下の
製造プロセスにおいて、各層の成膜にそれぞれ用いられ
るスパッタリングチャンバの符号に関しては、上述した
ＤＣスパッタリング装置２０におけると同様の符号を用
いる。

【００８２】さて、この一実施形態による光ディスクの
製造方法においては、まず、ＰＣ基板などのディスク基
板２を、真空チャンバ２１に、例えばＡｇＭ（Ｍ：添加
物）からなるターゲット２８が設置された第１のスパッ
タリング装置に搬入し、パレット２６に固定する。次
に、スパッタガスとして例えばＡｒガスを用いたスパッ
タリング法により、ディスク基板２の一主面上にＡｇ合
金を成膜する。これにより、ディスク基板２の一主面上
にＡｇ合金からなる反射膜３が形成される。また、並行
して、他のディスク基板２の一主面上に、第１のスパッ
タリング装置におけると同様の、Ａｇ合金ターゲットが
設置された第２のスパッタリング装置を用いて、Ａｇ合
金からなる反射膜３を形成する。

【００８３】次に、反射膜３が形成されたディスク基板
２を、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲット２８が設置
された第２のスパッタリング装置に搬入し、パレット２
６に固定する。次に、真空チャンバ２１内の圧力を、例
えば１．０×１０^-4Ｐａ程度まで真空引きする。その
後、真空チャンバ２１内に例えばＡｒガスなどの不活性
ガスを導入しつつ、スパッタリングを行うことにより、
反射膜３上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜する。これによ
り、反射膜３上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる下層誘電
体膜４が形成される。その後、このＺｎＳ−ＳｉＯ₂か
らなるターゲット２８が設置された真空チャンバ２１か
ら、下層誘電体膜４が形成されたディスク基板２を搬出
する。

【００８４】次に、反射膜３および下層誘電体膜４が形
成されたディスク基板２を、相変化記録材料としてのＳ
ｂＴｅ合金からなるターゲット２８が設置された真空チ
ャンバ２１内に搬入し、パレット２６に固定する。次
に、この真空チャンバ２１内の圧力を、例えば１．０×
１０^-4Ｐａ程度にまで真空引きする。その後、真空チャ
ンバ２１内に例えばＡｒガスなどの不活性ガスを導入し
つつ、下層誘電体膜４上にＳｂＴｅを成膜する。これに
より、下層誘電体膜４上にＳｂＴｅ合金からなる記録膜
５が形成される。その後、ＳｂＴｅ合金ターゲットが設
置されている真空チャンバ２１から、記録膜５まで形成
されたディスク基板２を搬出する。

【００８５】その後、反射膜３から記録膜５まで順次積
層されたディスク基板２上に、スパッタリング法によ
り、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる上層誘電体膜６を
形成する。このとき、この上層誘電体膜６は、下層誘電
体膜４や記録膜５に比して、その膜厚が非常に大きいの
みならず、反射膜３を構成するＡｇ合金などの成膜に比
べてもその成膜速度が小さい。そのため、上層誘電体膜
６を成膜する時間は非常に長くなり、結果的に、ディス
ク基板２上における情報信号層７の形成は、上層誘電体
膜６の成膜時間に律速されてしまう。そこで、上層誘電
体膜６は少なくとも２回に分けて成膜するのが望まし
い。このとき、各スパッタリング装置において成膜する
膜の膜厚は、互いにほぼ等しくなるように設定するのが
好ましい。なお、上層誘電体膜６の所望とする膜厚、そ
の材料の成膜速度に応じて、これらを最適化し、上層誘
電体膜６を構成する複数の膜の成膜時間が、情報信号層
７における他の膜の成膜時間に近くなるようにする。こ
れにより、情報信号層７を構成する積層膜の各膜におけ
る成膜時間を最小限にすることができる。

【００８６】すなわち、まず、反射膜３、下層誘電体膜
４および記録膜５が順次積層されたディスク基板２を、
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲット２８が設置された
真空チャンバ２１内に搬入し、パレット２６に固定す
る。次に、この真空チャンバ２１内の圧力を、例えば
１．０×１０^-4Ｐａ程度まで真空引きする。その後、真
空チャンバ２１内に例えばＡｒガスなどの不活性ガスを
導入しつつ、スパッタリングを行うことによって、記録
膜５上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜する。これにより、記
録膜５上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第１の上層誘電体
膜６ａが形成される。このとき、第１の上層誘電体膜６
ａは、所望とする上層誘電体膜６の膜厚に対して、ほぼ
中間の膜厚に成膜する。その後、真空チャンバ２１か
ら、一主面上に反射膜３から第１の上層誘電体膜６ａが
順次積層されたディスク基板２を搬出する。

【００８７】その後、反射膜３、下層誘電体膜４、記録
膜５および第１の上層誘電体膜６ａが順次積層されたデ
ィスク基板２を、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲット
２８が設置された真空チャンバ２１内に搬入し、パレッ
ト２６に固定する。次に、この真空チャンバ２１内の圧
力を、例えば１．０×１０^-4Ｐａ程度まで真空引きす
る。その後、真空チャンバ２１内に例えばＡｒガスなど
の不活性ガスを導入しつつ、スパッタリングを行うこと
によって、第１の上層誘電体膜６ａ上にＺｎＳ−ＳｉＯ
₂を成膜する。これにより、第１の上層誘電体膜６ａ上
にＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の上層誘電体膜６ｂが
形成され、第１の上層誘電体膜６ａおよび第２の上層誘
電体膜６ｂからなる上層誘電体膜６が形成される。その
後、真空チャンバ２１から、一主面上に反射膜３から上
層誘電体膜６が順次積層されたディスク基板２を搬出す
る。

