JPS6289255A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6289255A JPS6289255A JP22952585A JP22952585A JPS6289255A JP S6289255 A JPS6289255 A JP S6289255A JP 22952585 A JP22952585 A JP 22952585A JP 22952585 A JP22952585 A JP 22952585A JP S6289255 A JPS6289255 A JP S6289255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording layer
- photomagnetic recording
- magneto
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は光磁気記録媒体、特に磁気光学記憶素子に関す
るものである。
るものである。
口、従来技術
光ディスクは、高密度、大容量、高速アクセスの特徴を
持ち、種々の研究開発が行われている。
持ち、種々の研究開発が行われている。
このうち、一度だけ追加記録できる光ディスクの記録媒
体としては、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，Ｔｅ−３ｎ−３ｅ等が
知られ、一部商品化されている。
体としては、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，Ｔｅ−３ｎ−３ｅ等が
知られ、一部商品化されている。
一方、書き換えが可能である光記録としては、光磁気記
録が注目されている。
録が注目されている。
光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ ｉ、ＭｎＣｕＢ ｉ
などの多結晶薄膜、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ、、ＧｄＣｏ、
ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、、ＴｂＤｙＦｅなどの非晶質
薄膜などが知られている。例えば、特開昭５９Ｔ１７１
０５５号公報には、希土へ移金属アモルファス合金薄膜
（例えばＧｄＴｂＦｅ）と、酸素を含有しないＡβＮ又
はＳ ｉ ３ Ｎ ４からなる透明誘電体膜と、Ｔｉ又
はＴｉＮからなる反射膜とをこの順にて基板上に積層せ
しめた磁気光学記憶素子が示されている。
などの多結晶薄膜、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ、、ＧｄＣｏ、
ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、、ＴｂＤｙＦｅなどの非晶質
薄膜などが知られている。例えば、特開昭５９Ｔ１７１
０５５号公報には、希土へ移金属アモルファス合金薄膜
（例えばＧｄＴｂＦｅ）と、酸素を含有しないＡβＮ又
はＳ ｉ ３ Ｎ ４からなる透明誘電体膜と、Ｔｉ又
はＴｉＮからなる反射膜とをこの順にて基板上に積層せ
しめた磁気光学記憶素子が示されている。
しかしながら、上記のように、磁性層に希土類金属を用
いた場合、非常に酸化されやすく、磁気光学特性が劣化
しやすい。そこで、耐蝕性をもたせるために磁性層上に
保護石を積層しているが、従来技術では未だその効果が
充分でない。
いた場合、非常に酸化されやすく、磁気光学特性が劣化
しやすい。そこで、耐蝕性をもたせるために磁性層上に
保護石を積層しているが、従来技術では未だその効果が
充分でない。
ハ０発明の目的
本発明の目的は、酸化による経時変化が防止され、再生
信号の品質の向上した光磁気記録媒体を提供することに
ある。
信号の品質の向上した光磁気記録媒体を提供することに
ある。
ニ９発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、金属薄膜からなる光磁気記録層と；コ
バルト、クロム及びタングステンを含有するコバルト合
金からなる反射膜とが積層せしめられている光磁気記録
媒体に係るものである。
バルト、クロム及びタングステンを含有するコバルト合
金からなる反射膜とが積層せしめられている光磁気記録
媒体に係るものである。
本発明によれば、上記組成の反射膜を設けているので、
カー回転角の増大に加え、光磁気記録層の酸化防止効果
が充分となることが判明した。これは、上記反射膜を構
成するコバルト合金元素が酸素の拡散を阻止する作用を
もつからであると考えられる。
カー回転角の増大に加え、光磁気記録層の酸化防止効果
が充分となることが判明した。これは、上記反射膜を構
成するコバルト合金元素が酸素の拡散を阻止する作用を
もつからであると考えられる。
