JPS6192456A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
- Publication number
- JPS6192456A JPS6192456A JP21143984A JP21143984A JPS6192456A JP S6192456 A JPS6192456 A JP S6192456A JP 21143984 A JP21143984 A JP 21143984A JP 21143984 A JP21143984 A JP 21143984A JP S6192456 A JPS6192456 A JP S6192456A
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- JP
- Japan
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- film
- optical recording
- carbide
- layer
- recording medium
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームにより記録・再生を行うことが可能
な光学的記録媒体に関するものである。
な光学的記録媒体に関するものである。
従来より、光ディスクに用いられる光学的記録媒体とし
ては希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶質へ
の相転移を利用したカルコゲノ化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモグラスナック記録
媒体等が知られている。例えば、希土類−遷移金属の合
金薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１
、■ｔｃｕＢｉなどの多結晶薄膜、ＧｄＣｏ、 Ｇｄ
Ｆｅ、 ＴｂＦｅ、 ＤｙＦｅ。
ては希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶質へ
の相転移を利用したカルコゲノ化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモグラスナック記録
媒体等が知られている。例えば、希土類−遷移金属の合
金薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１
、■ｔｃｕＢｉなどの多結晶薄膜、ＧｄＣｏ、 Ｇｄ
Ｆｅ、 ＴｂＦｅ、 ＤｙＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＤｙＦｅ、 ＧｄＦｅＣｏ、
ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＣｏなどの非晶質薄膜
、Ｇｄ１Ｇなどの単結晶薄膜などが知られている。
ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＣｏなどの非晶質薄膜
、Ｇｄ１Ｇなどの単結晶薄膜などが知られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍の温度で
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
Ｓ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率等を勘案して
、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用として優
れていると考えられている。特に、１５０〜２００℃程
度のキューリ一温度を持っＧｄＴｂＦｅやカー回転角が
大きく再生性能（１優れたＧｄＴｂＦｅＣｏ （特開昭
５８−１９６６３９）等が光磁気記録媒体用として最ｊ
メである。
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
Ｓ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率等を勘案して
、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用として優
れていると考えられている。特に、１５０〜２００℃程
度のキューリ一温度を持っＧｄＴｂＦｅやカー回転角が
大きく再生性能（１優れたＧｄＴｂＦｅＣｏ （特開昭
５８−１９６６３９）等が光磁気記録媒体用として最ｊ
メである。
しかしながら、一般に前記ＧｄＴｂＦｅ等の光磁気記録
媒体？はじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶質磁
性体は、耐食性が悪いという欠点を持っている。すなわ
ち、大気、水蒸気に触れると磁気特性が低下し、最終的
には完全に酸化されて透明化するに至る。
媒体？はじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶質磁
性体は、耐食性が悪いという欠点を持っている。すなわ
ち、大気、水蒸気に触れると磁気特性が低下し、最終的
には完全に酸化されて透明化するに至る。
このような欠点を除くために、従来から光学的記録層の
上に各種の保護層、例えば５ｉ０２． Ｓｉｎ。
上に各種の保護層、例えば５ｉ０２． Ｓｉｎ。
ＡＡ２０５など透明物質の保護層を設けたり、さらに不
活性ガスにより封じ込めたディスク状記録媒体が提案さ
れているが、いずれも、記録層が酸化され易い材料から
成る場合、磁性膜の厚さが〜数百人と薄い場合には、保
護効果が不十分であった。
活性ガスにより封じ込めたディスク状記録媒体が提案さ
れているが、いずれも、記録層が酸化され易い材料から
成る場合、磁性膜の厚さが〜数百人と薄い場合には、保
護効果が不十分であった。
上記酸化物【二枚わり窒化物の薄膜、例えばＡＩ！Ｎ。
５ｉ５Ｎ４膜など、あるいは炭化物の薄膜、例えばＳａ
ｃ、 Ｂ４Ｃ膜を保護膜として設けることも提案されて
いるが、プラスチック基板上に面接設けられた場合【二
は、密着性が悪く、膜割れ等が生じやすく、膜割れ部分
から腐食がすすみ易い等の欠点があつ本発明の目的は、
従来の記録媒体に比べ更（１耐食性（１優れた光学的記
録媒体を提供することＣ二ある。
ｃ、 Ｂ４Ｃ膜を保護膜として設けることも提案されて
いるが、プラスチック基板上に面接設けられた場合【二
は、密着性が悪く、膜割れ等が生じやすく、膜割れ部分
から腐食がすすみ易い等の欠点があつ本発明の目的は、
従来の記録媒体に比べ更（１耐食性（１優れた光学的記
録媒体を提供することＣ二ある。
本発明の目的は、以下の光学的記録媒体によって達成さ
れる。
れる。
すなわち、基板上（１少なくとも光学的記録層を有する
光学的記録媒体において、前記基板に相接して金属の膜
を設け、少なくとも該金属の膜と前記光学的記録層の間
（１炭化物の膜又は炭化物と窒化物の混合物の膜又はＺ
ｒ−Ｎ系、Ｂ−Ｎ系＋ Ｃｒ−Ｎ系、 Ｎｂ−Ｎ系、
Ｖ−Ｎ系、 Ｗ−Ｎ系のいずれかの窒化物の膜を設けた
ことを特徴とする光学的記録媒体である。
光学的記録媒体において、前記基板に相接して金属の膜
を設け、少なくとも該金属の膜と前記光学的記録層の間
（１炭化物の膜又は炭化物と窒化物の混合物の膜又はＺ
ｒ−Ｎ系、Ｂ−Ｎ系＋ Ｃｒ−Ｎ系、 Ｎｂ−Ｎ系、
Ｖ−Ｎ系、 Ｗ−Ｎ系のいずれかの窒化物の膜を設けた
ことを特徴とする光学的記録媒体である。
前記金属の嘆としては、Ａ４ Ｃｒ、 Ｔｉ、 Ｓｉ、
Ｇｅ。
Ｇｅ。
Ｔａ、Ｎｂ＋ Ｎ＋、またはＣｏを用いることができる
が、好ましくはＣｒ、 Ｔｉ、 Ｓｉが用いられる。
が、好ましくはＣｒ、 Ｔｉ、 Ｓｉが用いられる。
上記金属により膜厚１０ＯＡ以下、好ましくは４０Ａ以
下Ｇ二形成される。
下Ｇ二形成される。
前記炭化物の膜としては、Ａｔ−Ｃ系、 Ｂ−Ｃ系。
Ｂａ−Ｃ系、 Ｂｅ−Ｃ系、 Ｃｅ−Ｃ系、 Ｃｒ−Ｃ
系、 Ｆｅ−Ｃ系、Ｈｆ−Ｃ系。
系、 Ｆｅ−Ｃ系、Ｈｆ−Ｃ系。
Ｌａ−Ｃ系、 ＭｎＣ系、Ｍｏ−Ｃ系、Ｎｂ−Ｃ系、
５ｉ−Ｃ系、 ５ｒ−Ｃ系。
５ｉ−Ｃ系、 ５ｒ−Ｃ系。
Ｔａ−Ｃ，系、 Ｔｉ−Ｃ系、Ｖ−Ｃ系、Ｗ−Ｃ系、Ｙ
−Ｃ系、 Ｚｒ−Ｃ系の炭化物が用いられ、好ましくは
ＳｉＣ、Ｂ４Ｃが用いられる。
−Ｃ系、 Ｚｒ−Ｃ系の炭化物が用いられ、好ましくは
ＳｉＣ、Ｂ４Ｃが用いられる。
炭化物と窒化物の混合物からなる膜としては、上記炭化
物のいずれかと、５ｎ−Ｎ系、 Ｉｎ−Ｎ系、 Ｚｒ−
Ｎ系、 Ｃｒ−Ｎ系、Ａｔ−Ｎ系、５ｉ−Ｎ系、 Ｔａ
−Ｎ系、Ｖ−Ｎ系、Ｎｂ−Ｎ系、Ｍｏ−Ｎ系、Ｗ−Ｎ系
の窒化物のいずれかとの混合物が用いられる。上記混合
物のうち好ましくは５ｉＣ−Ｓｉ ３Ｎ４． ５ｉＣ−
ＡｔＮ、 ５ｉＣ−ＺｒＮ 、 ５ｉＣ−ＣｒＮが
用いられる。又、Ｚｒ−Ｎ系、Ｂ−Ｎ系、 Ｃｒ−Ｎ系
、Ｎｂ−Ｎ系。
物のいずれかと、５ｎ−Ｎ系、 Ｉｎ−Ｎ系、 Ｚｒ−
Ｎ系、 Ｃｒ−Ｎ系、Ａｔ−Ｎ系、５ｉ−Ｎ系、 Ｔａ
−Ｎ系、Ｖ−Ｎ系、Ｎｂ−Ｎ系、Ｍｏ−Ｎ系、Ｗ−Ｎ系
の窒化物のいずれかとの混合物が用いられる。上記混合
物のうち好ましくは５ｉＣ−Ｓｉ ３Ｎ４． ５ｉＣ−
ＡｔＮ、 ５ｉＣ−ＺｒＮ 、 ５ｉＣ−ＣｒＮが
用いられる。又、Ｚｒ−Ｎ系、Ｂ−Ｎ系、 Ｃｒ−Ｎ系
、Ｎｂ−Ｎ系。
Ｖ−Ｎ系、Ｗ−Ｎ系の窒化物のいずれかの膜を用いるこ
とも出来、好ましくはＺｒＮ、 ＣｒＮ膜が用いられる
。
とも出来、好ましくはＺｒＮ、 ＣｒＮ膜が用いられる
。
上記炭化物又は窒化物又は炭化物と窒化物の混合物を膜
厚５００〜３０００ Ａ、 好ましくは５００〜１０
００ Ａ を二、前記金属の膜の上に積層する。
厚５００〜３０００ Ａ、 好ましくは５００〜１０
００ Ａ を二、前記金属の膜の上に積層する。
本発明の光学的記録媒体の代表的な例を第１図に示す。
図中、１ａは書き込み側基板、２は金属の膜、６は炭化
物の膜、４は光学的記録層、５はスペーサ層、６は反射
層、７は保護ｊＡ、８は接着層、１ｂは保護用基板であ
る。
物の膜、４は光学的記録層、５はスペーサ層、６は反射
層、７は保護ｊＡ、８は接着層、１ｂは保護用基板であ
る。
１ａの書き込み側基板としては、使用光に対しる。
５のスペーサ一層としては、Ｓｉｎ、 ５ｉ０２などの
酸化ケイ素、炭化物の層６で述べたような炭化物又はＺ
ｒＮ、 ＣｒＮ、 ＢＮなどの窒化物を用いることがで
きる。膜厚は５００〜３０００Ａが通している。
酸化ケイ素、炭化物の層６で述べたような炭化物又はＺ
ｒＮ、 ＣｒＮ、 ＢＮなどの窒化物を用いることがで
きる。膜厚は５００〜３０００Ａが通している。
４の光学的記録層としては、ＧｄＴｂＦｅの６元系非晶
質膜、ＧｄＴｂＦｅＣｏ （７’） ４元系非晶質膜ノ
１５０〜２０ＯＡ厚の薄膜、あるいはカルコゲン化合物
の１００〜２０００Ａ厚の薄膜などを用いることができ
る。
質膜、ＧｄＴｂＦｅＣｏ （７’） ４元系非晶質膜ノ
１５０〜２０ＯＡ厚の薄膜、あるいはカルコゲン化合物
の１００〜２０００Ａ厚の薄膜などを用いることができ
る。
６の反射層としては、ＡｔあるいはＣｕを用いろことが
できる。膜厚は４００〜１０ＣＩＯＡが適している。
