JP2583255B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2583255B2 JP2583255B2 JP62329247A JP32924787A JP2583255B2 JP 2583255 B2 JP2583255 B2 JP 2583255B2 JP 62329247 A JP62329247 A JP 62329247A JP 32924787 A JP32924787 A JP 32924787A JP 2583255 B2 JP2583255 B2 JP 2583255B2
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- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関す
る。
る。
（従来の技術とその課題） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能なイレ
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が
最も多く用いられている。
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が
最も多く用いられている。
この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録
・再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に
反射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー
効果とファラデー効果の併用により高いC/N比を得られ
るという点で優れている。
・再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に
反射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー
効果とファラデー効果の併用により高いC/N比を得られ
るという点で優れている。
この方式では通常記録層と基板の間に透明誘電体から
なる干渉層を設ける。また、記録層と反射層の間に更に
第２の干渉層を設ける場合もある（例えば特開昭61−24
042）。
なる干渉層を設ける。また、記録層と反射層の間に更に
第２の干渉層を設ける場合もある（例えば特開昭61−24
042）。
干渉層の目的は記録層の保護及び干渉効果により反射
率を低下させることである。
率を低下させることである。
干渉層としては通常、Si3N4、AlN、AlSiN等の窒化物
が主として用いられている。これら窒化物誘電体を設け
た場合、ガラス基板を用いる時には非常に良好な特性を
示す。しかしガラス基板は溝形成プロセスが複雑である
ため生産性が低く、コストも高くなる。従って基板とし
てはプラスチック基板（例えばポリカーボネート、PMMA
等）を用いるのが好ましいのであるが、プラスチック基
板を用いた場合、基板と窒化物の熱膨張係数の違いか
ら、膜にクラックを生じてしまう。このため窒化物誘電
体をプラスチック基板にもちいる場合には基板と窒化物
の間に下引層を設ける等の繁雑性があった。
が主として用いられている。これら窒化物誘電体を設け
た場合、ガラス基板を用いる時には非常に良好な特性を
示す。しかしガラス基板は溝形成プロセスが複雑である
ため生産性が低く、コストも高くなる。従って基板とし
てはプラスチック基板（例えばポリカーボネート、PMMA
等）を用いるのが好ましいのであるが、プラスチック基
板を用いた場合、基板と窒化物の熱膨張係数の違いか
ら、膜にクラックを生じてしまう。このため窒化物誘電
体をプラスチック基板にもちいる場合には基板と窒化物
の間に下引層を設ける等の繁雑性があった。
窒化物の代わりにSiO2やSiOを用いるとクラックの発
生は妨げるが今度は記録層と反応を起こし特性の低下を
もたらす。特に反射膜を用いる方式では記録層を薄くす
る必要があるので記録層と干渉層の反応は致命的なキャ
リアレベルの低下やノイズレベルの上昇をもたらす。
生は妨げるが今度は記録層と反応を起こし特性の低下を
もたらす。特に反射膜を用いる方式では記録層を薄くす
る必要があるので記録層と干渉層の反応は致命的なキャ
リアレベルの低下やノイズレベルの上昇をもたらす。
（課題を解決するための手段） 本発明者等は上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結
果、基板と記録層との間に酸化タンタルからなる干渉層
を設けることによりクラックが発生せず記録層の劣化も
ない光磁気記録媒体が得られることを見出した。
果、基板と記録層との間に酸化タンタルからなる干渉層
を設けることによりクラックが発生せず記録層の劣化も
ない光磁気記録媒体が得られることを見出した。
本発明の要旨は、プラスチック基板上に干渉層、希土
類金属と遷移金属の合金からなる光磁気記録層、該光磁
気記録層に接して設けられた反射層を順次設けてなる光
磁気記録媒体において、干渉層として屈折率が630nmの
波長を用いて測定したときの複素屈折率をｎ＊＝ｎ−ik
としたとき2.0≦ｎ＜2.2でかつ|k|＜0.15の範囲の酸化
タンタルを用いることを特徴とする光磁気記録媒体に存
する。
類金属と遷移金属の合金からなる光磁気記録層、該光磁
気記録層に接して設けられた反射層を順次設けてなる光
