JPH0352143B2 - - Google Patents
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- JPH0352143B2 JPH0352143B2 JP21144284A JP21144284A JPH0352143B2 JP H0352143 B2 JPH0352143 B2 JP H0352143B2 JP 21144284 A JP21144284 A JP 21144284A JP 21144284 A JP21144284 A JP 21144284A JP H0352143 B2 JPH0352143 B2 JP H0352143B2
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームにより記録・再生を行うこ
とが可能な光学的記録媒体に関する。 〔従来の技術〕 従来より、光デイスクに用いられる光学的記録
媒体としては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非
晶質から結晶質への相転移を利用したカルコゲン
化合物等の還元性酸化物薄膜、ヒートモード記録
媒体、サーモプラスチツク記録媒体等が知られて
いる。例えば、希土類−遷移金属の合金薄膜で形
成される光磁気記録媒体としては、MnBi、
MnCuBiなどの多結晶薄膜、GdCo、GdFe、
TbFe、DyFe、GdTbFe、TbDyFeなどの非晶質
薄膜、TbFeO3などの単結晶薄膜などが知られて
いる。 これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率、およ
び書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率等を勘案すると、最近では前記非
晶質薄膜が光熱記録媒体として優れていると考え
られている。GdTbFeはカー回転角も大きく、
150℃前後のキユーリー点を持つので光熱磁気記
録媒体として適している。更に発明者等はカー回
転角を向上させる目的で研究した結果、
GdTbFeCoがカー回転角が充分に大きく、Ｓ／
Ｎ比の良い読み出しが可能な光磁気記録媒体であ
ることを見い出した。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、一般に前記GdTbFe等の光磁気
記録媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられ
る非晶質磁性体は、耐食性が悪いという欠点を持
つている。すなわち、大気、水蒸気に触れると磁
気特性が低下し、最終的には完全に酸化されて透
明化するに至る。 このような欠点を除くために、従来から、記録
媒体となる磁気記録層の両側に記録光、再生光を
ほぼ透過する例えば、SiO2、SiO、Si3N4、AlN
の保護膜を設けたり、更には、不活性ガスにより
磁気記録層を封じ込めたデイスク状記録媒体が提
案されている。 このような従来の磁気記録媒体の一例として、
例えば第２図に示すように書き込み側基板１ａ上
に保護膜２を形成し、磁気記録層３、スペーサー
層４、および反射層５を順次設け、更に接着層６
を介して外部プラスチツク基板１ｂと貼り合わせ
たものが知られている。しかし、プラスチツク基
板の吸水性が大きいために磁気記録層３が数百Å
と薄い場合には、保護層２、スペーサー層４が存
在するにもかかわらず湿度の高い状態に長時間置
かれると磁気特性が劣化するという欠点が生じや
すかつた。また、保護層としての窒化物の膜は、
プラスチツクなどの基板に対して密着力が弱く、
はく離やクラツクが生じやすいという欠点があつ
た。さらに窒化物としてSi3N4、AlN、BNなど
の熱伝導のよい材料を用い記録媒体の耐久性を向
上させるために、その膜厚を厚くすると光ビーム
による記録層の温度上昇が十分でなく記録感度が
低下するという欠点もあつた。 本発明は、以上の問題点に鑑みなされたもので
あり、磁気記録層の磁気特性を損なうことなく、
水分や酸素等に対する耐食性に優れまた耐久性に
優れた磁気記録媒体を提供し、かつその記録感度
を向上させることを目的とするものである。 〔課題を解決させるための手段〕 本発明の上記目的は、プラスチツク基板上に、
光学的記録層が設けられて成る光学的記録媒体に
おいて、基板と記録層との間に、基板に相接して
酸化ケイ素から成る下引き層を設け、更に該下引
き層に相接してアルミニウム、タングステン、ジ
ルコニウム、チタン、ニオブ、バナジウム、ホウ
素、クロム若しくはタンタルの窒化物から成る保
護層を設けることによつて達成される。 〔実施例〕 まず、本発明を光磁気記録媒体に適用した場合
につき、該記録媒体の各層の構成例を、その断面
を示す略図を参照しながら説明する。 第１図の構成の記録媒体において、書き込み側
基板１ａ、下引き層２及び磁気記録層３は第２図
で示した従来の磁気記録媒体に使用したと同じも