できる。膜厚は４００〜１０ＣＩＯＡが適している。
７の保護層としては、前記スペーサ一層と同様の材料を
用いることができる。膜厚は１０ロ０〜３００ロＡが適
している。
用いることができる。膜厚は１０ロ０〜３００ロＡが適
している。
８の接着層としては、シリコーン系接着剤、例えば東し
ンリコーノ■製５Ｅ１７００などが、１０訓程度の厚さ
で用いられる。
ンリコーノ■製５Ｅ１７００などが、１０訓程度の厚さ
で用いられる。
１ｂの保護用基板としては、ガラス、プラスチツタなど
が用いられる。
が用いられる。
スペーサ一層２反射層、保護層、接着層、保護用基板は
、必要に応じ、設けても設けなくてもよい。又、他の補
助層を設けてもよい。
、必要に応じ、設けても設けなくてもよい。又、他の補
助層を設けてもよい。
第１図には貼り合わせ構造の光学的記録媒体を示したが
、不活性ガスを封じ込めたエアーサンドイッチ構造であ
ってもよい。
、不活性ガスを封じ込めたエアーサンドイッチ構造であ
ってもよい。
本発明を更に具体的に説明するために、以下に実柿例を
示す。
示す。
実施例１
第１図に示す構造の光磁気記録媒体を以下のように製造
した。
した。
書き込み側基板１ａとして厚さ１劇のゲラステック板を
用い、金属の膜２、炭化物の嘆６として、基板上に順次
Ｓｉ膜、 ＳｉＣ膜をそれぞれ４０Ａ。
用い、金属の膜２、炭化物の嘆６として、基板上に順次
Ｓｉ膜、 ＳｉＣ膜をそれぞれ４０Ａ。
１０００Ａ＋二壮址形成した。次に光学的肥録層４とし
てＧｄＴｂＦｅＣｏ′＼４元系非晶質磁性層をスパツタ
リングにより２００Ａ厚を二形成した。スペーサ一層５
としてはＳｉＣＭを１０ＣＩＣＩＡ厚にスパツタリング
により形成した。反射層６としてＡｔ膜を６０ＯＡ厚に
真空蒸着法により形成した。次いで、保獲層７としてＳ
ｉＣ膜を２０００Ａ厚に真空蒸着法により形成した後、
接着層９として東しンリコーノ（掬製５Ｅ１７００を１
０μ厚Ｃニスクリーン印刷して、保護用基板１ｂの１順
厚のアクリル樹脂板と接着し７た０た０ 作製した光磁気記録媒体を、温度４５℃、相対湿度９５
％の恒温恒湿槽ｃ１０００時間入れて耐腐食性試験を行
った。試験前後における保磁力の変化、外観の肉眼的観
察を行ったところ、＃ｆ腐貧性試験後において保磁力は
初期値Ｃ二対して９割以上とほとんど変化なく、外観も
変化は認められなかった。
てＧｄＴｂＦｅＣｏ′＼４元系非晶質磁性層をスパツタ
リングにより２００Ａ厚を二形成した。スペーサ一層５
としてはＳｉＣＭを１０ＣＩＣＩＡ厚にスパツタリング
により形成した。反射層６としてＡｔ膜を６０ＯＡ厚に
真空蒸着法により形成した。次いで、保獲層７としてＳ
ｉＣ膜を２０００Ａ厚に真空蒸着法により形成した後、
接着層９として東しンリコーノ（掬製５Ｅ１７００を１
０μ厚Ｃニスクリーン印刷して、保護用基板１ｂの１順
厚のアクリル樹脂板と接着し７た０た０ 作製した光磁気記録媒体を、温度４５℃、相対湿度９５
％の恒温恒湿槽ｃ１０００時間入れて耐腐食性試験を行
った。試験前後における保磁力の変化、外観の肉眼的観
察を行ったところ、＃ｆ腐貧性試験後において保磁力は
初期値Ｃ二対して９割以上とほとんど変化なく、外観も
変化は認められなかった。
比較のために、炭化物膜ＳｉＣのかわりｔ二５ｉ５Ｎ４
膜を設けた以外は同様にして記録媒体を製作して、同様
にＩＩｉｌｔｇ食性試験を行った試験後の保磁力は初期
値に対して８〜９割と本発明の実施例１より劣った。又
、ＳｉＮはＳｉＣと比較して成膜速度が遅かった。
膜を設けた以外は同様にして記録媒体を製作して、同様
にＩＩｉｌｔｇ食性試験を行った試験後の保磁力は初期
値に対して８〜９割と本発明の実施例１より劣った。又
、ＳｉＮはＳｉＣと比較して成膜速度が遅かった。
実施例２
金属の膜２としてＣｒ膜、炭化物の膜としてＢ４Ｃ膜を
形成した他は、実施例１と同様（ニして磁気記録媒体を
製造した。
形成した他は、実施例１と同様（ニして磁気記録媒体を
製造した。
製造した磁気記録媒体を、実施例１と同様の耐腐食性試
験を行なったところ、保磁力は９割以上であり、外観に
も変化は認められなかった。
験を行なったところ、保磁力は９割以上であり、外観に
も変化は認められなかった。
実施例６
基板１ａとしてアクリル樹脂を用い金属層２として、ス
パッタ法により約４ＯＡのＣｒ膜を設け、保護、す６と
して、反りぶ性スパッタにより約６０ＯＡのＣｒＮ膜を
設け、更に、磁気記録層４として約２０ＯＡのＦ”ｅ！
ｌ５ｃ０５５ｃａｌＯ’ｒｂ１０４元系非晶質薄膜を成
膜した。さらにスペーサ一層５として約６００ＡのＣｒ
Ｎ膜、反射層６として約５００人のＡｔ膜を金属層２と
同様な方法により順次成膜し、さらに保護層７として約
２０００Ａｃｒ）ＳｉＣ膜を設けた。さらに接着層８と
してシリコン系接着材を用いてアクリル樹脂からなる基
板１ｂを貼り合わせ本発明の光磁気記録媒体を得た。Ｃ
ｒＮの成膜速度はＳ １３Ｎ４ 膜の約６倍と大きく製
作上有利であり、実施例１と同様の耐腐食性試験を行っ
たところ保磁力は９割以上であり外観劣化も認められな
かった。
パッタ法により約４ＯＡのＣｒ膜を設け、保護、す６と
して、反りぶ性スパッタにより約６０ＯＡのＣｒＮ膜を
設け、更に、磁気記録層４として約２０ＯＡのＦ”ｅ！
ｌ５ｃ０５５ｃａｌＯ’ｒｂ１０４元系非晶質薄膜を成
膜した。さらにスペーサ一層５として約６００ＡのＣｒ
Ｎ膜、反射層６として約５００人のＡｔ膜を金属層２と
同様な方法により順次成膜し、さらに保護層７として約
２０００Ａｃｒ）ＳｉＣ膜を設けた。さらに接着層８と
してシリコン系接着材を用いてアクリル樹脂からなる基
板１ｂを貼り合わせ本発明の光磁気記録媒体を得た。Ｃ
ｒＮの成膜速度はＳ １３Ｎ４ 膜の約６倍と大きく製
作上有利であり、実施例１と同様の耐腐食性試験を行っ
たところ保磁力は９割以上であり外観劣化も認められな
かった。
実施例４
実施例６の保藤層３．スペーサ一層５のＣｒＮ膜Ｃ二か
えてＺｒＮ膜を設けた他は実施例６と同様にして光磁気
記録媒体を得た。保磁力、カー回転角の較してＺｒＮ膜
の成膜速度は〜１．５倍と大きく、ＣｒＮ同様製作上有
利である。
えてＺｒＮ膜を設けた他は実施例６と同様にして光磁気
記録媒体を得た。保磁力、カー回転角の較してＺｒＮ膜
の成膜速度は〜１．５倍と大きく、ＣｒＮ同様製作上有
利である。
実施例５
金属膜２としてＳｉ膜、炭化物と窒化物の混合膜製造し
た媒体を実施例１と同様の耐食性試験を行なったところ
保磁力は９割以上であり外観劣化も認められなかった。
た媒体を実施例１と同様の耐食性試験を行なったところ
保磁力は９割以上であり外観劣化も認められなかった。
実施声」６
実施例５のＳｉＣと５１ｓＮ４の混合膜３の代りにＳｉ
ＣとＡｍの混合膜を保護層として設けた外は実施例１と
同様の１換構成の光磁気記録媒体を作成した０ ８ｉＣとＡｔＮの混合膜（・ま５インチのＳｉＣ化合物
ターゲット上にはぼ１０団角のＡｔ片を４つ均−Ｃ二並
べて、ＡｒとＮ２の比が１１の混合ガス中でスパッタリ
ングにより成膜した。この媒体についても実施例１と同
様の耐腐食性試験を行ったところ保磁力は９割以上であ
り外観劣化も認められなかった・ 〔発明の効果〕 基板と光学的記録層の間ｆ二、基板側から順次金属の膜
、炭化物の膜又は窒化物の膜又は炭化物と窒化物の混合
物の膜を設けることにより、従来の酸ｆヒ物、炭化物の
膜を単独に設けるよりも、グラスチック基板との密着性
にも優れ、耐腐食性を向上させることができる。
ＣとＡｍの混合膜を保護層として設けた外は実施例１と
同様の１換構成の光磁気記録媒体を作成した０ ８ｉＣとＡｔＮの混合膜（・ま５インチのＳｉＣ化合物
ターゲット上にはぼ１０団角のＡｔ片を４つ均−Ｃ二並
べて、ＡｒとＮ２の比が１１の混合ガス中でスパッタリ
ングにより成膜した。この媒体についても実施例１と同
様の耐腐食性試験を行ったところ保磁力は９割以上であ
り外観劣化も認められなかった・ 〔発明の効果〕 基板と光学的記録層の間ｆ二、基板側から順次金属の膜
、炭化物の膜又は窒化物の膜又は炭化物と窒化物の混合
物の膜を設けることにより、従来の酸ｆヒ物、炭化物の
膜を単独に設けるよりも、グラスチック基板との密着性
にも優れ、耐腐食性を向上させることができる。
尚、本発明は光磁気記録媒体Ｃ二限定さ才℃るちＪ）で
なく、たとえばカルコゲノ化合物の薄膜等、酸化され易
い記録層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関
しても同様２二効果的である。
なく、たとえばカルコゲノ化合物の薄膜等、酸化され易
い記録層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関
しても同様２二効果的である。
第１図は本発明の光学的記録媒体の略断面図である。
５・・スペーサ一層、６・・反射層、７・・保護層、８
接着層、１ｂ 保護用基板
接着層、１ｂ 保護用基板
Claims (2)
- （１）基板上に少なくとも光学的記録層を有する光学的
記録媒体において、前記基板に相接して金属の膜を設け
、少なくとも該金属の膜と前記光学的記録層の間に炭化
物の膜又は炭化物と窒化物の混合物の膜又はＺｒ−Ｎ系
、Ｂ−Ｎ系、Ｃｒ−Ｎ系、Ｎｂ−Ｎ系、Ｖ−Ｎ系、Ｗ−
Ｎ系のいずれかの窒化物の膜を設けたことを特徴とする
光学的記録媒体。 - （２）前記光学的記録層の基板と反対側に更に反射層を
設けた特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21143984A JPS6192456A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21143984A JPS6192456A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192456A true JPS6192456A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16605968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21143984A Pending JPS6192456A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242350A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPH01158645A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21143984A patent/JPS6192456A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242350A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPH01158645A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
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