磁気記録媒体において、干渉層として屈折率が630nmの
波長を用いて測定したときの複素屈折率をｎ＊＝ｎ−ik
としたとき2.0≦ｎ＜2.2でかつ|k|＜0.15の範囲の酸化
タンタルを用いることを特徴とする光磁気記録媒体に存
する。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、アク
リル樹脂（PMMA等）、ポリカーボネート樹脂等のプラス
チックが用いられる。
リル樹脂（PMMA等）、ポリカーボネート樹脂等のプラス
チックが用いられる。
基板の厚みは１〜2mm程度が一般的である。
光磁気記録層としては、希土類金属と遷移金属の合金
が用いられ、たとえば、TbFeCo、GdThFe、GdTbFeCo、Gd
DyFeCo、NdDyFeCo等が挙げられる。光磁気記録層として
は単一の層を用いても良いし、GdTbFe/TbFeのように２
層以上の記録層を重ねても良い。
が用いられ、たとえば、TbFeCo、GdThFe、GdTbFeCo、Gd
DyFeCo、NdDyFeCo等が挙げられる。光磁気記録層として
は単一の層を用いても良いし、GdTbFe/TbFeのように２
層以上の記録層を重ねても良い。
光磁気記録層の膜厚は好ましくは50〜500Åである。
本発明においては光磁気記録層上に反射層を設ける。反
射層は一般的には高反射率の物質が考えられるが、Au、
Ag、Ptはコストが高くCuは腐食を起こし易いためA1また
はAlの合金の薄膜を用いるのが好ましい。
本発明においては光磁気記録層上に反射層を設ける。反
射層は一般的には高反射率の物質が考えられるが、Au、
Ag、Ptはコストが高くCuは腐食を起こし易いためA1また
はAlの合金の薄膜を用いるのが好ましい。
特にAlにTa、Ti、Zr、Mo、Pt、Ｖ、Cr、Pd等を15原子
％程度まで添加した合金は高反射率であり、熱伝導度も
低く高C/N比、感度共に良好な特性をもたらす。反射層
の膜厚は通常100〜1000Å程度、好ましくは200〜600Å
程度である。厚すぎた場合、感度が低下し、薄すぎる場
合には反射率が低下する。
％程度まで添加した合金は高反射率であり、熱伝導度も
低く高C/N比、感度共に良好な特性をもたらす。反射層
の膜厚は通常100〜1000Å程度、好ましくは200〜600Å
程度である。厚すぎた場合、感度が低下し、薄すぎる場
合には反射率が低下する。
上記、記録層および反射層を形成するには、スパッタ
リング等の物理蒸着法（PVD）、プラズマCVDのような化
学蒸着法（CVD）等が適用される。
リング等の物理蒸着法（PVD）、プラズマCVDのような化
学蒸着法（CVD）等が適用される。
PVD法にて記録層及び反射層を成膜形成するには、所
定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム蒸着ま
たはスパッタリングにより基板上に各層を堆積するのが
通常の方法である。
定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム蒸着ま
たはスパッタリングにより基板上に各層を堆積するのが
通常の方法である。
また、イオンプレーティングを用いる方法も考えられ
る。
る。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎ
れば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å/sec程
度とされる。
れば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å/sec程
度とされる。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に酸
化チタンからなる干渉層を設ける。この層は高屈折率の
透明膜による光の干渉効果を用い反射率を落とすことで
ノイズを低下させC/N比を向上させるためのものであ
る。酸化タンタルの干渉層は窒化物からなる干渉層に比
べ内部応力が小さくクラックの入る確率ははるかに小さ
くなる。
化チタンからなる干渉層を設ける。この層は高屈折率の
透明膜による光の干渉効果を用い反射率を落とすことで
ノイズを低下させC/N比を向上させるためのものであ
る。酸化タンタルの干渉層は窒化物からなる干渉層に比
べ内部応力が小さくクラックの入る確率ははるかに小さ
くなる。
酸化タンタルの組成は化学量論的組成比（Ta2O5）に
近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸化をもた
らすことになると共に屈折率が低下して干渉効果が弱く
なる。また、酸素が不足している場合には未酸化部分に
腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると共に膜の
光吸収が大きくなりキャリアレベルの低下が起こる。好
ましい酸化状態での屈折率は630nmの波長を用いて測定
した複素屈折率をｎ＊＝ｎ−ikとしたとき2.0≦ｎ≦2.2
でかつ|K|＜0.15の範囲である。
近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸化をもた
らすことになると共に屈折率が低下して干渉効果が弱く
なる。また、酸素が不足している場合には未酸化部分に
腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると共に膜の
光吸収が大きくなりキャリアレベルの低下が起こる。好
