JPS63124249A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS63124249A JPS63124249A JP27026486A JP27026486A JPS63124249A JP S63124249 A JPS63124249 A JP S63124249A JP 27026486 A JP27026486 A JP 27026486A JP 27026486 A JP27026486 A JP 27026486A JP S63124249 A JPS63124249 A JP S63124249A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報の記録に用いらnる光磁気ディスクの薄膜
構成を改良した光磁気ディスクに関するものである。
構成を改良した光磁気ディスクに関するものである。
従来の技術
近年、情報化社会の進展と共に書き換え可能な大容量光
磁気ディスクの実用化が強く望まれている。その中で特
に注目を集めている光磁気メモリは、ディジタル、メモ
リとして優れた特性を有していることが最近になって確
めらnて来た。
磁気ディスクの実用化が強く望まれている。その中で特
に注目を集めている光磁気メモリは、ディジタル、メモ
リとして優れた特性を有していることが最近になって確
めらnて来た。
ところで、光磁気薄膜材料は、記録感度を決定する主要
因であるキュリー温度、再生信号の品質を決定するカー
回転角、及び低温での膜作製等の制約から、希土類遷移
金属非晶質磁性体が用いられる。この希土類遷移金属は
、Fe 、Go、 N土のいずれか1種以上と、Gd、
Tb、Dy を中心とする希土類元素のいずれか1種以
上の合金で構成される。具体的には、TbFa 、 G
dTbFe 、 TbFeCoなどである。
因であるキュリー温度、再生信号の品質を決定するカー
回転角、及び低温での膜作製等の制約から、希土類遷移
金属非晶質磁性体が用いられる。この希土類遷移金属は
、Fe 、Go、 N土のいずれか1種以上と、Gd、
Tb、Dy を中心とする希土類元素のいずれか1種以
上の合金で構成される。具体的には、TbFa 、 G
dTbFe 、 TbFeCoなどである。
しかしながら、これら磁性体薄膜は、他の磁性体材料に
比ベカー回転角が大きいものの、その角度は0.3〜0
.5度であシ、十分な信号対雑音比が得られない。具体
的には、光磁気ディスクをディジタルメモリとして使用
する場合法のような問題が生じる。つまり、ディスク上
に記録されたドメインの長さが、記録、再生に用いる光
ビームスポット径より十分大きい場合には、十分な信号
対雑音比が得らnる反面、記録さnたドメイン長が光ビ
ームスポット径と同程度になると急激に信号対雑音比が
劣化する。したがって、信号対雑音比が高密度記録の限
界を与えるため、記録密度を向上させるにはさらに大き
な信号対雑音比を得ることが必要となる。
比ベカー回転角が大きいものの、その角度は0.3〜0
.5度であシ、十分な信号対雑音比が得られない。具体
的には、光磁気ディスクをディジタルメモリとして使用
する場合法のような問題が生じる。つまり、ディスク上
に記録されたドメインの長さが、記録、再生に用いる光
ビームスポット径より十分大きい場合には、十分な信号
対雑音比が得らnる反面、記録さnたドメイン長が光ビ
ームスポット径と同程度になると急激に信号対雑音比が
劣化する。したがって、信号対雑音比が高密度記録の限
界を与えるため、記録密度を向上させるにはさらに大き
な信号対雑音比を得ることが必要となる。
このような欠点を除くために、従来から光磁気ディスク
の構成に於いて、基板と磁性体薄膜の間にSiO+ Z
nS l 515N 4 +ムJNなどの高屈折率誘電
体薄膜を用いる方式が提案されている。これは誘電体薄
膜による多重反射を利用し、カー回転角の増加を図るも
のである。
の構成に於いて、基板と磁性体薄膜の間にSiO+ Z
nS l 515N 4 +ムJNなどの高屈折率誘電
体薄膜を用いる方式が提案されている。これは誘電体薄
膜による多重反射を利用し、カー回転角の増加を図るも
のである。
以下に従来の光磁気ディスク用基板について説明する。
第2図は従来の光磁気ディスク用基板の構成を示すもの
であり、21は基板、22は誘電体膜、23は磁性膜で
ある。
であり、21は基板、22は誘電体膜、23は磁性膜で
ある。
誘電体薄膜22の膜厚は、その屈折率をn、記録、再生
に用いるレーザ波長をλとするとき、λ/4nに設定さ
れる。
に用いるレーザ波長をλとするとき、λ/4nに設定さ
れる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、これら誘電体膜を用いた構造の光磁気デ
ィスクは、カー回転角が増加する反面反射率の減少及び
光エネルギ吸収率の増加を招く。
ィスクは、カー回転角が増加する反面反射率の減少及び
光エネルギ吸収率の増加を招く。
したがって、記録感度の向上が望める反面、再生時にも
同様のエネルギ吸収を生じる。ところが磁性体薄膜は高
温化によるカー回転角の劣化を生じるため、再生時に於
ける光強度を小さくする必要がある。再生時に於けるレ
ーザ投入パワーを工0゜光磁気ディスクの反射率iR、
カー回転角をθにとするとき、シミツトノイズに対する
信号対雑音比S/Nは S/N ocfチl8in2θ1 =(1)で表
わされる。前述の誘電体膜を用いた構造の光磁気ディス
クでは、カー回転角θにの増加と共にIO,Hの低下を
招き、大きなS/N向上は得られなかった。
同様のエネルギ吸収を生じる。ところが磁性体薄膜は高
温化によるカー回転角の劣化を生じるため、再生時に於
ける光強度を小さくする必要がある。再生時に於けるレ
ーザ投入パワーを工0゜光磁気ディスクの反射率iR、
カー回転角をθにとするとき、シミツトノイズに対する
信号対雑音比S/Nは S/N ocfチl8in2θ1 =(1)で表
わされる。前述の誘電体膜を用いた構造の光磁気ディス
クでは、カー回転角θにの増加と共にIO,Hの低下を
招き、大きなS/N向上は得られなかった。
光磁気ディスクでは、前述の如く信号対雑音比によシ高
密度記録の限界が与えられる。したがって光のエネルギ
吸収量を低減することにより、再生時の光強度を増加さ
せ大きな信号対雑音比を得ることは容易に考えられる(
例えば特開昭56−74844号公報)。ところで、デ
ィスクの回転方式には角速度一定言式と線速度−定言式
がある。
密度記録の限界が与えられる。したがって光のエネルギ
吸収量を低減することにより、再生時の光強度を増加さ
せ大きな信号対雑音比を得ることは容易に考えられる(
例えば特開昭56−74844号公報)。ところで、デ
ィスクの回転方式には角速度一定言式と線速度−定言式
がある。
一般にデータファイル用ディスクドライブでは、高速ア
クセスの必要性から、角速度一定言式が用いられる。し
たがって大きな信号対雑音比を得るために、光エネルギ
吸収量を低減させた場合、同時に記録感度の低下をも招
き、次のような問題が生じる。つまりディスクを角速度
一定言式では、線速度が大きくなるディスク外周部に於
いて、記録に大パワーのレーザが必要となる。ところが
ドライブの装置規模、コスト面からは半導体レーザを用
いることが不可欠であり、その結果ディスク回転数が著
しく制約され、必要なデータ転送速度が得られなかっ之
。
クセスの必要性から、角速度一定言式が用いられる。し
たがって大きな信号対雑音比を得るために、光エネルギ
吸収量を低減させた場合、同時に記録感度の低下をも招
き、次のような問題が生じる。つまりディスクを角速度
一定言式では、線速度が大きくなるディスク外周部に於
いて、記録に大パワーのレーザが必要となる。ところが
ドライブの装置規模、コスト面からは半導体レーザを用
いることが不可欠であり、その結果ディスク回転数が著
しく制約され、必要なデータ転送速度が得られなかっ之
。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので従来のデー
タ転送速度を損うことなく、大きな信号対雑音比を得る
優れ次光磁気ディスクを提供することを目的とする。
タ転送速度を損うことなく、大きな信号対雑音比を得る
優れ次光磁気ディスクを提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するため、本発明の光磁気ディスクは、
基板上に光硬化性樹脂を設け、前記光硬化性樹脂の膜厚
を内周部から外周部に向かい連続的に増加させる構成と
なっている。
基板上に光硬化性樹脂を設け、前記光硬化性樹脂の膜厚
を内周部から外周部に向かい連続的に増加させる構成と
なっている。
作用
一般に光磁気ディスクは、記録ドメインの長さが短かく
なるに従って、再生信号は小さくなる。
なるに従って、再生信号は小さくなる。
角速度一定でディスクを回転させながら記録を行う場合
、内周部はど記録ドメイン長は短かくなり、外周部はど
長くなる。最短記録ドメイン長は最短パルス幅を最内周
部に記録したとき充分な信号対雑音比が得られることか
ら決定される。一方、外周部はど媒体移動速度が大きく
なるため、記録時、消去時の光投入パワーを大きくする
必要がある。
、内周部はど記録ドメイン長は短かくなり、外周部はど
長くなる。最短記録ドメイン長は最短パルス幅を最内周
部に記録したとき充分な信号対雑音比が得られることか
ら決定される。一方、外周部はど媒体移動速度が大きく
なるため、記録時、消去時の光投入パワーを大きくする
必要がある。
つまり半導体レーザを用いることのできる最大限の投入
パワーで十分記録できるという記録感度の制約からディ
スクの回転数が決定される。
パワーで十分記録できるという記録感度の制約からディ
スクの回転数が決定される。
したがって、ディスクの内周部では信号出力の大きさが
装置設計の限界を与えており、ディスクの外周部では記
録感度が装置設計の限界を与えていた。
装置設計の限界を与えており、ディスクの外周部では記
録感度が装置設計の限界を与えていた。
本発明は上記した構成により、外周部においては光硬化
樹脂層がレーザーの熱の遮断材として作用するため熱拡
散による記録感度の低下を防ぐことができる。また内周
部においては熱拡散を利用して再生時の温度上昇を抑え
、大きな再生パワーによる信号再生が可能となり信号出
力が向上する。
樹脂層がレーザーの熱の遮断材として作用するため熱拡
散による記録感度の低下を防ぐことができる。また内周
部においては熱拡散を利用して再生時の温度上昇を抑え
、大きな再生パワーによる信号再生が可能となり信号出
力が向上する。
よってディスクの高速回転を維持することができ、従来
の光磁気ディスクと比較して記録密度を向上させ、記録
容量を増加させることができる。
の光磁気ディスクと比較して記録密度を向上させ、記録
容量を増加させることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について1図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例における光磁気ディスクの構
造と光硬化樹脂層の膜厚分布との対応を示す図である。
造と光硬化樹脂層の膜厚分布との対応を示す図である。
第1図において、11は透明なガラス基板、12は光硬
化樹脂膜、13.15は保護膜、14は磁性膜である。
化樹脂膜、13.15は保護膜、14は磁性膜である。
円盤上のガラス基板11上に内周部から外周部へ向かっ
て膜厚が増加するように光硬化樹脂膜12を内周部から
外周部へ向かい膜厚が増加するように作製し、その上に
厚みの均一な保護膜13.磁性膜14.保護膜16を積
層する。本実施例の光磁気ディスクは直径130flで
あシ、半径30jffから半径60jffまでが記録再
生に使用さ九る。使用領域の最内周部での光硬化樹脂膜
の膜厚は10μm、最外周部での膜厚は60μmである
。
て膜厚が増加するように光硬化樹脂膜12を内周部から
外周部へ向かい膜厚が増加するように作製し、その上に
厚みの均一な保護膜13.磁性膜14.保護膜16を積
層する。本実施例の光磁気ディスクは直径130flで
あシ、半径30jffから半径60jffまでが記録再
生に使用さ九る。使用領域の最内周部での光硬化樹脂膜
の膜厚は10μm、最外周部での膜厚は60μmである
。
次に本実施例の光磁気ディスクの炸裂方法について述べ
る。まず、予め溝が形成されている金属性のスタンバに
光硬化性樹脂を塗布し、スピンコーティングにより膜を
作製する。光硬化性樹脂の塗布量を外周部は多く、内周
部は少なくすることにより前述の膜厚の光硬化性樹脂膜
12を作製する。その上にガラス基板11を重ね、紫外
線により、前記光硬化性樹脂を硬化し、ガラス基板に付
着させ前記スタンパから剥離する。次に剥離したガラス
基板の光硬化樹脂が塗布されている側に、電子ビーム蒸
発源を装備した蒸着装置、あるいはスパッタ装置を用い
、保護膜13としてMg0xISiO!(0(X(1,
0<Y(2)を4ooi、磁性膜14としてGdTbF
eを800ム形成させる。
る。まず、予め溝が形成されている金属性のスタンバに
光硬化性樹脂を塗布し、スピンコーティングにより膜を
作製する。光硬化性樹脂の塗布量を外周部は多く、内周
部は少なくすることにより前述の膜厚の光硬化性樹脂膜
12を作製する。その上にガラス基板11を重ね、紫外
線により、前記光硬化性樹脂を硬化し、ガラス基板に付
着させ前記スタンパから剥離する。次に剥離したガラス
基板の光硬化樹脂が塗布されている側に、電子ビーム蒸
発源を装備した蒸着装置、あるいはスパッタ装置を用い
、保護膜13としてMg0xISiO!(0(X(1,
0<Y(2)を4ooi、磁性膜14としてGdTbF
eを800ム形成させる。
その上に保護膜16としてMg0I、 Sin!を60
0ム蒸着する。
0ム蒸着する。
以上のように本実施例によれば、外周部においては光硬
化樹脂層がレーザーの熱の遮断材として作用し、熱拡散
による記録感度の低下を防ぐことができ、また内周部に
おいては、熱拡散を利用して再生時の温度上昇を抑え、
大きな再生パワーによる信号再生が可能となり信号出力
が向上する。
化樹脂層がレーザーの熱の遮断材として作用し、熱拡散
による記録感度の低下を防ぐことができ、また内周部に
おいては、熱拡散を利用して再生時の温度上昇を抑え、
大きな再生パワーによる信号再生が可能となり信号出力
が向上する。
これにより、ディスクの高速回転が維持でき、最短記録
ドメイン長を1μmから0・8μmに短くし、かつ、記
憶容量を25%増加させることができる。
ドメイン長を1μmから0・8μmに短くし、かつ、記
憶容量を25%増加させることができる。
なお、本実施例では保護膜15をMg0z、SiOτと
したが5in2 でもよい。ま九本実施例では磁性体膜
としてG4TbFeとしたが他の光磁気磁性体でもよい
。
したが5in2 でもよい。ま九本実施例では磁性体膜
としてG4TbFeとしたが他の光磁気磁性体でもよい
。
発明の効果
本発明は、ガラス基板上に内周部から外周部に向かい膜
厚が増加するように塗布された光硬化樹脂を有する構成
によシ外周部における記録感度の低下を防ぐことができ
、内周部の再生出力を増加させることができる。その結
果、最短記録ドメイン長を短かくすることができ、記録
容量を増加させることができる。
厚が増加するように塗布された光硬化樹脂を有する構成
によシ外周部における記録感度の低下を防ぐことができ
、内周部の再生出力を増加させることができる。その結
果、最短記録ドメイン長を短かくすることができ、記録
容量を増加させることができる。
第1図は本発明の一実施例における光磁気ディスクの構
造と膜厚分布との対応図、第2図は従来の光磁気ディス
クの側面図である。 11・・・・・・ガラス基板、12・・・・・・光硬化
樹脂膜、13.15・・・・・・保護膜、14・・・・
・・磁性膜。
造と膜厚分布との対応図、第2図は従来の光磁気ディス
クの側面図である。 11・・・・・・ガラス基板、12・・・・・・光硬化
樹脂膜、13.15・・・・・・保護膜、14・・・・
・・磁性膜。
Claims (1)
- 円盤状の基板上に記録再生に使用される領域内で内周部
から外周部に向かって膜厚が連続的に増加する光硬化性
樹脂膜を設けたことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27026486A JPS63124249A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27026486A JPS63124249A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124249A true JPS63124249A (ja) | 1988-05-27 |
Family
ID=17483826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27026486A Pending JPS63124249A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63124249A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0224043A (ja) * | 1988-05-21 | 1990-01-26 | Yamazaki Mazak Corp | 工作機械における刃先位置検出装置 |
JPH0224045A (ja) * | 1988-05-21 | 1990-01-26 | Yamazaki Mazak Corp | 工作機械における刃先位置検出装置 |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP27026486A patent/JPS63124249A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0224043A (ja) * | 1988-05-21 | 1990-01-26 | Yamazaki Mazak Corp | 工作機械における刃先位置検出装置 |
JPH0224045A (ja) * | 1988-05-21 | 1990-01-26 | Yamazaki Mazak Corp | 工作機械における刃先位置検出装置 |
JPH0471662B2 (ja) * | 1988-05-21 | 1992-11-16 | Yamazaki Mazak Corp | |
JPH0471661B2 (ja) * | 1988-05-21 | 1992-11-16 | Yamazaki Mazak Corp |
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