JPH03268249A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03268249A JPH03268249A JP6603190A JP6603190A JPH03268249A JP H03268249 A JPH03268249 A JP H03268249A JP 6603190 A JP6603190 A JP 6603190A JP 6603190 A JP6603190 A JP 6603190A JP H03268249 A JPH03268249 A JP H03268249A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体に関するものである。
近年、書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果
を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一
部では実用化されるに至っている。
を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一
部では実用化されるに至っている。
この光磁気記録媒体は大容量高密度記録、非接触記録再
生、アクセスの容易さ等の利点に加え、重ね書き（オー
バーライド）が可能という点で文書情報ファイル、ビデ
オ・静止画ファイル、コンピューター用メモリ等への利
用が期待されている。
生、アクセスの容易さ等の利点に加え、重ね書き（オー
バーライド）が可能という点で文書情報ファイル、ビデ
オ・静止画ファイル、コンピューター用メモリ等への利
用が期待されている。
上記光磁気記録媒体は、垂直磁化膜すなわち膜面と垂直
な方向に磁化容易軸を有する磁性膜を記録膜とし、レー
ザービームを照射するとともに磁界を印加することによ
り情報の記録、再生及び消去を行うようになっている。
な方向に磁化容易軸を有する磁性膜を記録膜とし、レー
ザービームを照射するとともに磁界を印加することによ
り情報の記録、再生及び消去を行うようになっている。
光磁気記録媒体に用いる記録材としては、総合的な特性
から見て、非晶質の希土類−遷移金属合金薄膜、例えば
、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ等が最も優れているが、これらの材料は耐
食性に欠けるという欠点がある。すなわち、腐食に伴い
、高密度記録の必要条件である保磁力の低下や高Ｃ／Ｎ
比の必要条件であるカー回転角の減少、誤り率の増加な
ど多くの欠陥を露呈することとなる。
から見て、非晶質の希土類−遷移金属合金薄膜、例えば
、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ等が最も優れているが、これらの材料は耐
食性に欠けるという欠点がある。すなわち、腐食に伴い
、高密度記録の必要条件である保磁力の低下や高Ｃ／Ｎ
比の必要条件であるカー回転角の減少、誤り率の増加な
ど多くの欠陥を露呈することとなる。
一方、光磁気記録媒体に使用される代表的な基板材料と
して、ポリカーボネート（ｐｃ）、ポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）などのプラスチックが挙げられる。
して、ポリカーボネート（ｐｃ）、ポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）などのプラスチックが挙げられる。
プラスチック基板は、コストが低く、トラッキング用の
グループやプレフォーマットを構成するピットの形成が
射出成形を用いることにより比較的容易に行えるという
利点がある。ところが、プラスチック基板は一般に吸水
性、吸湿性が高いため、これを用いた場合には上記耐食
性の問題はより一層深刻化する。
グループやプレフォーマットを構成するピットの形成が
射出成形を用いることにより比較的容易に行えるという
利点がある。ところが、プラスチック基板は一般に吸水
性、吸湿性が高いため、これを用いた場合には上記耐食
性の問題はより一層深刻化する。
このため、従来その対策として主に以下の２つの方法が
とられてきた。
とられてきた。
（ｉ）添加物を用いて耐食性を向上させる。
（五）保護膜を形成して耐食性を向上させる。
上記（ｉ）の方法は、記録層にＣｒ、 Ｐｔ、 Ｍｎ等
の添加物を混入させて耐食性を向上させようとするもの
である。一方、（ｉｉ）の方法は、プラスチック基板と
記録膜との間に保護膜を設けることにより耐食性を向上
させようとするものである。保護膜材料としてはＳｉＮ
、 ＷＩＮ等の高融点窒化物等が好ましく、これらの窒
化物は記録材の構成元素であるＴｂ。
の添加物を混入させて耐食性を向上させようとするもの
である。一方、（ｉｉ）の方法は、プラスチック基板と
記録膜との間に保護膜を設けることにより耐食性を向上
させようとするものである。保護膜材料としてはＳｉＮ
、 ＷＩＮ等の高融点窒化物等が好ましく、これらの窒
化物は記録材の構成元素であるＴｂ。
Ｆｅ等との反応性が低く、また界面での反応性も低し１
。
。
しかしながら、上記（ｉ）の方法を用いた場合には、耐
食性の改善度は依然不十分であった。
食性の改善度は依然不十分であった。
また、（ｉ）の方法を用いた場合には、耐食性はかなり
改善されるものの、成膜の際にクラックを生じやすいと
いう欠点がある。
改善されるものの、成膜の際にクラックを生じやすいと
いう欠点がある。
一方、特開昭６０−１９１４５１号公報には、ガラス基
板上に直接記録膜をスパッタ形成する前に基板表面をス
パッタエツチング（以下逆スパツタを記す）することに
より、基板上に吸着している酸素や油分等の不純物を浄
化し、耐久性を向上させる技術が開示されているものの
、ガラス基板の場合は吸水性、透湿性がほとんどないの
で基板側からの酸素、水分の侵入はほとんど問題とはな
らないことから、同文献には上記のような保護膜形成時
に発するクラックを防止する対策については言及がない
。
板上に直接記録膜をスパッタ形成する前に基板表面をス
パッタエツチング（以下逆スパツタを記す）することに
より、基板上に吸着している酸素や油分等の不純物を浄
化し、耐久性を向上させる技術が開示されているものの
、ガラス基板の場合は吸水性、透湿性がほとんどないの
で基板側からの酸素、水分の侵入はほとんど問題とはな
らないことから、同文献には上記のような保護膜形成時
に発するクラックを防止する対策については言及がない
。
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされた
もので、耐食性に優れるとともにクラツー３− ＝４− りの発生が防止されて信頼性の高い光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。
もので、耐食性に優れるとともにクラツー３− ＝４− りの発生が防止されて信頼性の高い光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、光学的に透
明なプラスチック基板上に少なくとも保護膜を介して非
晶質の希土類−遷移金属磁性合金薄膜からなる記録層を
設けてなる光磁気記録媒体において、前記基板の表面粗
さが５〜２０人であり、かつ、前記基板上に積層される
膜の前記基板とのテープ剥離テストによる付着強度が２
０００ｇ／ ２５ｍｍ以上であることを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。
明なプラスチック基板上に少なくとも保護膜を介して非
晶質の希土類−遷移金属磁性合金薄膜からなる記録層を
設けてなる光磁気記録媒体において、前記基板の表面粗
さが５〜２０人であり、かつ、前記基板上に積層される
膜の前記基板とのテープ剥離テストによる付着強度が２
０００ｇ／ ２５ｍｍ以上であることを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。
以下本発明の光磁気記録媒体について詳述する。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す
断面図であり、基板１上に保護膜２を介して記録膜３、
保護膜４及び反射膜５を順次積層した構成になっている
。
断面図であり、基板１上に保護膜２を介して記録膜３、
保護膜４及び反射膜５を順次積層した構成になっている
。
基板１にはアクリル樹脂、ポリカーボネート等のプラス
チック材料が使用され、膜厚は１〜２ｍｍ程度が適当で
ある。保護膜２，４としてはＳｉＮ、 ＡＱＮ等の窒化
物等が用いられ、膜厚は８００〜１２００人程度が適当
である。記録膜３としては、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、 Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属の非晶質磁性合金が
用いられ、膜厚は１５０〜３００人程度が適当である。
チック材料が使用され、膜厚は１〜２ｍｍ程度が適当で
ある。保護膜２，４としてはＳｉＮ、 ＡＱＮ等の窒化
物等が用いられ、膜厚は８００〜１２００人程度が適当
である。記録膜３としては、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、 Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属の非晶質磁性合金が
用いられ、膜厚は１５０〜３００人程度が適当である。
記録膜３は単層膜であってもよく、積層膜であってもよ
い。反射膜５にはＡｎ、 Ｃｕ等あるいはこれらの合金
等の高反射率の材料が用いられ、膜厚は３００〜６００
人程度が適当である。これら各層の成膜法としてはスパ
ッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法等を用いるこ
とができる。
い。反射膜５にはＡｎ、 Ｃｕ等あるいはこれらの合金
等の高反射率の材料が用いられ、膜厚は３００〜６００
人程度が適当である。これら各層の成膜法としてはスパ
ッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法等を用いるこ
とができる。
本発明の光磁気記録媒体の特徴は、上記構成において、
プラスチック基板１の表面粗さＲａを５〜２０人とする
とともに、プラスチック基板１上の積層膜２〜５とプラ
スチック基板１との付着強度を２０００ｇ／２５ｍｍ（
テープ剥離テスト）以上とした点にある。表面粗さ及び
付着強度の制御は、例えば保護膜２の形成前にプラスチ
ック基板１にイオンボンバードあるいは逆スパツタを施
し、その強度及び時間を調整することにより行うことが
できる。第２図にイオンボンバードによる付着強度変化
の一例を示す。また、第３図に表面粗さＲａと付着強度
との関係、第４図に表面粗さＲａと再生Ｃハとの関係（
条件：回転速度１８００ｒｐ１１、ＣＡＶ、記録位置Ｒ
＝３０ｍｍ、記録周波数３．７にＨｚ、デユーティ２０
％）、第５図に付着強度と発生クラック数との関係をそ
れぞれ示す。これらの図から、付着強度が２０００ｇ／
２５ｍｍ （テープ剥離テスト）未満であると発生ク
ラック数は多くなるが、２０００ｇ／２５ｍｍ以上にな
るとほとんど零となり（第５図）、また、表面粗さＲａ
が５人より小さくなるとＣハは問題ないが付着強度が２
０００ｇ／２５ｍｍより小さくなり（第３図）、２０人
より大きくなると付着強度は問題ないがＣハが低下する
（第４図）ことがわかる。したがって、表面粗さＲａ及
び付着強度が上記範囲である場合にのみ本発明の目的を
達成することが可能となる。
プラスチック基板１の表面粗さＲａを５〜２０人とする
とともに、プラスチック基板１上の積層膜２〜５とプラ
スチック基板１との付着強度を２０００ｇ／２５ｍｍ（
テープ剥離テスト）以上とした点にある。表面粗さ及び
付着強度の制御は、例えば保護膜２の形成前にプラスチ
ック基板１にイオンボンバードあるいは逆スパツタを施
し、その強度及び時間を調整することにより行うことが
できる。第２図にイオンボンバードによる付着強度変化
の一例を示す。また、第３図に表面粗さＲａと付着強度
との関係、第４図に表面粗さＲａと再生Ｃハとの関係（
条件：回転速度１８００ｒｐ１１、ＣＡＶ、記録位置Ｒ
＝３０ｍｍ、記録周波数３．７にＨｚ、デユーティ２０
％）、第５図に付着強度と発生クラック数との関係をそ
れぞれ示す。これらの図から、付着強度が２０００ｇ／
２５ｍｍ （テープ剥離テスト）未満であると発生ク
ラック数は多くなるが、２０００ｇ／２５ｍｍ以上にな
るとほとんど零となり（第５図）、また、表面粗さＲａ
が５人より小さくなるとＣハは問題ないが付着強度が２
０００ｇ／２５ｍｍより小さくなり（第３図）、２０人
より大きくなると付着強度は問題ないがＣハが低下する
（第４図）ことがわかる。したがって、表面粗さＲａ及
び付着強度が上記範囲である場合にのみ本発明の目的を
達成することが可能となる。
なお、第１図に示した層構成は単なる例示であって、本
発明はこの例のみに限定されるのではなく、適宜変形、
変更が可能である。
発明はこの例のみに限定されるのではなく、適宜変形、
変更が可能である。
次に本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
ポリカーボネート基板を９５℃で２時間アニールする脱
水処理を施した後、真空チャンバー内をＩＸ １０””
Ｔｏｒｒ以下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面
に対しイオンボンバードを５００１１のパワーで１分間
行った。このイオンボンバードにより基板の表面粗さＲ
ａは５人となった。次に、スパッタ法により該基板上に
順次ＳｉＮ膜（膜厚１０００人）、ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
（膜厚２５０人）、 ＳｉＮ膜（膜厚３００人）、ＡＱ
膜（膜厚５００人）を設け、光磁気ディスクを作製した
。この光磁気ディスクにＩＣｌ１１角にカットを入れ、
膜面側においてテープ剥離テストを行ったところ、３０
００ｇ／ ２５ｍ＋ｉでも剥離されなかった。また、こ
の光磁気ディスクを８０℃・８５％ＲＨの環境下に２０
００時間放置する保存信頼性テストを行った。その結果
を第６図にＡで示すが、２０００時間経過後もピットエ
ラーレート（ＢＥＲ）の増加はほとんどなく、信頼性に
優れたものであることが確認された。
水処理を施した後、真空チャンバー内をＩＸ １０””
Ｔｏｒｒ以下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面
に対しイオンボンバードを５００１１のパワーで１分間
行った。このイオンボンバードにより基板の表面粗さＲ
ａは５人となった。次に、スパッタ法により該基板上に
順次ＳｉＮ膜（膜厚１０００人）、ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
（膜厚２５０人）、 ＳｉＮ膜（膜厚３００人）、ＡＱ
膜（膜厚５００人）を設け、光磁気ディスクを作製した
。この光磁気ディスクにＩＣｌ１１角にカットを入れ、
膜面側においてテープ剥離テストを行ったところ、３０
００ｇ／ ２５ｍ＋ｉでも剥離されなかった。また、こ
の光磁気ディスクを８０℃・８５％ＲＨの環境下に２０
００時間放置する保存信頼性テストを行った。その結果
を第６図にＡで示すが、２０００時間経過後もピットエ
ラーレート（ＢＥＲ）の増加はほとんどなく、信頼性に
優れたものであることが確認された。
（実施例２）
ポリカーボネート基板を９０℃で２時間アニール７−
する脱水処理を施した後、真空チャンバー内をＩＸ １
０−’Ｔｏｒｒ以下迄真空引きし、該基板の膜形成側の
表面に対しイオンボンバードを３００ｋＩｄのパワーで
２分間行った。このイオンボンバードにより基板の表面
粗さＲａは１５人となった。次に、スパッタ法により該
基板上に順次ＳｉＮ膜（膜厚１１００人）、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜（膜厚２７０人）、ＳｉＮ膜（膜厚３５０人）
、ｊｌＱ膜（膜厚６００人）を設け、光磁気ディスクを
作製した。
０−’Ｔｏｒｒ以下迄真空引きし、該基板の膜形成側の
表面に対しイオンボンバードを３００ｋＩｄのパワーで
２分間行った。このイオンボンバードにより基板の表面
粗さＲａは１５人となった。次に、スパッタ法により該
基板上に順次ＳｉＮ膜（膜厚１１００人）、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜（膜厚２７０人）、ＳｉＮ膜（膜厚３５０人）
、ｊｌＱ膜（膜厚６００人）を設け、光磁気ディスクを
作製した。
この光磁気ディスクにＩＣｌ１１角にカットを入れ、膜
面側においてテープ剥離テストを行ったところ、３００
０ｇ／２５ｍｍでも剥離されなかった。また、この光磁
気ディスクを８０℃・８５％ＲＨの環境下に２０００時
間放置する保存信頼性テストを行ったところ、実施例１
の光磁気ディスクと同様に、２０００時間経過後もピッ
トエラーレートの増加はほとんどなく、信頼性に優れた
ものであることが確認された。
面側においてテープ剥離テストを行ったところ、３００
０ｇ／２５ｍｍでも剥離されなかった。また、この光磁
気ディスクを８０℃・８５％ＲＨの環境下に２０００時
間放置する保存信頼性テストを行ったところ、実施例１
の光磁気ディスクと同様に、２０００時間経過後もピッ
トエラーレートの増加はほとんどなく、信頼性に優れた
ものであることが確認された。
（実施例３）
ポリカーボネート基板を９０℃で２時間アニールする脱
水処理を施した後、真空チャンバー内をＩＸ １０−’
Ｔｏｒｒ以下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面
に対し逆スパツタ（１ｗ／ｃｄ）を１分間行った。
水処理を施した後、真空チャンバー内をＩＸ １０−’
Ｔｏｒｒ以下迄真空引きし、該基板の膜形成側の表面
に対し逆スパツタ（１ｗ／ｃｄ）を１分間行った。
この逆スパツタにより基板の表面粗さＲａは１０人とな
った。次に、スパッタ法により該基板上に順次ＳｉＮ膜
（膜厚９００人）、ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜（膜厚２５０人
）、ＳｉＮ膜（膜厚３００人）、ＡＭ膜（膜厚５００人
）を設け、光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディ
スクにｌｅｅ角にカットを入れ、膜面側においてテープ
剥離テストを行ったところ、３０００ｇ／２５ｍｍでも
剥離されなかった。また、この光磁気ディスクを８０℃
・８５％ＲＨの環境下に２０００時間放置する保存信頼
性テストを行った。その結果を第６図にＢで示すが、２
０００時間経過後もピットエラーレートの増加はほとん
どなく、信頼性に優れたものであることが確認された。
った。次に、スパッタ法により該基板上に順次ＳｉＮ膜
（膜厚９００人）、ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜（膜厚２５０人
）、ＳｉＮ膜（膜厚３００人）、ＡＭ膜（膜厚５００人
）を設け、光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディ
スクにｌｅｅ角にカットを入れ、膜面側においてテープ
剥離テストを行ったところ、３０００ｇ／２５ｍｍでも
剥離されなかった。また、この光磁気ディスクを８０℃
・８５％ＲＨの環境下に２０００時間放置する保存信頼
性テストを行った。その結果を第６図にＢで示すが、２
０００時間経過後もピットエラーレートの増加はほとん
どなく、信頼性に優れたものであることが確認された。
（比較例）
実施例１において、基板処理を施さないこと以外は同様
にして光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディスク
につき上記と同様にテープ剥離テストを行ったところ、
５００ｇ／２５＋ｏ＋ｉで剥離が生じた。
にして光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディスク
につき上記と同様にテープ剥離テストを行ったところ、
５００ｇ／２５＋ｏ＋ｉで剥離が生じた。
基板面の表面粗さＲａは１〜２人であった。また、上記
と同様にして行った保存信頼性テストの結果を第６図に
Ｃで示すが、１０００時間経過後より著しいピットエラ
ーレートの増加が認められた。
と同様にして行った保存信頼性テストの結果を第６図に
Ｃで示すが、１０００時間経過後より著しいピットエラ
ーレートの増加が認められた。
本発明の光磁気記録媒体においては、基板の表面粗さを
５〜２０人とするとともに、積層膜と基板との付着強度
を２０００ｇ／ ２５ｍｍ （テープ剥離テスト）以上
としたので、保護膜のクラック発生を極めて少なく抑え
ることが可能となり、耐食性、保存信頼性に優れた光磁
気記録媒体を提供することができる。
５〜２０人とするとともに、積層膜と基板との付着強度
を２０００ｇ／ ２５ｍｍ （テープ剥離テスト）以上
としたので、保護膜のクラック発生を極めて少なく抑え
ることが可能となり、耐食性、保存信頼性に優れた光磁
気記録媒体を提供することができる。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図、第２図はイオンボンバードによる付着強度変化
を示す図、第３図は表面粗さＲａと付着強度の関係を示
す図、第４図は表面粗さＲａとＣ／Ｎの関係を示す図、
第５図は付着強度と発生クラック数との関係を示す図、
第６図は保存信頼性テストの結果を示す図である。 １・・プラスチック基板 ２．４・・保護膜 ３・・記録膜 ５・・・反射膜
断面図、第２図はイオンボンバードによる付着強度変化
を示す図、第３図は表面粗さＲａと付着強度の関係を示
す図、第４図は表面粗さＲａとＣ／Ｎの関係を示す図、
第５図は付着強度と発生クラック数との関係を示す図、
第６図は保存信頼性テストの結果を示す図である。 １・・プラスチック基板 ２．４・・保護膜 ３・・記録膜 ５・・・反射膜
Claims (1)
- （１）光学的に透明なプラスチック基板上に少なくとも
保護膜を介して非晶質の希土類−遷移金属磁性合金薄膜
からなる記録層を設けてなる光磁気記録媒体において、 前記基板の表面粗さが５〜２０Åであり、かつ、前記基
板上に積層される膜の前記基板とのテープ剥離テストに
よる付着強度が２０００ｇ／２５ｍｍ以上であることを
特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6603190A JP2829335B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6603190A JP2829335B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268249A true JPH03268249A (ja) | 1991-11-28 |
| JP2829335B2 JP2829335B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=13304129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6603190A Expired - Fee Related JP2829335B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829335B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660316A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and method for the preparation thereof |
| WO2004059635A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6603190A patent/JP2829335B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660316A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and method for the preparation thereof |
| EP0660316A3 (en) * | 1993-12-27 | 1995-10-18 | Shinetsu Chemical Co | Magneto-optical recording medium and method for its preparation. |
| WO2004059635A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2829335B2 (ja) | 1998-11-25 |
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Legal Events
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