JPH07244878A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH07244878A JPH07244878A JP3374294A JP3374294A JPH07244878A JP H07244878 A JPH07244878 A JP H07244878A JP 3374294 A JP3374294 A JP 3374294A JP 3374294 A JP3374294 A JP 3374294A JP H07244878 A JPH07244878 A JP H07244878A
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- JP
- Japan
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- layer
- dielectric layer
- magnetic field
- magneto
- substrate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低磁界で良好な記録が行なえる光磁気デッス
クを提供する。 【構成】 基板上に第一誘電体層、磁性層、第二誘電体
層、反射層を設けてなる光磁気記録媒体において、第一
誘電体層が成膜圧力を０．５〜２．５ｎＴｏｒｒとして
形成した誘電体層であるもの。
クを提供する。 【構成】 基板上に第一誘電体層、磁性層、第二誘電体
層、反射層を設けてなる光磁気記録媒体において、第一
誘電体層が成膜圧力を０．５〜２．５ｎＴｏｒｒとして
形成した誘電体層であるもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。詳しくは低磁界での記録が可能な光磁気記録媒体に
関する。
る。詳しくは低磁界での記録が可能な光磁気記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に、誘電体層、磁性層、反射層を
形成した光磁気記録媒体は従来から用いられている。磁
界変調方式の光磁気記録媒体の場合、高速スイッチン
グ、低消費電力、ドライブのサイズ等の点から記録に用
いる磁気ヘッドを小さくする必要がある。このため、磁
気ヘッドが発生する磁界は必然的に小さくなる。従っ
て、記録される側の光磁気記録媒体に対して、低磁界で
も良好な記録が行なえる。特性が要求されることとな
る。
形成した光磁気記録媒体は従来から用いられている。磁
界変調方式の光磁気記録媒体の場合、高速スイッチン
グ、低消費電力、ドライブのサイズ等の点から記録に用
いる磁気ヘッドを小さくする必要がある。このため、磁
気ヘッドが発生する磁界は必然的に小さくなる。従っ
て、記録される側の光磁気記録媒体に対して、低磁界で
も良好な記録が行なえる。特性が要求されることとな
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な磁界変調記録型の光磁気記録媒体として用いて好適
な、微小な磁界でも良好な記録が行ない得る光磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
な磁界変調記録型の光磁気記録媒体として用いて好適
な、微小な磁界でも良好な記録が行ない得る光磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述の課題
を解決するべく鋭意検討を行なった結果、特殊の手段で
磁性層の下地層となる第一誘電体層を形成することによ
り、磁性層が所望の性能を満足するものとなることを見
出し、本発明を完成した。本発明の要旨は、基板上に、
少なくとも第一誘電体層、磁性層、第二誘電体層及び反
射層を順次設けてなる光磁気記録媒体であって、第一誘
電体層が、成膜圧力を０．５〜２．５ｍＴｏｒｒとして
形成した誘電体層であることを特徴とする光磁気記録媒
体に存する。
を解決するべく鋭意検討を行なった結果、特殊の手段で
磁性層の下地層となる第一誘電体層を形成することによ
り、磁性層が所望の性能を満足するものとなることを見
出し、本発明を完成した。本発明の要旨は、基板上に、
少なくとも第一誘電体層、磁性層、第二誘電体層及び反
射層を順次設けてなる光磁気記録媒体であって、第一誘
電体層が、成膜圧力を０．５〜２．５ｍＴｏｒｒとして
形成した誘電体層であることを特徴とする光磁気記録媒
体に存する。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて用いられる基板としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等の樹脂基板が
挙げられる。この基板の厚みは１〜２ｍｍ程度が一般的
である。このような樹脂基板上に形成する光磁気記録層
の層構成としては特に制限はなく、公知の光磁気記録層
の層構成を採用することができる。例えばＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＴｂＣｏ，ＤｙＴｂＦｅＣｏ等の希土類と
遷移金属との非晶質磁性合金、ＭｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉ
等の多結晶垂直磁化膜等が用いられる。光磁気記録層と
しては単一の層を用いても良いし、ＧｄＴｂＦｅ／Ｔｂ
Ｆｅのように２層以上の記録層を重ねて用いても良い。
おいて用いられる基板としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等の樹脂基板が
挙げられる。この基板の厚みは１〜２ｍｍ程度が一般的
である。このような樹脂基板上に形成する光磁気記録層
の層構成としては特に制限はなく、公知の光磁気記録層
の層構成を採用することができる。例えばＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＴｂＣｏ，ＤｙＴｂＦｅＣｏ等の希土類と
遷移金属との非晶質磁性合金、ＭｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉ
等の多結晶垂直磁化膜等が用いられる。光磁気記録層と
しては単一の層を用いても良いし、ＧｄＴｂＦｅ／Ｔｂ
Ｆｅのように２層以上の記録層を重ねて用いても良い。
【０００６】上記基板と光磁気記録層との間には、第一
誘電体層、すなわち干渉層を設けることもできる。この
層は、高屈折率の透明膜による光の干渉効果により反射
率を落とすことでノイズを低下させＣ／Ｎ比を向上させ
るためのものである。干渉層は単層膜でも多層膜でも良
い。干渉層の構成物質としては、金属酸化物や金属窒化
物が用いられる。
誘電体層、すなわち干渉層を設けることもできる。この
層は、高屈折率の透明膜による光の干渉効果により反射
率を落とすことでノイズを低下させＣ／Ｎ比を向上させ
るためのものである。干渉層は単層膜でも多層膜でも良
い。干渉層の構成物質としては、金属酸化物や金属窒化
物が用いられる。
【０００７】金属酸化物としてはＡｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ
5 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 等の金属酸化物単独又
はこれらの混合物、或るいはＡｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化
物等が挙げられる。更に、これらの酸化物に、他の元
素、例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｙｂ等が酸化物の
形で単独で、或るいはＡｌ，Ｔａと複合して酸化物を形
成しているものでも良い。これらの金属酸化物よりなる
干渉層は、緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐこ
とができ、また、耐食性が高く後述の反射層との反応性
も小さい。更に、基板として樹脂基板を使用する場合、
基板を構成する樹脂との密着性にも優れている。
5 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 等の金属酸化物単独又
はこれらの混合物、或るいはＡｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化
物等が挙げられる。更に、これらの酸化物に、他の元
素、例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｙｂ等が酸化物の
形で単独で、或るいはＡｌ，Ｔａと複合して酸化物を形
成しているものでも良い。これらの金属酸化物よりなる
干渉層は、緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐこ
とができ、また、耐食性が高く後述の反射層との反応性
も小さい。更に、基板として樹脂基板を使用する場合、
基板を構成する樹脂との密着性にも優れている。
【０００８】金属窒化物としては、窒化シリコン、窒化
アルミニウム等が挙げられる。これらの金属窒化物のう
ち、特に緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ効果
に優れることから、窒化シリコンを用いるのが好まし
い。このような金属酸化物又は金属窒化物よりなる干渉
層の膜厚は、その屈折率により最適膜厚が異なるが、通
常４００〜１５００Å程度、特に５００〜１０００Å程
度とするのが適当である。
アルミニウム等が挙げられる。これらの金属窒化物のう
ち、特に緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ効果
に優れることから、窒化シリコンを用いるのが好まし
い。このような金属酸化物又は金属窒化物よりなる干渉
層の膜厚は、その屈折率により最適膜厚が異なるが、通
常４００〜１５００Å程度、特に５００〜１０００Å程
度とするのが適当である。
【０００９】光磁気記録層の干渉層と反対の面には、干
渉層と同様の材質を持つ誘電体よりなる保護層、即ち第
二誘電体層を設けるのが望ましい。この誘電体層の膜厚
は通常の場合、１００〜１０００Å程度とする。反射層
を設ける構造の媒体では、記録層に接して、又は数百Å
の誘電体層を介して高反射率の金属（例えばＡｌ，Ｃｕ
等）の単体又はその合金の層を反射層として設ける。反
射層の膜厚は１００〜１０００Å望ましくは３００〜８
００Å程度である。
渉層と同様の材質を持つ誘電体よりなる保護層、即ち第
二誘電体層を設けるのが望ましい。この誘電体層の膜厚
は通常の場合、１００〜１０００Å程度とする。反射層
を設ける構造の媒体では、記録層に接して、又は数百Å
の誘電体層を介して高反射率の金属（例えばＡｌ，Ｃｕ
等）の単体又はその合金の層を反射層として設ける。反
射層の膜厚は１００〜１０００Å望ましくは３００〜８
００Å程度である。
【００１０】なお、本発明において、基板上に干渉層、
記録層、誘電体層、反射層、誘電体層等の各層を形成す
る方法としては、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）等が適用される。ＰＶＤ法にて干渉層、光磁気記録
層、誘電体層、反射層、誘電体層等の成膜形成するに
は、所定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム
蒸着又はスパッタリングにより基板上に各層を堆積する
のが通常の方法である。膜の堆積速度は速すぎると膜応
力を増加させ、遅すぎると生産性が低下するので、通
常、０．１〜１００Å／ｓｅｃ程度の範囲で適宜決定さ
れる。
記録層、誘電体層、反射層、誘電体層等の各層を形成す
る方法としては、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）等が適用される。ＰＶＤ法にて干渉層、光磁気記録
層、誘電体層、反射層、誘電体層等の成膜形成するに
は、所定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム
蒸着又はスパッタリングにより基板上に各層を堆積する
のが通常の方法である。膜の堆積速度は速すぎると膜応
力を増加させ、遅すぎると生産性が低下するので、通
常、０．１〜１００Å／ｓｅｃ程度の範囲で適宜決定さ
れる。
【００１１】本発明においては、上記基板上に第一誘電
体層、すなわち金属酸化物又は金属窒化物をスパッタリ
ングで成膜する際の成膜圧力を０．５×１０-3Ｔｏｒｒ
〜２．５×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で実施することを特徴
とするものである。上記誘電体層としては酸化タンタル
が金属窒化物に比べ基板との密着性がよく基板が熱や水
分により膨張、収縮を起こしても剥離、ひび割れを起こ
さないので、好ましい。
体層、すなわち金属酸化物又は金属窒化物をスパッタリ
ングで成膜する際の成膜圧力を０．５×１０-3Ｔｏｒｒ
〜２．５×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で実施することを特徴
とするものである。上記誘電体層としては酸化タンタル
が金属窒化物に比べ基板との密着性がよく基板が熱や水
分により膨張、収縮を起こしても剥離、ひび割れを起こ
さないので、好ましい。
【００１２】該誘電体層として酸化タンタルを用いる場
合には、金属タンタルターゲットを用い、酸素ガスとア
ルゴンガスによるＤＣ又はＲＦ反応性スパッタにより成
膜圧力を０．５×１０-3Ｔｏｒｒ〜２．５×１０-3Ｔｏ
ｒｒ、好ましくは１．０×１０-3Ｔｏｒｒ〜２．０×１
０-3Ｔｏｒｒの範囲で、膜の堆積速度を１〜２０Å／秒
の範囲で成膜して、酸化タンタルＴａＯx （ｘ≒２．
５）薄膜を形成する。
合には、金属タンタルターゲットを用い、酸素ガスとア
ルゴンガスによるＤＣ又はＲＦ反応性スパッタにより成
膜圧力を０．５×１０-3Ｔｏｒｒ〜２．５×１０-3Ｔｏ
ｒｒ、好ましくは１．０×１０-3Ｔｏｒｒ〜２．０×１
０-3Ｔｏｒｒの範囲で、膜の堆積速度を１〜２０Å／秒
の範囲で成膜して、酸化タンタルＴａＯx （ｘ≒２．
５）薄膜を形成する。
【００１３】該酸化タンタル薄膜はその屈折率が２．１
〜２．３の範囲が望ましく、またその膜厚としては５０
０〜１２００Åの範囲が望ましい。このような誘電体層
を記録層の下引層として設けることにより磁性層は低磁
界で記録可能なものとなる。その理由は定かではない
が、下地層として設けられた誘電体層の構造が、次に設
けられる磁性層の堆積時にその垂直磁気異方性を良好に
するためと考えられる。
〜２．３の範囲が望ましく、またその膜厚としては５０
０〜１２００Åの範囲が望ましい。このような誘電体層
を記録層の下引層として設けることにより磁性層は低磁
界で記録可能なものとなる。その理由は定かではない
が、下地層として設けられた誘電体層の構造が、次に設
けられる磁性層の堆積時にその垂直磁気異方性を良好に
するためと考えられる。
【００１４】上記成膜圧力が０．５×１０-3Ｔｏｒｒよ
り低いと放電が不十分となりスパッタリング成膜ができ
ず、また２．５×１０-3Ｔｏｒｒより高いと磁界感度が
悪化し、低磁界で良好な特性は得られない。
り低いと放電が不十分となりスパッタリング成膜ができ
ず、また２．５×１０-3Ｔｏｒｒより高いと磁界感度が
悪化し、低磁界で良好な特性は得られない。
【００１５】
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明は、その要旨
を越えない限り以下の実施例に限定されるものではな
い。実施例において、磁界感度はナカミチ社製、光ディ
スク検査装置「ＯＭＳ２０００」（商品名）で行なっ
た。
を越えない限り以下の実施例に限定されるものではな
い。実施例において、磁界感度はナカミチ社製、光ディ
スク検査装置「ＯＭＳ２０００」（商品名）で行なっ
た。
【００１６】実施例１，２、比較例１〜３ ポリカーボネート製の基板上に、ＴａＯx の第一誘電体
層、ＴｅＦｅＣｏの磁性層、ＳｉＮx の第二誘電体層、
ＡｌＴａの反射層をスパッタリングにより形成して光磁
気記録媒体とした。膜厚は、ＴａＯx ：８００Å、Ｔｂ
ＦｅＣｏ：２５０Å、ＳｉＮx ：２５０Å、ＡｌＴａ：
６００Åとした。第一誘電体層（ＴａＯx 層）の形成に
当っては、純度９９．９９％のＴａターゲットを用い、
チャンバー内にＡｒガスとＯ2 ガスを導入し、反応性ス
パッタリングにより膜形成した。
層、ＴｅＦｅＣｏの磁性層、ＳｉＮx の第二誘電体層、
ＡｌＴａの反射層をスパッタリングにより形成して光磁
気記録媒体とした。膜厚は、ＴａＯx ：８００Å、Ｔｂ
ＦｅＣｏ：２５０Å、ＳｉＮx ：２５０Å、ＡｌＴａ：
６００Åとした。第一誘電体層（ＴａＯx 層）の形成に
当っては、純度９９．９９％のＴａターゲットを用い、
チャンバー内にＡｒガスとＯ2 ガスを導入し、反応性ス
パッタリングにより膜形成した。
【００１７】この際、成膜時のチャンバー内圧力を１．
５ｍＴｏｒｒ（実施例１）、２．０ｍＴｏｒｒ（実施例
２）、３．０ｍＴｏｒｒ（比較例１）、５．０ｍＴｏｒ
ｒ（比較例２）、１０．０ｍＴｏｒｒ（比較例３）の５
条件とした。図１に各成膜圧力で得られた記録膜の磁界
感度を示す。磁界感度は、消去磁場（Ｈｅ）を一定とし
て記録磁場（Ｈｗ）を−３００〜＋３００（Ｏｅ）まで
振った時のＣ／Ｎの変化で示した。
５ｍＴｏｒｒ（実施例１）、２．０ｍＴｏｒｒ（実施例
２）、３．０ｍＴｏｒｒ（比較例１）、５．０ｍＴｏｒ
ｒ（比較例２）、１０．０ｍＴｏｒｒ（比較例３）の５
条件とした。図１に各成膜圧力で得られた記録膜の磁界
感度を示す。磁界感度は、消去磁場（Ｈｅ）を一定とし
て記録磁場（Ｈｗ）を−３００〜＋３００（Ｏｅ）まで
振った時のＣ／Ｎの変化で示した。
【００１８】図１中、Ｃ／Ｎが５ｄＢ以下となる磁界を
低磁界感度といい、その値の絶対値が小さなものほど低
磁界で消却可能である。例えば、実施例１では第一誘電
体層の成膜圧力を１．５ｍＴｏｒｒとしており、磁界感
度は−１００（Ｏｅ）である。
低磁界感度といい、その値の絶対値が小さなものほど低
磁界で消却可能である。例えば、実施例１では第一誘電
体層の成膜圧力を１．５ｍＴｏｒｒとしており、磁界感
度は−１００（Ｏｅ）である。
【００１９】すなわち、磁界ヘッドの出力が１００（Ｏ
ｅ）の低磁界で記録再生できることを意味している。こ
れに比し、比較例にあるように、成膜圧力を増加する
と、磁界感度は悪くなり、例えば成膜圧力３．０ｍＴｏ
ｒｒの場合、磁界感度は−３００（Ｏｅ）となってい
る。
ｅ）の低磁界で記録再生できることを意味している。こ
れに比し、比較例にあるように、成膜圧力を増加する
と、磁界感度は悪くなり、例えば成膜圧力３．０ｍＴｏ
ｒｒの場合、磁界感度は−３００（Ｏｅ）となってい
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、低磁界で良好な
記録再生が可能であり、磁界変調方式の光磁気記録媒体
に用いて大変好適である。
記録再生が可能であり、磁界変調方式の光磁気記録媒体
に用いて大変好適である。
【図１】実施例、比較例における磁界感度とＣ／Ｎを示
すグラフ。
すグラフ。
１ 実施例１の磁界感度とＣ／Ｎとの関係のグラフ。 ２ 実施例２の磁界感度とＣ／Ｎとの関係のグラフ。 ３ 比較例１の磁界感度とＣ／Ｎとの関係のグラフ。 ４ 比較例２の磁界感度とＣ／Ｎとの関係のグラフ。 ５ 比較例３の磁界感度とＣ／Ｎとの関係のグラフ。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも第一誘電体層、磁
性層、第二誘電体層及び反射層を順次設けてなる光磁気
記録媒体であって、第一誘電体層が、成膜圧力を０．５
〜２．５ｍＴｏｒｒとして形成した誘電体層であること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3374294A JPH07244878A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3374294A JPH07244878A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244878A true JPH07244878A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12394873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3374294A Pending JPH07244878A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07244878A (ja) |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP3374294A patent/JPH07244878A/ja active Pending
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