JPH0782669B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0782669B2 JPH0782669B2 JP60139769A JP13976985A JPH0782669B2 JP H0782669 B2 JPH0782669 B2 JP H0782669B2 JP 60139769 A JP60139769 A JP 60139769A JP 13976985 A JP13976985 A JP 13976985A JP H0782669 B2 JPH0782669 B2 JP H0782669B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- recording medium
- optical recording
- magnetic
- film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、ドキュメントファイル、フロッピーディス
ク、ハードディスクなどに使用される光磁気記録媒体に
関する。
ク、ハードディスクなどに使用される光磁気記録媒体に
関する。
従来の技術 近年、光の熱効果などを利用して磁性薄膜に磁区を書込
んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み
出すようにした光磁気記録媒体が注目されている。
んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み
出すようにした光磁気記録媒体が注目されている。
従来、光磁気記録媒体に用いられる記録層としては、Tb
-Fe合金のような希土類−遷移金属系アモルファス磁性
体からなる薄膜が知られている(特公昭57-20691)。こ
のような光磁気記録媒体への情報の記録は、磁性体のキ
ューリ温度または補償温度における保磁力の急激な変化
特性を利用して実施され、具体的には2値信号で変調さ
れたレーザー光を垂直磁化された磁性薄膜に照射、加熱
して磁化の向きを反転させることにより行われる。ま
た、再生は、反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差
を利用して行われる。
-Fe合金のような希土類−遷移金属系アモルファス磁性
体からなる薄膜が知られている(特公昭57-20691)。こ
のような光磁気記録媒体への情報の記録は、磁性体のキ
ューリ温度または補償温度における保磁力の急激な変化
特性を利用して実施され、具体的には2値信号で変調さ
れたレーザー光を垂直磁化された磁性薄膜に照射、加熱
して磁化の向きを反転させることにより行われる。ま
た、再生は、反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差
を利用して行われる。
希土類−遷移金属系アモルファス磁性体薄膜は、垂直磁
気異方性を示し、保磁力Hcが大きく、カー回転角θkも
大きいので光磁気記録媒体として適している。しかし、
非晶質であるため結晶化温度を有しており、その温度が
350〜400℃程度と低く、メモリ安定性に問題があった。
気異方性を示し、保磁力Hcが大きく、カー回転角θkも
大きいので光磁気記録媒体として適している。しかし、
非晶質であるため結晶化温度を有しており、その温度が
350〜400℃程度と低く、メモリ安定性に問題があった。
発明の目的 本発明は、メモリ安定性の優れた希土類−遷移金属系ア
モルファス磁性体を用いた光磁気記録媒体を提供するも
のである。
モルファス磁性体を用いた光磁気記録媒体を提供するも
のである。
発明の構成 本発明の光磁気記録媒体は、垂直磁気異方性を有する希
土類−遷移金属系アモルファス磁性膜を設けた光磁気記
録媒体において、該磁性膜が一般式(I)で示される組
成を有することを特徴とする。
土類−遷移金属系アモルファス磁性膜を設けた光磁気記
録媒体において、該磁性膜が一般式(I)で示される組
成を有することを特徴とする。
{(Fe1-zCoz)1-xMox}1-yTby …(I) x:0.01≦x≦0.2 y:0.1≦y≦0.4 z:0<z≦0.4) 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
第1図は、本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す断面
図であり、基板11上に磁性膜13および保護膜15が積層さ
れている。磁性膜13は、前記一般式(I)で示した希土
類金属−遷移金属の非晶質合金膜からなり、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーイティング法などにより基板
11上に形成される。希土類金属としてはTb(テルビウ
ム)が用いられる。
図であり、基板11上に磁性膜13および保護膜15が積層さ
れている。磁性膜13は、前記一般式(I)で示した希土
類金属−遷移金属の非晶質合金膜からなり、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーイティング法などにより基板
11上に形成される。希土類金属としてはTb(テルビウ
ム)が用いられる。
xおよびyを上記範囲とすることにより、優れた垂直異
方性と大きな保磁力が得られる。置換量xの好ましい範
囲は0.05≦x≦0.10である。
方性と大きな保磁力が得られる。置換量xの好ましい範
囲は0.05≦x≦0.10である。
磁性膜13の膜厚は0.03〜0.5μm程度が適当である。
保護膜15は、アルモファス磁性体が酸素や水に酸化腐食
されるのを防止するためのものであり、SiO2,SiO,Si
3N4,AINなどからなる。保護膜は蒸着法、スパッタ法、
イオンプレーティング法などにより形成することができ
る。保護膜の厚さは0.05〜1μm程度が好適である。
されるのを防止するためのものであり、SiO2,SiO,Si
3N4,AINなどからなる。保護膜は蒸着法、スパッタ法、
イオンプレーティング法などにより形成することができ
る。保護膜の厚さは0.05〜1μm程度が好適である。
基板11としては非磁性材料が用いられ、たとえば、ガラ
ス、プラスチック、セラミックなどの透明基板あるいは
不透明基板が用いられる。
ス、プラスチック、セラミックなどの透明基板あるいは
不透明基板が用いられる。
また、基板と磁性膜との間に保護膜、あるいは磁性膜の
上部に断熱膜や反射膜を設けることもできる。
上部に断熱膜や反射膜を設けることもできる。
発明の効果 本発明によれば、特定のアモルファス希土類−遷移金属
系磁性膜を用いることにより、結晶化温度が高くなり、
メモリ安定性の良好な光磁気記録媒体が得られる。
系磁性膜を用いることにより、結晶化温度が高くなり、
メモリ安定性の良好な光磁気記録媒体が得られる。
実施例1 2元マグネトロンスパッタ装置を用い、Moのチップ(10
mm×10mm×1mmt)をFe0.9Co0.1の合金ターゲット(150m
mφ,3mmt)の上にのせ、Tbターゲット(150mmφ,3m
mt)と同時に以下の条件でスパッタして、回転している
基板の上に磁性膜を作成した。ここで、Moのチップ数を
調整して、Fe0.9Co0.1の一部をMo置換することにより、
磁性膜のMo置換量を制御した。
mm×10mm×1mmt)をFe0.9Co0.1の合金ターゲット(150m
mφ,3mmt)の上にのせ、Tbターゲット(150mmφ,3m
mt)と同時に以下の条件でスパッタして、回転している
基板の上に磁性膜を作成した。ここで、Moのチップ数を
調整して、Fe0.9Co0.1の一部をMo置換することにより、
磁性膜のMo置換量を制御した。
得られた磁性膜は、振動試料型磁力計にて結晶化温度を
測定し、Moの置換量xと結晶化温度との関係を調べ第2
図に示した。
測定し、Moの置換量xと結晶化温度との関係を調べ第2
図に示した。
磁性膜の作成条件 残留ガス圧:1×10-6Torr Arガス圧:5×10-3Torr ターゲット材:Tb,Fe0.9Co0.1+Mo 放電電力:100W(Tb) 400W(Fe0.9Co0.1+Mo) スパッタ時間:15min(膜厚1000Å) 基板:スライドガラス 基板回転:30rpm 第2図より、Moを添加することにより、結晶化温度が80
〜130℃位高くなり、メモリ安定性が改善されることが
判る。
〜130℃位高くなり、メモリ安定性が改善されることが
判る。
第1図は、本発明の実施例を示す断面図である。 第2図は、磁性膜中のMoの置換量xと結晶化温度との関
係を示すグラフである。 11……基板、13……磁性膜 15,17……保護膜
係を示すグラフである。 11……基板、13……磁性膜 15,17……保護膜
Claims (1)
- 【請求項1】垂直磁気異方性を有する希土類−遷移金属
系アモルファス磁性膜を設けた光磁気記録媒体におい
て、該磁性膜が一般式(I)で示される組成を有するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 {(Fe1-zCoz)1-xMox}1-yTby …(I) x:0.01≦x≦0.2 y:0.1≦y≦0.4 z:0<z≦0.4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60139769A JPH0782669B2 (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60139769A JPH0782669B2 (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS621151A JPS621151A (ja) | 1987-01-07 |
JPH0782669B2 true JPH0782669B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=15252970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60139769A Expired - Lifetime JPH0782669B2 (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0782669B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62214537A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS62226450A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
KR100468827B1 (ko) * | 1998-04-03 | 2005-08-31 | 삼성전자주식회사 | 비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59168953A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
JPS6139252A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-25 | Kyocera Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS61196445A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Toshiba Corp | 光磁気デイスク |
JPS61246946A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-04 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS61253655A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP60139769A patent/JPH0782669B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS621151A (ja) | 1987-01-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |