JPS59132434A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents

磁気光学記憶素子

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Publication number
JPS59132434A
JPS59132434A JP23563283A JP23563283A JPS59132434A JP S59132434 A JPS59132434 A JP S59132434A JP 23563283 A JP23563283 A JP 23563283A JP 23563283 A JP23563283 A JP 23563283A JP S59132434 A JPS59132434 A JP S59132434A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
thin film
vapor
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23563283A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Oota
賢司 太田
Akira Takahashi
明 高橋
Toshihisa Deguchi
出口 敏久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP23563283A priority Critical patent/JPS59132434A/ja
Publication of JPS59132434A publication Critical patent/JPS59132434A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野ン 本発明は記憶薄膜に光を照射して情報の再生を行なう磁
気光学記憶素子に関する。
〈従来技術〉 近年、高密度、大容量、高速アクセス等積々の要求を満
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。各種光メモリ装置のうちでも、特に記憶材料として
垂直磁化膜を用いた磁気光学記憶素子は情報の書き換え
が可能であることから特に注目されているものである0 しかし、以上の利点を有する磁気光学記憶素子には、再
生信号レベルが低いという欠点があり、特に磁気光学記
憶素子からの反射光を利用して情報の再生を行なうカー
効果再生方式の磁気光学記憶素子においては、カー回転
角が小さいためにSZN比を高めることが困難であった
従来、SZN比を高める為に、例えば記録媒体上に誘電
体膜を形成することによりカー効果を強める旨の提案が
なされている。具体的には、MnB1製の磁性膜上にS
iO製の膜を形成してカー回転角を07度から3.6度
に増加させることができだ旨の報告がある。
しかし、この場合には反射光量が57%に激減する為、
カー回転角を約5倍に増加させたにも拘わらず、SZN
比は2倍となるのみであった。
前記MnB1以外の磁性膜を用いた場合においても、該
磁性膜上に誘電体膜を適当な厚さで形成することによっ
て、同様にカー効果を増加させることが可能であるが、
カー効果が増加する誘電体の膜厚は、その反面で反射率
を減少させる膜厚、即ち反射防止膜としての厚みであり
、結局SZN比の大きな増大は望み得なかった。
〈目 的〉 本発明は、反射率を減少させることなくカー回転角を増
加させ得るようにしてSZN比を改善することを目的と
するものであり、以下実施例を示す添付図面によって詳
細に説明する。
〈実施例〉 第1図は、本発明の磁気光学記憶素子の一実施例を示す
側面図であり、ガラス、合成樹脂等の透明な基板1の上
面に、GdTbFe、GdDyFe。
TbFe、DyTbFe等のアモルファスフェリ磁性体
製の記録薄膜2を形成し、更にその上にAt製の蒸着反
射膜3を形成している。
ここで基板1としてコーニングマイクロシートを用い、
記録薄膜2としてTbDyFeを用い、更に蒸着膜3と
してAtを用いた場合、カー回転角は蒸着膜3を形成す
ることによシ約3倍に増加した。その際蒸着膜3の有無
に拘わらず反射率は変化しなかった。
以上の本発明の磁気光学記憶素子の実施例では基板1.
記録薄膜29反射膜3の順番で積層される構造である為
、基板1側より光を照射して情報の再生を行なうことに
なる。そしてこの様な構造とした事により次の様な重大
な作用を得ることが出来る。即ち、高密度の情報記録を
行なう磁気光学記憶素子においてはゴミ、ホコリ等の小
さな物体が情報の再生にとって障害になる虞れがある。
例えば基板9反射膜、記録薄膜の順番で積層される構造
の場合(記録薄膜側より光を照射して情報の再生を行な
う場合)、記録薄膜上に付着したゴミ、ホコリ等によっ
て直ちに情報の再生エラーが発生する。しかし、本発明
では基板1.記録薄膜2、反射膜3の順番で積層され、
基板1側より光を照射して情報の再生を行なう構造であ
る為、基板1表面近くで光のスポツ)U未だ微小に集束
しておらない為に基板1表面でのゴミ、ホコリ等は情報
の再生エラーの原因になり難いという利点を得る。又基
板1側より光を照射して情報の再生を行なう方がより大
きいカー回転角の増大効果を得ることができるものであ
る。
本発明は、以上の実施例に限定されるものではなく、反
射膜として作用する蒸着膜としてAu + AI以外K
Ag、誘電体製の多層膜等も使用可能であり、また磁性
体製の薄膜としてSm + Eu 、 Gd + Tb
 、 Dy +Ho、Er等希土類とFe + Co 
+ Ni等遷移金属とを種々の組成で混合した他のアモ
ルファス磁性体、MnB1.MnB1Cu等結晶体等製
の薄膜が使用可能であるO 更に、本発明素子は、磁気円板状に限定されるものでは
なく、ドラム状、テープ状、ソート状適宜形状に形成す
ることができる。
〈効 果〉 以上のように、本発明は簡単な構成でありながら反射率
を何ら減少させることなくカー回転角を増加させてSZ
N比の大幅な向上を図り得るという特有の効果を奏する
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す側面図である。 図中、に基板 2:記録薄膜 3:蒸着膜第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、透明な基板上に、希土類と遷移金属の合金からなる
    アモルファス磁性体等の光吸収性の垂直磁化薄膜と、情
    報再生用の光に対して充分な反射率を有する反射膜とを
    この順にて積層したことを特徴とする磁気光学記憶素子
JP23563283A 1983-12-12 1983-12-12 磁気光学記憶素子 Pending JPS59132434A (ja)

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