JPH0458662B2 - - Google Patents
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- JPH0458662B2 JPH0458662B2 JP24127783A JP24127783A JPH0458662B2 JP H0458662 B2 JPH0458662 B2 JP H0458662B2 JP 24127783 A JP24127783 A JP 24127783A JP 24127783 A JP24127783 A JP 24127783A JP H0458662 B2 JPH0458662 B2 JP H0458662B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ光を用いての情報の記録・再
生・消去をおこなう光磁気記録媒体に関する。光
磁気記録媒体は書き替えのできる光デイスクメモ
リ用媒体である。光デイスクメモリは高密度・大
容量・高速アクセスが可能であるということから
現在の磁気デイスクメモリに代わる新規なメモリ
と考えられている。中でも光磁気記録媒体を用い
た光磁気デイスクは書き替え性を有することから
最も注目され、近年活発に研究開発が行なわれて
いる。
生・消去をおこなう光磁気記録媒体に関する。光
磁気記録媒体は書き替えのできる光デイスクメモ
リ用媒体である。光デイスクメモリは高密度・大
容量・高速アクセスが可能であるということから
現在の磁気デイスクメモリに代わる新規なメモリ
と考えられている。中でも光磁気記録媒体を用い
た光磁気デイスクは書き替え性を有することから
最も注目され、近年活発に研究開発が行なわれて
いる。
従来より知られている光磁気記録媒体の構成は
第１図に示したように支持基板１としてガラス、
金属あるいは有機物樹脂を用い、支持基板１上に
基板に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜
から成る光磁気記録層２を形成したものである。
光磁気記録層としてはMnBi，MnCuBi，PtCo，
MnAlGe等の結晶体、Gd，Tb，Dy，Ho等希土
類とFe，Co，Ni等遷移金属とを種々の組成で混
合して作成したアモルフアス磁性薄膜が知られて
いる。
第１図に示したように支持基板１としてガラス、
金属あるいは有機物樹脂を用い、支持基板１上に
基板に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜
から成る光磁気記録層２を形成したものである。
光磁気記録層としてはMnBi，MnCuBi，PtCo，
MnAlGe等の結晶体、Gd，Tb，Dy，Ho等希土
類とFe，Co，Ni等遷移金属とを種々の組成で混
合して作成したアモルフアス磁性薄膜が知られて
いる。
光磁気記録媒体は前記のとおり磁気デイスクメ
モリに代わる利点を有している反面、再生信号レ
ベルすなわちＳ／Ｎ比が低いという欠点がある。
特に光磁気記録媒体からの反射光を用いて再生を
行なうカー効果による再生方式においては、媒体
のカー回転角が小さいことが低Ｓ／Ｎ比の原因で
あつた。
モリに代わる利点を有している反面、再生信号レ
ベルすなわちＳ／Ｎ比が低いという欠点がある。
特に光磁気記録媒体からの反射光を用いて再生を
行なうカー効果による再生方式においては、媒体
のカー回転角が小さいことが低Ｓ／Ｎ比の原因で
あつた。
従来より再生信号のＳ／Ｎ比を向上させる方法
として、記録層の改良すなわち光磁気記録層を多
元系にするあるいは多元素を添加する方法や、記
録媒体のレーザ光入射面に高屈折率誘電体層を形
成して反射光を減少させ、カー回転角を増大させ
るカー回転増幅法が用いられている。
として、記録層の改良すなわち光磁気記録層を多
元系にするあるいは多元素を添加する方法や、記
録媒体のレーザ光入射面に高屈折率誘電体層を形
成して反射光を減少させ、カー回転角を増大させ
るカー回転増幅法が用いられている。
このうち後者のカー回転増幅法に関しては、第
２図に示したように支持基板１の上に光磁気記録
層２を形成し、さらに前記記録層２の上にSiOあ
るいはSiO2等の高屈折率誘電体層３を形成した
媒体が知られている。（特願昭56−156943）しか
しながらこの媒体においては、前記記録層２が腐
蝕を受ける場合には前記高屈折率誘電体層３は
1000〓以下にしなければならず、したがつて実質
的な保護膜になり得ない。また前記高屈折率誘電
体層３上に付着する小さなごみ、ほこり、汚れの
影響を無視することができないという欠点があ
り、このためさらに保護層を形成しなければなら
なかつた。
２図に示したように支持基板１の上に光磁気記録
層２を形成し、さらに前記記録層２の上にSiOあ
るいはSiO2等の高屈折率誘電体層３を形成した
媒体が知られている。（特願昭56−156943）しか
しながらこの媒体においては、前記記録層２が腐
蝕を受ける場合には前記高屈折率誘電体層３は
1000〓以下にしなければならず、したがつて実質
的な保護膜になり得ない。また前記高屈折率誘電
体層３上に付着する小さなごみ、ほこり、汚れの
影響を無視することができないという欠点があ
り、このためさらに保護層を形成しなければなら
なかつた。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去せ
しめて、作製が容易で記録層の耐蝕性に優れかつ
小さなごみや汚れの影響を無視でき、カー回転増
幅機能を有し高再生信号Ｓ／Ｎ比が得られる新規
な光磁気記録媒体を提供することにある。
しめて、作製が容易で記録層の耐蝕性に優れかつ
小さなごみや汚れの影響を無視でき、カー回転増
幅機能を有し高再生信号Ｓ／Ｎ比が得られる新規
な光磁気記録媒体を提供することにある。
本発明によれば、透明基板上に高屈折率誘電体
層を設け、更に前記高屈折率誘電体層の上に光磁
気記録層を設けた構造を有する光磁気記録媒体に
おいて、高屈折率誘電体層としてケイ素を用いた
ことを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
層を設け、更に前記高屈折率誘電体層の上に光磁
気記録層を設けた構造を有する光磁気記録媒体に
おいて、高屈折率誘電体層としてケイ素を用いた
ことを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
以下、本発明について図面に従つて説明する。
第３図は本発明の適用された光磁気記録媒体の断
面図であり、透明基板４の上部に高屈折率誘電体
層３さらには光磁気記録媒体２を有する。透明基
板４としてはガラス、有機物樹脂（ポリメチルメ
タクリレート、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニ
ル等）が用いられる。高屈折率誘電体層３として
はSi（屈折率ｎ＝2.5）を用いる。SiはSiO，SiO2
に比べて高屈折率である。光磁気記録層２として
はMnBi，MnCuBi，PtCo，MnAlGe等の結晶体
あるいはGd，Tb，Dy，Ho等の希土類とFe，
Co，Ni等の種々の組成から成るアモルフアス磁
性薄膜が用いられる。記録・再生に用いるレーザ
光５は透明基板４側から入射し、記録層２に情報
の記録をおこない、記録層２からの反射光によつ
てカー回転角に基づく偏光面の回転から情報を再
生する。第４図は本発明の一実施例として厚さ
0.5mmのガラス基板上に膜厚の異なるSiを真空蒸
着法により形成し、さらにその上にRFスパツタ
法によりTbFeアモルフアス磁性薄膜を1600Å厚
形成して作成した光磁気記録媒体を用いてカー回
転角をガラス基板側から半導体レーザ波長λ＝
8300Åにて測定した結果である。Siの膜厚を580
Åに選ぶことによつてカー回転角はSiが無い場合
に比べて約３倍に増幅された。また第５図は同波
長における光磁気記録媒体の反射率の測定結果で
ある。Siの膜厚580Åでは反射率はSiの無い場合
に比べて約1/3に減少しているにすぎない。一般
に光磁気記録においては再生信号のＳ／Ｎ比はカ
ー回転角をθk、反射率をＲとしたとき Ｓ／Ｎ∝θk・√ であることが知られている。よつて第４図および
第５図からSiを580Å形成することによりＳ／Ｎ
比はSiの無い場合に比べて1.7倍改善されること
がわかる。
第３図は本発明の適用された光磁気記録媒体の断
面図であり、透明基板４の上部に高屈折率誘電体
層３さらには光磁気記録媒体２を有する。透明基
板４としてはガラス、有機物樹脂（ポリメチルメ
タクリレート、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニ
ル等）が用いられる。高屈折率誘電体層３として
はSi（屈折率ｎ＝2.5）を用いる。SiはSiO，SiO2
に比べて高屈折率である。光磁気記録層２として
はMnBi，MnCuBi，PtCo，MnAlGe等の結晶体
あるいはGd，Tb，Dy，Ho等の希土類とFe，
Co，Ni等の種々の組成から成るアモルフアス磁
性薄膜が用いられる。記録・再生に用いるレーザ
光５は透明基板４側から入射し、記録層２に情報
の記録をおこない、記録層２からの反射光によつ
てカー回転角に基づく偏光面の回転から情報を再
生する。第４図は本発明の一実施例として厚さ
0.5mmのガラス基板上に膜厚の異なるSiを真空蒸
着法により形成し、さらにその上にRFスパツタ
法によりTbFeアモルフアス磁性薄膜を1600Å厚
形成して作成した光磁気記録媒体を用いてカー回
転角をガラス基板側から半導体レーザ波長λ＝
8300Åにて測定した結果である。Siの膜厚を580
Åに選ぶことによつてカー回転角はSiが無い場合
に比べて約３倍に増幅された。また第５図は同波
長における光磁気記録媒体の反射率の測定結果で
ある。Siの膜厚580Åでは反射率はSiの無い場合
に比べて約1/3に減少しているにすぎない。一般
に光磁気記録においては再生信号のＳ／Ｎ比はカ
ー回転角をθk、反射率をＲとしたとき Ｓ／Ｎ∝θk・√ であることが知られている。よつて第４図および
第５図からSiを580Å形成することによりＳ／Ｎ
比はSiの無い場合に比べて1.7倍改善されること
がわかる。
次に本発明の他の実施例として透明基板４とし
て円板上のガラス基板を用い、その上にSiを580
Å形成し、さらにTbFeアモルフアス磁性膜を
1600Å形成した光磁気記録媒体を作成し、記録再
生実験をおこなつたところ、再生信号Ｓ／ｎ比は
Siの無い場合に比べて3dB向上していることが確
認された。
て円板上のガラス基板を用い、その上にSiを580
Å形成し、さらにTbFeアモルフアス磁性膜を
1600Å形成した光磁気記録媒体を作成し、記録再
生実験をおこなつたところ、再生信号Ｓ／ｎ比は
Siの無い場合に比べて3dB向上していることが確
認された。
本発明においては、記録再生用のレーザ光は透
明基板側から入射するので、媒体表面上に付着す
るごみ、ほこり、汚れは透明基板の厚さの効果に
より再生信号へは全く影響しない。すなわち、透
明基板表面上ではある程度の大きさをもつレーザ
光が記録層上では急速にしぼられるため再生時に
は小さなごみやほこり、汚れによるＳ／Ｎ比の低
下を防ぐ効果をもつ。また耐蝕性に関しては記
録・再生が記録層の基板側の面を用いておこなわ
れることから基板側からの腐蝕は無く、第２図に
示した構成の光磁気記録媒体に比べて優れてい
る。第６図は0.5mm厚のガラス基板上に形成した
TbFeアモルフアス磁性薄膜のカー回転角θkの経
時変化を示したものである。θkpは作成直後のカ
ー回転角である。ガラス基板側から測定したカー
回転角は室温において作成から35日後まで全く低
下しなかつた。このように基板側の記録層表面を
用いることが耐蝕性の面からも好ましい。また透
明基板として有機物樹脂を用いる場合においても
高屈折率誘電体層としてSiを用いているため、Si
が有機物樹脂から浸透してくる水分の防止層とな
り、耐蝕性に効果をあげる役目を持つ。
明基板側から入射するので、媒体表面上に付着す
るごみ、ほこり、汚れは透明基板の厚さの効果に
より再生信号へは全く影響しない。すなわち、透
明基板表面上ではある程度の大きさをもつレーザ
光が記録層上では急速にしぼられるため再生時に
は小さなごみやほこり、汚れによるＳ／Ｎ比の低
下を防ぐ効果をもつ。また耐蝕性に関しては記
録・再生が記録層の基板側の面を用いておこなわ
れることから基板側からの腐蝕は無く、第２図に
示した構成の光磁気記録媒体に比べて優れてい
る。第６図は0.5mm厚のガラス基板上に形成した
TbFeアモルフアス磁性薄膜のカー回転角θkの経
時変化を示したものである。θkpは作成直後のカ
ー回転角である。ガラス基板側から測定したカー
回転角は室温において作成から35日後まで全く低
下しなかつた。このように基板側の記録層表面を
用いることが耐蝕性の面からも好ましい。また透
明基板として有機物樹脂を用いる場合においても
高屈折率誘電体層としてSiを用いているため、Si
が有機物樹脂から浸透してくる水分の防止層とな
り、耐蝕性に効果をあげる役目を持つ。
第７図は本発明の光磁気記録媒体を円板上に形
成した場合の他の実施例を示す断面図である。第
３図に示した本発明の光磁気記録媒体２組を記録
層２，２′を内側にして有機物樹脂層６を介して
帖り合わせた構造である。このような構成にする
ことにより光磁気記録媒体の上下両面からの情報
の記録・再生・消去が可能になり記憶容量が倍増
する。
成した場合の他の実施例を示す断面図である。第
３図に示した本発明の光磁気記録媒体２組を記録
層２，２′を内側にして有機物樹脂層６を介して
帖り合わせた構造である。このような構成にする
ことにより光磁気記録媒体の上下両面からの情報
の記録・再生・消去が可能になり記憶容量が倍増
する。
以上のように本発明は簡単な構成でありながら
カー回転角を増加させてＳ／Ｎ比を大幅に改善す
ることができ、さらに透明基板側からの記録・再
生をおこなう方式を採用することと、Siの特性を
生かすことにより、耐蝕性の向上、媒体表面の汚
れの影響の除去が可能である。
カー回転角を増加させてＳ／Ｎ比を大幅に改善す
ることができ、さらに透明基板側からの記録・再
生をおこなう方式を採用することと、Siの特性を
生かすことにより、耐蝕性の向上、媒体表面の汚
れの影響の除去が可能である。
第１図は従来の光磁気記録媒体の構成を示す断
面図、第２図は従来の高屈折率誘電体層を有する
光磁気記録媒体の構成を示す断面図、第３図は本
発明の一実施例の構成を示す断面図、第４図はSi
の膜厚とカー回転角の関係の測定結果を示した
図、第５図はSiの膜厚と反射率の関係の測定結果
を示した図、第６図はカー回転角の経時変化の測
定結果を示した図、第７図は本発明の他の一実施
例の構成を示す断面図である。 図中、１……支持基板、２，２′……光磁気記
録層、３，３′……高屈折率誘電体層、４，４′…
…透明基板、５……レーザ光、６……有機物樹脂
層。
面図、第２図は従来の高屈折率誘電体層を有する
光磁気記録媒体の構成を示す断面図、第３図は本
発明の一実施例の構成を示す断面図、第４図はSi
の膜厚とカー回転角の関係の測定結果を示した
図、第５図はSiの膜厚と反射率の関係の測定結果
を示した図、第６図はカー回転角の経時変化の測
定結果を示した図、第７図は本発明の他の一実施
例の構成を示す断面図である。 図中、１……支持基板、２，２′……光磁気記
録層、３，３′……高屈折率誘電体層、４，４′…
…透明基板、５……レーザ光、６……有機物樹脂
層。
Claims (1)
- １ 透明基板上に高屈折率誘電体層を設け、更に
前記高屈折率誘電体層の上に光磁気記録層を設け
た構造を有する光磁気記録媒体において、前記高
屈折率誘電体層としてケイ素を用いたことを特徴
とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24127783A JPS60133558A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24127783A JPS60133558A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133558A JPS60133558A (ja) | 1985-07-16 |
| JPH0458662B2 true JPH0458662B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=17071859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24127783A Granted JPS60133558A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133558A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60209946A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH06139637A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP24127783A patent/JPS60133558A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60133558A (ja) | 1985-07-16 |
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