JPS61258353A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61258353A JPS61258353A JP9804885A JP9804885A JPS61258353A JP S61258353 A JPS61258353 A JP S61258353A JP 9804885 A JP9804885 A JP 9804885A JP 9804885 A JP9804885 A JP 9804885A JP S61258353 A JPS61258353 A JP S61258353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous
- magnetic
- rare earth
- silicon nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
- C23C14/0652—Silicon nitride
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
挟亙分互
本発明は、非晶質希土類−遷移金属系磁性薄膜を記録層
として用いた光磁気記録媒体に関する。
として用いた光磁気記録媒体に関する。
従ｍ支１
近年、光の熱効果などを利用して磁性薄膜に磁区を書込
んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み
出すようにした光磁気記録媒体が注目されている。
んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み
出すようにした光磁気記録媒体が注目されている。
従来、光磁気記録媒体に用いられる記録層としては、Ｔ
ｂ−Ｆａ金合金ような非晶質希土類−遷移金属系磁性体
からなる薄膜が知られている。このような光磁気記録媒
体への情報の記録は、磁性体のキューり温度または補償
温度における保磁力の急激な変化特性を利用して実施さ
れ、具体的には２短信号で変調されたレーザー光を垂直
磁化された磁性薄膜に照射、加熱して磁化の向きを反転
させることにより行われる。
ｂ−Ｆａ金合金ような非晶質希土類−遷移金属系磁性体
からなる薄膜が知られている。このような光磁気記録媒
体への情報の記録は、磁性体のキューり温度または補償
温度における保磁力の急激な変化特性を利用して実施さ
れ、具体的には２短信号で変調されたレーザー光を垂直
磁化された磁性薄膜に照射、加熱して磁化の向きを反転
させることにより行われる。
また、再生は、反転記録された磁性膜の磁気光学効果の
差を利用して行われる。
差を利用して行われる。
非晶質希土類−遷移金属磁性体薄膜を用いた光磁気記録
媒体は、真空蒸着やスパッタリングで容易に作成でき、
しかもキューり温度が比較的低く記録感度が高いため、
半導体レーザーにより高感度で記録できるという利点が
あるが。
媒体は、真空蒸着やスパッタリングで容易に作成でき、
しかもキューり温度が比較的低く記録感度が高いため、
半導体レーザーにより高感度で記録できるという利点が
あるが。
酸化を受けやすく、特に高湿環境下に置かれると磁気特
性が変化し、最終的には垂直磁気異方性を失なって、光
磁気メモリとして使用しえなくなる。この欠点を克服す
るために、５ｉｎ２゜Ｓ ｉ Ｏｇ Ａ ｌ ２０３
ｅ Ａ Ｉ Ｎ ナト（７）保護膜１磁性薄膜上に設け
ることが行われている。
性が変化し、最終的には垂直磁気異方性を失なって、光
磁気メモリとして使用しえなくなる。この欠点を克服す
るために、５ｉｎ２゜Ｓ ｉ Ｏｇ Ａ ｌ ２０３
ｅ Ａ Ｉ Ｎ ナト（７）保護膜１磁性薄膜上に設け
ることが行われている。
しかしながら、緻密な保護膜を形成するためには、基板
温度を２００℃以上に上昇させて作成する必要があるた
め、非晶質希類−遷移金属系磁性薄膜の特性に悪影響を
与えてしまう問題がある。また、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ，
などの酸化物薄膜を用いると、膜中の遊離酸素が磁性膜
の酸′化を促進するために、保護膜としては必ずしも好
ましいものではなかった。
温度を２００℃以上に上昇させて作成する必要があるた
め、非晶質希類−遷移金属系磁性薄膜の特性に悪影響を
与えてしまう問題がある。また、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ，
などの酸化物薄膜を用いると、膜中の遊離酸素が磁性膜
の酸′化を促進するために、保護膜としては必ずしも好
ましいものではなかった。
見匪立且孜
本発明は、特性が安定で長寿命な非晶質希土類−遷移金
属系光記録媒体を提供するものである。
属系光記録媒体を提供するものである。
光ｍ１又
本発明の光磁気記録媒体は、非晶質希土類−遷移金属系
磁性薄膜の上および／または下に非晶質構造の窒化ケイ
素からなる保護膜を設けたことを特徴とする。
磁性薄膜の上および／または下に非晶質構造の窒化ケイ
素からなる保護膜を設けたことを特徴とする。
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
第１図は１本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す断面
図であり、基板１１上に磁性膜１３および保護膜１５が
積層されている。磁性膜１３は希土類金属−遷移金属の
非晶質合金膜からなり、スパッタ法、蒸着法、イオンブ
レーティング法などにより基板１１上に形成される。希
土類金属としてはＳｍ（サマリウム）、Ｇｄ（ガドリニ
ウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）
、Ｈｏ（ホルミウム）などが挙げられ、また、遷移金属
としてはＦｅ（鉄）、Ｇｏ（コバルト）などが例示され
る。磁性膜１３の膜厚は３００〜５０００人程度が適当
である。
図であり、基板１１上に磁性膜１３および保護膜１５が
積層されている。磁性膜１３は希土類金属−遷移金属の
非晶質合金膜からなり、スパッタ法、蒸着法、イオンブ
レーティング法などにより基板１１上に形成される。希
土類金属としてはＳｍ（サマリウム）、Ｇｄ（ガドリニ
ウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）
、Ｈｏ（ホルミウム）などが挙げられ、また、遷移金属
としてはＦｅ（鉄）、Ｇｏ（コバルト）などが例示され
る。磁性膜１３の膜厚は３００〜５０００人程度が適当
である。
保護膜工５は非晶質の窒化ケイ素からなる。窒化ケイ素
としては、一般式（りで表わされるものが好適である。
としては、一般式（りで表わされるものが好適である。
Ｘを下記範囲とすることにより、膜の緻密性が良好とな
る。
る。
ＳｉＮ、 （Ｉ）
（式中、Ｘは０．７≦Ｘ≦１．４）
保護膜１３の膜厚は３００〜１００００人程度が適当で
あり、好ましくは５００〜５０００人である。保護膜１
３は、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法な
どにより形成することができ、磁性膜の構造、不純物プ
ロファイル、磁気特性などが変化しないように１００℃
以下の基板温度で形成することが好ましい。また、磁性
膜１３と保護膜１５との界面に不純物が介在しないよう
に真空を破ることなく同じ真空槽内で磁性膜と保護膜を
形成することが好ましい。磁性膜の上に窒化ケイ素から
なる保護膜が設けられることにより、希土類金属−遷移
金属の非晶質合金の酸化が有効に防止される。
あり、好ましくは５００〜５０００人である。保護膜１
３は、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法な
どにより形成することができ、磁性膜の構造、不純物プ
ロファイル、磁気特性などが変化しないように１００℃
以下の基板温度で形成することが好ましい。また、磁性
膜１３と保護膜１５との界面に不純物が介在しないよう
に真空を破ることなく同じ真空槽内で磁性膜と保護膜を
形成することが好ましい。磁性膜の上に窒化ケイ素から
なる保護膜が設けられることにより、希土類金属−遷移
金属の非晶質合金の酸化が有効に防止される。
基板１１としては非磁性材料が用いられ、たとえば、ガ
ラス、プラスチック、セラミックなどの透明基板あるい
は不透明基板が用いられる。
ラス、プラスチック、セラミックなどの透明基板あるい
は不透明基板が用いられる。
第２図は本発明の他の実施例を示し、磁性膜１３の下側
に保護膜１７が設けられている。保護膜の膜厚、作用等
は第１図に示した場合と同様である。
に保護膜１７が設けられている。保護膜の膜厚、作用等
は第１図に示した場合と同様である。
第３図は１本発明のさらに他の実施例を示し、磁性膜１
３をはさむ形で保護膜１５．１７が設けられている。こ
れにより、磁性膜の安定性をよりいっそう改善すること
ができる。
３をはさむ形で保護膜１５．１７が設けられている。こ
れにより、磁性膜の安定性をよりいっそう改善すること
ができる。
また、ファラデー効果を利用する場合は、第１図、第３
図における保護膜１５上、あるいは第２図における磁性
膜１３上に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ。
図における保護膜１５上、あるいは第２図における磁性
膜１３上に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ。
Ｃｕなどの反射膜を形成することができる。
見匪立羞果
本発明によれば、非晶質希土類金属−遷移金属からなる
磁性膜を用いた光記録媒体において、保護膜として非晶
質の窒化ケイ素膜を形成することにより磁性膜の酸化に
対する安定性を改善することができる。この窒化ケイ素
膜は緻密で水を通しに＜＜、高湿条件下においても記録
媒体の特性を安定に保つ。また、非晶質窒化ケイ素膜は
１００℃以下の低い温度で形成することができるので、
非晶質合金磁性膜へ悪影響を及ぼすことがない。
磁性膜を用いた光記録媒体において、保護膜として非晶
質の窒化ケイ素膜を形成することにより磁性膜の酸化に
対する安定性を改善することができる。この窒化ケイ素
膜は緻密で水を通しに＜＜、高湿条件下においても記録
媒体の特性を安定に保つ。また、非晶質窒化ケイ素膜は
１００℃以下の低い温度で形成することができるので、
非晶質合金磁性膜へ悪影響を及ぼすことがない。
実施例
２元マグネトロン法を用いて磁性膜としてＴｂＦｅＣｏ
膜を作製し、それをはさむ形で非晶質Ｓ ｉ ＮＸ膜（
ｘ＝１．１）を形成し、第３図に示した光磁気記録媒体
を作製した。基板材質としてガラス、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）およびＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）
のプラスチック材を用い、非晶質Ｓ ｉ Ｎ、膜の膜厚
を５００人と１０００人と変化して作製した。非晶質Ｓ
ｉＮｘ膜の作製条件を以下に示す。
膜を作製し、それをはさむ形で非晶質Ｓ ｉ ＮＸ膜（
ｘ＝１．１）を形成し、第３図に示した光磁気記録媒体
を作製した。基板材質としてガラス、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）およびＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）
のプラスチック材を用い、非晶質Ｓ ｉ Ｎ、膜の膜厚
を５００人と１０００人と変化して作製した。非晶質Ｓ
ｉＮｘ膜の作製条件を以下に示す。
残留ガス圧： １．０Ｘ１０−”Ｔｏｒｒターゲット：
Ｓ ｉｓ Ｎ４ （１５２層履φ、３脂■厚）Ａｒガ
ス圧：５．０Ｘ１０″″” Ｔｏｒｒ放電電カニ ４０
０Ｗ スパッタ時間： ６０＋＊１ｎ（１０００人の場合）、
３０＋５ｕｎ（５００人の場合） 基板回転速度： ３０ｒｐ菖 基板温度：５０℃ 本条件で作製した５ｉＮＸ膜の反射電子線回折パターン
を測定したところ、ハローパターンを示し、非晶質であ
ることが確認された。
Ｓ ｉｓ Ｎ４ （１５２層履φ、３脂■厚）Ａｒガ
ス圧：５．０Ｘ１０″″” Ｔｏｒｒ放電電カニ ４０
０Ｗ スパッタ時間： ６０＋＊１ｎ（１０００人の場合）、
３０＋５ｕｎ（５００人の場合） 基板回転速度： ３０ｒｐ菖 基板温度：５０℃ 本条件で作製した５ｉＮＸ膜の反射電子線回折パターン
を測定したところ、ハローパターンを示し、非晶質であ
ることが確認された。
磁性膜（ｒｂｐａｃｏ）の膜厚は１０００人で遷移金属
リッチの膜である。この光記録媒体に基板側からＨｅ−
Ｎ５レーザー（λ＝＝ ６３３ｎｍ）を照射してカー効
果によりヒステリンシスループを求め、その保磁力Ｈａ
を特性値とする。
リッチの膜である。この光記録媒体に基板側からＨｅ−
Ｎ５レーザー（λ＝＝ ６３３ｎｍ）を照射してカー効
果によりヒステリンシスループを求め、その保磁力Ｈａ
を特性値とする。
各々のサンプルを６０℃−９０％ＲＨの高温高湿下に放
置してその時のＨａの変化を調べると第４図のようにな
る。このようにどのサンプルも６０℃−９０％の環境下
で３０００ｈｒ以上特性が変化せず安定であることが判
る。
置してその時のＨａの変化を調べると第４図のようにな
る。このようにどのサンプルも６０℃−９０％の環境下
で３０００ｈｒ以上特性が変化せず安定であることが判
る。
第１図、第２図および第３図は、本発明の光記録媒体の
構成例を示す断面図である。 第４図は放置時間と保磁力（Ｈａ）の関係を示すグラフ
である。 １１・・・基 板 １３・・・磁 性 膜１
５．１７・・・保護膜
構成例を示す断面図である。 第４図は放置時間と保磁力（Ｈａ）の関係を示すグラフ
である。 １１・・・基 板 １３・・・磁 性 膜１
５．１７・・・保護膜
Claims (1)
- １、非晶質希土類−遷移金属系磁性薄膜の上および／ま
たは下に非晶質構造の窒化ケイ素からなる保護膜を設け
たことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9804885A JPS61258353A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9804885A JPS61258353A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258353A true JPS61258353A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14209292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9804885A Pending JPS61258353A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258353A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226660A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS62285255A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173453A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173455A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5232790A (en) * | 1990-04-28 | 1993-08-03 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording disc and method of producing it |
| US5466524A (en) * | 1992-05-07 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Barium hexaferrite-silicon nitride-carbon magnetic recording medium |
| US5567523A (en) * | 1994-10-19 | 1996-10-22 | Kobe Steel Research Laboratories, Usa, Applied Electronics Center | Magnetic recording medium comprising a carbon substrate, a silicon or aluminum nitride sub layer, and a barium hexaferrite magnetic layer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110052A (en) * | 1980-09-12 | 1982-07-08 | Skil Nederland Nv | Speed control switch unit |
| JPS59110052A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPS60163247A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9804885A patent/JPS61258353A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110052A (en) * | 1980-09-12 | 1982-07-08 | Skil Nederland Nv | Speed control switch unit |
| JPS59110052A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
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| JPH01173453A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173455A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
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