JPS61253655A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61253655A JPS61253655A JP9487585A JP9487585A JPS61253655A JP S61253655 A JPS61253655 A JP S61253655A JP 9487585 A JP9487585 A JP 9487585A JP 9487585 A JP9487585 A JP 9487585A JP S61253655 A JPS61253655 A JP S61253655A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy film
- recording medium
- film
- substrate
- amorphous alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はＥ−ＤＲＡＷ型光ディスクに関し、特に希土類
金属と遷移金属を主材料とする光記録膜を有する光磁気
記録媒体に関する。
金属と遷移金属を主材料とする光記録膜を有する光磁気
記録媒体に関する。
背景技術
従来から、一定の条件下例えば高周波スパッタリング等
の方法で作成される希土類金属と遷移金属との合金は、
アモルファス構造をとり、膜面に垂直な一軸磁気異方性
を有することが知られている。
の方法で作成される希土類金属と遷移金属との合金は、
アモルファス構造をとり、膜面に垂直な一軸磁気異方性
を有することが知られている。
この性質は光磁気記録媒体の記録膜として利用できる。
すなわち、情報の記録読取りにおいては次のように行う
。先ず、−軸磁気異方性を有するアモルファス合金膜上
にレーザ光を焦光してその焦光部分をキューリ一温度又
は補償温度付近を局部内に加熱せしめる。この時の焦光
部分における熱消磁又は磁化反転の熱的効果によって、
一方向に一様に磁化された合金膜面内に反転磁区を形成
することが出来る。次に、形成された反転磁区に偏光レ
ーザ光を入射し、その反射光におけるファラデー効果又
はカー効果による偏光楕円体の主軸の回転と、楕円率の
変化から反転磁区の有無を信号として検出セきる。この
ようにして、上記記録媒体において反転磁区の有無を“
１″、１１０”に対応させることによって記録読取りが
可能となる。
。先ず、−軸磁気異方性を有するアモルファス合金膜上
にレーザ光を焦光してその焦光部分をキューリ一温度又
は補償温度付近を局部内に加熱せしめる。この時の焦光
部分における熱消磁又は磁化反転の熱的効果によって、
一方向に一様に磁化された合金膜面内に反転磁区を形成
することが出来る。次に、形成された反転磁区に偏光レ
ーザ光を入射し、その反射光におけるファラデー効果又
はカー効果による偏光楕円体の主軸の回転と、楕円率の
変化から反転磁区の有無を信号として検出セきる。この
ようにして、上記記録媒体において反転磁区の有無を“
１″、１１０”に対応させることによって記録読取りが
可能となる。
従来からの希土類金属と遷移金属とのアモルファス合金
例えばＧｄ’ｒｂＦｅ（ガドリニウム−テルビウム−鉄
）、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム−鉄−コバルト）等は光
磁気効果及び磁気特性、特にキューリ一点、補償温度が
低くかつ保磁力があり光磁気記録材料として適切で在る
ため光磁気記録媒体の記録膜材として注目され実用化が
進んでいる。
例えばＧｄ’ｒｂＦｅ（ガドリニウム−テルビウム−鉄
）、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム−鉄−コバルト）等は光
磁気効果及び磁気特性、特にキューリ一点、補償温度が
低くかつ保磁力があり光磁気記録材料として適切で在る
ため光磁気記録媒体の記録膜材として注目され実用化が
進んでいる。
しかしながら、これらアモルファス合金が完全なアモル
ファス構造をとっている場合には磁気異方性定数ＫＬＪ
が小さく、またカー回転角θｋが十分とは言えず、その
ため性能指数ｒπ×０ｋ（Ｒは反射率）が大きく取れな
い。このような完全なアモルファス構造の光記録膜を用
いた光磁気記録媒体では実用上必要なＣ／Ｎ比の大きさ
を得るに至っていない。更にまたアモルファス構造の光
記録膜を用いた光磁気記録媒体では酸化等の材質劣化が
起こり長期信頼性にも問題がある。
ファス構造をとっている場合には磁気異方性定数ＫＬＪ
が小さく、またカー回転角θｋが十分とは言えず、その
ため性能指数ｒπ×０ｋ（Ｒは反射率）が大きく取れな
い。このような完全なアモルファス構造の光記録膜を用
いた光磁気記録媒体では実用上必要なＣ／Ｎ比の大きさ
を得るに至っていない。更にまたアモルファス構造の光
記録膜を用いた光磁気記録媒体では酸化等の材質劣化が
起こり長期信頼性にも問題がある。
発明の概要
本発明の目的は、経時変化の少ない長期保存性に優れた
光磁気記録媒体を提供することである。
光磁気記録媒体を提供することである。
本発明の光磁気記録媒体は、基板と、希土類金属−遷移
金属を主材料としかつ膜面に垂直な方向に一軸磁気異方
性を有している該基板に担持されたアモルファス合金膜
とからなる光磁気記録媒体であって、該アモルファス合
金膜を希土類金属−遷移金属合金のアモルファス状態中
に粒径１０〜５００人の微結晶部分を含めることにより
光磁気効果を高めた光磁気記録膜とすることを特徴とす
る。
金属を主材料としかつ膜面に垂直な方向に一軸磁気異方
性を有している該基板に担持されたアモルファス合金膜
とからなる光磁気記録媒体であって、該アモルファス合
金膜を希土類金属−遷移金属合金のアモルファス状態中
に粒径１０〜５００人の微結晶部分を含めることにより
光磁気効果を高めた光磁気記録膜とすることを特徴とす
る。
実 施 例
以下、本発明の一実施例を添附図面に基づいて説明する
。
。
第１図は本発明を実行する高周波スパッタ装置を示す概
略断面図である。該装置の容器１内上部に陰極兼回転自
在基板ホルダ２に取付けられたプラスチック又はセラミ
ックスの基板３が回転自在複数配され、容器１内下部に
は陽極としてターゲット４（単体ターゲット、複合ター
ゲット、合金ターゲットのいずれでもよい）が配置され
ている。
略断面図である。該装置の容器１内上部に陰極兼回転自
在基板ホルダ２に取付けられたプラスチック又はセラミ
ックスの基板３が回転自在複数配され、容器１内下部に
は陽極としてターゲット４（単体ターゲット、複合ター
ゲット、合金ターゲットのいずれでもよい）が配置され
ている。
容器１は真空排気系５、Ａｒガス導入系６に連通してい
る。基板３とターゲット４との間に高周波（ＲＦ）ｌＩ
力を供給するＲＦｍ源７及び基板３に負のバイアス電圧
を印加するＤＣ電源８は陽極陰極間に直列に接続されて
いる。ターゲラ１〜４周辺及び容器１は接地シールドさ
れている。
る。基板３とターゲット４との間に高周波（ＲＦ）ｌＩ
力を供給するＲＦｍ源７及び基板３に負のバイアス電圧
を印加するＤＣ電源８は陽極陰極間に直列に接続されて
いる。ターゲラ１〜４周辺及び容器１は接地シールドさ
れている。
該高周波スパッタ装置によって本実施例の光記録媒体に
おけるアモルファス合金膜を次の条件で形成する。
おけるアモルファス合金膜を次の条件で形成する。
ＲＦｆｆｉ力 ：０．５〜５．０ＫＷ
ＤＣ電圧 ニー５０〜−１５０Ｖ
Ａｒ圧力 ：Ｑ、５〜３．５Ｐａ
基板間距離：２０〜２３０ｍｍ
基板回転数：Ｏ〜１１００ｒｐ
スパッタ速度：５０〜１０００人／分
ターゲット ：複合ターゲットであってＦｅ−Ｃ０合金
５″ターゲツト及びＴ ｂ ５ ”ターゲット上にＮｉ
にッケル）、１）ｔ（プラチナ）、Ｐｄ（パラジウム＞
、ｃｒ＜クロム）１ＭＯ（モリブデン）、Ｂ（ホウ素）
、Ｓｉ（ケイ素）、ＡＵ（アルミニウム＞、Ｇｅ（ゲル
マニウム）、■（バナジウム）のうちの一種類あるいは
二種類以上の組合せからなる２〜５ｍｍ角チツプを載せ
たものを用いる。
５″ターゲツト及びＴ ｂ ５ ”ターゲット上にＮｉ
にッケル）、１）ｔ（プラチナ）、Ｐｄ（パラジウム＞
、ｃｒ＜クロム）１ＭＯ（モリブデン）、Ｂ（ホウ素）
、Ｓｉ（ケイ素）、ＡＵ（アルミニウム＞、Ｇｅ（ゲル
マニウム）、■（バナジウム）のうちの一種類あるいは
二種類以上の組合せからなる２〜５ｍｍ角チツプを載せ
たものを用いる。
上記条件で基板１としての直径２００ｍｍの円盤状溝付
きアクリル基板上に直接アモルファス合金膜を形成し、
その後、真空状態を保ちつつ形成されたアモルファス合
金膜上に直ちに５１３Ｎ４などの保護膜を設ける。この
ように成膜することにより、アモルファス合金膜のアモ
ルファス構造中に粒径５０〜５００人の微小結晶状部分
を含んだ光磁気記録媒体を得ることが出来る。
きアクリル基板上に直接アモルファス合金膜を形成し、
その後、真空状態を保ちつつ形成されたアモルファス合
金膜上に直ちに５１３Ｎ４などの保護膜を設ける。この
ように成膜することにより、アモルファス合金膜のアモ
ルファス構造中に粒径５０〜５００人の微小結晶状部分
を含んだ光磁気記録媒体を得ることが出来る。
第２図（ａ）のグラフにて、高周波スパッタ装置で作製
したアモルファス合金膜をＸ線分析して得たＸ線回折パ
ターンを示す。Ｘ線回折パターン波形と、ＴＥＭから判
断した微小結晶状態とにより該合金膜の構造を解析する
。第２図（ｂ）のグラフにて横軸に基板バイアス電圧を
縦軸にカー回転角θｋを各々示す。これから分るように
基板バイアス電圧が−５０〜−１５０Ｖにおいて微小結
晶を含んだアモルファス合金膜が作製できる。また基板
バイアス電圧が−１００Ｖ付近の状態で大なるθｋ（カ
ー回転角）を有するアモルファス合金膜が得られること
も分る。
したアモルファス合金膜をＸ線分析して得たＸ線回折パ
ターンを示す。Ｘ線回折パターン波形と、ＴＥＭから判
断した微小結晶状態とにより該合金膜の構造を解析する
。第２図（ｂ）のグラフにて横軸に基板バイアス電圧を
縦軸にカー回転角θｋを各々示す。これから分るように
基板バイアス電圧が−５０〜−１５０Ｖにおいて微小結
晶を含んだアモルファス合金膜が作製できる。また基板
バイアス電圧が−１００Ｖ付近の状態で大なるθｋ（カ
ー回転角）を有するアモルファス合金膜が得られること
も分る。
第３図は、このようにして作製した本実施例の光磁気記
録媒体と、従来の製法による微小結晶粒をまったく含ま
ないものとを室温２０’Ｃ湿度５０％Ｒ，Ｈ，状態で同
じ場所を繰返し消去、記録、再生した時の時間経過に伴
うＣ／Ｎ比の劣化の様子示すグラフである。グラフ横軸
に時間経過を示し、グラフ縦軸にＣ／Ｎ比を示し、曲線
Ａに本発明の光磁気記録媒体の経時変化を示し、曲線Ｂ
に従来の光磁気記録媒体の経時変化を示す。これから分
るように微小結晶を含んだアモルファス合金膜を有した
本発明の光磁気記録媒体の方がＣ／Ｎ比が高くかつ劣化
も押えられていることが分る。
録媒体と、従来の製法による微小結晶粒をまったく含ま
ないものとを室温２０’Ｃ湿度５０％Ｒ，Ｈ，状態で同
じ場所を繰返し消去、記録、再生した時の時間経過に伴
うＣ／Ｎ比の劣化の様子示すグラフである。グラフ横軸
に時間経過を示し、グラフ縦軸にＣ／Ｎ比を示し、曲線
Ａに本発明の光磁気記録媒体の経時変化を示し、曲線Ｂ
に従来の光磁気記録媒体の経時変化を示す。これから分
るように微小結晶を含んだアモルファス合金膜を有した
本発明の光磁気記録媒体の方がＣ／Ｎ比が高くかつ劣化
も押えられていることが分る。
また本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録膜であるアモ
ルファス合金膜中に微小結晶部分を含むことによるバッ
クグラウンドノイズは殆ど無視できるほどであった。更
に１００００時間後における微小結晶を含んだアモルフ
ァス合金膜中の微小結晶の粒径５００Å以上の成長は殆
ど観察されなかった。
ルファス合金膜中に微小結晶部分を含むことによるバッ
クグラウンドノイズは殆ど無視できるほどであった。更
に１００００時間後における微小結晶を含んだアモルフ
ァス合金膜中の微小結晶の粒径５００Å以上の成長は殆
ど観察されなかった。
上記実施例では高周波スパッタ装置により製造した例を
示したが、イオンブレーティング、イオンビームスパッ
タ、ＭＢＥ等の方法によっても部分的に微結晶構造を含
むアモルファス合金膜を形成することが出来る。また、
光磁気記録媒体の信頼性を増すために溝付き基板と光磁
気記録層の間に更なる保護膜を設けてもよい。
示したが、イオンブレーティング、イオンビームスパッ
タ、ＭＢＥ等の方法によっても部分的に微結晶構造を含
むアモルファス合金膜を形成することが出来る。また、
光磁気記録媒体の信頼性を増すために溝付き基板と光磁
気記録層の間に更なる保護膜を設けてもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、希土類金属−遷移金属合
金からなるアモルファス合金膜において、粒径が１０〜
５００人の微結晶を含むことによりＣ／Ｎ比が高く経時
変化の少ない長期保存性に優れた光磁気記録媒体を得る
ことができる。
金からなるアモルファス合金膜において、粒径が１０〜
５００人の微結晶を含むことによりＣ／Ｎ比が高く経時
変化の少ない長期保存性に優れた光磁気記録媒体を得る
ことができる。
第１図は本発明を実行する高周波スパッタ装置の概略断
面図であり、第２図は本発明による光磁気記録媒体のカ
ー回転角θにと基板バイアス電圧の変化とを示すグラフ
であり、第３図は従来の光記録媒体と本発明による光記
録媒体とのＣ／Ｎ比の劣化特性を示すグラフである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・容器 ２・・・・・・陰極兼回転自在基板ホルダ３・・・・・
・基板 ４・・・・・・ターゲット （単体ターゲット、複合ターゲット、合金ターゲットの
いずれでもよい） ５・・・・・・真空排気系 ６・・・・・・Ａｒガス導入系 ７・・・・・・ＲＦ電源 ８・・・・・・ＤＣ電源
面図であり、第２図は本発明による光磁気記録媒体のカ
ー回転角θにと基板バイアス電圧の変化とを示すグラフ
であり、第３図は従来の光記録媒体と本発明による光記
録媒体とのＣ／Ｎ比の劣化特性を示すグラフである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・容器 ２・・・・・・陰極兼回転自在基板ホルダ３・・・・・
・基板 ４・・・・・・ターゲット （単体ターゲット、複合ターゲット、合金ターゲットの
いずれでもよい） ５・・・・・・真空排気系 ６・・・・・・Ａｒガス導入系 ７・・・・・・ＲＦ電源 ８・・・・・・ＤＣ電源
Claims (2)
- （１）基板と、希土類金属−遷移金属を主材料としかつ
膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を有する前記基板に
担持されたアモルファス合金膜とからなる光磁気記録媒
体であって、前記アモルファス合金膜の少なくとも一部
が粒径１０〜５００Åの微結晶状となつていることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - （２）前記アモルファス合金膜は原子比としてｘ、ｙを
用いて一般式が、 （Ｒ＿ｘＴ＿１＿−＿ｘ）＿１＿−＿ｙＳ＿ｙで示され
る多元合金膜であり、ＲはＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙから選ばれ
る１種類以上の希土類金属であり、ＴはＦｅ、Ｃｏから
選ばれる１種類以上の遷移金属であり、ＳはＮｉ、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｖから選
ばれる１種類以上の金属であり、かつｘ及びｙは０．１
≦ｘ≦０．４及び０．００５≦ｙ≦０．４の各々の範囲
にある値である合金からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9487585A JPS61253655A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9487585A JPS61253655A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253655A true JPS61253655A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14122221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9487585A Pending JPS61253655A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253655A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621151A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62132254A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62154346A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62214537A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62223840A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-10-01 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 光磁気記録素子及び光磁気記録装置 |
| JPS62226450A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
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| JPH01292646A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-24 | Hitachi Ltd | 情報記録材料の製造方法 |
| JPH0224853A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0227546A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02302947A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56105344A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5984358A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9487585A patent/JPS61253655A/ja active Pending
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| JPS62223840A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-10-01 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 光磁気記録素子及び光磁気記録装置 |
| JPS62214537A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62226450A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
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| JPH01292646A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-24 | Hitachi Ltd | 情報記録材料の製造方法 |
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| JPH02302947A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
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