JPS60163247A - 光磁気記録体 - Google Patents
光磁気記録体Info
- Publication number
- JPS60163247A JPS60163247A JP59018253A JP1825384A JPS60163247A JP S60163247 A JPS60163247 A JP S60163247A JP 59018253 A JP59018253 A JP 59018253A JP 1825384 A JP1825384 A JP 1825384A JP S60163247 A JPS60163247 A JP S60163247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- rotation angle
- amorphous
- kerr rotation
- gaseous
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光磁気記録体に関する。
最近、光磁気記録体は、レーザー光を用いて記録再生を
行なう高密度記録可能な新しい方式として注目さ几てい
るが、その再生方法として、偏光さnたレーザー光が磁
性体表面で反射するか透過する際に偏光面が回転するこ
とを利用している。従ってこの回転角即ちカー回転角が
大きいことが望まnる。このカー回転角を大きくする方
法として、磁性層の表面に、 8i0,8i02 Hz
nS 、813 N4 + MN HTlO2HAj!
203 + Ta203などの透明誘電体層を設けるこ
とが知らnており、この場合、こnらのカー回転を犬き
くする物質のうち、屈折率の大きいもの程カー回転角を
大きくする効果(エンハンス効果)があることも、知ら
nている。特に透明基板側からレーザー光を照射して再
生する場合には、基板として用いら几るガラスやPMb
ikの屈折率が約1.5であるので、空気側から再生を
行なう場合に比べて更に高い屈折率を有する物質が望ま
しい。
行なう高密度記録可能な新しい方式として注目さ几てい
るが、その再生方法として、偏光さnたレーザー光が磁
性体表面で反射するか透過する際に偏光面が回転するこ
とを利用している。従ってこの回転角即ちカー回転角が
大きいことが望まnる。このカー回転角を大きくする方
法として、磁性層の表面に、 8i0,8i02 Hz
nS 、813 N4 + MN HTlO2HAj!
203 + Ta203などの透明誘電体層を設けるこ
とが知らnており、この場合、こnらのカー回転を犬き
くする物質のうち、屈折率の大きいもの程カー回転角を
大きくする効果(エンハンス効果)があることも、知ら
nている。特に透明基板側からレーザー光を照射して再
生する場合には、基板として用いら几るガラスやPMb
ikの屈折率が約1.5であるので、空気側から再生を
行なう場合に比べて更に高い屈折率を有する物質が望ま
しい。
本発明者は、カー回転角の増大に用いらnる物質は、レ
ーザーの波長800nm近傍に対して透明であ1−ば足
り、従来の誘電体物質のよ・うに可視光全域に亘って透
明である必要はないとの観点から種々の物質を検討した
結果、屈折率が3.0〜3,8と非常に高く且つレーザ
ー光の波長に対してもある程度の透過率をもつアモルフ
ァスStを従来の透明誘電体層の代ジに用いることによ
シ、従来の誘電体物質より著しく大きいカー回転角の増
大効果をもたらすことを認めた。
ーザーの波長800nm近傍に対して透明であ1−ば足
り、従来の誘電体物質のよ・うに可視光全域に亘って透
明である必要はないとの観点から種々の物質を検討した
結果、屈折率が3.0〜3,8と非常に高く且つレーザ
ー光の波長に対してもある程度の透過率をもつアモルフ
ァスStを従来の透明誘電体層の代ジに用いることによ
シ、従来の誘電体物質より著しく大きいカー回転角の増
大効果をもたらすことを認めた。
この場合、アモルファスSiは光吸収端が11000n
付近にあるので800imではレーザー光は成る程度吸
収さnてしまう傾向があるので、エネルギーギャップを
大きくさせ光吸収端を短波長側に移動させnば800i
m付近の光吸収は減少しカー回転角を更に増大できる観
府よシ検討し、そのアモルファスSiのエネルギーギャ
ップを増大させる方法として、アモルファスSiにH、
F。
付近にあるので800imではレーザー光は成る程度吸
収さnてしまう傾向があるので、エネルギーギャップを
大きくさせ光吸収端を短波長側に移動させnば800i
m付近の光吸収は減少しカー回転角を更に増大できる観
府よシ検討し、そのアモルファスSiのエネルギーギャ
ップを増大させる方法として、アモルファスSiにH、
F。
0、N、0を混入させることによりカー回転角の増大を
もたらすこと全知見した。面して多くの試験研究の結果
、こnら元素の1種又は2種以上をアモルファスSiに
5 QatX以下混入すること、好ましくは30atX
以下混入することによシ上記の効果を有することを知見
した。
もたらすこと全知見した。面して多くの試験研究の結果
、こnら元素の1種又は2種以上をアモルファスSiに
5 QatX以下混入すること、好ましくは30atX
以下混入することによシ上記の効果を有することを知見
した。
このように、本発明は、上記の要求を満足しIC光磁気
記録体を提供するもので、磁性層の片面又は両面にカー
回転角を増大する層としてアモルファスSi層を設けて
成る。更にそのカー回転角の増大効果をもたらす光磁気
記録体を提供す)るもので、H,F、O,N、Oのうち
から選んだ少くとも1種の元素’に50at%以下混入
したアモルファスSi層を設けて成る。
記録体を提供するもので、磁性層の片面又は両面にカー