【００８８】以上により、ディスク基板２の一主面上に
情報信号層７が形成される。

【００８９】その後、例えばブロッキング現象や気泡混
入の防止が図られた所定の貼り合わせ装置を用いて、平
面円環形状の光透過性シートからなる光透過性シート９
の一面に感圧性粘着剤（ＰＳＡ）からなる接着層８が被
着されたシートを、ディスク基板２の情報信号層７が形
成された一主面に、接着層８の面において貼り合わせ
る。これにより、ディスク基板２の情報信号層７を覆う
ようにして、光透過層１０が形成される。

【００９０】以上により、図１に示す光ディスク１が製
造される。

【００９１】その後、必要に応じて、以上のようにして
製造された光ディスク１を２枚用意し、それらのディス
ク基板２側が内側になるようにして、所定の接着剤を用
いて貼り合わせることにより、両面記録型光ディスクが
製造される。このように光ディスク１を２枚用意して貼
り合わせる場合、ディスク基板２の厚さを０．５ｍｍ程
度とし、２枚貼り合わせた状態においてディスク基板２
の厚さが１．０ｍｍ程度になるようにする。

【００９２】ここで、本発明者は、上述した上層誘電体
膜６の膜厚の変動が光ディスクに及ぼす影響について、
実験を行った。すなわち、上層誘電体膜６の膜厚を１４
０ｎｍから±３％増減させた場合における、光ディスク
の特性のうちの反射率、ジッター、変調度（モジュレー
ション）、リソリューションの測定結果を表１に示す。
なお、この評価結果に用いられる記録発光パターンを図
４に示す。

【００９３】

【表１】

【００９４】表１から、反射率に関しては、膜厚を３％
増加させて１４４．２ｎｍとした場合に６．８％減少
し、膜厚を３％減少させて１３５．８ｎｍとした場合に
１３．７％も増加することが分かる。また、ジッターに
関しては、膜厚を３％増加させた場合に１．３％増加
し、膜厚を３％減少させた場合に３．８％減少すること
が分かる。また、モジュレーションに関しては、膜厚を
３％増加させた場合に５．０％増加し、膜厚を３％減少
させた場合に６．６％減少することが分かる。また、リ
ソリューションに関しては、膜厚を３％増加させた場合
に０．９％減少し、膜厚を３％減少させた場合に９．３
％増加することが分かる。

【００９５】このように、上層誘電体膜６の膜厚を±３
％程度変動させることによって、反射率に関しては、１
０％以上変動してしまうことが分かる。すなわち、この
上層誘電体膜６の膜厚は、光ディスクの特性に大きな影
響を及ぼし、同一の光ディスクにおいて上層誘電体膜６
の膜厚変動が生じると、反射率の変動が生じてしまう。

【００９６】次に、上述の一実施形態に基づいた実施
例、およびこの一実施形態による効果を比較するための
比較例について説明する。

【００９７】実施例この実施例においては、スパッタリング装置として、図
２に示す枚葉式の静止対向型のスパッタリング装置２０
を用いる。また、図３Ｃに示すように、このスパッタリ
ング装置２０においては、ディスク基板２とターゲット
２８とは、図３Ａに示すディスク基板２の円環中心Ｏ
と、図３Ｂに示すターゲット２８の円の中心Ｏ′とが重
なるようにして配置されている。

【００９８】また、ディスク基板２上に情報信号層７の
各膜を成膜するスパッタリング装置としては、真空チャ
ンバ２１が６基設けられて構成されている。すなわち、
第１の真空チャンバ２１と第２の真空チャンバ２１に
は、反射膜３を成膜するための、ＡｇＰｄＣｕ合金から
なるターゲット２８が設けられている。また、第３の真
空チャンバ２１には、下層誘電体膜４を成膜するための
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲット２８が設けられて
いる。また、第４の真空チャンバ２１には、記録膜５を
成膜するためのＳｂＴｅからなるターゲット２８が設け
られている。また、第５の真空チャンバ２１および第６
の真空チャンバ２１には、それぞれ第１の上層誘電体膜
６ａおよび第２の上層誘電体膜６ｂを成膜するための、
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲットが設けられてい
る。これらの第５の真空チャンバ２１および第６の真空
チャンバ２１においては、それぞれにおいてマグネット
配置が異なっている。通常、第５の真空チャンバ２１お
よび第６の真空チャンバ２１においてマグネットは、可
能な限り、ディスク基板２上での成膜される膜の膜厚分
布が均一になるように配置されているが、成膜される膜
の膜厚分布は、完全に均一にはならず、そのマグネット
配置に応じて、膜厚分布がやや不均一になっていく。そ
のため、第５の真空チャンバ２１および第６の真空チャ
ンバ２１としては、ディスク基板２上に成膜する膜の膜
厚分布が相互で逆になるものを選択する。

