JPH07244875A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH07244875A JPH07244875A JP3374194A JP3374194A JPH07244875A JP H07244875 A JPH07244875 A JP H07244875A JP 3374194 A JP3374194 A JP 3374194A JP 3374194 A JP3374194 A JP 3374194A JP H07244875 A JPH07244875 A JP H07244875A
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- Japan
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- magneto
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- magnetic
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低磁界で良好な記録が行なえる光磁気ディス
クを提供する。 【構成】 磁性層のスパッタ成膜時の圧力を０．２〜
２．０ｍｔｏｒｒにして成膜した磁性層としたもの。
クを提供する。 【構成】 磁性層のスパッタ成膜時の圧力を０．２〜
２．０ｍｔｏｒｒにして成膜した磁性層としたもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。詳しくは、低磁界での記録が行なえる光磁気記録媒
体に関する。
る。詳しくは、低磁界での記録が行なえる光磁気記録媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に誘電体層、磁性層、反射層を形
成した光磁気記録媒体が作成されている。磁界変調記録
方式の光磁気記録媒体の場合、高速スイッチング、低消
費電力、ドライブのサイズ等の点から記録に用いる磁気
ヘッドの大きさを小さくする必要がある。このため磁気
ヘッドが発生する磁界は必然的に小さいものとなり、記
録される側の光磁気記録媒体に対して、低磁界でも良好
な記録が行なえる特性が要求されることとなる。
成した光磁気記録媒体が作成されている。磁界変調記録
方式の光磁気記録媒体の場合、高速スイッチング、低消
費電力、ドライブのサイズ等の点から記録に用いる磁気
ヘッドの大きさを小さくする必要がある。このため磁気
ヘッドが発生する磁界は必然的に小さいものとなり、記
録される側の光磁気記録媒体に対して、低磁界でも良好
な記録が行なえる特性が要求されることとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な磁界変調記録型の光磁気記録媒体として用いて好適
な、微少な磁界でも良好な記録が行ない得る光磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
な磁界変調記録型の光磁気記録媒体として用いて好適
な、微少な磁界でも良好な記録が行ない得る光磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述の課題
を解決するべく鋭意検討を行なった結果、特殊の手段で
形成した磁性層が所望の性能を満足し得ることを見出
し、本発明を完成した。本発明の要旨は、基板上に、少
なくとも第一誘電体層、磁性層、第二誘電体層及び反射
層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、磁性層が
成膜圧力を０．２〜２．０ｍＴｏｒｒにて成膜した磁性
層であることを特徴とする光磁気記録媒体に存する。
を解決するべく鋭意検討を行なった結果、特殊の手段で
形成した磁性層が所望の性能を満足し得ることを見出
し、本発明を完成した。本発明の要旨は、基板上に、少
なくとも第一誘電体層、磁性層、第二誘電体層及び反射
層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、磁性層が
成膜圧力を０．２〜２．０ｍＴｏｒｒにて成膜した磁性
層であることを特徴とする光磁気記録媒体に存する。
【０００５】以下、本発明の光磁気記録媒体につき説明
する。本発明において用いられる基板としては、ポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等
の樹脂基板が挙げられる。この基板の厚みは１〜２ｍｍ
程度が一般的である。このような樹脂基板上に形成する
光磁気記録層の層構成としては特に制限はなく、公知の
光磁気記録層の層構成を採用することができる。例えば
ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＣｏ，ＤｙＴｂＦｅＣｏ
等の稀土類と遷移金属との非晶質磁性合金、ＭｎＢｉ，
ＭｎＣｕＢｉ等の多結晶垂直磁化膜等が用いられる。光
磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、ＧｄＴ
ｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の記録層を重ねて用
いても良い。
する。本発明において用いられる基板としては、ポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等
の樹脂基板が挙げられる。この基板の厚みは１〜２ｍｍ
程度が一般的である。このような樹脂基板上に形成する
光磁気記録層の層構成としては特に制限はなく、公知の
光磁気記録層の層構成を採用することができる。例えば
ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＣｏ，ＤｙＴｂＦｅＣｏ
等の稀土類と遷移金属との非晶質磁性合金、ＭｎＢｉ，
ＭｎＣｕＢｉ等の多結晶垂直磁化膜等が用いられる。光
磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、ＧｄＴ
ｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の記録層を重ねて用
いても良い。
【０００６】上記基板と光磁気記録層との間には、第１
誘電体層、すなわち干渉層を設けることもできる。この
層は、高屈折率の透明膜による光の干渉効果により反射
率を落とすことでノイズを低下させＣ／Ｎ比を向上させ
るためのものである。干渉層は単層膜でも多層膜でも良
い。干渉層の構成物質としては、金属酸化物や金属窒化
物が用いられる。
誘電体層、すなわち干渉層を設けることもできる。この
層は、高屈折率の透明膜による光の干渉効果により反射
率を落とすことでノイズを低下させＣ／Ｎ比を向上させ
るためのものである。干渉層は単層膜でも多層膜でも良
い。干渉層の構成物質としては、金属酸化物や金属窒化
物が用いられる。
【０００７】金属酸化物としてはＡｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ
5 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 等の金属酸化物単独又
はこれらの混合物、或いはＡｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化物
等が挙げられる。更に、これらの酸化物に、他の元素、
例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｙｂ等が酸化物の形で
単独で、或いはＡｌ，Ｔａと複合して酸化物を形成して
いるものでも良い。これらの金属酸化物よりなる干渉層
は、緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐことがで
き、また、耐食性が高く後述の反射層との反応性も小さ
い。更に、基板として樹脂基板を使用する場合、基板を
構成する樹脂との密着性にも優れている。
5 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 等の金属酸化物単独又
はこれらの混合物、或いはＡｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化物
等が挙げられる。更に、これらの酸化物に、他の元素、
例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｙｂ等が酸化物の形で
単独で、或いはＡｌ，Ｔａと複合して酸化物を形成して
いるものでも良い。これらの金属酸化物よりなる干渉層
は、緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐことがで
き、また、耐食性が高く後述の反射層との反応性も小さ
い。更に、基板として樹脂基板を使用する場合、基板を
構成する樹脂との密着性にも優れている。
【０００８】金属窒化物としては、窒化シリコン、窒化
アルミニウム等が挙げられる。これらの金属窒化物のう
ち、特に緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ効果
に優れることから、窒化シリコンを用いるのが好まし
い。このような金属酸化物又は金属窒化物よりなる干渉
層の膜厚は、その屈折率により最適膜厚が異なるが、通
常４００〜１５００Å程度、特に５００〜１０００Å程
度とするのが適当である。
アルミニウム等が挙げられる。これらの金属窒化物のう
ち、特に緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ効果
に優れることから、窒化シリコンを用いるのが好まし
い。このような金属酸化物又は金属窒化物よりなる干渉
層の膜厚は、その屈折率により最適膜厚が異なるが、通
常４００〜１５００Å程度、特に５００〜１０００Å程
度とするのが適当である。
【０００９】光磁気記録層の干渉層と反対の面には、干
渉層と同様の材質を持つ誘電体よりなる保護層、即ち第
二誘電体層を設けるのが望ましい。この誘電体層の膜厚
は通常の場合、１００〜１０００Å程度とする。反射層
を設ける構造の媒体では、記録層に接して、又は数百Å
の誘電体層を介して高反射率の金属（例えばＡｌ，Ｃｕ
等）の単体又はその合金の層を反射層として設ける。反
射層の膜厚は１００〜１０００Å、望ましくは３００〜
８００Å程度である。
渉層と同様の材質を持つ誘電体よりなる保護層、即ち第
二誘電体層を設けるのが望ましい。この誘電体層の膜厚
は通常の場合、１００〜１０００Å程度とする。反射層
を設ける構造の媒体では、記録層に接して、又は数百Å
の誘電体層を介して高反射率の金属（例えばＡｌ，Ｃｕ
等）の単体又はその合金の層を反射層として設ける。反
射層の膜厚は１００〜１０００Å、望ましくは３００〜
８００Å程度である。
【００１０】なお、本発明において、基板上に干渉層、
記録層、誘電体層、反射層、誘電体層等の各層を形成す
る方法としては、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）等が適用される。ＰＶＤ法にて干渉層、光磁気記録
層、誘電体層、反射層、誘電体層等を成膜形成するに
は、所定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム
蒸着又はスパッタリングにより基板上に各層を堆積する
のが通常の方法である。膜の堆積速度は速すぎると膜応
力を増加させ、遅すぎると生産性が低下するので、通
常、０．１〜１００Å／ｓｅｃ程度の範囲で適宜決定さ
れる。
記録層、誘電体層、反射層、誘電体層等の各層を形成す
る方法としては、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）等が適用される。ＰＶＤ法にて干渉層、光磁気記録
層、誘電体層、反射層、誘電体層等を成膜形成するに
は、所定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム
蒸着又はスパッタリングにより基板上に各層を堆積する
のが通常の方法である。膜の堆積速度は速すぎると膜応
力を増加させ、遅すぎると生産性が低下するので、通
常、０．１〜１００Å／ｓｅｃ程度の範囲で適宜決定さ
れる。
【００１１】本発明においては上記基板の第一誘電体層
上に光磁気記録層すなわち上記稀土類と遷移金属との非
晶質磁性合金をスパッタリングで成膜する。その際の成
膜圧力を０．２×１０-3〜２×１０-3Ｔｏｒｒ、好まし
くは０．５×１０-3〜１．５×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で
アルゴンを導入して実施する。また光磁気記録媒体の飽
和磁気モーメントが２００ｅｍｕ／ｃｍ3 以下、好まし
くは１８０〜５０ｅｍｕ／ｃｍ3 の範囲となるように上
記非晶質磁性合金中の稀土類金属の組成例えばＴｂＦｅ
Ｃｏ系合金中のＴｂ組成を１９ａｔｍ％以上、好ましく
は２０〜２３ａｔｍ％の範囲内で調節する。
上に光磁気記録層すなわち上記稀土類と遷移金属との非
晶質磁性合金をスパッタリングで成膜する。その際の成
膜圧力を０．２×１０-3〜２×１０-3Ｔｏｒｒ、好まし
くは０．５×１０-3〜１．５×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で
アルゴンを導入して実施する。また光磁気記録媒体の飽
和磁気モーメントが２００ｅｍｕ／ｃｍ3 以下、好まし
くは１８０〜５０ｅｍｕ／ｃｍ3 の範囲となるように上
記非晶質磁性合金中の稀土類金属の組成例えばＴｂＦｅ
Ｃｏ系合金中のＴｂ組成を１９ａｔｍ％以上、好ましく
は２０〜２３ａｔｍ％の範囲内で調節する。
【００１２】上記した成膜圧力や飽和磁気モーメント、
すなわち、Ｔｂ組成を上記範囲内で調節することによっ
て光磁気記録媒体の磁界感度を絶対値で２５０（Ｏｅ）
以下、好ましくは２００（Ｏｅ）以下にすることがで
き、低磁界で良好な特性を得ることができる。上記成膜
圧力や飽和磁気モーメントを上記範囲外とした場合には
本発明の効果が達成されない。
すなわち、Ｔｂ組成を上記範囲内で調節することによっ
て光磁気記録媒体の磁界感度を絶対値で２５０（Ｏｅ）
以下、好ましくは２００（Ｏｅ）以下にすることがで
き、低磁界で良好な特性を得ることができる。上記成膜
圧力や飽和磁気モーメントを上記範囲外とした場合には
本発明の効果が達成されない。
【００１３】上記成膜圧力が下限（０．２ｍＴｏｒｒ）
より低いと放電が不十分となりスパッタリング成膜が満
足にできず、また、上限（２ｍＴｏｒｒ）より高いと磁
界感度が悪化し、低磁界で良好な特性が得られない。さ
らに、飽和磁気モーメントが２００ｅｍｕ／ｃｍ3 より
高いと磁界感度が悪化し、低磁界で良好な特性が得られ
ない。
より低いと放電が不十分となりスパッタリング成膜が満
足にできず、また、上限（２ｍＴｏｒｒ）より高いと磁
界感度が悪化し、低磁界で良好な特性が得られない。さ
らに、飽和磁気モーメントが２００ｅｍｕ／ｃｍ3 より
高いと磁界感度が悪化し、低磁界で良好な特性が得られ
ない。
【００１４】その理由は、完全に解明できているわけで
はないが、上記の特定の条件下に記録層を形成すると、
磁性層が垂直磁気異方性に優れたものとなるためと考え
られる。
はないが、上記の特定の条件下に記録層を形成すると、
磁性層が垂直磁気異方性に優れたものとなるためと考え
られる。
【００１５】
【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに説明す
るが、本発明はその要旨を越えないかぎり以下の実施例
に限定されるものではない。磁界感度はナカミチ社製の
光磁気ディスク検査装置「ＯＭＳ２０００」（商品名）
で、飽和磁気モーメントはＤＭＳ社製「Ｍｏｄｅｌ／１
６６０」（商品名）で測定した。
るが、本発明はその要旨を越えないかぎり以下の実施例
に限定されるものではない。磁界感度はナカミチ社製の
光磁気ディスク検査装置「ＯＭＳ２０００」（商品名）
で、飽和磁気モーメントはＤＭＳ社製「Ｍｏｄｅｌ／１
６６０」（商品名）で測定した。
【００１６】実施例１ ポリカーボネート製の基板上に、ＴａＯｘの第一誘電体
層、ＴｅＦｅＣｏの磁性層、ＳｉＮｘの第二誘電体層、
ＡｌＴａの反射層をマグネトロンスパッタリングにより
形成して光磁気記録媒体を得た。膜厚はＴａＯｘ：８０
０Å、ＴｂＦｅＣｏ：２５０Å、ＳｉＮｘ：２５０Å、
ＡｌＴａ：６００Åとした。記録層の形成に当っては、
ＴｂＦｅＣｏの合金ターゲットとして通常よりＴｂ組成
が２原子％高いＴｂ20.5（Ｆｅ90Ｃｏ10）79.5（原子