のによつて形成することができる。例えば基板１
ａとして、アクリル樹脂、ポリカーボネート等の
プラスチツク板またはガラス板、下引き層２とし
て、SiOまたはSiO2からなる薄膜、磁気記録層３
として各種の非晶質薄膜を使用できる。この非晶
質磁性薄膜として、GdCo、GdFe、TbFe、
DyFe、GdTbFe、TbDyFe等の非晶質磁性薄膜
がましい。なかでも、GdTbFe、GdTbFeCoはカ
ー回転角が大きいので特に好ましい。 下引き層２の層厚は一般に500Å〜3000Åで、
磁気記録層３の層厚、窒化物から成る膜７の層厚
に応じて異なるが、耐久性、記録感度の面から
1000Å程度が好ましい。下引き層として設ける
SiOまたはSiO2は、その上に設ける膜の基板との
融合性向上の目的を設けるものである。 磁気記録層３の層厚は記録層としての機能を果
す範囲内の所望の層厚に形成するが通常160〜
1000Å程度である。しかし、記録再生の性能向上
の面から160Å程度が好ましい。 窒化物から成る膜７，８は記録層３の両側また
は片側に形成する。片側の場合は下引き層２と磁
気記録層３との間に形成する。窒化物から成る膜
は膜自体に酸素を含まないので下引き層２からの
酸素や基板を通しての水分により、磁気記録層３
が腐食されるのを防ぐ機能を果す。窒化物から成
る膜の膜厚は100Å〜2000Åの範囲が好ましい。
100Åより薄いと耐湿効果が不充分であり、一方
2000Åより厚いと磁気記録媒体の記録感度が低下
し好ましくない。 SiO、SiO2などのスペーサー層４、Cu、Al、
Auなどの反射層５、シリコン系接着剤などの接
着層６およびガラス、プラスチツクまたはアルミ
ニウムなどの金よりなる保護基板１ｂのそれぞれ
が果す機能は従来の記録媒体の場合と同様であ
る。第１図の例では、窒化物から成る膜は記録層
に相接して設けてあり、耐食性はこの場合がより
効果的ではあるが相接して設けることは本発明に
おいて必須ではなく、窒化物から成る膜と記録層
との間に他の補助層が介在していても発明の目的
は達成出来る。また、第３図に他の例を示すよう
にスペーサー層４、反射層５などの補助層を欠い
ている構成の記録媒体もまた本発明に属するもの
である。 本発明の記録媒体の作製方法は、第１図の例に
ついて述べれば、書き込み側基板１ａ上に下引き
層２を蒸着法などにより形成し、次いで窒化物か
ら成る膜７、記録層３、再び窒化物から成る膜８
を順次スパツタリングなどにより形成する。更に
その上にスペーサー層４、反射層５を蒸着法など
により積層したのち、保護基板１ｂを接着層６を
介して貼り合わせることにより第１図の構成の記
録媒体が完成する。尚、第１図には示していない
が、耐久性向上の目的で反射層５の上に更に窒化
物膜などの保護層をスパツタリングなどにより介
在させることも出来る。 以下に本発明を光磁気記録媒体に適用した場合
につき実施例を示して更に具体的に説明する。 実施例 １ プラスチツク基板１ａとしてポリアクリレート
樹脂板を用い、下引き層２として約1000ÅのSiO
膜を蒸着法により形成し、反応性スパツタリング
法により約700ÅのCrN膜７を設け、更に磁気記
録層３として、約200ÅのFeCoGdTb４元系非晶
質薄膜を高周波スパツタリングにより成膜し、保
護膜８として約200ÅのCrN膜８を再び反応性ス
パツタリングにより成膜した。次にこの上にスペ
ーサー層４として1000ÅのSiO膜、反射層５とし
て約600ÅのAl膜をそれぞれ蒸着で形成した。更
に接着層６としてシリコン系接着剤を用いてポリ
アクリレート樹脂からなる基板１ｂを貼り合わせ
て第１図の構成の本発明の光磁気記録媒体を得
た。 得られた記録媒体に関し、そのカー回転角θk、
保磁力Hcの測定とともに45℃、相対湿度95％の
恒温恒湿槽にて1000時間の耐湿テストを行なつ
た。 比較のため、窒化物から成る膜７，８を設けな
い他は上記と同様の構成を有する記録媒体につい
ても試験を行なつた。結果は第１表に示すとおり
で、本発明の光磁気記録媒体は磁性特性の劣化も
認められず、耐久性が向上した。また記録感度の
低下も認められなかつた。尚、第１表の耐湿テス
ト後の数値は、初期値を1.0とした場合の比率で
示してある。 実施例 ２ 実施例１のCrN膜の代りにZrN膜を保護層７お
よび８として反応性スパツタリングにより設けた
外は実施例１と同様の膜構成の光磁気記録媒体を
作成した。 実施例１と同様カー回転角、保磁力の測定とと
もに、45℃相対湿度95％の恒温恒湿槽における
1000時間の耐湿テストを行なつた。 結果は第１表に示した通りで耐久性を向上させ
ることができた。また、実施例１と同様、記録感
度の低下も認められなかつた。 実施例 ３ 実施例１のCrN膜の代りにBN膜を保護膜７お
よび８として反応性スパツタリングにより設けた
他は実施例１と同様の膜構成の光磁気記録媒体を
作成した。この記録媒体についても実施例１と同
様のテストを行なつた。その結果は第１表に示し
た通り、耐久性は向上し、磁気特性、記録感度、
読み出し効率の劣化は認められなかつた。
とが可能な光学的記録媒体に関する。 〔従来の技術〕 従来より、光デイスクに用いられる光学的記録
媒体としては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非
晶質から結晶質への相転移を利用したカルコゲン
化合物等の還元性酸化物薄膜、ヒートモード記録
媒体、サーモプラスチツク記録媒体等が知られて
いる。例えば、希土類−遷移金属の合金薄膜で形
成される光磁気記録媒体としては、MnBi、
MnCuBiなどの多結晶薄膜、GdCo、GdFe、
TbFe、DyFe、GdTbFe、TbDyFeなどの非晶質
薄膜、TbFeO3などの単結晶薄膜などが知られて
いる。 これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率、およ
び書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率等を勘案すると、最近では前記非
晶質薄膜が光熱記録媒体として優れていると考え
られている。GdTbFeはカー回転角も大きく、
150℃前後のキユーリー点を持つので光熱磁気記
録媒体として適している。更に発明者等はカー回
転角を向上させる目的で研究した結果、
GdTbFeCoがカー回転角が充分に大きく、Ｓ／
Ｎ比の良い読み出しが可能な光磁気記録媒体であ
ることを見い出した。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、一般に前記GdTbFe等の光磁気
記録媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられ
る非晶質磁性体は、耐食性が悪いという欠点を持
つている。すなわち、大気、水蒸気に触れると磁
気特性が低下し、最終的には完全に酸化されて透
明化するに至る。 このような欠点を除くために、従来から、記録
媒体となる磁気記録層の両側に記録光、再生光を
ほぼ透過する例えば、SiO2、SiO、Si3N4、AlN
の保護膜を設けたり、更には、不活性ガスにより
磁気記録層を封じ込めたデイスク状記録媒体が提
案されている。 このような従来の磁気記録媒体の一例として、
例えば第２図に示すように書き込み側基板１ａ上
に保護膜２を形成し、磁気記録層３、スペーサー
層４、および反射層５を順次設け、更に接着層６
を介して外部プラスチツク基板１ｂと貼り合わせ
たものが知られている。しかし、プラスチツク基
板の吸水性が大きいために磁気記録層３が数百Å
と薄い場合には、保護層２、スペーサー層４が存
在するにもかかわらず湿度の高い状態に長時間置
かれると磁気特性が劣化するという欠点が生じや
すかつた。また、保護層としての窒化物の膜は、
プラスチツクなどの基板に対して密着力が弱く、
はく離やクラツクが生じやすいという欠点があつ
た。さらに窒化物としてSi3N4、AlN、BNなど
の熱伝導のよい材料を用い記録媒体の耐久性を向
上させるために、その膜厚を厚くすると光ビーム
による記録層の温度上昇が十分でなく記録感度が
低下するという欠点もあつた。 本発明は、以上の問題点に鑑みなされたもので
あり、磁気記録層の磁気特性を損なうことなく、
水分や酸素等に対する耐食性に優れまた耐久性に
優れた磁気記録媒体を提供し、かつその記録感度
を向上させることを目的とするものである。 〔課題を解決させるための手段〕 本発明の上記目的は、プラスチツク基板上に、
光学的記録層が設けられて成る光学的記録媒体に
おいて、基板と記録層との間に、基板に相接して
酸化ケイ素から成る下引き層を設け、更に該下引
き層に相接してアルミニウム、タングステン、ジ
ルコニウム、チタン、ニオブ、バナジウム、ホウ
素、クロム若しくはタンタルの窒化物から成る保
護層を設けることによつて達成される。 〔実施例〕 まず、本発明を光磁気記録媒体に適用した場合
につき、該記録媒体の各層の構成例を、その断面
を示す略図を参照しながら説明する。 第１図の構成の記録媒体において、書き込み側
基板１ａ、下引き層２及び磁気記録層３は第２図
で示した従来の磁気記録媒体に使用したと同じも
のによつて形成することができる。例えば基板１
ａとして、アクリル樹脂、ポリカーボネート等の
プラスチツク板またはガラス板、下引き層２とし
て、SiOまたはSiO2からなる薄膜、磁気記録層３
として各種の非晶質薄膜を使用できる。この非晶
質磁性薄膜として、GdCo、GdFe、TbFe、
DyFe、GdTbFe、TbDyFe等の非晶質磁性薄膜
がましい。なかでも、GdTbFe、GdTbFeCoはカ
ー回転角が大きいので特に好ましい。 下引き層２の層厚は一般に500Å〜3000Åで、
磁気記録層３の層厚、窒化物から成る膜７の層厚
に応じて異なるが、耐久性、記録感度の面から
1000Å程度が好ましい。下引き層として設ける
SiOまたはSiO2は、その上に設ける膜の基板との
融合性向上の目的を設けるものである。 磁気記録層３の層厚は記録層としての機能を果
す範囲内の所望の層厚に形成するが通常160〜
1000Å程度である。しかし、記録再生の性能向上
の面から160Å程度が好ましい。 窒化物から成る膜７，８は記録層３の両側また
は片側に形成する。片側の場合は下引き層２と磁
気記録層３との間に形成する。窒化物から成る膜
は膜自体に酸素を含まないので下引き層２からの
酸素や基板を通しての水分により、磁気記録層３
が腐食されるのを防ぐ機能を果す。窒化物から成
る膜の膜厚は100Å〜2000Åの範囲が好ましい。
100Åより薄いと耐湿効果が不充分であり、一方
2000Åより厚いと磁気記録媒体の記録感度が低下
し好ましくない。 SiO、SiO2などのスペーサー層４、Cu、Al、
Auなどの反射層５、シリコン系接着剤などの接
着層６およびガラス、プラスチツクまたはアルミ
ニウムなどの金よりなる保護基板１ｂのそれぞれ
が果す機能は従来の記録媒体の場合と同様であ
る。第１図の例では、窒化物から成る膜は記録層
に相接して設けてあり、耐食性はこの場合がより
効果的ではあるが相接して設けることは本発明に
おいて必須ではなく、窒化物から成る膜と記録層
との間に他の補助層が介在していても発明の目的
は達成出来る。また、第３図に他の例を示すよう
にスペーサー層４、反射層５などの補助層を欠い
ている構成の記録媒体もまた本発明に属するもの
である。 本発明の記録媒体の作製方法は、第１図の例に
ついて述べれば、書き込み側基板１ａ上に下引き
層２を蒸着法などにより形成し、次いで窒化物か
ら成る膜７、記録層３、再び窒化物から成る膜８
を順次スパツタリングなどにより形成する。更に
その上にスペーサー層４、反射層５を蒸着法など
により積層したのち、保護基板１ｂを接着層６を
介して貼り合わせることにより第１図の構成の記
録媒体が完成する。尚、第１図には示していない
が、耐久性向上の目的で反射層５の上に更に窒化
物膜などの保護層をスパツタリングなどにより介
在させることも出来る。 以下に本発明を光磁気記録媒体に適用した場合
につき実施例を示して更に具体的に説明する。 実施例 １ プラスチツク基板１ａとしてポリアクリレート
樹脂板を用い、下引き層２として約1000ÅのSiO
膜を蒸着法により形成し、反応性スパツタリング
法により約700ÅのCrN膜７を設け、更に磁気記
録層３として、約200ÅのFeCoGdTb４元系非晶
質薄膜を高周波スパツタリングにより成膜し、保
護膜８として約200ÅのCrN膜８を再び反応性ス
パツタリングにより成膜した。次にこの上にスペ
ーサー層４として1000ÅのSiO膜、反射層５とし
て約600ÅのAl膜をそれぞれ蒸着で形成した。更
に接着層６としてシリコン系接着剤を用いてポリ
アクリレート樹脂からなる基板１ｂを貼り合わせ
て第１図の構成の本発明の光磁気記録媒体を得
た。 得られた記録媒体に関し、そのカー回転角θk、
保磁力Hcの測定とともに45℃、相対湿度95％の
恒温恒湿槽にて1000時間の耐湿テストを行なつ
た。 比較のため、窒化物から成る膜７，８を設けな
い他は上記と同様の構成を有する記録媒体につい
ても試験を行なつた。結果は第１表に示すとおり
で、本発明の光磁気記録媒体は磁性特性の劣化も
認められず、耐久性が向上した。また記録感度の
低下も認められなかつた。尚、第１表の耐湿テス
ト後の数値は、初期値を1.0とした場合の比率で
示してある。 実施例 ２ 実施例１のCrN膜の代りにZrN膜を保護層７お
よび８として反応性スパツタリングにより設けた
外は実施例１と同様の膜構成の光磁気記録媒体を
作成した。 実施例１と同様カー回転角、保磁力の測定とと
もに、45℃相対湿度95％の恒温恒湿槽における
1000時間の耐湿テストを行なつた。 結果は第１表に示した通りで耐久性を向上させ
ることができた。また、実施例１と同様、記録感
度の低下も認められなかつた。 実施例 ３ 実施例１のCrN膜の代りにBN膜を保護膜７お
よび８として反応性スパツタリングにより設けた
他は実施例１と同様の膜構成の光磁気記録媒体を
作成した。この記録媒体についても実施例１と同
様のテストを行なつた。その結果は第１表に示し
た通り、耐久性は向上し、磁気特性、記録感度、
読み出し効率の劣化は認められなかつた。
本発明の光学的記録媒体によれば、記録層が例
えば約数百Åの厚さの磁性層であつてもその書き
込み側基板側またはその両側に膜自体に酸素を含
まない耐湿性のすぐれた窒化物より成る膜を設け
ることにより記録媒体の耐食性を顕著に改善出来
る。その効果は、上記窒化物より成る膜を記録層
に相接して設けた場合特にすぐれている。また
SiOまたはSiO2の膜を下引き層として書き込み側
基板上に設けることによりその上に設ける膜の基
板との融合性を向上することが出来る。 尚、本発明は光磁気記録媒体に限定されるもの
でなく、たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸
化され易い記録層を有する他の光学的記録媒体の
耐食性向上に関しても同様に効果的である。
えば約数百Åの厚さの磁性層であつてもその書き
込み側基板側またはその両側に膜自体に酸素を含
まない耐湿性のすぐれた窒化物より成る膜を設け
ることにより記録媒体の耐食性を顕著に改善出来
る。その効果は、上記窒化物より成る膜を記録層
に相接して設けた場合特にすぐれている。また
SiOまたはSiO2の膜を下引き層として書き込み側
基板上に設けることによりその上に設ける膜の基
板との融合性を向上することが出来る。 尚、本発明は光磁気記録媒体に限定されるもの
でなく、たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸
化され易い記録層を有する他の光学的記録媒体の
耐食性向上に関しても同様に効果的である。
第１図および第３図は本発明の記録媒体、第２
図は従来の記録媒体の各層の構成例の断面略図で
ある。 １ａ……書き込み側基板、２……下引き層、３
……記録層、４……スペーサー層、５……反射
層、６……接着層、７，８……窒化物から成る
膜。
図は従来の記録媒体の各層の構成例の断面略図で
ある。 １ａ……書き込み側基板、２……下引き層、３
……記録層、４……スペーサー層、５……反射
層、６……接着層、７，８……窒化物から成る
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツク基板上に、光学的記録層が設け
られて成る光学的記録媒体において、 前記基板と前記記録層との間に、基板に相接し
て酸化ケイ素から成る下引き層を設け、更に該下
引き層に相接してアルミニウム、タングステン、
ジルコニウム、チタン、ニオブ、バナジウム、ホ
ウ素、クロム若しくはタンタルの窒化物から成る
保護層を設けたことを特徴とする光学的記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21144284A JPS6192459A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21144284A JPS6192459A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3086023A Division JPH04219650A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光学的記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192459A JPS6192459A (ja) | 1986-05-10 |
| JPH0352143B2 true JPH0352143B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=16606022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21144284A Granted JPS6192459A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192459A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831220B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1996-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH05151619A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-06-18 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及び記録方法 |
| JP3287648B2 (ja) * | 1993-06-07 | 2002-06-04 | 株式会社リコー | 相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法及び相変化型情報記録ドライブ装置 |
| EP1216130B1 (en) | 1999-06-28 | 2004-08-25 | Maillefer S.A. | Method in connection with processing polymer or elastomer material |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21144284A patent/JPS6192459A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6192459A (ja) | 1986-05-10 |
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