【００９９】そして、これらの互いに逆の膜厚分布特性
を有する第５の真空チャンバ２１および第６の真空チャ
ンバ２１において、これらのチャンバを単独で用いて、
誘電体からなる膜の成膜を行った場合における成膜され
る膜の半径方向の膜厚分布を、それぞれ図５Ａおよび図
５Ｂに示す。

【０１００】すなわち、図５Ａに示すように、第５の真
空チャンバ２１を用いて、平面上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を
成膜する場合においては、ディスク基板２の中心から半
径ｒ＝３５ｍｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚を１
００とした場合に、ディスク基板２の中心から半径ｒ＝
２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が
１０１．２程度、半径ｒ＝４５ｍｍの位置におけるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９９．２程度、半径ｒ＝５５
ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９
８．５程度である。

【０１０１】また、図５Ｂに示すように、第６の真空チ
ャンバ２１を用いて、平面上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜
する場合においては、ディスク基板２の中心から半径ｒ
＝３５ｍｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚を１００
とした場合に、半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ
−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９９．２程度、半径ｒ＝４５ｍ
ｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０
０．７程度、半径ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−
ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０１．５程度である。

【０１０２】そして、これらの第５の真空チャンバ２１
と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、平面上に２
層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜を順次積層させた場合の膜厚分
布を図５Ｃに示す。

【０１０３】図５Ｃに示すように、第５の真空チャンバ
２１と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、ディス
ク基板２上に同種の誘電体（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂）
を２層成膜した場合においては、その膜厚分布が、半径
ｒ＝３５ｍｍにおける誘電体膜の膜厚を１００（％）と
した場合に、ディスク基板２の中心から半径ｒ＝２５ｍ
ｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０
０．２（％）、ディスク基板２の中心から半径ｒ＝４５
ｍｍにおける誘電体膜の膜厚比が１００（％）程度、デ
ィスク基板２の中心から半径ｒ＝５５ｍｍにおける誘電
体膜の膜厚比が９９．９（％）程度であることが分か
る。

【０１０４】また、これらの第５の真空チャンバ２１と
第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、それぞれの真
空チャンバ２１を２００ｋＷｈ使用した後に、ディスク
基板２上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜した場合の膜厚分布
を、それぞれ図６Ａおよび図６Ｂに示す。

【０１０５】すなわち、図６Ａに示すように、２００ｋ
Ｗｈ使用後の第５の真空チャンバ２１を用いてディスク
基板２の主面上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜した場合、デ
ィスク基板２の中心から半径ｒ＝３５ｍｍにおけるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂膜の膜厚を１００とした場合にディスク基
板２の中心から半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ
−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０１．２程度、半径ｒ＝４５
ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９
９．２程度、半径ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−
ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９８．５程度である。

【０１０６】また、図６Ｂに示すように、２００ｋＷｈ
使用後の第６の真空チャンバ２１を用いて、平面上にＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜した場合には、ディスク基板２の
中心から半径ｒ＝３５ｍｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜
の膜厚を１００とした場合に、半径ｒ＝２５ｍｍの位置
におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９８．２程度、
半径ｒ＝４５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の
膜厚比が１０１程度、半径ｒ＝５５ｍｍの位置における
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０２．４程度である。

【０１０７】そして、これらの第５の真空チャンバ２１
と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、平面上に２
層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜を順次積層させた場合の膜厚分
布を図６Ｃに示す。

【０１０８】図６Ｃに示すように、第５の真空チャンバ
２１と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、ディス
ク基板２上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を２層成膜した場合にお
いては、その膜厚分布が、半径ｒ＝３５ｍｍにおける誘
電体膜の膜厚を１００（％）とした場合に、ディスク基
板２の中心から半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ
−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９９．５（％）、半径ｒ＝４５
ｍｍにおける誘電体膜の膜厚比が９９．８（％）程度、
ディスク基板２の中心から半径ｒ＝５５ｍｍにおける誘
電体膜の膜厚比が９９．５（％）程度であることが分か
る。

【０１０９】比較例この比較例においては、実施例におけると同様に、光デ
ィスク１における上層誘電体膜６を２層のＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂膜から構成する。また、ディスク基板２上に情報信
号層７の各膜を成膜するスパッタリング装置としては、
真空チャンバ２１が６基設けられて構成されている。す
なわち、第１の真空チャンバ２１と第２の真空チャンバ
２１には、反射膜３を成膜するための、ＡｇＰｄＣｕ合
金からなるターゲット２８が設けられている。また、第
３の真空チャンバ２１には、下層誘電体膜４を成膜する
ためのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲット２８が設け
られている。また、第４の真空チャンバ２１には、記録
膜５を成膜するためのＳｂＴｅからなるターゲット２８
が設けられている。また、第５の真空チャンバ２１およ
び第６の真空チャンバ２１には、それぞれ第１の上層誘
電体膜６ａおよび第２の上層誘電体膜６ｂを成膜するた
めの、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲットが設けられ
ている。また、実施例と異なり、第５の真空チャンバ２
１と第６の真空チャンバ２１とにおけるマグネット配置
は、ほぼ同じマグネット配置となる。

【０１１０】そして、これらの互いに逆の膜厚分布特性
を有する第５の真空チャンバ２１および第６の真空チャ
ンバ２１において、これらのチャンバを単独で用いて、
誘電体からなる膜の成膜を行った場合における成膜され
る膜の半径方向の膜厚分布を、それぞれ図７Ａおよび図
７Ｂに示す。

【０１１１】すなわち、図７Ａに示すように、第５の真
空チャンバ２１を用いて、平面上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を
成膜する場合においては、ディスク基板２の中心から半
径ｒ＝３５ｍｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚を１
００とした場合に、ディスク基板２の中心から半径ｒ＝
２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が
１０１．２程度、半径ｒ＝４５ｍｍの位置におけるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９９．２程度、半径ｒ＝５５
ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９
８．５程度である。

【０１１２】また、図７Ｂに示すように、第６の真空チ
ャンバ２１を用いて、平面上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜
する場合においては、ディスク基板２の中心から半径ｒ
＝３５ｍｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚を１００
とした場合に、半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ
−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０１．５程度、半径ｒ＝４５
ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９
９．５程度、半径ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−
ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９８．３程度である。

【０１１３】そして、これらの第５の真空チャンバ２１
と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、平面上に２
層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜を順次積層させた場合の膜厚分
布を図７Ｃに示す。

【０１１４】図７Ｃに示すように、第５の真空チャンバ
２１と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、ディス
ク基板２上に同種の誘電体を２層成膜した場合において
は、その膜厚分布が、半径ｒ＝３５ｍｍにおける誘電体
膜の膜厚を１００（％）とした場合に、ディスク基板２
の中心から半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂膜の膜厚比が１０１．３（％）、ディスク基板２
の中心から半径ｒ＝４５ｍｍにおける誘電体膜の膜厚比
が９９．３（％）程度、ディスク基板２の中心から半径
ｒ＝５５ｍｍにおける誘電体膜の膜厚比が９８．４
（％）程度であることが分かる。

【０１１５】また、これらの第５の真空チャンバ２１と
第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、それぞれの真
空チャンバ２１を２００ｋＷｈ使用した後に、ディスク
基板２上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜した場合の膜厚分布
を、それぞれ図８Ａおよび図８Ｂに示す。

【０１１６】すなわち、図８Ａに示すように、２００ｋ
Ｗｈ使用後の第５の真空チャンバ２１を用いてディスク
基板２の主面上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜した場合、デ
ィスク基板２の中心から半径ｒ＝３５ｍｍにおけるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂膜の膜厚を１００とした場合にディスク基
板２の中心から半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＺｎＳ
−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０１程度、半径ｒ＝４５ｍｍ
の位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９８．７
程度、半径ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ
₂膜の膜厚比が９６．８程度である。

【０１１７】また、図８Ｂに示すように、２００ｋＷｈ
使用後の第６の真空チャンバ２１を用いて、平面上にＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂を成膜した場合には、ディスク基板２の
中心から半径ｒ＝３５ｍｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜
の膜厚を１００とした場合に、半径ｒ＝２５ｍｍの位置
におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が１０１．５程
度、半径ｒ＝４５ｍｍの位置におけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂
膜の膜厚比が９８．８程度、半径ｒ＝５５ｍｍの位置に
おけるＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜の膜厚比が９６．８程度であ
る。

【０１１８】そして、これらの第５の真空チャンバ２１
と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、平面上に２
層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜を順次積層させた場合の膜厚分
布を図８Ｃに示す。

【０１１９】図８Ｃに示すように、第５の真空チャンバ
２１と第６の真空チャンバ２１とを順次用いて、ディス
ク基板２上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を２層成膜した場合にお
いては、その膜厚分布が、半径ｒ＝３５ｍｍにおける誘
電体膜の膜厚を１００（％）とした場合に、ディスク基
板２の中心から半径ｒ＝２５ｍｍにおける誘電体膜の膜
厚比が、１０１．２（％）程度、半径ｒ＝４５ｍｍにお
ける誘電体膜の膜厚比が９８．７（％）程度、ディスク
基板２の中心から半径ｒ＝５５ｍｍにおける誘電体膜の
膜厚比が９６．８（％）程度であることが分かる。

【０１２０】そして、以上の実施例による第５の真空チ
ャンバ２１および第６の真空チャンバ２１を用いて製造
された光ディスクと、比較例による第５の真空チャンバ
２１および第６の真空チャンバ２１を用いて製造された
光ディスクとに対して、記録領域の内周部と外周部とに
おける反射率の比較を行った。その比較結果を以下の表
２に示す。

【０１２１】

【表２】

【０１２２】表２から、光ディスクの記録領域の内周部
（半径ｒ＝２５ｍｍ）においては、実施例による光ディ
スクにおける反射率に比して、比較例による光ディスク
における反射率がわずかに小さくなっていることが分か
る。また、光ディスクの記録領域の外周部（半径ｒ＝５
５ｍｍ）においては、実施例による光ディスクに比し
て、比較例による光ディスクにおける反射率が大幅に大
きいことが分かる。また、比較例による光ディスクにお
いては、記録領域の内周部における反射率に比して外周
部における反射率が３．７ポイントも増加しているのに
対し、実施例による光ディスクにおいては、０．６ポイ
ントの増加にとどまっていることが分かる。すなわち、
第５の真空チャンバ２１および第６の真空チャンバ２１
として、それらの膜厚分布が互いに補間し合うような２
つのチャンバを選択することにより、光ディスク全面に
おいて、その反射率をほぼ均一化することができ、信号
特性に優れた光ディスクを得ることができる。

