JPH0792935B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0792935B2 JPH0792935B2 JP24339487A JP24339487A JPH0792935B2 JP H0792935 B2 JPH0792935 B2 JP H0792935B2 JP 24339487 A JP24339487 A JP 24339487A JP 24339487 A JP24339487 A JP 24339487A JP H0792935 B2 JPH0792935 B2 JP H0792935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- layer
- recording medium
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関す
る。
る。
（従来の技術とその問題点） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、イレ
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が
最も多く用いられている。
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が
最も多く用いられている。
この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録・
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いC/N比を得られる
という点で優れている。
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いC/N比を得られる
という点で優れている。
従来、反射層としてAlを用いるものや、Teを用いるもの
が提案されている。（特開昭62−52744） しかしながら、Alを使用した場合にはその高熱伝導性の
ため記録感度が大幅に低下し、また、Teを用いた場合に
は記録感度は向上するが反射率が低いため十分なC/N比
が得られないという欠点を有する。
が提案されている。（特開昭62−52744） しかしながら、Alを使用した場合にはその高熱伝導性の
ため記録感度が大幅に低下し、また、Teを用いた場合に
は記録感度は向上するが反射率が低いため十分なC/N比
が得られないという欠点を有する。
（問題点を解決するための手段） 本発明者等は上述の欠点をを克服した、高感度で高C/N
比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果、
特定の物質で反射層を構成すことにより記録感度が高
く、キャリアレベルが高い、また経時安定性に優れた光
磁気記録媒体が得られることを見出した。
比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果、
特定の物質で反射層を構成すことにより記録感度が高
く、キャリアレベルが高い、また経時安定性に優れた光
磁気記録媒体が得られることを見出した。
本発明の要旨は、基板上に干渉層、光磁気記録層および
反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、反射
層をZr又はＶを含有するAl合金によって形成したことを
特徴とする光磁気記録媒体体に存する。
反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、反射
層をZr又はＶを含有するAl合金によって形成したことを
特徴とする光磁気記録媒体体に存する。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラ
ス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチ
ック、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹
脂を形成した基板等が挙げられる。
ス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチ
ック、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹
脂を形成した基板等が挙げられる。
基板の厚みは１〜2mm程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、TbFe、TbFeCo、TbC
o、DyFeCoなどの希土類と遷移金属の非晶質磁性合金、
及びMnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜が用いられ
る。特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効果的であ
る。また、光磁気記録層として単一の層を用いても良い
しGdTbFe/TbFeのように２層以上の記録層を重ねて用い
てもよい。光磁気記録層の膜厚は150〜1000Å、好まし
くは200〜500Åである。
o、DyFeCoなどの希土類と遷移金属の非晶質磁性合金、
及びMnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜が用いられ
る。特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効果的であ
る。また、光磁気記録層として単一の層を用いても良い
しGdTbFe/TbFeのように２層以上の記録層を重ねて用い
てもよい。光磁気記録層の膜厚は150〜1000Å、好まし
くは200〜500Åである。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に干渉
層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉
効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させC/N
比を向上させるためのものである。干渉層は単層膜でも
多層膜でもよい。干渉層としては金属酸化物や金属チッ
化物、無機炭化物などが用いられる。金属酸化物として
はAl2O3、Ta2O5、SiO、SiO2の金属酸化物単独あるいは
これらの混合物、あるいはAl−Ta−Ｏの複合酸化物等が
挙げられる。また更にこれらに他の元素、例えばTi、Z
r、Ｗ、Mo、Yb等が酸化物の形で単独あるいはAl、Taと
複合して酸化物を形成していてもよい。これらの金属酸
化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食
性が高く光磁気記録層との反応性も小であり、また、基
板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂との密着性に
優れる。
層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉
効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させC/N
比を向上させるためのものである。干渉層は単層膜でも
多層膜でもよい。干渉層としては金属酸化物や金属チッ
化物、無機炭化物などが用いられる。金属酸化物として
はAl2O3、Ta2O5、SiO、SiO2の金属酸化物単独あるいは
これらの混合物、あるいはAl−Ta−Ｏの複合酸化物等が
挙げられる。また更にこれらに他の元素、例えばTi、Z
r、Ｗ、Mo、Yb等が酸化物の形で単独あるいはAl、Taと
複合して酸化物を形成していてもよい。これらの金属酸
化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食
性が高く光磁気記録層との反応性も小であり、また、基
板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂との密着性に
優れる。
金属チッ化物としては、具体的にはSi、Al、Ge等の金属
のチッ化物あるいはこれらの２種以上の複合チッ化物又
はこれらとNb、Taとの複合チッ化物（例えば、SiNbN,Si
TaN等）が挙げられる。なかでもSiを含有するチッ化物
が良好な結果をもたらす。
のチッ化物あるいはこれらの２種以上の複合チッ化物又
はこれらとNb、Taとの複合チッ化物（例えば、SiNbN,Si
TaN等）が挙げられる。なかでもSiを含有するチッ化物
が良好な結果をもたらす。
金属チッ化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記録層との反応性
が小である。
ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記録層との反応性
が小である。
一方、無機炭化物としてはB4C、SiC等があげられる。
この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なるが、
通常400Å〜1500Å程度、特に500Å〜1000Åが適当であ
る。
通常400Å〜1500Å程度、特に500Å〜1000Åが適当であ
る。
本発明においては光磁気記録層上にZr又はＶを含有する
Al合金からなる反射膜を設ける。Zr又はＶの含有量は0.
1〜15原子％（at％）であることが好ましく、特に0.5〜
10at％が好ましい。また、Al合金中に他の元素例えばC
u、Mn、Mg等を少量含有させても良い。
Al合金からなる反射膜を設ける。Zr又はＶの含有量は0.
1〜15原子％（at％）であることが好ましく、特に0.5〜
10at％が好ましい。また、Al合金中に他の元素例えばC
u、Mn、Mg等を少量含有させても良い。
この反射層の厚さは100〜1000Å程度、好ましくは200〜
600Å程度である。厚すぎた場合感度が低下し、薄すぎ
る場合には反射率が低下する。基板上に干渉層、記録
層、反射層の各層を形成するには、スパッタリング等の
物理蒸着法（PVD）、プラズマCVDのような化学蒸着法
（CVD）等が適用される。
600Å程度である。厚すぎた場合感度が低下し、薄すぎ
る場合には反射率が低下する。基板上に干渉層、記録
層、反射層の各層を形成するには、スパッタリング等の
物理蒸着法（PVD）、プラズマCVDのような化学蒸着法
（CVD）等が適用される。
PVD法にて光磁気記録層、干渉層及び反射層を成膜形成
するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電子
ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層を
堆積するのが通常の方法である。
するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電子
ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層を
堆積するのが通常の方法である。
また、イオンプレーティングを用いる方法も考えられ
る。
る。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å/sec程度
とされる。
ば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å/sec程度
とされる。
以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが本
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例１、２ ポリカーボネート基板をスパッタリング装置に導入し、
先ず８×10-7torr以下まで排気し、ArとO2との混合ガス
を用いてTaターゲットの反応性スパッタを行いTa2O5か
らなる800Åの干渉層を形成した。次いでTbターゲット
及びFeCoターゲットを用いたArガスによる２元同時スパ
ッタによりTbFeCOの300Å記録層を設けた。更にZr又は
Ｖチップを配置したAlターゲットをArガス中でスパッタ
ーし300Åの反射層を形成した。反射層中のZr又はＶ量
の調節はチップの数を変えることにより行った。
先ず８×10-7torr以下まで排気し、ArとO2との混合ガス
を用いてTaターゲットの反応性スパッタを行いTa2O5か
らなる800Åの干渉層を形成した。次いでTbターゲット
及びFeCoターゲットを用いたArガスによる２元同時スパ
ッタによりTbFeCOの300Å記録層を設けた。更にZr又は
Ｖチップを配置したAlターゲットをArガス中でスパッタ
ーし300Åの反射層を形成した。反射層中のZr又はＶ量
の調節はチップの数を変えることにより行った。
この光磁気記録媒体をPINフォトダイオード差動検出器
をもった動特性検出器により記録感度及びキャリア・レ
ベル（Al膜を用いた場合を0dbとする）を測定した。記
録感度は、２次歪みが最小のところの記録パワー（最適
記録パワー）とした。
をもった動特性検出器により記録感度及びキャリア・レ
ベル（Al膜を用いた場合を0dbとする）を測定した。記
録感度は、２次歪みが最小のところの記録パワー（最適
記録パワー）とした。
記録条件:CAV（定角速度）1800rpm 半径30mm位置、溝上記録 記録周波数0.5MHz duty50％ 再生条件:CAV1800rpm 再生パワー0.8mW 反射層の組成は蛍光Ｘ線法により分析した。結果を第１
図、第２図に示した。最適記録パワーの低い媒体ほど感
度の良い媒体であり、キャリア・レベルの高い媒体ほど
再生信号品質が高い。
図、第２図に示した。最適記録パワーの低い媒体ほど感
度の良い媒体であり、キャリア・レベルの高い媒体ほど
再生信号品質が高い。
又このディスクを接着剤を用いて他のポリカーボネート
基板と張り合わせ、温度70℃、湿度85％の条件で350時
間の加速試験を行ないその前後のドロップインエラーレ
ートを測定したところ劣化は全く見られなかった。
基板と張り合わせ、温度70℃、湿度85％の条件で350時
間の加速試験を行ないその前後のドロップインエラーレ
ートを測定したところ劣化は全く見られなかった。
比較例 実施例１と同様にTbFeCo層までを作製し、次にAl又はZr
又はＶ膜からなる反射層を300Å形成した。実施例１と
同一の条件にて記録感度、及びキャリア・レベルを測定
した。結果を第１図及び第２図に示した。第１図、第２
図に示すようにAl中のZr又はＶ含有率の増加に伴い最適
記録パワー及びキャリア・レベルは減少するがZr又はＶ
の含有率が低い場合はキャリア・レベルをほとんど減少
させずに最適記録パワーを大きく下げることができる。
又はＶ膜からなる反射層を300Å形成した。実施例１と
同一の条件にて記録感度、及びキャリア・レベルを測定
した。結果を第１図及び第２図に示した。第１図、第２
図に示すようにAl中のZr又はＶ含有率の増加に伴い最適
記録パワー及びキャリア・レベルは減少するがZr又はＶ
の含有率が低い場合はキャリア・レベルをほとんど減少
させずに最適記録パワーを大きく下げることができる。
本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び記録感度に
優れる。
優れる。
第１図、第２図は反射膜中のZr又はＶ含有率と最適記録
パワー及びキャリア・レベルとの関係を示すものであ
る。
パワー及びキャリア・レベルとの関係を示すものであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川野 敏史 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 小松 昌生 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−232740（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に干渉層、光磁気記録層および反射
層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、反射層を
Zr又はＶを含有するAl合金によって形成したことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】反射層がZr又はＶを0.1〜15at％含有するA
l合金からなる特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24339487A JPH0792935B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24339487A JPH0792935B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6486349A JPS6486349A (en) | 1989-03-31 |
| JPH0792935B2 true JPH0792935B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=17103210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24339487A Expired - Lifetime JPH0792935B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792935B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2017284C (en) * | 1989-07-04 | 1995-10-03 | Kazutomi Suzuki | Optical recording medium |
| JPH03165350A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US5500301A (en) * | 1991-03-07 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
-
1987
- 1987-09-28 JP JP24339487A patent/JPH0792935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6486349A (en) | 1989-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |