JPH0766579B2 - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0766579B2 JPH0766579B2 JP7765686A JP7765686A JPH0766579B2 JP H0766579 B2 JPH0766579 B2 JP H0766579B2 JP 7765686 A JP7765686 A JP 7765686A JP 7765686 A JP7765686 A JP 7765686A JP H0766579 B2 JPH0766579 B2 JP H0766579B2
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- Japan
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- film
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- magneto
- recording medium
- optical recording
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気メモリに用いられる記録媒体に関する
もので、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁圧を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。
もので、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁圧を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。
（従来の技術） 従来の一般的な光磁気記録媒体は、第２図に示すよう
に、基体１の上に、第１の保護層２、記録層３、第２の
保護層４の順に形成したものから成る。基体１として
は、ガラス、Al合金及びPMMA・ポリカーボネイト、エポ
キシなどのプラスチック基板が用いられ、第１及び第２
の保護層としては、SiO,SiO2,Si3N4,AlNなどの誘電体薄
膜が用いられる。第２の保護層としては、誘電体薄膜の
外に、Ti,Taなどの金属膜も用いられる記録層として
は、MnBi,MnCuBiなどの多結晶体薄膜、Tb,Gd,Dyなどの
希土類金属とFe,Coなどの鉄族遷移金属との組み合せに
よって作成される非晶質合金薄膜、また、Cd3Fe5O12な
どの単結晶薄膜などが知られている。これらの薄膜の中
で、非晶質合金薄膜は、書き込み感度が高い、粒界ノイ
ズが無い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容
易に作れるなどの利点を有するため、記録媒体として最
も有望視されている。
に、基体１の上に、第１の保護層２、記録層３、第２の
保護層４の順に形成したものから成る。基体１として
は、ガラス、Al合金及びPMMA・ポリカーボネイト、エポ
キシなどのプラスチック基板が用いられ、第１及び第２
の保護層としては、SiO,SiO2,Si3N4,AlNなどの誘電体薄
膜が用いられる。第２の保護層としては、誘電体薄膜の
外に、Ti,Taなどの金属膜も用いられる記録層として
は、MnBi,MnCuBiなどの多結晶体薄膜、Tb,Gd,Dyなどの
希土類金属とFe,Coなどの鉄族遷移金属との組み合せに
よって作成される非晶質合金薄膜、また、Cd3Fe5O12な
どの単結晶薄膜などが知られている。これらの薄膜の中
で、非晶質合金薄膜は、書き込み感度が高い、粒界ノイ
ズが無い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容
易に作れるなどの利点を有するため、記録媒体として最
も有望視されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、これらの非晶質合金薄膜は、活性の高い元素か
ら成るため、その磁気特性は、基体の種類及び第１の保
護層の特性に影響されて変化する。例えば、非晶質合金
薄膜としてTbFeCoスパッタ膜、保護層として屈折率1.8
以下の窒化ケイ素（SiN）スパッタ膜を用いた場合に
は、TbFeCo膜のカーヒステリシスループは、ガラス基板
に直接形成したものに比べて、Tbが消費された方向にシ
フトし、角形が悪く、力一回転角Qkも小さい。これは、
上述のSiN膜が、化学論量組成Si3N4からはずれた組成と
なり、緻密性に劣り、酸素などのガスを吸蔵しているた
めに、TbFeCo膜が酸化した結果生じたものである。一
方、SiN膜を、化学量論組成Si3N4に近づけ、緻密にした
としても、この膜は、大きな圧縮応力（５〜10×109dyn
/cm2を有するために、基板に、PMMAなどの樹脂基板を用
いると、そりを生じたり、又、樹脂から水分の除去が不
十分な時は、膜の剥離を生じることが本発明者によって
見出だされた。
ら成るため、その磁気特性は、基体の種類及び第１の保
護層の特性に影響されて変化する。例えば、非晶質合金
薄膜としてTbFeCoスパッタ膜、保護層として屈折率1.8
以下の窒化ケイ素（SiN）スパッタ膜を用いた場合に
は、TbFeCo膜のカーヒステリシスループは、ガラス基板
に直接形成したものに比べて、Tbが消費された方向にシ
フトし、角形が悪く、力一回転角Qkも小さい。これは、
上述のSiN膜が、化学論量組成Si3N4からはずれた組成と
なり、緻密性に劣り、酸素などのガスを吸蔵しているた
めに、TbFeCo膜が酸化した結果生じたものである。一
方、SiN膜を、化学量論組成Si3N4に近づけ、緻密にした
としても、この膜は、大きな圧縮応力（５〜10×109dyn
/cm2を有するために、基板に、PMMAなどの樹脂基板を用
いると、そりを生じたり、又、樹脂から水分の除去が不
十分な時は、膜の剥離を生じることが本発明者によって
見出だされた。
本発明の目的は、第１の保護層の保護性能を劣化させる
ことなく、膜のストレスを小さくできる光磁気記録媒体
を提供することにある。
ことなく、膜のストレスを小さくできる光磁気記録媒体
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 第１図に本発明の光磁気記録媒体の断面構成図を示す。
図に示す様に、本発明の光磁気記録媒体は、基体５上
に、誘電体膜から成る第１の保護層６、膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜から成る記録
層７、金属膜もしくは誘電体膜から成る第２の保護層８
の順に形成して光磁気記録媒体において、第１の保護層
は化学量論組成からはずれるにつれてストレスが小さく
なる誘電体より成り、かつその屈折率が基体から記録層
に近づくにつれて大きくなっていることをを特徴する。
また第１の保護層６の屈折率を変化させるためにはスパ
ッタ製膜時にスパッタガス圧を連続的に徐々に高くなる
ように変化させればよい。
図に示す様に、本発明の光磁気記録媒体は、基体５上
に、誘電体膜から成る第１の保護層６、膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜から成る記録
層７、金属膜もしくは誘電体膜から成る第２の保護層８
の順に形成して光磁気記録媒体において、第１の保護層
は化学量論組成からはずれるにつれてストレスが小さく
なる誘電体より成り、かつその屈折率が基体から記録層
に近づくにつれて大きくなっていることをを特徴する。
また第１の保護層６の屈折率を変化させるためにはスパ
ッタ製膜時にスパッタガス圧を連続的に徐々に高くなる
ように変化させればよい。
（作用） 本発明は、基体と記録層の間に形成される保護層とし
て、組成が化学論量組成からはずれるにつれて、ストレ
スが小さくなる様な誘電体膜を用いる場合に、有効であ
る。この保護層として基板に近い部分に、組成が化学量
論組成からはずれ、ストレスが小さい層を形成し、記録
層に接する部分は、化学量論組成に近い組成となる様
に、膜厚方向に組成を連続的に変化させることによって
記録層を劣化させることなく平均的ストレスの小さい保
護層を形成できる。
て、組成が化学論量組成からはずれるにつれて、ストレ
スが小さくなる様な誘電体膜を用いる場合に、有効であ
る。この保護層として基板に近い部分に、組成が化学量
論組成からはずれ、ストレスが小さい層を形成し、記録
層に接する部分は、化学量論組成に近い組成となる様
に、膜厚方向に組成を連続的に変化させることによって
記録層を劣化させることなく平均的ストレスの小さい保
護層を形成できる。
（実施例） PMMA及びガラス基板上に、第１の保護層として、屈折率
が膜厚が増加するにつれて1.78から2.0迄連続的に変化
した厚さ1000ÅのSiN膜、記録層として、厚さ1000ÅのT
b0.22（Fe0.9Co0.1）0.78、第２の保護層として、屈折
率1.85、厚さ1000ÅのSiN膜を形成した。各々の膜は、
マグネトロンスパッタにより、真空を破ることなく連続
に形成した。SiN膜は、Siターゲットに対して、ArとN2
の混合ガス（45.5％N2）をスパッタガスとした反応性ス
パッタにより作製した。SiN膜の屈折率は、スパッタガ
ス圧により変化させた。第３図に、到達真空度４×10-5
Pa以下、パワー密度4.4W/cm2におけるSiN膜の屈折率と
スパッタガス圧の関係を示す。第１の保護層形成時に
は、スパッタガス圧を、初めに８×10-1Paに設定し、ス
パッタを継続させながら、徐々に8.3×10-2Pa迄真空度
を高めた。第２の保護層は、スパッタガス圧５×10-1Pa
で形成した。SiN膜のストレスは屈折率と、第４図に示
す関係がある。これらの条件によって得られる第１及び
第２のSiN膜の圧縮応力の大きさは、それぞれ２〜４×1
09dyn/cm2,5×109dyn/cm2であった。記録層TbFeCoは、F
eCoターゲット上に、Tb片を配した複合ターゲットを用
い、Arガス雰囲気で、パワー密度2W/cm2、スパッタガス
圧3.5×10-1Paで作製した。
が膜厚が増加するにつれて1.78から2.0迄連続的に変化
した厚さ1000ÅのSiN膜、記録層として、厚さ1000ÅのT
b0.22（Fe0.9Co0.1）0.78、第２の保護層として、屈折
率1.85、厚さ1000ÅのSiN膜を形成した。各々の膜は、
マグネトロンスパッタにより、真空を破ることなく連続
に形成した。SiN膜は、Siターゲットに対して、ArとN2
の混合ガス（45.5％N2）をスパッタガスとした反応性ス
パッタにより作製した。SiN膜の屈折率は、スパッタガ
ス圧により変化させた。第３図に、到達真空度４×10-5
Pa以下、パワー密度4.4W/cm2におけるSiN膜の屈折率と
スパッタガス圧の関係を示す。第１の保護層形成時に
は、スパッタガス圧を、初めに８×10-1Paに設定し、ス
パッタを継続させながら、徐々に8.3×10-2Pa迄真空度
を高めた。第２の保護層は、スパッタガス圧５×10-1Pa
で形成した。SiN膜のストレスは屈折率と、第４図に示
す関係がある。これらの条件によって得られる第１及び
第２のSiN膜の圧縮応力の大きさは、それぞれ２〜４×1
09dyn/cm2,5×109dyn/cm2であった。記録層TbFeCoは、F
eCoターゲット上に、Tb片を配した複合ターゲットを用
い、Arガス雰囲気で、パワー密度2W/cm2、スパッタガス
圧3.5×10-1Paで作製した。
PMMA基板を用いた場合でも、膜の剥離は見られず、又そ
りも殆んどなかった。又、カーヒステリシスループより
測定される記録層は、いずれも、補償組成に対して遷移
金属リッチの極性を有し、抗磁力Hcは約5KOeであった。
この特性は、ガラス基板上に直接TbFeCo膜を形成した場
合と、殆んど同じであった。この様に、TbFeCo膜の磁気
特性を劣化させることなく、PMMA基板を用いた時に生じ
たSiN膜のストレスに起因する問題を解決できた。上述
述べた効果は基体として、ポリカーボネイトを用いた時
にも同様に見られた。
りも殆んどなかった。又、カーヒステリシスループより
測定される記録層は、いずれも、補償組成に対して遷移
金属リッチの極性を有し、抗磁力Hcは約5KOeであった。
この特性は、ガラス基板上に直接TbFeCo膜を形成した場
合と、殆んど同じであった。この様に、TbFeCo膜の磁気
特性を劣化させることなく、PMMA基板を用いた時に生じ
たSiN膜のストレスに起因する問題を解決できた。上述
述べた効果は基体として、ポリカーボネイトを用いた時
にも同様に見られた。
（発明の効果） 本発明によれば、保護層の記録層に対する保護性能を劣
化させることなく保護層のストレスに起因する問題を解
決できる光磁気記録媒体を提供できる。以上の説明で
は、基体と記録層の間に形成される保護層として、SiN
膜を用いた場合について述べたが、保護層としてはこれ
に限定されるものではなく、化学量論組成からはずれる
につれて、ストレスが小さくなる様な誘電体膜を用いる
場合、全てに本発明は有効である。
化させることなく保護層のストレスに起因する問題を解
決できる光磁気記録媒体を提供できる。以上の説明で
は、基体と記録層の間に形成される保護層として、SiN
膜を用いた場合について述べたが、保護層としてはこれ
に限定されるものではなく、化学量論組成からはずれる
につれて、ストレスが小さくなる様な誘電体膜を用いる
場合、全てに本発明は有効である。
第１図は、本発明の構成を示す図、第２図は従来の構成
を示す図、第３図はSiN膜の屈折率とスパッタガス圧の
関係を示す図、第４図はSiN膜のストレスと屈折率の関
係を示す図である。 図において、1,5……基体、2,6……誘電体から成る保護
層、3,7……非晶質磁性合金薄膜の記録層、4,8……金属
もしくは誘電体から成る保護層である。
を示す図、第３図はSiN膜の屈折率とスパッタガス圧の
関係を示す図、第４図はSiN膜のストレスと屈折率の関
係を示す図である。 図において、1,5……基体、2,6……誘電体から成る保護
層、3,7……非晶質磁性合金薄膜の記録層、4,8……金属
もしくは誘電体から成る保護層である。
Claims (2)
- 【請求項１】基体上に、誘電体膜から成る第１の保護
層、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性
合金膜から成る記録層、金属膜もしくは誘電体膜から成
る第２の保護層の順に形成して成る光磁気記録媒体にお
いて、第１の保護層は化学量論組成からはずれるにつれ
てストレス及び屈折率が小さくなる誘電体より成り、か
つその屈折率が基体から記録層に近づくにつれて大きく
なっていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】基体上に、誘電体膜から成る第１の保護
層、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性
合金膜から成る記録層、金属膜もしくは誘電体膜から成
る第２の保護層の順に形成する光磁気記録媒体の製造方
法において、第１の保護層のスパッタリングによる成膜
時に、スパッタガス圧を連続的に徐々に高くなるように
変えることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7765686A JPH0766579B2 (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7765686A JPH0766579B2 (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234253A JPS62234253A (ja) | 1987-10-14 |
| JPH0766579B2 true JPH0766579B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=13639924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7765686A Expired - Lifetime JPH0766579B2 (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766579B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4748546B2 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| CN102474071B (zh) * | 2009-07-06 | 2015-07-22 | 古河电气工业株式会社 | 半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件 |
| JP4748545B2 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイス |
-
1986
- 1986-04-03 JP JP7765686A patent/JPH0766579B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62234253A (ja) | 1987-10-14 |
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