％）の合金ターゲットを用いた。
層、ＴｅＦｅＣｏの磁性層、ＳｉＮｘの第二誘電体層、
ＡｌＴａの反射層をマグネトロンスパッタリングにより
形成して光磁気記録媒体を得た。膜厚はＴａＯｘ：８０
０Å、ＴｂＦｅＣｏ：２５０Å、ＳｉＮｘ：２５０Å、
ＡｌＴａ：６００Åとした。記録層の形成に当っては、
ＴｂＦｅＣｏの合金ターゲットとして通常よりＴｂ組成
が２原子％高いＴｂ20.5（Ｆｅ90Ｃｏ10）79.5（原子
％）の合金ターゲットを用いた。
【００１７】また、記録層のスパッタ時のＡｒガス圧力
を従来の圧力（２．５ｍＴｏｒｒ）より低い１．０ｍＴ
ｏｒｒとした。記録層以外の層のＡｒガス圧力は３〜４
ｍＴｏｒｒで行なった。図１に得られた記録媒体の物性
を示す。本発明の方法によれば飽和磁気モーメントが約
１３０ｅｍｕ／ｃｍ3 という良いものが得られている。
を従来の圧力（２．５ｍＴｏｒｒ）より低い１．０ｍＴ
ｏｒｒとした。記録層以外の層のＡｒガス圧力は３〜４
ｍＴｏｒｒで行なった。図１に得られた記録媒体の物性
を示す。本発明の方法によれば飽和磁気モーメントが約
１３０ｅｍｕ／ｃｍ3 という良いものが得られている。
【００１８】比較例１ 実施例１において、記録層形成用合金ターゲットとして
Ｔｂ18.5（Ｆｅ90Ｃｏ 10）81.5のものを用い、成膜時の
Ａｒガス圧力を２．５ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１
と同様にして光磁気記録媒体を得た。図１に得られた記
録媒体の物性を示す。飽和磁気モーメントが約２１０ｅ
ｍｕ／ｃｍ3 のものとなった。
Ｔｂ18.5（Ｆｅ90Ｃｏ 10）81.5のものを用い、成膜時の
Ａｒガス圧力を２．５ｍＴｏｒｒとした以外は実施例１
と同様にして光磁気記録媒体を得た。図１に得られた記
録媒体の物性を示す。飽和磁気モーメントが約２１０ｅ
ｍｕ／ｃｍ3 のものとなった。
【００１９】図２に実施例１と比較例１で得られた媒体
の磁界感度の比較を示す。ここで磁界感度は消去磁場
（Ｈｅ）を一定として記録磁場（Ｈｗ）を−３００〜＋
３００（Ｏｅ）まで振った時のＣ／Ｎの変化で定義して
いる。この図中ではＣ／Ｎが５ｄＢ以下となる磁界を低
磁界感度といい、その値の絶対値が小さなものほど低磁
界で消去可能である。比較例１の媒体ではこの磁界感度
が−３００（Ｏｅ）であるのに対して、実施例１の媒体
では−１５０（Ｏｅ）となっている。これは、磁界ヘッ
ドの出力が１５０（Ｏｅ）の低磁界で記録再生できるこ
とを意味している。
の磁界感度の比較を示す。ここで磁界感度は消去磁場
（Ｈｅ）を一定として記録磁場（Ｈｗ）を−３００〜＋
３００（Ｏｅ）まで振った時のＣ／Ｎの変化で定義して
いる。この図中ではＣ／Ｎが５ｄＢ以下となる磁界を低
磁界感度といい、その値の絶対値が小さなものほど低磁
界で消去可能である。比較例１の媒体ではこの磁界感度
が−３００（Ｏｅ）であるのに対して、実施例１の媒体
では−１５０（Ｏｅ）となっている。これは、磁界ヘッ
ドの出力が１５０（Ｏｅ）の低磁界で記録再生できるこ
とを意味している。
【００２０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、低磁界での
良好な特性を実現する。
良好な特性を実現する。
【図１】実施例における飽和磁気モーメントを示すグラ
フ
フ
【図２】実施例における磁界感度を示すグラフ
１ 実施例１のグラフ ２ 比較例１のグラフ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも第一誘電体層、磁
性層、第二誘電体層及び反射層を順次設けてなる光磁気
記録媒体において、磁性層が成膜圧力を０．２〜２．０
ｍＴｏｒｒにて成膜した磁性層であることを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 磁性層を合金ターゲットを用いて成膜す
ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 合金ターゲットは稀土類金属と遷移金属
との合金からなり、稀土類金属の割合を光磁気記録層の
飽和磁気モーメントが２００ｅｍｕ／ｃｍ3以下となる
ようにしたことを特徴とする請求項２に記載の光磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3374194A JPH07244875A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3374194A JPH07244875A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244875A true JPH07244875A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12394844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3374194A Pending JPH07244875A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07244875A (ja) |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP3374194A patent/JPH07244875A/ja active Pending
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