【０１２３】以上説明したように、この一実施形態によ
れば、光ディスク１における上層誘電体膜６を、少なく
とも２基の真空チャンバ２１を順次用いて成膜する際
に、この少なくとも２基の真空チャンバの膜厚分布が互
いに補間し合うような真空チャンバを選ぶようにしてい
ることにより、光ディスク１を構成する上層誘電体膜６
におけるディスク基板２の半径方向に沿った膜厚分布を
均一にすることができるので、光ディスク１の半径方向
に沿った上層誘電体膜６の膜厚分布に依存する、光ディ
スク１における反射率の変動を抑制することができる。
したがって、薄い膜からなる光透過層を有し、ディスク
基板に対してこの光透過層が設けられた側からレーザ光
を照射することにより情報信号の記録／再生が行われ
る、高記録密度化された良好な信号特性を有する光ディ
スクを得ることができる。

【０１２４】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。

【０１２５】例えば、上述の一実施形態において挙げ
た、各膜の成膜方法、ディスク基板や保護層の材料はあ
くまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる成膜方
法を用いても良く、ディスク基板や保護層をこれら以外
の材料から構成することも可能である。

【０１２６】また、例えば上述の一実施形態において
は、ＤＣスパッタリング装置として、１枚のディスク基
板に対して１つのターゲットとを対向させた、静止対向
型枚葉式スパッタリング装置を用い、それらの平面的な
位置関係を図３に示すようにしているが、この発明は、
必ずしも静止対向型枚葉式スパッタリング装置に限定さ
れるものではなく、図９Ａに示すようにパレット２６に
複数枚（図９Ａ中、８枚）のディスク基板２を固定する
とともに、図９Ｂに示すように真空チャンバ２１に複数
のターゲット２８を固定し、図９Ｃに示す位置関係で矢
印ｂ方向にパレット２６を回転させつつ複数枚のディス
ク基板２に対して成膜を行うようにした、スパッタリン
グ装置に適用することも可能である。

【０１２７】例えば、上述の一実施形態における情報信
号層７として、図１０に示すように、添加物の濃度がデ
ィスク基板の半径方向に沿って変化するように構成され
た反射膜４１、ＳｉＮやＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる下層
誘電体膜４２、第１の記録膜４３、第２の記録膜４４、
誘電体からなる上層誘電体膜４５を順次積層したもの、
もしくは逆順に積層したものから構成することも可能で
ある。ここで、第１の記録膜４３と第２の記録膜４４と
は、材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なるような
ものが選ばれる。なお、この記録膜を３層以上の、材
料、組成、複素屈折率のいずれかが互いに異なる層から
構成することも可能である。

【０１２８】また、例えば上述の一実施形態において
は、誘電体材料として、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を用いたが、
記録／再生に用いられるレーザ光の波長に対して吸収能
のない材料であればどのような材料を用いることも可能
であり、具体的には、消衰係数ｋが０．３以下の材料を
用いることが望ましい。より具体的には、誘電体膜の材
料としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅなどの金属およ
び半金属などの元素の、窒化物、酸化物、炭化物、フッ
化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、または酸炭化物な
どからなる材料や、これらを主成分とする材料を用いる
ことが可能である。また、より具体的には、下層誘電体
膜４および上層誘電体膜６の材料として、ＡｌＮ
_x（０．５≦ｘ≦１、特に、ＡｌＮ））、Ａｌ₂Ｏ
_3-x（０≦ｘ≦１、（特に、Ａｌ₂Ｏ₃））、Ｓｉ ₃Ｎ_4-x
（０≦ｘ≦１、（特に、Ｓｉ₃Ｎ₄））、ＳｉＯ_x（１≦
ｘ≦２、（特に、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ）、ＭｇＯ、Ｙ
₂Ｏ₃、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＴｉＯ_x（１≦ｘ≦２、（特に、
ＴｉＯ₂））、ＢａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、Ｔａ₂Ｏ_5-x
（０≦ｘ≦１、（特に、Ｔａ₂Ｏ₅））、ＧｅＯ_x（１≦
ｘ≦２）、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−
Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ₂、ＬａＦ、ＭｇＦ₂、Ｎ
ａＦ、ＴｉＦ₄などを用いることも可能であり、さら
に、これらの材料を主成分とする材料や、これらの材料
の混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ₂を用いることも可能
である。

【０１２９】例えば、上述の一実施形態においては、デ
ィスク基板２を射出成形法やフォトポリマー法（２Ｐ
法）により作製しているが、これらの２つの方法以外で
あっても、所望の形状、すなわち、厚さが例えば１．１
ｍｍ、直径が例えば１２０ｍｍ程度のディスク形状と、
光学的に十分な基板表面の平滑性を得ることができる方
法であれば、どのような方法を用いることも可能であ
る。

【０１３０】また、例えば上述の一実施形態において
は、記録膜の材料として、ＳｂＴｅ系材料からなる相変
化材料を用いているが、相変化材料以外の材料に限定さ
れるものではなく、テルビウム・鉄（ＴｂＦｅ）系、Ｔ
ｂＦｅＣｏ系、ＧｄＦｅ系、ＧｄＦｅＣｏ系の光磁気記
録材料を用いることも可能である。また、この発明を、
Ａｌ合金やＡｇ合金を反射膜として用いた再生専用（Ｒ
ＯＭ）型ディスクや、有機色素からなる層を記録膜とし
て用いた光ディスクに適用することも可能である。

【０１３１】また、例えば上述の一実施形態において
は、反射膜３としてＡｇＰｄＣｕ合金層の１層からなる
ものを用いているが、１層からなる反射膜の代わりに、
金属または半金属からなる、少なくとも２層の材料層か
ら構成することも可能である。このように反射膜を複数
の材料層から構成することにより、光学設計がしやすく
なるとともに、熱特性とのバランスも取りやすくなる。

【０１３２】また、上述の一実施形態においては、この
発明による成膜装置としてのスパッタリング装置を、光
ディスクの情報信号層を構成する上層誘電体膜の形成に
適用するようにしているが、この成膜装置は、例えば半
導体装置におけるＳｉＮ膜やＳｉＯ₂膜などの誘電体膜
や絶縁膜の形成に用いることも可能であり、その他の誘
電体膜や絶縁膜の形成に用いることが可能である。

【０１３３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明による光
学記録媒体の製造装置および光学記録媒体の製造方法に
よれば、情報信号層にレーザ光を照射することによって
情報信号の記録／再生を行うように構成された光学記録
媒体において、情報信号層の部分を構成する膜の膜厚変
動を抑制することができるので、光ディスク全面におけ
る反射率の差を抑制することができ、短波長化されたレ
ーザ光を用いて情報信号の記録／再生を行う、良好な記
録再生特性を有する光ディスクを得ることができる。

【０１３４】また、この発明による誘電体膜の成膜装置
によれば、複数層の誘電体膜を積層する際にそれらの誘
電体からなる積層膜の膜厚分布を、成膜される領域にお
いてほぼ均一にすることができる。したがって、誘電体
からなる膜を積層させる際にその積層された誘電体膜の
膜厚均一性を向上させることができ、誘電体膜を用いる
種々の装置、媒体において、良好な誘電体膜を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による光ディスクを示す
断面図である。

【図２】この発明の一実施形態による情報信号層を構成
する各層の成膜に用いられるＤＣスパッタリング装置を
示す略線図である。

【図３】この発明の一実施形態によるディスク基板と、
ターゲットと、これらの平面的な位置関係とを示す平面
図である。

【図４】この発明の一実施形態による光ディスクのジッ
ター特性を評価する際に用いられる記録発光パターンを
示すグラフである。

【図５】この発明の一実施形態に基づいた実施例による
光ディスクにおける第１の上層誘電体膜と第２の上層誘
電体膜と上層誘電体膜とを示すグラフである。

【図６】この発明の一実施形態に基づいた実施例による
光ディスクの内周部および外周部におけるジッターの記
録パワー依存性を示すグラフである。

【図７】この発明の一実施形態に基づいた実施例と比較
するための比較例における示すグラフである。

【図８】この発明の一実施形態による光ディスクを示す
断面図である。

【図９】この発明の一実施形態によるスパッタリング装
置の他の適用例を示す平面図である。

【図１０】この発明による情報信号層の他の例を示す断
面図である。

【図１１】従来のＤＶＤ−ＲＷを構成する貼り合わせ前
の光ディスクを示す断面図である。

【図１２】従来技術による両面記録型ＤＶＤ−ＲＷと片
面記録型ＤＶＤ−ＲＷとを示す断面図である。

【図１３】薄い光透過層を有し、光透過層が設けられた
側からレーザ光を照射して情報信号の記録／再生を行う
高記録密度化された光ディスクを示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・光ディスク、２・・・ディスク基板、３・・・
反射膜、４・・・下層誘電体膜、５・・・記録膜、６・
・・上層誘電体膜、６ａ・・・第１の上層誘電体膜、６
ｂ・・・第２の上層誘電体膜、７・・・情報信号層、８
・・・接着層、９・・・光透過性シート、１０・・・光
透過層、２０・・・スパッタリング装置、２１・・・真
空チャンバ、２２・・・真空制御部、２３・・・高圧電
源、２４・・・電源ライン、２５・・・スパッタリング
カソード部、２６・・・パレット、２７・・・スパッタ
ガス供給部、２８・・・ターゲット、２９・・・バッキ
ングプレート、３０・・・磁石系、３１・・・内周マス
ク、３２・・・外周マスク、３３・・・ディスクベー
ス、３４・・・基板自転駆動部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｍ５３４Ｎ５３５５３５Ｈ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の一主面上に、情報信号を記録可能
および／または再生可能に構成された、積層構造の情報
信号層を有し、上記情報信号層を構成する積層膜の部分の、複数層から
なる膜を順次成膜可能に構成された光学記録媒体の製造
装置であって、上記複数層からなる膜を順次それぞれ成膜可能に構成さ
れた複数の成膜手段を有し、上記複数の成膜手段が、上記成膜手段によって成膜され
る膜の膜厚分布が、互いに補間するように構成されてい
ることを特徴とする光学記録媒体の製造装置。
【請求項２】上記複数層からなる膜が、第１の誘電体
膜と第２の誘電体膜とが順次積層されて構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体の製造装
置。
【請求項３】上記第１の誘電体膜と上記第２の誘電体
膜とが互いに同種の材料から構成されていることを特徴
とする請求項２記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項４】上記材料が、窒化シリコン、または硫化
亜鉛と酸化シリコンとの混合体であることを特徴とする
請求項３記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項５】上記第１の誘電体膜と上記第２の誘電体
膜とが互いに異なる材料から構成されていることを特徴
とする請求項２記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項６】上記材料が、窒化シリコン、または硫化
亜鉛と酸化シリコンとの混合体であることを特徴とする
請求項５記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項７】上記複数層からなる膜が上記レーザ光を
透過可能に構成されていることを特徴とする請求項１記
載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項８】上記情報信号の記録／再生に用いられる
レーザ光の波長が４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体の製造装
置。
【請求項９】上記情報信号の記録／再生の際に用いら
れる対物レンズの開口数が０．６０以上０．８５以下で
あることを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体の製
造装置。
【請求項１０】上記情報信号の記録／再生の際に用い
られる対物レンズが超半球状レンズまたはソリッドイマ
ージョンレンズであることを特徴とする請求項１記載の
光学記録媒体の製造装置。
【請求項１１】上記成膜手段がスパッタリングチャン
バであり、上記スパッタリングチャンバに設置されるス
パッタリング用ターゲットが１つであることを特徴とす
る請求項１記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項１２】上記ディスク基板と上記スパッタリン
グ用ターゲットとを互いに対向させるとともに、上記デ
ィスク基板の一主面に垂直な方向の上記ディスク基板の
中心軸と、上記スパッタリング用ターゲットの固着面に
垂直な方向の上記スパッタリング用ターゲットの中心軸
とが互いに重なるように配置した状態で、上記膜を成膜
するように構成されていることを特徴とする請求項１１
記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項１３】上記成膜手段が枚葉式であることを特
徴とする請求項１記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項１４】上記成膜手段が複数の上記ディスク基
板に同時に成膜を行うように構成されていることを特徴
とする請求項１記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項１５】上記情報信号層が、下層誘電体膜、上
記情報信号を記録可能に構成された記録膜、上層誘電体
膜、および上記情報信号の記録／再生に用いられるレー
ザ光を反射可能に構成された反射膜が順次積層されて構
成され、上記レーザ光を上記ディスク基板側から上記情
報信号層に向けて照射することにより、上記情報信号を
記録可能および／または再生可能に構成されていること
を特徴とする請求項１記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項１６】上記複数層からなる膜が、下層誘電体
膜であることを特徴とする請求項１５記載の光学記録媒
体の製造装置。
【請求項１７】上記情報信号層が、上記情報信号の記
録／再生に用いられるレーザ光を反射可能に構成された
反射膜、下層誘電体膜、上記情報信号を記録可能に構成
された記録膜、および上層誘電体膜が順次積層されて構
成され、上記レーザ光を上記上層誘電体膜側から上記情
報信号層に向けて照射することにより、上記情報信号を
記録可能および／または再生可能に構成されていること
を特徴とする請求項１記載の光学記録媒体の製造装置。
【請求項１８】上記複数層からなる膜が、上層誘電体
膜であることを特徴とする請求項１７記載の光学記録媒
体の製造装置。
【請求項１９】基板の一主面上に、情報信号を記録可
能および／または再生可能に構成された、積層構造の情
報信号層を構成する積層膜の部分の、複数層からなる膜
を、複数の成膜手段を用いて順次成膜するようにした光
学記録媒体の製造方法であって、上記複数層からなる膜を、上記複数の成膜手段における
個々の成膜手段によって成膜される膜の膜厚分布が互い
に補間するように、順次成膜するようにしたことを特徴
とする光学記録媒体の製造方法。
【請求項２０】上記複数層の膜が、第１の誘電体膜と
第２の誘電体膜との２層の誘電体膜であることを特徴と
する請求項１９記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項２１】上記第１の誘電体膜と上記第２の誘電
体膜とが互いに同種の材料からなることを特徴とする請
求項２０記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項２２】上記材料が、窒化シリコン、または硫
化亜鉛と酸化シリコンとの混合体であることを特徴とす
る請求項２１記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項２３】上記第１の誘電体膜と上記第２の誘電
体膜とが互いに異なる材料からなることを特徴とする請
求項２０記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項２４】上記材料が、窒化シリコン、または硫
化亜鉛と酸化シリコンとの混合体であることを特徴とす
る請求項２３記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項２５】上記複数層からなる膜が、上記レーザ
光を透過可能に構成されていることを特徴とする請求項
１９記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項２６】上記情報信号の記録／再生に用いられ
るレーザ光の波長が４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１９記載の光学記録媒体の製
造方法。
【請求項２７】上記情報信号の記録／再生の際に用い
られる対物レンズの開口数が０．６０以上０．８５以下
であることを特徴とする請求項１９記載の光学記録媒体
の製造方法。
【請求項２８】上記情報信号の記録／再生の際に用い
られる対物レンズが、超半球状レンズまたはソリッドイ
マージョンレンズであることを特徴とする請求項１９記
載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項２９】上記成膜手段がスパッタリングチャン
バであり、上記スパッタリングチャンバに設置されるス
パッタリング用ターゲットが１つであることを特徴とす
る請求項１９記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項３０】上記ディスク基板と上記スパッタリン
グ用ターゲットとを互いに対向させるとともに、上記デ
ィスク基板の一主面に垂直な方向の上記ディスク基板の
中心軸と、上記スパッタリング用ターゲットの固着面に
垂直な方向の上記スパッタリング用ターゲットの中心軸
とが互いに重なるように配置した状態で、上記膜を成膜
するようにしたことを特徴とする請求項２９記載の光学
記録媒体の製造方法。
【請求項３１】上記情報信号層が、下層誘電体膜、上
記情報信号を記録可能に構成された記録膜、上層誘電体
膜、および上記情報信号の記録／再生に用いられるレー
ザ光を反射可能に構成された反射膜が順次積層されて構
成され、上記レーザ光を上記ディスク基板側から上記情
報信号層に向けて照射することにより、上記情報信号を
記録可能および／または再生可能に構成されていること
を特徴とする請求項１９記載の光学記録媒体の製造方
法。
【請求項３２】上記複数層からなる膜が、上記下層誘
電体膜であることを特徴とする請求項３１記載の光学記
録媒体の製造方法。
【請求項３３】上記情報信号層が、上記情報信号の記
録／再生に用いられるレーザ光を反射可能に構成された
反射膜、下層誘電体膜、上記情報信号を記録可能に構成
された記録膜、および上層誘電体膜が順次積層されて構
成され、上記レーザ光を上記上層誘電体膜側から上記情
報信号層に向けて照射することにより、上記情報信号を
記録可能および／または再生可能に構成されていること
を特徴とする請求項１９記載の光学記録媒体の製造方
法。
【請求項３４】上記複数層からなる膜が、上記上層誘
電体膜であることを特徴とする請求項３３記載の光学記
録媒体の製造方法。
【請求項３５】上記成膜手段が枚葉式であることを特
徴とする請求項１９記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項３６】上記成膜手段が複数の上記ディスク基
板に同時に成膜を行うように構成されていることを特徴
とする請求項１９記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項３７】基板の一主面上に、複数の誘電体膜を
順次成膜可能に構成された誘電体膜の成膜装置であっ
て、上記複数の誘電体膜の成膜にそれぞれ用いられる複数の
成膜手段を有し、上記複数の成膜手段における上記誘電体膜の膜厚分布特
性が、それぞれの成膜手段において互いに補正し合うよ
うに構成されていることを特徴とする誘電体膜の成膜装
置。
【請求項３８】上記複数の誘電体膜が互いに同種の材
料からなることを特徴とする請求項３７記載の誘電体膜
の成膜装置。
【請求項３９】上記材料が、窒化シリコン、または硫
化亜鉛と酸化シリコンとの混合体であることを特徴とす
る請求項３８記載の誘電体膜の成膜装置。
【請求項４０】上記複数の誘電体膜が２層の誘電体膜
であることを特徴とする請求項３７記載の誘電体膜の成
膜装置。
【請求項４１】上記複数の成膜手段として２基の成膜
手段を用い、第１の成膜手段により基板上に第１の誘電
体膜を成膜した場合の所定の膜厚分布特性と、第２の成
膜手段により基板上に第２の誘電体膜を成膜した場合の
膜厚分布特性とが、互いに補間し合うように上記第１の
成膜手段と上記第２の成膜手段とを選択するようにした
ことを特徴とする請求項４０記載の誘電体膜の成膜装
置。
【請求項４２】上記２層の誘電体膜が互いに異なる材
料から構成されていることを特徴とする請求項４０記載
の誘電体膜の成膜装置。
【請求項４３】上記材料が、窒化シリコン、または硫
化亜鉛と酸化シリコンとの混合体であることを特徴とす
る請求項４２記載の誘電体膜の成膜装置。
【請求項４４】上記複数の誘電体膜が上記レーザ光を
透過可能に構成されていることを特徴とする請求項３７
記載の誘電体膜の成膜装置。
【請求項４５】上記成膜手段がスパッタリングチャン
バであり、上記スパッタリングチャンバに設置されるス
パッタリング用ターゲットが１つであることを特徴とす
る請求項３７記載の誘電体膜の成膜装置。
【請求項４６】上記基板と上記スパッタリング用ター
ゲットとを互いに対向させるとともに、上記基板の一主
面に垂直な方向の上記基板の中心軸と、上記スパッタリ
ング用ターゲットの固着面に垂直な方向の上記スパッタ
リング用ターゲットの中心軸とが互いに重なるように配
置した状態で、上記誘電体膜を成膜可能に構成されてい
ることを特徴とする請求項３７記載の誘電体膜の成膜装
置。
【請求項４７】上記成膜手段が枚葉式であることを特
徴とする請求項３７記載の誘電体膜の成膜装置。
【請求項４８】上記成膜手段が複数の上記基板に同時
に成膜を行うように構成されていることを特徴とする請
求項３７記載の誘電体膜の成膜装置。