ましい酸化状態での屈折率は630nmの波長を用いて測定
した複素屈折率をｎ＊＝ｎ−ikとしたとき2.0≦ｎ≦2.2
でかつ|K|＜0.15の範囲である。
干渉層の作成法としてはTa2O5ターゲットを用いたRF
スパッタ法、Taターゲットを用いたArとO2ガスによるDC
またはRF反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着法等が用い
られるが、酸素量の制御が可能であること、成膜速度が
速いこと、基板温度の上昇が小さいこと等の点からTaタ
ーゲットを用いたArとO2ガスによるDC反応性スパッタ法
が好ましい。この場合、屈折率の制御は圧力を変えるこ
とで容易に達成できる。干渉層の膜厚は700Å〜900Å程
度が好ましい。
スパッタ法、Taターゲットを用いたArとO2ガスによるDC
またはRF反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着法等が用い
られるが、酸素量の制御が可能であること、成膜速度が
速いこと、基板温度の上昇が小さいこと等の点からTaタ
ーゲットを用いたArとO2ガスによるDC反応性スパッタ法
が好ましい。この場合、屈折率の制御は圧力を変えるこ
とで容易に達成できる。干渉層の膜厚は700Å〜900Å程
度が好ましい。
本発明においては記録層の上に直接反射層を設ける。
記録層と反射層との間に干渉層として酸化タンタルを設
けた場合酸化タンタル成膜時の記録層の酸化が大きく特
性が低下してしまう。
記録層と反射層との間に干渉層として酸化タンタルを設
けた場合酸化タンタル成膜時の記録層の酸化が大きく特
性が低下してしまう。
記録層の上に反射層を直接設けた場合、通常感度は低
下するが、酸化タンタルは窒化シリコン等の窒化物に比
べ熱伝導率が小さいので結局、感度はほとんど変化しな
い。
下するが、酸化タンタルは窒化シリコン等の窒化物に比
べ熱伝導率が小さいので結局、感度はほとんど変化しな
い。
もし反射層を用いない構造をとった場合は記録層を10
00Å程度まで厚くする必要があるため内部応力が大きく
なり、酸化タンタルを用いたとしてもクラックが入り易
くなる。
00Å程度まで厚くする必要があるため内部応力が大きく
なり、酸化タンタルを用いたとしてもクラックが入り易
くなる。
以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが
本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。
本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。
実施例１、比較例１〜４ ポリカーボネート基板をマグネトロンスパッタリング
装置に導入し、先ず５×10-5Pa以下まで排気した後、Ar
を20sccm、O2を5sccm導入し、圧力を0.8Paに調整した。
この状態で500Wのパワーで４インチφのTaターゲットを
直流スパッタリングし、４Å／秒の速度で酸化タンタル
の干渉層を800Å形成した。この膜の633nmで測定した屈
折率はｎ＊＝2.1−0.03iであった。
装置に導入し、先ず５×10-5Pa以下まで排気した後、Ar
を20sccm、O2を5sccm導入し、圧力を0.8Paに調整した。
この状態で500Wのパワーで４インチφのTaターゲットを
直流スパッタリングし、４Å／秒の速度で酸化タンタル
の干渉層を800Å形成した。この膜の633nmで測定した屈
折率はｎ＊＝2.1−0.03iであった。
チャンバーを一度排気した後、Arガスを30sccm0.3Pa
の圧力となるように導入しTbターゲットとFe90Co10ター
ゲットの同時スパッタリングを行いTb23（Fe90Co10）77
の記録層を干渉層の上に300Å形成した。更にTaチップ
を配置したAlターゲットをArガス中でスパッターしAr97
Ta3の合金からなる300Åの反射層を形成した。（ディス
クＡ） 比較例として光磁気記録層の両側に干渉層として窒化
シリコンを用いた構成のディスク（ディスクＢ、比較例
１）、実施例と同一構成で干渉層をSiO2としたディスク
（ディスクＣ、比較例２）、実施例と同一構成で酸化タ
ンタルの屈折率がｎ＊＝1.8−0.01iのディスク（ディス
クＤ、比較例３）、及びｎ＊＝2.3−0.3iのディスク
（ディスクＥ、比較例４）をそれぞれ作成した。
の圧力となるように導入しTbターゲットとFe90Co10ター
ゲットの同時スパッタリングを行いTb23（Fe90Co10）77
の記録層を干渉層の上に300Å形成した。更にTaチップ
を配置したAlターゲットをArガス中でスパッターしAr97
Ta3の合金からなる300Åの反射層を形成した。（ディス
クＡ） 比較例として光磁気記録層の両側に干渉層として窒化
シリコンを用いた構成のディスク（ディスクＢ、比較例
１）、実施例と同一構成で干渉層をSiO2としたディスク
（ディスクＣ、比較例２）、実施例と同一構成で酸化タ
ンタルの屈折率がｎ＊＝1.8−0.01iのディスク（ディス
クＤ、比較例３）、及びｎ＊＝2.3−0.3iのディスク
（ディスクＥ、比較例４）をそれぞれ作成した。
これらのディスクを70℃,80％RHの条件で500時間加速
試験を行い、その前後のC/N比の変化と加速試験後のク
ラックの発生の有無を調べた。その結果を表１に示す。
試験を行い、その前後のC/N比の変化と加速試験後のク
ラックの発生の有無を調べた。その結果を表１に示す。
表１から分かるように本発明によるディスク（ディス
クＡ）は初期特性が高くまたC/N比の経時劣化およびク
ラックの発生がなく高い耐候性を示した。
クＡ）は初期特性が高くまたC/N比の経時劣化およびク
ラックの発生がなく高い耐候性を示した。
なお、実施例１で作成した干渉層の成膜時の圧力変化
による屈折率の変化を確認し、第１図に示す。
による屈折率の変化を確認し、第１図に示す。
〔発明の効果〕 本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び耐蝕性に
優れる。
優れる。
第１図は実施例の反応性スパッタにおける圧力と酸化タ
ンタル膜の633nmでの屈折率の相関を示したものであ
る。
ンタル膜の633nmでの屈折率の相関を示したものであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川野 敏史 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 小松 昌生 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−170050（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−16441（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−57439（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】プラスチック基板上に干渉層、希土類金属
と遷移金属の合金からなる光磁気記録層、該光磁気記録
層に接して設けられた反射層を順次設けてなる光磁気記
録媒体において、干渉層として屈折率が630nmの波長を
用いて測定したときの複素屈折率をｎ＊＝ｎ−ikとした
とき2.0≦ｎ＜2.2でかつ|k|＜0.15の範囲の酸化タンタ
ルを用いることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】干渉層として用いる酸化タンタルを直流反
応性スパッタリングにて成膜することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329247A JP2583255B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光磁気記録媒体 |
| CA000570235A CA1324213C (en) | 1987-06-26 | 1988-06-23 | Magnetooptical recording media |
| KR1019880007767A KR960010928B1 (ko) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | 자기광학 기록 매체 |
| DE88305842T DE3883310T2 (de) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptische Datenträger. |
| EP88305842A EP0296888B1 (en) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptical recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329247A JP2583255B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171141A JPH01171141A (ja) | 1989-07-06 |
| JP2583255B2 true JP2583255B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=18219302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62329247A Expired - Fee Related JP2583255B2 (ja) | 1987-06-26 | 1987-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583255B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170050A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS6316441A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6457439A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magneto-optical recording medium and production thereof |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62329247A patent/JP2583255B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01171141A (ja) | 1989-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |