JP2829335B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2829335B2 JP2829335B2 JP6603190A JP6603190A JP2829335B2 JP 2829335 B2 JP2829335 B2 JP 2829335B2 JP 6603190 A JP6603190 A JP 6603190A JP 6603190 A JP6603190 A JP 6603190A JP 2829335 B2 JP2829335 B2 JP 2829335B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体に関するものである。
近年、書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効
果を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、
一部では実用化されるに至っている。この光磁気記録媒
体は大容量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容
易さ等の利点に加え、重ね書き（オーバーライト）が可
能という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピューター用メモリ等への利用が期待されてい
る。
果を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、
一部では実用化されるに至っている。この光磁気記録媒
体は大容量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容
易さ等の利点に加え、重ね書き（オーバーライト）が可
能という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピューター用メモリ等への利用が期待されてい
る。
上記高磁気記録媒体は、垂直磁化膜すなわち膜面と垂
直な方向に磁化容易軸を有する磁性膜を記録膜とし、レ
ーザービームを照射するとともに磁界を印加することに
より情報の記録、再生及び消去を行うようになってい
る。光磁気記録媒体に用いる記録材としては、総合的な
特性から見て、非晶質の希土類−遷移金属合金薄膜、例
えば、Tb−Fe−Co、Dy−Fe−Co、Gd−Tb−Fe−Co、Dy−
Tb−Fe−Co、Gd−Dy−Fe−Co等が最も優れているが、こ
れらの材料は耐食性に欠けるという欠点がある。すなわ
ち、腐食に伴い、高密度記録の必要条件である保磁力の
低下や高C/N比の必要条件であるカー回転角の減少、誤
り率の増加など多くの欠陥を露呈することとなる。
直な方向に磁化容易軸を有する磁性膜を記録膜とし、レ
ーザービームを照射するとともに磁界を印加することに
より情報の記録、再生及び消去を行うようになってい
る。光磁気記録媒体に用いる記録材としては、総合的な
特性から見て、非晶質の希土類−遷移金属合金薄膜、例
えば、Tb−Fe−Co、Dy−Fe−Co、Gd−Tb−Fe−Co、Dy−
Tb−Fe−Co、Gd−Dy−Fe−Co等が最も優れているが、こ
れらの材料は耐食性に欠けるという欠点がある。すなわ
ち、腐食に伴い、高密度記録の必要条件である保磁力の
低下や高C/N比の必要条件であるカー回転角の減少、誤
り率の増加など多くの欠陥を露呈することとなる。
一方、光磁気記録媒体に使用される代表的な基板材料
として、ポリカーボネート（PC）、ポリメチルメタクリ
レート（PMMA）などのプラスチックが挙げられる。プラ
スチック基板は、コストが低く、トラッキング用のグル
ープやプレフォーマットを構成するピットの形成が射出
成形を用いることにより比較的容易に行えるという利点
がある。ところが、プラスチック基板は一般に吸水性、
吸湿性が高いため、これを用いた場合には上記耐食性の
問題はより一層深刻化する。
として、ポリカーボネート（PC）、ポリメチルメタクリ
レート（PMMA）などのプラスチックが挙げられる。プラ
スチック基板は、コストが低く、トラッキング用のグル
ープやプレフォーマットを構成するピットの形成が射出
成形を用いることにより比較的容易に行えるという利点
がある。ところが、プラスチック基板は一般に吸水性、
吸湿性が高いため、これを用いた場合には上記耐食性の
問題はより一層深刻化する。
このため、従来その対策として主に以下の２つの方法
がとられてきた。
がとられてきた。
（ｉ）添加物を用いて耐食性を向上させる。
（ii）保護膜を形成して耐食性を向上させる。
上記（ｉ）の方法は、記録層にCr、Pt、Mn等の添加物
を混入させて耐食性を向上させようとするものである。
一方、（ii）の方法は、プラスチック基板と記録膜との
間に保護膜を設けることにより耐食性を向上させようと
するものである。保護膜材料としてはSiN、AlN等の高融
点窒化物等が好ましく、これらの窒化物は記録材の構成
元素であるTb,Fe等との反応性が低く、また界面での反
応性も低い。
を混入させて耐食性を向上させようとするものである。
一方、（ii）の方法は、プラスチック基板と記録膜との
間に保護膜を設けることにより耐食性を向上させようと
するものである。保護膜材料としてはSiN、AlN等の高融
点窒化物等が好ましく、これらの窒化物は記録材の構成
元素であるTb,Fe等との反応性が低く、また界面での反
応性も低い。
しかしながら、上記（ｉ）の方法を用いた場合には、
耐食性の改善度は依然不十分であった。
耐食性の改善度は依然不十分であった。
また、（ii）の方法を用いた場合には、耐食性はかな
り改善されるものの、成膜の際にクラックを生じやすい
という欠点がある。
り改善されるものの、成膜の際にクラックを生じやすい
という欠点がある。
一方、特開昭60−191451号公報には、ガラス基板上に
直接記録膜をスパッタ形成する前に基板表面をスパッタ
エッチング（以下逆スパッタを記す）することにより、
基板上に吸着している酸素や油分等の不純物を浄化し、
耐久性を向上させる技術が開示されているものの、ガラ
ス基板の場合は吸水性、透湿性がほとんどないので基板
側からの酸素、水分の侵入はほとんど問題とはならない
ことから、同文献には上記のような保護膜形成時に発す
るクラックを防止する対策については言及がない。
直接記録膜をスパッタ形成する前に基板表面をスパッタ
エッチング（以下逆スパッタを記す）することにより、
基板上に吸着している酸素や油分等の不純物を浄化し、
耐久性を向上させる技術が開示されているものの、ガラ
ス基板の場合は吸水性、透湿性がほとんどないので基板
側からの酸素、水分の侵入はほとんど問題とはならない
ことから、同文献には上記のような保護膜形成時に発す
るクラックを防止する対策については言及がない。
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされ
たもので、耐食性に優れるとともにクラックの発生が防
止されて信頼性の高い光磁気記録媒体を提供することを
目的とする。
たもので、耐食性に優れるとともにクラックの発生が防
止されて信頼性の高い光磁気記録媒体を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、光学的に
透明なプラスチック基板上に少なくとも保護膜を介して
非晶質の希土類−遷移金属磁性合金薄膜からなる記録層
を設けてなる光磁気記録媒体において、前記基板の表面
粗さが５〜20Åであり、かつ、前記基板上に積層される
膜の前記基板とのテープ剥離テストによる付着強度が20
00g/25mm以上であることを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
透明なプラスチック基板上に少なくとも保護膜を介して
非晶質の希土類−遷移金属磁性合金薄膜からなる記録層
を設けてなる光磁気記録媒体において、前記基板の表面
粗さが５〜20Åであり、かつ、前記基板上に積層される
膜の前記基板とのテープ剥離テストによる付着強度が20
00g/25mm以上であることを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
以下本発明の光磁気記録媒体について詳述する。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示
す断面図であり、基板１上に保護膜２を介して記録膜
３、保護膜４及び反射膜５を順次積層した構成になって
いる。
す断面図であり、基板１上に保護膜２を介して記録膜
３、保護膜４及び反射膜５を順次積層した構成になって
いる。
基板１にはアクリル樹脂、ポリカーボネート等のプラ
スチック材料が使用され、膜厚は１〜2mm程度が適当で
ある。保護膜2,4としてはSiN、AlN等の窒化物等が用い
られ、膜厚は800〜1200Å程度が適当である。記録膜３
としては、TbDyFeCo、GdDyFeCo等の希土類−遷移金属の
非晶質磁性合金が用いられ、膜厚は150〜300Å程度が適
当である。記録膜３は単層膜であってもよく、積層膜で
あってもよい。反射膜５にはAl、Cl等あるいはこれらの
合金等の高反射率の材料が用いられ、膜厚は300〜600Å
程度が適当である。これら各膜の成膜法としてはスパッ
タ法、蒸着法、イオンプレーティング法等を用いること
ができる。
スチック材料が使用され、膜厚は１〜2mm程度が適当で
ある。保護膜2,4としてはSiN、AlN等の窒化物等が用い
られ、膜厚は800〜1200Å程度が適当である。記録膜３
としては、TbDyFeCo、GdDyFeCo等の希土類−遷移金属の
非晶質磁性合金が用いられ、膜厚は150〜300Å程度が適
当である。記録膜３は単層膜であってもよく、積層膜で
あってもよい。反射膜５にはAl、Cl等あるいはこれらの
合金等の高反射率の材料が用いられ、膜厚は300〜600Å
程度が適当である。これら各膜の成膜法としてはスパッ
タ法、蒸着法、イオンプレーティング法等を用いること
ができる。
本発明の光磁気記録媒体の特徴は、上記構成におい
て、プラスチック基板１の表面粗さRaを５〜20Åとする
とともに、プラスチック基板１上の積層膜２〜５とプラ
スチック基板１との付着強度を2000g/25mm（テープ剥離
テスト）以上とした点にある。表面粗さ及び付着強度の
制御は、例えば保護膜２の形成前にプラスチック基板１
にイオンボンバードあるいは逆スパッタを施し、その強
度及び時間を調整することにより行うことができる。第
２図にイオンボンバードによる付着強度変化の一例を示
す。また、第３図に表面粗さRaと付着強度との関係、第
４図に表面粗さRaと再生C/Nとの関係（条件：回転速度1
800rpm、CAV、記録位置Ｒ＝30mm、記録周波数3.7MHz、
デューティ20％）、第５図に付着強度と発生クラック数
との関係をそれぞれ示す。これらの図から、付着強度が
2000g/25mm（テープ剥離テスト）未満であると発生クラ
ック数は多くなるが、2000g/25mm以上になるとほとんど
零となり（第５図）、また、表面粗さRaが５Åより小さ
くなるとC/Nは問題ないが付着強度が2000g/25mmより小
さくなり（第３図）、20Åより大きくなると付着強度は
問題ないがC/Nが低下する（第４図）ことがわかる。し
たがって、表面粗さRa及び付着強度が上記範囲である場
合にのみ本発明の目的を達成することが可能となる。
て、プラスチック基板１の表面粗さRaを５〜20Åとする
とともに、プラスチック基板１上の積層膜２〜５とプラ
スチック基板１との付着強度を2000g/25mm（テープ剥離
テスト）以上とした点にある。表面粗さ及び付着強度の
制御は、例えば保護膜２の形成前にプラスチック基板１
にイオンボンバードあるいは逆スパッタを施し、その強
度及び時間を調整することにより行うことができる。第
２図にイオンボンバードによる付着強度変化の一例を示
す。また、第３図に表面粗さRaと付着強度との関係、第
４図に表面粗さRaと再生C/Nとの関係（条件：回転速度1
800rpm、CAV、記録位置Ｒ＝30mm、記録周波数3.7MHz、
デューティ20％）、第５図に付着強度と発生クラック数
との関係をそれぞれ示す。これらの図から、付着強度が
2000g/25mm（テープ剥離テスト）未満であると発生クラ
ック数は多くなるが、2000g/25mm以上になるとほとんど
零となり（第５図）、また、表面粗さRaが５Åより小さ
くなるとC/Nは問題ないが付着強度が2000g/25mmより小
さくなり（第３図）、20Åより大きくなると付着強度は
問題ないがC/Nが低下する（第４図）ことがわかる。し
たがって、表面粗さRa及び付着強度が上記範囲である場
合にのみ本発明の目的を達成することが可能となる。
なお、第１図に示した層構成は単なる例示であって、
本発明はこの例のみに限定されるのではなく、適宜変
形、偏向が可能である。
本発明はこの例のみに限定されるのではなく、適宜変
形、偏向が可能である。
次に本発明の実施例について説明する。
（実施例１） ポリカーボネート基板を95℃で２時間アニールする脱
水処理を施した後、真空チャンバー内を１×10-6Torr以
下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面に対しイオン
ボンバードを500Wのパワーで１分間行った。このイオン
ボンバードにより基板の表面粗さRaは５Åとなった。次
に、スパッタ法により該基板上に順次SiN膜（膜厚1000
Å）、TbDyFeCo膜（膜厚250Å）、SiN膜（膜厚300
Å）、Al膜（膜厚500Å）を設け、光磁気ディスクを作
製した。この光磁気ディスクに1cm角にカットを入れ、
膜面側においてテープ剥離テストを行ったところ、3000
g/25mmでも剥離されなかった。また、この光磁気ディス
クを80℃・85％RHの環境下に2000時間放置する保存信頼
性テストを行った。その結果を第６図にＡで示すが、20
00時間経過後もビットエラーレート（BER）の増加はほ
とんどなく、信頼性に優れたものであることが確認され
た。
水処理を施した後、真空チャンバー内を１×10-6Torr以
下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面に対しイオン
ボンバードを500Wのパワーで１分間行った。このイオン
ボンバードにより基板の表面粗さRaは５Åとなった。次
に、スパッタ法により該基板上に順次SiN膜（膜厚1000
Å）、TbDyFeCo膜（膜厚250Å）、SiN膜（膜厚300
Å）、Al膜（膜厚500Å）を設け、光磁気ディスクを作
製した。この光磁気ディスクに1cm角にカットを入れ、
膜面側においてテープ剥離テストを行ったところ、3000
g/25mmでも剥離されなかった。また、この光磁気ディス
クを80℃・85％RHの環境下に2000時間放置する保存信頼
性テストを行った。その結果を第６図にＡで示すが、20
00時間経過後もビットエラーレート（BER）の増加はほ
とんどなく、信頼性に優れたものであることが確認され
た。
（実施例２） ポリカーボネート基板を90℃で２時間アニールする脱
水処理を施した後、真空チャンバー内を１×10-6Torr以
下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面に対しイオン
ボンバードを300kWのパワーで２分間行った。このイオ
ンボンバードにより基板の表面粗さRaは15Åとなった。
次に、スパッタ法により該基板上に順次SiN膜（膜厚110
0Å）、TbDyFeCo膜（膜厚270Å）、Sin膜（膜厚350
Å）、Al膜（膜厚600Å）を設け、光磁気ディスクを作
製した。この光磁気ディスクに1cm角にカットを入れ、
膜面側においてテープ剥離テストを行ったところ、3000
g/25mmでも剥離されなかった。また、この光磁気ディス
クを80℃・85％RHの環境下に2000時間放置する保存信頼
性テストを行ったところ、実施例１の光磁気ディスクと
同様に、2000時間経過後もビットエラーレートの増加は
ほとんどなく、信頼性に優れたものであることが確認さ
れた。
水処理を施した後、真空チャンバー内を１×10-6Torr以
下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面に対しイオン
ボンバードを300kWのパワーで２分間行った。このイオ
ンボンバードにより基板の表面粗さRaは15Åとなった。
次に、スパッタ法により該基板上に順次SiN膜（膜厚110
0Å）、TbDyFeCo膜（膜厚270Å）、Sin膜（膜厚350
Å）、Al膜（膜厚600Å）を設け、光磁気ディスクを作
製した。この光磁気ディスクに1cm角にカットを入れ、
膜面側においてテープ剥離テストを行ったところ、3000
g/25mmでも剥離されなかった。また、この光磁気ディス
クを80℃・85％RHの環境下に2000時間放置する保存信頼
性テストを行ったところ、実施例１の光磁気ディスクと
同様に、2000時間経過後もビットエラーレートの増加は
ほとんどなく、信頼性に優れたものであることが確認さ
れた。
（実施例３） ポリカーボネート基板を90℃で２時間アニールする脱
水処理を施した後、真空チャンバー内を１×10-6Torr以
下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面に対し逆スパ
ッタ（1W/cm2）を１分間行った。この逆スパッタにより
基板の表面粗さRaは10Åとなった。次に、スパッタ法に
より該基板上に順次SiN膜（膜厚900Å）、GdDyFeCo膜
（膜厚250Å）、SiN膜（膜厚300Å）、Al膜（膜厚500
Å）を設け、光磁気ディスクを作製した。この光磁気デ
ィスクに1cm角にカットを入れ、膜面側においてテープ
剥離テストを行ったところ、3000g/25mmでも剥離されな
かった。また、この光磁気ディスクを80℃・85％RHの環
境下に2000時間放置する保存信頼性テストを行った。そ
の結果を第６図にＢで示すが、2000時間経過後もビット
エラーレートの増加はほとんどなく、信頼性に優れたも
のであることが確認された。
水処理を施した後、真空チャンバー内を１×10-6Torr以
下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面に対し逆スパ
ッタ（1W/cm2）を１分間行った。この逆スパッタにより
基板の表面粗さRaは10Åとなった。次に、スパッタ法に
より該基板上に順次SiN膜（膜厚900Å）、GdDyFeCo膜
（膜厚250Å）、SiN膜（膜厚300Å）、Al膜（膜厚500
Å）を設け、光磁気ディスクを作製した。この光磁気デ
ィスクに1cm角にカットを入れ、膜面側においてテープ
剥離テストを行ったところ、3000g/25mmでも剥離されな
かった。また、この光磁気ディスクを80℃・85％RHの環
境下に2000時間放置する保存信頼性テストを行った。そ
の結果を第６図にＢで示すが、2000時間経過後もビット
エラーレートの増加はほとんどなく、信頼性に優れたも
のであることが確認された。
（比較例） 実施例１において、基板処理を施さないこと以外は同
様にして光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディス
クにつき上記と同様にテープ剥離テストを行ったとこ
ろ、500g/25mmで剥離が生じた。基板面の表面粗さRaは
１〜２Åであった。また、上記と同様にして行った保存
信頼性テストの結果を第６図にＣで示すが、1000時間経
過後より著しいビットエラーレートの増加が認められ
た。
様にして光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディス
クにつき上記と同様にテープ剥離テストを行ったとこ
ろ、500g/25mmで剥離が生じた。基板面の表面粗さRaは
１〜２Åであった。また、上記と同様にして行った保存
信頼性テストの結果を第６図にＣで示すが、1000時間経
過後より著しいビットエラーレートの増加が認められ
た。
本発明の光磁気記録媒体においては、基板の表面粗さ
を５〜20Åとするとともに、積層膜と基板との付着強度
を2000g/25mm（テープ剥離テスト）以上としたので、保
護膜のクラック発生を極めて少なく抑えることが可能と
なり、耐食性、保存信頼性に優れた光磁気記録媒体を提
供することができる。
を５〜20Åとするとともに、積層膜と基板との付着強度
を2000g/25mm（テープ剥離テスト）以上としたので、保
護膜のクラック発生を極めて少なく抑えることが可能と
なり、耐食性、保存信頼性に優れた光磁気記録媒体を提
供することができる。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図、第２図はイオンボンバードによる付着強度変化
を示す図、第３図は表面粗さRaと付着強度の関係を示す
図、第４図は表面粗さRaとC/Nの関係を示す図、第５図
は付着強度と発生クラック数との関係を示す図、第６図
は保存信頼性テストの結果を示す図である。 １……プラスチック基板 2,4……保護膜 ３……記録膜 ５……反射膜
断面図、第２図はイオンボンバードによる付着強度変化
を示す図、第３図は表面粗さRaと付着強度の関係を示す
図、第４図は表面粗さRaとC/Nの関係を示す図、第５図
は付着強度と発生クラック数との関係を示す図、第６図
は保存信頼性テストの結果を示す図である。 １……プラスチック基板 2,4……保護膜 ３……記録膜 ５……反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】光学的に透明なプラスチック基板上に少な
くとも保護膜を介して非晶質の希土類−遷移金属磁性合
金薄膜からなる記録層を設けてなる光磁気記録媒体にお
いて、 前記基板の表面粗さが５〜20Åであり、かつ、前記基板
上に積層される膜の前記基板とのテープ剥離テストによ
る付着強度が2000g/25mm以上であることを特徴とする光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6603190A JP2829335B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6603190A JP2829335B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268249A JPH03268249A (ja) | 1991-11-28 |
| JP2829335B2 true JP2829335B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=13304129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6603190A Expired - Fee Related JP2829335B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829335B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192335A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| WO2004059635A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6603190A patent/JP2829335B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03268249A (ja) | 1991-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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