回転角を増大する層としてアモルファスSi層を設けて
成る。更にそのカー回転角の増大効果をもたらす光磁気
記録体を提供す)るもので、H,F、O,N、Oのうち
から選んだ少くとも1種の元素’に50at%以下混入
したアモルファスSi層を設けて成る。
更に本発明を実施例につき続開する。
アモルファスSム層は、公知のスパッタ法、几Fスノぞ
ツタ法プラズマOVD法、 蒸i法、イオンブレーティ
ング法、元OVD法等にょシガラス等の透明基板の上面
に形成する。アモルファスSi(以下a 8iと略記す
る)にH,F、O,N。
ツタ法プラズマOVD法、 蒸i法、イオンブレーティ
ング法、元OVD法等にょシガラス等の透明基板の上面
に形成する。アモルファスSi(以下a 8iと略記す
る)にH,F、O,N。
0のうちのいづれが1つ又は2以上の元素全混入しft
a−8i:H,a 8i:F、a 8i0:H,a−
8IN−H、a −SiO:Hなどの層全形成するには
、例えばN2ガス、N2ガス、0□ガス、8iH4ガス
、8iF4などの単独又は混合ガス全処理容器中に導入
し几Fスパッタ法あるいはプラズマOV、D法を用いた
。Cの混入には、SIメタ−ゲット上グラファイトペレ
ット’に多数制置いたターゲットを用いた。このように
作成し7’ca Si層、 a −8i:Hなどの元素
混入a −S 1層などの異面に、25 at% Tb
Fe膜(1000C)k作成し、更にその上に保護膜
としてxoooAの8商膜を形成した。尚、a−84層
やa −Si: H層などの上記元素混入の層につき、
その厚さとカー回転角との関係を検べるため、厚さの異
なる夫々の上記試料を作成した。カー回転角の測定には
830imの半導体レーザーを用いた。父上記のTb−
Fe膜や5i02膜を形成しない各試料音用いて光吸収
率と屈折率を測定した。
a−8i:H,a 8i:F、a 8i0:H,a−
8IN−H、a −SiO:Hなどの層全形成するには
、例えばN2ガス、N2ガス、0□ガス、8iH4ガス
、8iF4などの単独又は混合ガス全処理容器中に導入
し几Fスパッタ法あるいはプラズマOV、D法を用いた
。Cの混入には、SIメタ−ゲット上グラファイトペレ
ット’に多数制置いたターゲットを用いた。このように
作成し7’ca Si層、 a −8i:Hなどの元素
混入a −S 1層などの異面に、25 at% Tb
Fe膜(1000C)k作成し、更にその上に保護膜
としてxoooAの8商膜を形成した。尚、a−84層
やa −Si: H層などの上記元素混入の層につき、
その厚さとカー回転角との関係を検べるため、厚さの異
なる夫々の上記試料を作成した。カー回転角の測定には
830imの半導体レーザーを用いた。父上記のTb−
Fe膜や5i02膜を形成しない各試料音用いて光吸収
率と屈折率を測定した。
M1図は、a−8i層の膜厚の変化とカー回転角の変化
を示す。比較のため、従来の誘電体の例としてTiO2
層を形成した時の測定結果を併せて示した。第1図よシ
明らかなように、Tb−Fe膜のみではカー回転角は約
15−であるが1本発明のa −8iNを形成するとカ
ー回転角は最大4O−4tで増大することが認めらn1
従来のTiO2銹電体では最大25鋼であり且つその膜
厚の変化全体に亘、j)、a−8i層が、誘電体に比し
回転角の増大効果が優nていることが認めらnる。最大
を示す膜厚は、 TiO2層が65OAであるに対し、
a−8i層では450人である。これは屈折率がTie
、では2.3であるに対し、a−8+では3.7と大き
いためである。
を示す。比較のため、従来の誘電体の例としてTiO2
層を形成した時の測定結果を併せて示した。第1図よシ
明らかなように、Tb−Fe膜のみではカー回転角は約
15−であるが1本発明のa −8iNを形成するとカ
ー回転角は最大4O−4tで増大することが認めらn1
従来のTiO2銹電体では最大25鋼であり且つその膜
厚の変化全体に亘、j)、a−8i層が、誘電体に比し
回転角の増大効果が優nていることが認めらnる。最大
を示す膜厚は、 TiO2層が65OAであるに対し、
a−8i層では450人である。これは屈折率がTie
、では2.3であるに対し、a−8+では3.7と大き
いためである。
この最大のカー回転角が得らn:&450Aのa−81
層のみの光吸収率を測定したところ18300mのレー
ザー光に対してIOXであった。この光吸収率を低減さ
せるため、H,O,O,Nなどを添加したa −81層
を作成すると光吸収率は減少することが認めらnた。か
\る添加すべき元素の添加量とカー回転角の関係を検べ
た。第2図は最大値のカー回転角が得ら几る450A膜
厚のa −Si層においての元素の添加量とカー回転角
の関係を示す。
層のみの光吸収率を測定したところ18300mのレー
ザー光に対してIOXであった。この光吸収率を低減さ
せるため、H,O,O,Nなどを添加したa −81層
を作成すると光吸収率は減少することが認めらnた。か
\る添加すべき元素の添加量とカー回転角の関係を検べ
た。第2図は最大値のカー回転角が得ら几る450A膜
厚のa −Si層においての元素の添加量とカー回転角
の関係を示す。
この図から明らかなように、すべての添加元素において
添加量の増大とともにカー回転角の増大しはソ10〜3
QatXで最大値を示した後減少するが50at%程度
まではカー回転角4〇−以上を維持することが認めら几
た。
添加量の増大とともにカー回転角の増大しはソ10〜3
QatXで最大値を示した後減少するが50at%程度
まではカー回転角4〇−以上を維持することが認めら几
た。
上記から、添加量が少ない領域では光の吸収量を低減す
ることがカー回転角のエンノ)ンスに寄与し、光の吸収
量が殆んどなくなると屈折率の低下にともなってゆるや
かに減少することを意味してbる。尚、2種以上の元素
を混入した場合も同様のカー回転角の増大傾向が認めら
nることか分った。
ることがカー回転角のエンノ)ンスに寄与し、光の吸収
量が殆んどなくなると屈折率の低下にともなってゆるや
かに減少することを意味してbる。尚、2種以上の元素
を混入した場合も同様のカー回転角の増大傾向が認めら
nることか分った。
その結果を第3図に示す。図面で各2種元素の配合量は
等量である。
等量である。
こnらの1種又は2種以上の元素の添加により。
その元素は8i原子と強い結合力含有し、その結果エネ
ルギーギャップを増大させている。
ルギーギャップを増大させている。
以上の実験は、透明基板側から再生する場合について行
なったものであるが、空気側から再生する型や半透明の
磁性層と反射層との間にカー回転角を増大させるN(い
わゆるエンハンス層)を介在させてファラデー回転とカ
ー回転の両方を用いる型の光磁気記録体においても、こ
九らに用いら1.るエンハンス層に本発明のa −Si
層又はH,O,N、F、001種又は2種以上を混入し
たa −8iNを用いることにより極めて有効である。
なったものであるが、空気側から再生する型や半透明の
磁性層と反射層との間にカー回転角を増大させるN(い
わゆるエンハンス層)を介在させてファラデー回転とカ
ー回転の両方を用いる型の光磁気記録体においても、こ
九らに用いら1.るエンハンス層に本発明のa −Si
層又はH,O,N、F、001種又は2種以上を混入し
たa −8iNを用いることにより極めて有効である。
第1図は本発明の実施例の光磁気記録体の膜厚とカー回
転角との関係を従来の光磁気記録体のそれと対比して示
すグラフ、第2図は他の本発明の実施例における1種の
添加元素の添加量とカー回転角の大きさとの関係を示す
グラフ、W、3図は、他の本発明の実施例における2種
の添加元素の添加量とカー回転角の大きさとの関係を示
すグラフを示す。 特許出願人 日本真壁技術株式会社 第1図 第2図 fl*4山 at(’10) 第3図 at(’/J 手続補正書 昭和 f;o、 2八5B 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第18255 号 2、発明の名称 光磁気記録体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ば本真空技術株式会社 4、代 理 人 東京都港区新橋2丁目16番IIニコー新橋ビル703
5、補正命令 の日付(自発) 昭和 年 月 日 ;、:門2.゛\ ( 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 (1)明細書第6頁末行乃至第7頁第2行の「与し、・
・・屈折率の・・・意味している。」を下記の通り訂正
する。
転角との関係を従来の光磁気記録体のそれと対比して示
すグラフ、第2図は他の本発明の実施例における1種の
添加元素の添加量とカー回転角の大きさとの関係を示す
グラフ、W、3図は、他の本発明の実施例における2種
の添加元素の添加量とカー回転角の大きさとの関係を示
すグラフを示す。 特許出願人 日本真壁技術株式会社 第1図 第2図 fl*4山 at(’10) 第3図 at(’/J 手続補正書 昭和 f;o、 2八5B 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第18255 号 2、発明の名称 光磁気記録体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ば本真空技術株式会社 4、代 理 人 東京都港区新橋2丁目16番IIニコー新橋ビル703
5、補正命令 の日付(自発) 昭和 年 月 日 ;、:門2.゛\ ( 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 (1)明細書第6頁末行乃至第7頁第2行の「与し、・
・・屈折率の・・・意味している。」を下記の通り訂正
する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 磁性層の片面又は両面にカー回転角を増大する層と
してアモルファスSi層を設けて成る光磁気記録体。 2 磁性層の片面又は両面に、H3P、C9N?0のう
ちから選んだ少くとも1種の元素を50atX程度以下
混入したアモルファスSi層をカー回転を増大する層と
して設けることを特徴とする光磁気記録体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59018253A JPS60163247A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光磁気記録体 |
US06/698,480 US4661420A (en) | 1984-02-06 | 1985-02-05 | Optical magnetic recording member |
EP85300775A EP0152269B1 (en) | 1984-02-06 | 1985-02-06 | Optical magnetic recording member |
DE8585300775T DE3577247D1 (de) | 1984-02-06 | 1985-02-06 | Magneto-optischer aufzeichnungstraeger. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59018253A JPS60163247A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光磁気記録体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60163247A true JPS60163247A (ja) | 1985-08-26 |
JPH0259529B2 JPH0259529B2 (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=11966515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59018253A Granted JPS60163247A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光磁気記録体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60163247A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60209946A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS60209947A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS60231937A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS6180639A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
JPS61258353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS62157347A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-13 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製法 |
JPS62293542A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS6479954A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Kyocera Corp | Magneto-optical recording element |
JPH01251358A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-10-06 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 炭化ケイ素誘電体を有する光磁気記録媒体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55163640A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-19 | Sharp Corp | Magnetic/optical memory element |
JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
JPS5938950A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP59018253A patent/JPS60163247A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5938950A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
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JPS60209947A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS60231937A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS6180639A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
JPS61258353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS62157347A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-13 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製法 |
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JPH01251358A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-10-06 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 炭化ケイ素誘電体を有する光磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0259529B2 (ja) | 1990-12-12 |
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