JPS61278061A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS61278061A JPS61278061A JP11878185A JP11878185A JPS61278061A JP S61278061 A JPS61278061 A JP S61278061A JP 11878185 A JP11878185 A JP 11878185A JP 11878185 A JP11878185 A JP 11878185A JP S61278061 A JPS61278061 A JP S61278061A
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- Japan
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- magneto
- recording medium
- corrosion
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気メモリー、磁気印刷、表示素子などに利
用され、磁気カー効果あるいはファラデー効果などの磁
気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒
体の改良に関する。
用され、磁気カー効果あるいはファラデー効果などの磁
気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒
体の改良に関する。
従来、光磁気記録媒体用の磁気記録層としてＭｎＢ１．
ＭｎＣｕＢ１などの多結晶薄膜、ＧｄＦｅ、 ＧｄＣ
ｏ、ＴｂＦｅ、 ＤｙＦｅ、 ＧｄＴｂＦｅ、
ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｔｂ口ｙＦｅ、
ＧｄＴｂＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＧｅ
などの非晶質薄膜、Ｇｄ１Ｇなどの単結晶薄膜などが知
られている。
ＭｎＣｕＢ１などの多結晶薄膜、ＧｄＦｅ、 ＧｄＣ
ｏ、ＴｂＦｅ、 ＤｙＦｅ、 ＧｄＴｂＦｅ、
ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｔｂ口ｙＦｅ、
ＧｄＴｂＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＧｅ
などの非晶質薄膜、Ｇｄ１Ｇなどの単結晶薄膜などが知
られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を製作する際の成膜
性、信号を小さな光熱エネルギーで書込むための書込み
効率および書込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率等を勘案すると、最近では前記の非晶質
薄膜が光磁気記録媒体用として優れていると考えられて
いる。
性、信号を小さな光熱エネルギーで書込むための書込み
効率および書込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率等を勘案すると、最近では前記の非晶質
薄膜が光磁気記録媒体用として優れていると考えられて
いる。
しかしながら、一般に非晶質磁性体は耐腐食性が劣り湿
気を有する雰囲気中では腐食されて磁気特性の劣化を生
じるという欠点がある。特にＳ／Ｎ比を向上させる目的
で磁気記録層の裏面に反射層を設けたりあるいは干渉層
と反射層を設けた構成においては、ファラデー効果を有
効に利用する必要から、磁気記録層の厚さを通常５００
八以下に制限するために耐腐食性がいっそう悪化する。
気を有する雰囲気中では腐食されて磁気特性の劣化を生
じるという欠点がある。特にＳ／Ｎ比を向上させる目的
で磁気記録層の裏面に反射層を設けたりあるいは干渉層
と反射層を設けた構成においては、ファラデー効果を有
効に利用する必要から、磁気記録層の厚さを通常５００
八以下に制限するために耐腐食性がいっそう悪化する。
このような欠点を除くために、従来から磁気記録層にＳ
ｉ、 Ｃｒ、 Ｔｉ、 Ｘｉ、 Ｇｏ等の元素を添加し
たり磁気記録層の上に各種の保護層を設けたり、あるい
は不活性ガスによって磁気記録層を封じこめたエアーサ
ンドイッチ構造や貼り合わせ構造のディスク状光磁気記
録媒体が提案されているが、いずれも保護効果において
満足すべきものであるとは言えなかった。
ｉ、 Ｃｒ、 Ｔｉ、 Ｘｉ、 Ｇｏ等の元素を添加し
たり磁気記録層の上に各種の保護層を設けたり、あるい
は不活性ガスによって磁気記録層を封じこめたエアーサ
ンドイッチ構造や貼り合わせ構造のディスク状光磁気記
録媒体が提案されているが、いずれも保護効果において
満足すべきものであるとは言えなかった。
本発明の目的は、従来の記録媒体に比較して磁気光学効
果や記録感度が何ら遜色なく、より優れた耐腐食性を有
する光磁気記録媒体を提供することにある。
果や記録感度が何ら遜色なく、より優れた耐腐食性を有
する光磁気記録媒体を提供することにある。
本発明の光磁気記録媒体は、基板上に磁気記録層を少な
くとも有してなる光磁気記録媒体において、希土類元素
のフッ化物からなる腐食防止層が設けられていることを
特徴とする。
くとも有してなる光磁気記録媒体において、希土類元素
のフッ化物からなる腐食防止層が設けられていることを
特徴とする。
本発明の光磁気記録媒体に於ける希土類元素のフッ化物
からなる腐食防止層は、磁気光学効果を有する磁気記録
層の片側または両側に、直接接してまたは後述する各種
の補助層を介して積層され、基板等を透過して侵入した
り、各補助層等に元来含まれている酸素や水分等による
磁気記録層の腐食を極めて効果的に抑制することができ
るものである。
からなる腐食防止層は、磁気光学効果を有する磁気記録
層の片側または両側に、直接接してまたは後述する各種
の補助層を介して積層され、基板等を透過して侵入した
り、各補助層等に元来含まれている酸素や水分等による
磁気記録層の腐食を極めて効果的に抑制することができ
るものである。
この腐食防止層は、磁気記録層に直接接して積層される
のが好ましい。補助層を介して積層される場合には、こ
の補助層（特に、有機物質から構成されているものの場
合）に水分や酸素等が含まれる場合に、これらによる腐
食を防止できないからである。
のが好ましい。補助層を介して積層される場合には、こ
の補助層（特に、有機物質から構成されているものの場
合）に水分や酸素等が含まれる場合に、これらによる腐
食を防止できないからである。
この腐食防止層は、特に、ＧｄＦ３、ＬａＦ３、ＣｅＦ
３、ＳｒＦ２、ＬｉＦ 、 ＣａＦ２からなる群から選
ばれた一種以上の化合物が好ましく使用できる。
３、ＳｒＦ２、ＬｉＦ 、 ＣａＦ２からなる群から選
ばれた一種以上の化合物が好ましく使用できる。
希土類元素のフッ化物からなる腐食防止層は、本発明の
目的達成を妨げない範囲で各種の添加物質を含有してい
てもよい。この腐食防止層は、例えば真空蒸着やスパッ
タリング等の公知の成膜法により形成可能である。その
厚さは、一般に２０〜４０００Ａ程度で耐腐食性を向上
ｙせることかできる。
目的達成を妨げない範囲で各種の添加物質を含有してい
てもよい。この腐食防止層は、例えば真空蒸着やスパッ
タリング等の公知の成膜法により形成可能である。その
厚さは、一般に２０〜４０００Ａ程度で耐腐食性を向上
ｙせることかできる。
本発明の光磁気記録媒体は任意の構造、例えばエアーサ
ンドイッチ構造、貼り合わせ構造、とすることができる
。この構造中に於いて反射層、反射防止層、断熱層、イ
ンデックスマークやトラッキングマークを書き込んだ層
等の補助層が必要に応じて設けられる。
ンドイッチ構造、貼り合わせ構造、とすることができる
。この構造中に於いて反射層、反射防止層、断熱層、イ
ンデックスマークやトラッキングマークを書き込んだ層
等の補助層が必要に応じて設けられる。
次に本発明を図面を参照しつつ説明する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一態様の模式断面図
である。この光磁気記録媒体は、透光性の基板ｔ−ｈに
希土類元素のフッ化物からなる腐食防止層２が積層され
、更に、この層２の」二に磁気光学効果を有する磁気記
録層３及び保護層４が順次積層された構造をしており、
腐食防■］二層２の存在により、優れた耐腐食性を有す
るものである。
である。この光磁気記録媒体は、透光性の基板ｔ−ｈに
希土類元素のフッ化物からなる腐食防止層２が積層され
、更に、この層２の」二に磁気光学効果を有する磁気記
録層３及び保護層４が順次積層された構造をしており、
腐食防■］二層２の存在により、優れた耐腐食性を有す
るものである。
基板ｌ、磁気記録層３及び保護層４の材質に関しては特
に制限はないが、基板ｌとしては、通常、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ガラス等が使用される。
に制限はないが、基板ｌとしては、通常、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ガラス等が使用される。
また、磁気記録層３としては、Ｇｄ、 Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈ。
Ｈ。
等の冷土類元素群の一種以上の元素と、Ｆｅ、 Ｇｏ、
旧等の遷移金属元素群の一種以上の元素とを組合わせた
もの（例えば、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＧｏ膜）が記録再生特性が優れているので
好ましいものとして使用でき、真空蒸゛着やスパッタリ
ング等の成膜法により形成できる。これらの膜の厚さは
１通常は３００〜５０００八とされる。
旧等の遷移金属元素群の一種以上の元素とを組合わせた
もの（例えば、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＧｏ膜）が記録再生特性が優れているので
好ましいものとして使用でき、真空蒸゛着やスパッタリ
ング等の成膜法により形成できる。これらの膜の厚さは
１通常は３００〜５０００八とされる。
特に磁気記録層３の抗磁力は、 １００〜１０００００
ｅであると記録、再生特性が良好であり好ましい。
ｅであると記録、再生特性が良好であり好ましい。
保護層４は酸素、水分等に対する腐食防止作用を果すと
共に、最外層であるので、外力に対しても抵抗力を有す
ることが望ましいので、例えば酸化物、硫化物、窒化物
の無機材料や金属あるいは有機高分子膜等を使用すると
よい。
共に、最外層であるので、外力に対しても抵抗力を有す
ることが望ましいので、例えば酸化物、硫化物、窒化物
の無機材料や金属あるいは有機高分子膜等を使用すると
よい。
第２図は本発明の光磁気記録媒体の別の実施態様を示す
模式断面図である。この光磁気記録媒体は、第１図に示
した光磁気記録媒体の磁気記録層３と保護層４との間に
、希土類元素のフッ化物からなる腐食防止層５と、反射
層６とが成膜された構造をしている。
模式断面図である。この光磁気記録媒体は、第１図に示
した光磁気記録媒体の磁気記録層３と保護層４との間に
、希土類元素のフッ化物からなる腐食防止層５と、反射
層６とが成膜された構造をしている。
このように磁気記録層３の両側に配された希土類元素の
フッ化物からなる腐食防止層２及び５が、磁気記録層３
の両面に対する酸素や水分等の侵食を抑制し、更に、保
護層４が相乗的な作用を果すことにより、極めて優れた
耐腐食性が与えられる。従って、この光磁気記録媒体は
カー効果に加えてファラデー効果も利用して再生効率を
向上するために反射層６が設けられた構造でもあり、前
述したように磁気記録層３はその厚さが通常５０〜５０
０八程度とされるにもかかわらず、磁気記録層３の腐食
の進行は格段と抑制され、この光磁気記録媒体は実用」
−大変優れたものである。
フッ化物からなる腐食防止層２及び５が、磁気記録層３
の両面に対する酸素や水分等の侵食を抑制し、更に、保
護層４が相乗的な作用を果すことにより、極めて優れた
耐腐食性が与えられる。従って、この光磁気記録媒体は
カー効果に加えてファラデー効果も利用して再生効率を
向上するために反射層６が設けられた構造でもあり、前
述したように磁気記録層３はその厚さが通常５０〜５０
０八程度とされるにもかかわらず、磁気記録層３の腐食
の進行は格段と抑制され、この光磁気記録媒体は実用」
−大変優れたものである。
本発明の光磁気記録媒体は、従来の記録媒体より優れた
耐腐食性を有し、しかも記録特性の点に於いても何ら遊
色のないものであり、実用的に使用可能な期間を延ばす
ことが可能となった。また、後述する実施例から明らか
なように、本発明の光磁気記録媒体は、使用可能期間中
はそのＳ／Ｎや抗磁力が一定値をほぼ保つので記録条件
を変える必要がなく実用」二好ましいものである。
耐腐食性を有し、しかも記録特性の点に於いても何ら遊
色のないものであり、実用的に使用可能な期間を延ばす
ことが可能となった。また、後述する実施例から明らか
なように、本発明の光磁気記録媒体は、使用可能期間中
はそのＳ／Ｎや抗磁力が一定値をほぼ保つので記録条件
を変える必要がなく実用」二好ましいものである。
実施例１
直径２００腸■、厚さ１．１５ｍ＋ｗの平板ガラス上に
、光硬化樹脂層により厚さ５０騨のプリグループが設け
られたガラス板を基板とし、その上に希土類元素のフッ
化物からなる腐食防止層として５ｒＦ２（膜厚１５０〇
人）を電子ビーム蒸着した。次に、高周波スパッタ装置
を用いてスパッタリングによりＧｄＴｂＦｅ（膜厚 １
ＢＯＡ ）を成膜し、磁気記録層を形成した。その上に
上記腐食防１Ｆ層と同様にして希土類元素のフッ化物、
即ちＳｒＦ２の腐食防止層を（Ｍ厚２００ＯＡ ）で形
成した。更にその」−に反射層として、Ａｎ（膜厚５０
０Ａ）を蒸着し、次いで、保護層として、 ５ｉｎ（膜
厚４００ＯＡ）を蒸着した。更に。
、光硬化樹脂層により厚さ５０騨のプリグループが設け
られたガラス板を基板とし、その上に希土類元素のフッ
化物からなる腐食防止層として５ｒＦ２（膜厚１５０〇
人）を電子ビーム蒸着した。次に、高周波スパッタ装置
を用いてスパッタリングによりＧｄＴｂＦｅ（膜厚 １
ＢＯＡ ）を成膜し、磁気記録層を形成した。その上に
上記腐食防１Ｆ層と同様にして希土類元素のフッ化物、
即ちＳｒＦ２の腐食防止層を（Ｍ厚２００ＯＡ ）で形
成した。更にその」−に反射層として、Ａｎ（膜厚５０
０Ａ）を蒸着し、次いで、保護層として、 ５ｉｎ（膜
厚４００ＯＡ）を蒸着した。更に。
保護層」−へ接着剤を用いて、基板と同型の保護用ガラ
ス板を貼り合わせ本発明の光磁気記録媒体を製作した。
ス板を貼り合わせ本発明の光磁気記録媒体を製作した。
実施例２，３．４
実施例１の２つの腐食防止層の代わりに、これらの各層
と光学的膜厚が等しい下記の腐食防止層をそれぞれ設け
た以外は実施例１と同様にして本発明の光磁気記録媒体
を作製した。
と光学的膜厚が等しい下記の腐食防止層をそれぞれ設け
た以外は実施例１と同様にして本発明の光磁気記録媒体
を作製した。
支１叢」ム ２つの −
２ＧｄＦ３
３ ＬａＦ３
４ ＣｅＦ３
比較例１
実施例１の２つの腐食防止層の代わりに、これらの各層
と光学的膜厚が等しいＳｉＯの層をそれぞれ設けた以外
は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を作製した。
と光学的膜厚が等しいＳｉＯの層をそれぞれ設けた以外
は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を作製した。
比較例２
実施例１の２つの腐食防止層の代わりに、これらの各層
と光学的膜厚が等しくなるように、一般に腐食防■に能
力が高いとされているＡＩＮの層をそれぞれ設けた以外
は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を作製した。
と光学的膜厚が等しくなるように、一般に腐食防■に能
力が高いとされているＡＩＮの層をそれぞれ設けた以外
は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を作製した。
実施例１〜４及び比較例１．２の光磁気記録媒体の耐腐
食性の評価をした。その評価は、光磁気記録媒体を４５
℃ ８５％の恒温恒湿槽に入れて加速試験を行ない、抗
磁力とＳ／Ｎ比の経時変化な調べた。
食性の評価をした。その評価は、光磁気記録媒体を４５
℃ ８５％の恒温恒湿槽に入れて加速試験を行ない、抗
磁力とＳ／Ｎ比の経時変化な調べた。
Ｓ／Ｎ比の測定は、光磁気記録媒体を１８０Ｏｒｐｍで
回転させながら、波長８３０ｎｍの半導体レーザーを用
いて書込み出力８Ｉ１ｗ、デユーティ−（ｄｕｔｙ）比
５０％、記録周波数４ＭＨｚで記録を行ない、これを同
じ半導体レーザーを用いて再生出力２Ｉｌｉｌｌで再生
して行なった。
回転させながら、波長８３０ｎｍの半導体レーザーを用
いて書込み出力８Ｉ１ｗ、デユーティ−（ｄｕｔｙ）比
５０％、記録周波数４ＭＨｚで記録を行ない、これを同
じ半導体レーザーを用いて再生出力２Ｉｌｉｌｌで再生
して行なった。
抗磁力変化の加速試験結果を第３図（実施例１と比較例
１）及び第５図（実施例２，３．４）に、又、Ｓ／Ｎ変
化の加速試験結果を第４図（実施例１と比較例）に示す
。
１）及び第５図（実施例２，３．４）に、又、Ｓ／Ｎ変
化の加速試験結果を第４図（実施例１と比較例）に示す
。
なお、これらの図に於いて、抗磁力及びＳ／Ｎ比の値は
、初期値で規格化されている。各々の初期値を下記に示
す。
、初期値で規格化されている。各々の初期値を下記に示
す。
試験結果から明らかなように、希土類元素のフッ化物か
らなる腐食防止層を有する本発明の光磁気記録媒体は耐
腐食能力が高いことが確かめられ、記録媒体の実用使用
域を抗磁力の３０％減少又はＳ／Ｎの３ｄＢ低下するま
でとすると、従来の光磁気記録媒体より実用期間が長い
ものができることがわかる。また、従来から知られてい
る光磁気記録媒体が、しだいに特性が劣化してきて使用
不能になるのに対し、本発明に係る上記実施例の光磁気
記録媒体すべては製作後一定期間はほとんど特性の変化
がなく、一定期間経過後急激に特性が劣化するという特
徴がある。このことは、記録媒体の寿命が尽きるまで、
最適な記録・再生の条件が変化しないので、実際に使用
するにあたって極めて優位である。
らなる腐食防止層を有する本発明の光磁気記録媒体は耐
腐食能力が高いことが確かめられ、記録媒体の実用使用
域を抗磁力の３０％減少又はＳ／Ｎの３ｄＢ低下するま
でとすると、従来の光磁気記録媒体より実用期間が長い
ものができることがわかる。また、従来から知られてい
る光磁気記録媒体が、しだいに特性が劣化してきて使用
不能になるのに対し、本発明に係る上記実施例の光磁気
記録媒体すべては製作後一定期間はほとんど特性の変化
がなく、一定期間経過後急激に特性が劣化するという特
徴がある。このことは、記録媒体の寿命が尽きるまで、
最適な記録・再生の条件が変化しないので、実際に使用
するにあたって極めて優位である。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明による光磁気記録媒
体の実施態様を示す。第３図及び第５図は光磁気記録媒
体の抗磁力の経時変化、第４図は光磁気記録媒体のＳ／
Ｎの経時変化を示す。 １・・・基板 ２．５・・・希二１−類元素のフッ化物からなる腐食防
１１一層 ３・・・磁気記録層 ４・・・保護層 ６・・・反射層 ７．１０・・・実施例１の抗磁力またはＳ／Ｎ比の経時
変化を示す曲線 ８．１１・・・比較例１の抗磁力またはＳ／Ｎ比の経時
変化を示す曲線 ９．１２・・・比較例２の抗磁力またはＳ／Ｎ比の経時
変化を示す曲線
体の実施態様を示す。第３図及び第５図は光磁気記録媒
体の抗磁力の経時変化、第４図は光磁気記録媒体のＳ／
Ｎの経時変化を示す。 １・・・基板 ２．５・・・希二１−類元素のフッ化物からなる腐食防
１１一層 ３・・・磁気記録層 ４・・・保護層 ６・・・反射層 ７．１０・・・実施例１の抗磁力またはＳ／Ｎ比の経時
変化を示す曲線 ８．１１・・・比較例１の抗磁力またはＳ／Ｎ比の経時
変化を示す曲線 ９．１２・・・比較例２の抗磁力またはＳ／Ｎ比の経時
変化を示す曲線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に磁気記録層を少なくとも有してなる光磁気
記録媒体において、希土類元素のフッ化物からなる腐食
防止層が設けられていることを特徴とする光磁気記録媒
体。 ２）前記希土類元素のフッ化物からなる腐食防止層が前
記磁気記録層に接して積層されてなる特許請求の範囲第
１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118781A JPH0731831B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118781A JPH0731831B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278061A true JPS61278061A (ja) | 1986-12-08 |
| JPH0731831B2 JPH0731831B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14744922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118781A Expired - Fee Related JPH0731831B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731831B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0425375A2 (en) * | 1989-10-26 | 1991-05-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100259589A1 (en) | 2009-04-14 | 2010-10-14 | Jonathan Barry | Inert uv inkjet printing |
| US9527307B2 (en) | 2010-12-15 | 2016-12-27 | Electronics For Imaging, Inc. | Oxygen inhibition for print-head reliability |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59110052A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP60118781A patent/JPH0731831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59110052A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0425375A2 (en) * | 1989-10-26 | 1991-05-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731831B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |