JPH0522967B2 - - Google Patents
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- JPH0522967B2 JPH0522967B2 JP140684A JP140684A JPH0522967B2 JP H0522967 B2 JPH0522967 B2 JP H0522967B2 JP 140684 A JP140684 A JP 140684A JP 140684 A JP140684 A JP 140684A JP H0522967 B2 JPH0522967 B2 JP H0522967B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光磁気メモリー、磁気記録、表示素
子などに用いられる磁気記録媒体における改良に
関する。
子などに用いられる磁気記録媒体における改良に
関する。
従来、前記磁気記録媒体の内、例えば光磁気記
録媒体としてはMnNi，MnCuBiなどの多結晶薄
膜、GdCe，GdFe，TbFe，DyFe，GdTbFe，
TdDyFe，GdFeCo，TbFeaCo，GdTbCoなどの
非晶質薄膜、GdIGなどの単結晶薄膜などが知ら
れている。
録媒体としてはMnNi，MnCuBiなどの多結晶薄
膜、GdCe，GdFe，TbFe，DyFe，GdTbFe，
TdDyFe，GdFeCo，TbFeaCo，GdTbCoなどの
非晶質薄膜、GdIGなどの単結晶薄膜などが知ら
れている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する際の製膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率、およ
び書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率を勘案して、最近では前記非晶質
薄膜が光熱記録媒体として優れていると考えられ
ている。特に、GdTbFeはカー回転角も大きく、
150℃前後のキユリー点を持つので光熱磁気記録
媒体として最適である。
の温度で製作する際の製膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率、およ
び書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率を勘案して、最近では前記非晶質
薄膜が光熱記録媒体として優れていると考えられ
ている。特に、GdTbFeはカー回転角も大きく、
150℃前後のキユリー点を持つので光熱磁気記録
媒体として最適である。
しかしながら、一般に前記GdTbFe等の光磁気
記録媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられ
る非晶質磁性体は、耐食性が悪いという欠点を持
つている。すなわち、大気、水蒸着に触れると磁
気特性が低下し、最終的には完全に酸化されて透
明化するに至る。
記録媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられ
る非晶質磁性体は、耐食性が悪いという欠点を持
つている。すなわち、大気、水蒸着に触れると磁
気特性が低下し、最終的には完全に酸化されて透
明化するに至る。
このような欠点を除くために、従来から磁気記
録媒体の層の上に、例えば透明物質の保護カバ
ー、例えばSiO2、SiOの保護を設けたり、さらに
不活性ガスにより封じ込めたデイスク状記録媒体
が提案されている。
録媒体の層の上に、例えば透明物質の保護カバ
ー、例えばSiO2、SiOの保護を設けたり、さらに
不活性ガスにより封じ込めたデイスク状記録媒体
が提案されている。
しかしながら、磁気記録層が〜数百Åと薄い場
合には、酸化物の薄膜、例えばSiO，SiO2，
Al2O3膜の保護による耐久性向上効果は、充分で
はない。また、窒化物の薄膜、例えばAlN，
Si3N4膜の保護層では、プラスチツク基板との密
着性が酸化物より劣り、また屈折率が高すぎると
いう欠点がある。
合には、酸化物の薄膜、例えばSiO，SiO2，
Al2O3膜の保護による耐久性向上効果は、充分で
はない。また、窒化物の薄膜、例えばAlN，
Si3N4膜の保護層では、プラスチツク基板との密
着性が酸化物より劣り、また屈折率が高すぎると
いう欠点がある。
本発明の目的は、好ましくは非晶質の磁性体を
用いる磁気記録媒体の耐食性、耐久性を向上し、
且つ書込み、読出し効果の向上も可能な磁気記録
媒体を提供することにある。
用いる磁気記録媒体の耐食性、耐久性を向上し、
且つ書込み、読出し効果の向上も可能な磁気記録
媒体を提供することにある。
本発明の磁気記録媒体は上述の目的を達成する
ために開発されたものであり、より詳しくは、プ
ラスチツク基板上に、好ましくは非晶質の磁性体
からなる記録層を設けてなる磁気記録媒体におい
て、前記基板と記録層との間に、基板に相接して
酸化物と窒化物との混合膜を設け、該混合膜中の
窒化物と酸化物との重量比を９：１〜１：９の範
囲としたことを特徴とするものである。
ために開発されたものであり、より詳しくは、プ
ラスチツク基板上に、好ましくは非晶質の磁性体
からなる記録層を設けてなる磁気記録媒体におい
て、前記基板と記録層との間に、基板に相接して
酸化物と窒化物との混合膜を設け、該混合膜中の
窒化物と酸化物との重量比を９：１〜１：９の範
囲としたことを特徴とするものである。
すなわち本発明で用いる窒化物と酸化物との混
合膜は、酸化物単独に比べて耐食性、耐久性に優
れ、プラスチツク基板との密着性が優れ、更に窒
化物と酸化物との混合比を変化させることによ
り、屈折率の調節も容易であるため、書込み、読
出し効果の向上も可能となる。
合膜は、酸化物単独に比べて耐食性、耐久性に優
れ、プラスチツク基板との密着性が優れ、更に窒
化物と酸化物との混合比を変化させることによ
り、屈折率の調節も容易であるため、書込み、読
出し効果の向上も可能となる。
以下、本発明を更に詳細に説明する。以下の記
載において、量比を表わす「％」および「部」
は、特に断わらない限り、重量基準とする。
載において、量比を表わす「％」および「部」
は、特に断わらない限り、重量基準とする。
本発明の磁気記録媒体の好ましい一実施例とし
て、光記録再生用の磁気記録媒体の積層を図面に
示す。図において、書込み側プラスチツク基板１
ａ上に、混合膜２を形成せしめ、順次、記録磁性
層３、スペーサー層４、反射層５を形成し、更に
接着層６を介して外部プラスチツク基板１ｂと貼
り合わせることにより磁気記録媒体が得られる。
て、光記録再生用の磁気記録媒体の積層を図面に
示す。図において、書込み側プラスチツク基板１
ａ上に、混合膜２を形成せしめ、順次、記録磁性
層３、スペーサー層４、反射層５を形成し、更に
接着層６を介して外部プラスチツク基板１ｂと貼
り合わせることにより磁気記録媒体が得られる。
プラスチツク基板１ａとしては、アクリル系樹
脂等からなる厚さが１mm程度の透明プラスチツク
デイスク基板が好ましく用いられる。
脂等からなる厚さが１mm程度の透明プラスチツク
デイスク基板が好ましく用いられる。
混合膜２としては、AlNとAl2O3、または
Si3N4とSiO、またはSi3N4とSiO2が好ましく用い
られる。これら混合膜の製造法は、基本的には限
定されないが、好ましくは、Al，Si，AlN，
Si3N4等を蒸着源とした反応性蒸着法または反応
性スパツタ法が用いられる。これら方法で形成さ
れる場合、雰囲気ガスであるO2、N2のガス流量
比によつて、容易に酸化物と窒化物の混合比を変
化させることができ、適当な組成の混合膜を形成
することができる。従つてSi3N4とSiO2の混合膜
の場合には、SiO2膜の屈折率である1.45から
Si3N4膜の屈折率である2.0まで任意の屈折率の混
合膜を得ることができる。またAlNとAl2O3の混
合膜の場合には、Al2O3膜の屈折率である1.6から
AlN膜の屈折率である2.3まで任意の屈折率の混
合膜を得ることができる。
Si3N4とSiO、またはSi3N4とSiO2が好ましく用い
られる。これら混合膜の製造法は、基本的には限
定されないが、好ましくは、Al，Si，AlN，
Si3N4等を蒸着源とした反応性蒸着法または反応
性スパツタ法が用いられる。これら方法で形成さ
れる場合、雰囲気ガスであるO2、N2のガス流量
比によつて、容易に酸化物と窒化物の混合比を変
化させることができ、適当な組成の混合膜を形成
することができる。従つてSi3N4とSiO2の混合膜
の場合には、SiO2膜の屈折率である1.45から
Si3N4膜の屈折率である2.0まで任意の屈折率の混
合膜を得ることができる。またAlNとAl2O3の混
合膜の場合には、Al2O3膜の屈折率である1.6から
AlN膜の屈折率である2.3まで任意の屈折率の混
合膜を得ることができる。
混合膜の厚さは、500〜3000Å程度が適当であ
り、また混合膜中の窒化物と酸化物の比は、９：
１〜１：９、好ましくは７：３〜３：７の範囲で
任意の比率とすることができ、また厚さ方向に組
成比の変化による屈折率の変化を与えることもで
きる。
り、また混合膜中の窒化物と酸化物の比は、９：
１〜１：９、好ましくは７：３〜３：７の範囲で
任意の比率とすることができ、また厚さ方向に組
成比の変化による屈折率の変化を与えることもで
きる。
記録磁性層３としては、例えば、厚さが200Å
前後のGdTbFeの３元系非晶質膜、GdTbFeCoの
４元系非晶質膜等が好ましく用いられる。
前後のGdTbFeの３元系非晶質膜、GdTbFeCoの
４元系非晶質膜等が好ましく用いられる。
またスペーサー層４としては、厚さが500〜
3000Å程度の、SiO2もしくはSiO膜あるいは上記
した層２と同様な混合膜が好ましく用いられる。
3000Å程度の、SiO2もしくはSiO膜あるいは上記
した層２と同様な混合膜が好ましく用いられる。
接着層５としては、シリコーン系接着剤、例え
ば東レシリコーン(株)製SE1700などを、10μ程度の
厚さで用いればよい。
ば東レシリコーン(株)製SE1700などを、10μ程度の
厚さで用いればよい。
外部プラスチツク基板１ｂとしては、プラスチ
ツク基板１ａと同様にアクリル樹脂基板等が好ま
しく用いられる。
ツク基板１ａと同様にアクリル樹脂基板等が好ま
しく用いられる。
上記においては、一実施例として、光記録再生
用の磁気記録媒体を説明したが、本発明の磁気記
録媒体は耐久性の改善された非晶質磁気記録媒体
として、光磁気メモリー、磁気記録、表示素子な
どに一般に使用可能である。
用の磁気記録媒体を説明したが、本発明の磁気記
録媒体は耐久性の改善された非晶質磁気記録媒体
として、光磁気メモリー、磁気記録、表示素子な
どに一般に使用可能である。
上述したように本発明によれば、好ましくは非
晶質の記録磁性層とプラスチツク基板との間に、
窒化物と酸化物との混合膜を設けることにより、
特に基板がアクリル系樹脂等のプラスチツク基板
からなる場合に、記録磁性層の耐久性を向上さ
せ、また窒化物と酸化物の混合比を変化させて混
合膜の屈折率を調節することにより、書込み、読
出し効率の向上も可能な磁気記録媒体が提供され
る。
晶質の記録磁性層とプラスチツク基板との間に、
窒化物と酸化物との混合膜を設けることにより、
特に基板がアクリル系樹脂等のプラスチツク基板
からなる場合に、記録磁性層の耐久性を向上さ
せ、また窒化物と酸化物の混合比を変化させて混
合膜の屈折率を調節することにより、書込み、読
出し効率の向上も可能な磁気記録媒体が提供され
る。
以下実施例により本発明を更に具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
実質的に図面に示すような積層構造の磁気記録
媒体を製造した。
媒体を製造した。
すなわち厚さ１mmの書込み側プラスチツク基板
の上に、下引き層としてSi3N4とSiO2とからなる
屈折率約1.7、膜圧約1000Åの混合膜２を反応性
蒸着法により形成し、記録磁性層３として厚さ
200ÅのGdTbFeCo4元系非晶質膜をスパツタ法
により設け、さらに反射層５として厚さ1000Åの
Al膜を設け、さらに厚さ10μｍのシリコーン系接
着剤（SE1700）層６を介して、厚さ１mmのアク
リル樹脂製外部基板を接着した。
の上に、下引き層としてSi3N4とSiO2とからなる
屈折率約1.7、膜圧約1000Åの混合膜２を反応性
蒸着法により形成し、記録磁性層３として厚さ
200ÅのGdTbFeCo4元系非晶質膜をスパツタ法
により設け、さらに反射層５として厚さ1000Åの
Al膜を設け、さらに厚さ10μｍのシリコーン系接
着剤（SE1700）層６を介して、厚さ１mmのアク
リル樹脂製外部基板を接着した。
得られた記録媒体において、基板と混合膜との
接着性は強固なものであり、45℃、90％、200時
間の耐湿テストの結果、磁性層の腐食、磁気特性
の劣化は見られず、耐久性が向上した。また上記
混合膜の代わりに屈折率が1.45のSiO2膜を用いた
ときに比較して、反射防止効果、回転角の増大に
より、書込み、読出し効率を向上させることがで
きた。
接着性は強固なものであり、45℃、90％、200時
間の耐湿テストの結果、磁性層の腐食、磁気特性
の劣化は見られず、耐久性が向上した。また上記
混合膜の代わりに屈折率が1.45のSiO2膜を用いた
ときに比較して、反射防止効果、回転角の増大に
より、書込み、読出し効率を向上させることがで
きた。
実施例 ２
Si3N4とSiO2とからなる混合膜の代わりに、反
応性スパツタ法により得た厚さ1000Å、屈折率約
1.8のAlNとAl2O3とからなる混合膜を形成した磁
気記録媒体を得た。この磁気記録媒体についても
実施例１と同様の耐久性および書込み、読出し効
率の向上が得られた。
応性スパツタ法により得た厚さ1000Å、屈折率約
1.8のAlNとAl2O3とからなる混合膜を形成した磁
気記録媒体を得た。この磁気記録媒体についても
実施例１と同様の耐久性および書込み、読出し効
率の向上が得られた。
図面は本発明の適用される光記録再生用の磁気
記録媒体の積層構造を説明するための厚さ方向模
式断面図である。 １ａ，１ｂ…プラスチツク基板、２…窒化物−
酸化物混合膜（下引き層）、３…記録磁性層、４
…窒化物−酸化物混合膜（スペーサー層）、５…
反射層、６…接着層。
記録媒体の積層構造を説明するための厚さ方向模
式断面図である。 １ａ，１ｂ…プラスチツク基板、２…窒化物−
酸化物混合膜（下引き層）、３…記録磁性層、４
…窒化物−酸化物混合膜（スペーサー層）、５…
反射層、６…接着層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツク基板上に、磁性体からなる記録
層を設けてなる磁気記録媒体において、前記基板
と記録層との間に、基板に相接して酸化物と窒化
物との混合膜を設け、該混合膜中の窒化物と酸化
物との重量比を９：１〜１：９の範囲としたこと
を特徴とする磁気記録媒体。 ２ 該混合膜が同一金属種の窒化物と酸化物とか
らなる特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒
体。 ３ 該混合膜がSi3N4とSiO2との混合物、Si3N4
とSiOとの混合物、またはAlNとAl2O3との混合
物からなる特許請求の範囲第２項に記載の磁気記
録媒体。
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| JP59001406A JPS60145525A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 磁気記録媒体 |
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