本発明の目的を達成する上で、上記反射膜はＣｏ−Ｃｒ
−Ｗ系のコバルト合金であって、Ｃ。
−Ｗ系のコバルト合金であって、Ｃ。
４５〜５５重量％（以下、単に％で示す。）Ｃｒ２５〜
３０％、Ｗ１５〜２０％、更にＦｅＯ〜５％のいわゆる
ステライトからなるのがよい。或いは、更にＮｉを含有
するものであってよい。
３０％、Ｗ１５〜２０％、更にＦｅＯ〜５％のいわゆる
ステライトからなるのがよい。或いは、更にＮｉを含有
するものであってよい。
西方、上記光磁気記録層は、膜面に垂直方向に磁化容易
軸を有するものであって、公知の材質、即ちＴ ｂ Ｆ
ｅ ％ Ｇ ｄ Ｆ ｅ 、、 Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ
ｅ ＣＯ％ＧｄＣｏ等の希土類−遷移金属アモルファ
ス合金で構成することができる。その製膜には、公知の
ようにスパッタリングを採用してよい。
軸を有するものであって、公知の材質、即ちＴ ｂ Ｆ
ｅ ％ Ｇ ｄ Ｆ ｅ 、、 Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ
ｅ ＣＯ％ＧｄＣｏ等の希土類−遷移金属アモルファ
ス合金で構成することができる。その製膜には、公知の
ようにスパッタリングを採用してよい。
また、この光磁気記録層上には、上記反射膜との間に誘
電体膜が設けられるが、こうした誘電体としては、Ｓｉ
３Ｎ４をはじめＡ Ｉ Ｎ ％ Ｓ ｉ Ｏ２、Ｚ ｎ
３％ Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄ
ｅ）等が挙げられる。この誘電体膜はスパッタリングに
よって光磁気記録層上に積層して設けることができるが
、光磁気記録層と基板との間にも設けて光磁気記録層を
誘電体膜でサンドインチした構造としてもよい。このサ
ンドインチ構造にすれば、基板として樹脂基板を用いる
ときに生じがちな基板からの酸素の取り込みが膜形成時
に生じ難くなるので、有利であると考えられる。
電体膜が設けられるが、こうした誘電体としては、Ｓｉ
３Ｎ４をはじめＡ Ｉ Ｎ ％ Ｓ ｉ Ｏ２、Ｚ ｎ
３％ Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄ
ｅ）等が挙げられる。この誘電体膜はスパッタリングに
よって光磁気記録層上に積層して設けることができるが
、光磁気記録層と基板との間にも設けて光磁気記録層を
誘電体膜でサンドインチした構造としてもよい。このサ
ンドインチ構造にすれば、基板として樹脂基板を用いる
ときに生じがちな基板からの酸素の取り込みが膜形成時
に生じ難くなるので、有利であると考えられる。
また、基板の構成材料は種々のものが採用可能であるが
、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリメチルメタクリレートの如きプラスチックス
がある。ガラス等、セラミックス等からなる基板も使用
可能である。或いは金泥基板も使用してもよい。基板又
は基体の形状はシート、カード、ディスク、ドラムの他
、長尺テープ状でもよい。
、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリメチルメタクリレートの如きプラスチックス
がある。ガラス等、セラミックス等からなる基板も使用
可能である。或いは金泥基板も使用してもよい。基板又
は基体の形状はシート、カード、ディスク、ドラムの他
、長尺テープ状でもよい。
第１図は、基板１上に、光磁気記録層２と誘電体膜３と
反射膜４とが順次積層された、本発明に基づく光磁気記
録媒体の一例を示すものである。
反射膜４とが順次積層された、本発明に基づく光磁気記
録媒体の一例を示すものである。
ここで、各層の厚みは、光磁気記録層２が１０００〜１
５００人、誘電体膜３が３００〜６００人、反射膜４が
５００〜６００人であるのがよい。この反射膜４の存在
によって、耐蝕性の向上に加えてカー回転角の増大、Ｓ
／Ｎの向上が得られる。
５００人、誘電体膜３が３００〜６００人、反射膜４が
５００〜６００人であるのがよい。この反射膜４の存在
によって、耐蝕性の向上に加えてカー回転角の増大、Ｓ
／Ｎの向上が得られる。
ホ、実施例
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明する。
実上桝
透明ガラス基板上に、膜厚１ｏｏｏ人のＧ ｄ Ｔ ｂ
Ｆ ｅ Ｃ。
Ｆ ｅ Ｃ。
非晶質合金薄膜がスパッタリングによって形成され、そ
の上に、膜厚３００人のＳｉ３Ｎ４誘電体膜（保護膜）
が窒素雰囲気中での反応性スパッタリングによって形成
された。更にその上に、５００人のステライト系合金膜
がスパッタリングによって反射膜として形成された。こ
こで、反射膜の組成は、Ｃｒ２２％、Ｗ１４％、Ｎｉ２
３％、残部ＣＯであった。
の上に、膜厚３００人のＳｉ３Ｎ４誘電体膜（保護膜）
が窒素雰囲気中での反応性スパッタリングによって形成
された。更にその上に、５００人のステライト系合金膜
がスパッタリングによって反射膜として形成された。こ
こで、反射膜の組成は、Ｃｒ２２％、Ｗ１４％、Ｎｉ２
３％、残部ＣＯであった。
このようにして作製された光熱磁気記録媒体を温度６０
℃、相対湿度８０％の恒温恒湿槽に入れて、耐腐蝕性試
験を行った。
℃、相対湿度８０％の恒温恒湿槽に入れて、耐腐蝕性試
験を行った。
上較凱
実施例１において、反射膜としてＴｉ膜を用いた以外は
同様の記録媒体を作成し、これを上記した耐腐蝕性試験
に供した。
同様の記録媒体を作成し、これを上記した耐腐蝕性試験
に供した。
以上の結果を第２図に示したが、θｋ（カー回転角）に
ついては両者ともそれ程度化がないが、Ｈｃ（保磁力）
については反射膜がＴｉの場合よりも本発明に基づくス
テライト系合金の場合の方が変化がずっと少ないことが
分かる。
ついては両者ともそれ程度化がないが、Ｈｃ（保磁力）
については反射膜がＴｉの場合よりも本発明に基づくス
テライト系合金の場合の方が変化がずっと少ないことが
分かる。
また、ステライト系合金の反射膜の場合、５４３Ｎ４誘
電体膜に対し、レーザー波長域での反射率が高い状態で
反射膜を容易に被着できることが分かつた。このことに
より、反射光量を増やし、再生信号を向上させることが
できる。
電体膜に対し、レーザー波長域での反射率が高い状態で
反射膜を容易に被着できることが分かつた。このことに
より、反射光量を増やし、再生信号を向上させることが
できる。
なお、磁性層を透明誘電体膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）でサンド
インチした構造にすると、特に樹脂基板を使用したとき
により大きな効果が見られることが分かった。
インチした構造にすると、特に樹脂基板を使用したとき
により大きな効果が見られることが分かった。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基づいて更に変形可能である。
思想に基づいて更に変形可能である。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は光
磁気記録媒体の断面図、 第２図は耐腐蝕試験の結果を比較して示すグラフ である。 なお、図面に示す符号に於いて、 １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・光磁気記録層 ３・・・・・・・・・誘電体膜 ４・・・・・・・・・反射膜 である。
磁気記録媒体の断面図、 第２図は耐腐蝕試験の結果を比較して示すグラフ である。 なお、図面に示す符号に於いて、 １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・光磁気記録層 ３・・・・・・・・・誘電体膜 ４・・・・・・・・・反射膜 である。
Claims (1)
- １、金属薄膜からなる光磁気記録層と；コバルト、クロ
ム及びタングステンを含有するコバルト合金からなる反
射膜とが積層せしめられている光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22952585A JPS6289255A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22952585A JPS6289255A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289255A true JPS6289255A (ja) | 1987-04-23 |
Family
ID=16893533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22952585A Pending JPS6289255A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512364A (en) * | 1986-05-14 | 1996-04-30 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP22952585A patent/JPS6289255A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512364A (en) * | 1986-05-14 | 1996-04-30 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
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