JPH06139637A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH06139637A JPH06139637A JP4291183A JP29118392A JPH06139637A JP H06139637 A JPH06139637 A JP H06139637A JP 4291183 A JP4291183 A JP 4291183A JP 29118392 A JP29118392 A JP 29118392A JP H06139637 A JPH06139637 A JP H06139637A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Y10T428/265—1 mil or less
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜を記録層３とする光磁気
記録媒体において、記録層１の保磁力、垂直磁気異方性
を向上させる。 【構成】ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ
Ｃ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｓｉ、Ｓｉと金属との金属間化合
物、ＳｉＣ、ＳｒＴｉＯ3、ＣｅＯ2のいずれかの
もので下地層２を構成し、基板１上にこの下地層２を介
して記録層３を形成する。
記録媒体において、記録層１の保磁力、垂直磁気異方性
を向上させる。 【構成】ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ
Ｃ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｓｉ、Ｓｉと金属との金属間化合
物、ＳｉＣ、ＳｒＴｉＯ3、ＣｅＯ2のいずれかの
もので下地層２を構成し、基板１上にこの下地層２を介
して記録層３を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザ光などにより情報の記録再生を行なう光磁気記
録媒体に関し、特に、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜を記録層と
する光磁気記録媒体に関する。
てレーザ光などにより情報の記録再生を行なう光磁気記
録媒体に関し、特に、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜を記録層と
する光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録方式と
して、半導体レーザ光などにより情報の記録・再生を行
なう光磁気記録媒体が注目され、実用化されている。光
磁気記録媒体の記録材料としては、Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｎ
ｄなどの希土類元素とＦｅ,Ｃｏ,Ｎｉなどの遷移金属元
素との非晶質合金が、主に用いられている。しかしこれ
ら希土類元素や鉄族元素は、非常に酸化されやすく、腐
食されやすい。
して、半導体レーザ光などにより情報の記録・再生を行
なう光磁気記録媒体が注目され、実用化されている。光
磁気記録媒体の記録材料としては、Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｎ
ｄなどの希土類元素とＦｅ,Ｃｏ,Ｎｉなどの遷移金属元
素との非晶質合金が、主に用いられている。しかしこれ
ら希土類元素や鉄族元素は、非常に酸化されやすく、腐
食されやすい。
【０００３】これに対し、耐食性、磁気光学効果とも優
れた光磁気記録媒体として、Ｃｏ層とＰｔ層とを積層さ
せた人工格子膜を記録層とするものが、例えば、米国特
許第４５８７１７６号明細書や、特開平３−３１０２号
公報に開示されている。このＣｏ−Ｐｔ人工格子膜によ
る光磁気記録媒体は、記録密度の向上に欠かせない青や
緑といった短波長での磁気光学効果に、特に優れてい
る。
れた光磁気記録媒体として、Ｃｏ層とＰｔ層とを積層さ
せた人工格子膜を記録層とするものが、例えば、米国特
許第４５８７１７６号明細書や、特開平３−３１０２号
公報に開示されている。このＣｏ−Ｐｔ人工格子膜によ
る光磁気記録媒体は、記録密度の向上に欠かせない青や
緑といった短波長での磁気光学効果に、特に優れてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜
を記録層とする光磁気記録媒体を今後実用化するにあた
っては、より一層、保磁力と垂直磁気異方性の特性向上
が必要である。
を記録層とする光磁気記録媒体を今後実用化するにあた
っては、より一層、保磁力と垂直磁気異方性の特性向上
が必要である。
【０００５】本発明の目的は、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜を
利用し、かつ保磁力と垂直磁気異方性の特性がより一層
向上した光磁気記録媒体を提供することにある。
利用し、かつ保磁力と垂直磁気異方性の特性がより一層
向上した光磁気記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述の問
題点を解決すべく研究を重ねた結果、基板と記録層との
間に介在する下地層の組成を特定のものとすることによ
って、記録層に保磁力および垂直磁気異方性が大幅に向
上することを見出した。すなわち本発明の光磁気記録媒
体は、厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚さ５Å以上
３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人工格子膜を
記録層とする光磁気記録媒体において、ＹとＢａとＣ
ｕを含む複合酸化物層、ＴｉＣ層、Ｎｂ2Ｏ5層、
Ｓｉ層、Ｓｉと金属との金属間化合物層、ＳｉＣ
層、ＳｒＴｉＯ3層、ＣｅＯ2層のいずれか１つを少
なくとも有する層を下地層として使用し、記録層が、こ
の下地層を介して基板上に形成されている。
題点を解決すべく研究を重ねた結果、基板と記録層との
間に介在する下地層の組成を特定のものとすることによ
って、記録層に保磁力および垂直磁気異方性が大幅に向
上することを見出した。すなわち本発明の光磁気記録媒
体は、厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚さ５Å以上
３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人工格子膜を
記録層とする光磁気記録媒体において、ＹとＢａとＣ
ｕを含む複合酸化物層、ＴｉＣ層、Ｎｂ2Ｏ5層、
Ｓｉ層、Ｓｉと金属との金属間化合物層、ＳｉＣ
層、ＳｒＴｉＯ3層、ＣｅＯ2層のいずれか１つを少
なくとも有する層を下地層として使用し、記録層が、こ
の下地層を介して基板上に形成されている。
【０００７】本発明の光磁気記録媒体において、Ｃｏ
層、Ｐｔ層のそれぞれの厚さや層数は、磁気光学特性、
記録特性を最適化するように定められる。Ｃｏ層につい
て厚さが２〜１０Åの範囲にないとき、Ｐｔ層について
厚さが５〜３０Åの範囲にないときは、いずれの場合も
垂直磁気異方性が低下し、記録ノイズが増加して、光磁
気記録媒体としては用いられなくなる。また、記録層の
厚さは５０〜５００Åの範囲内にあることが望ましい。
記録層の厚さが５０Å未満では十分な磁気光学効果が得
られず、５００Åを越えると垂直磁気異方性が低下し、
良好な記録が行なわれない。
層、Ｐｔ層のそれぞれの厚さや層数は、磁気光学特性、
記録特性を最適化するように定められる。Ｃｏ層につい
て厚さが２〜１０Åの範囲にないとき、Ｐｔ層について
厚さが５〜３０Åの範囲にないときは、いずれの場合も
垂直磁気異方性が低下し、記録ノイズが増加して、光磁
気記録媒体としては用いられなくなる。また、記録層の
厚さは５０〜５００Åの範囲内にあることが望ましい。
記録層の厚さが５０Å未満では十分な磁気光学効果が得
られず、５００Åを越えると垂直磁気異方性が低下し、
良好な記録が行なわれない。
【０００８】記録層を構成する人工格子膜の各金属層相
互の界面は、異種金属原子がお互いに入り乱れずに平坦
に形成され、いわゆる超格子構造となっていることが理
想的であるが、界面にやや乱れを生じながらも全体とし
ては一定の周期を保って組成が変動する、いわゆる組成
変調構造を有するものであってもよい。このような人工
格子膜は、スパッタリング、真空蒸着あるいは分子線エ
ピタキシなどによって形成することができる。また人工
格子膜には、熱安定性の向上、キュリー温度の低下など
のために、Ａｌ,Ｓｉ,Ｔｉ,Ｖ,Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｎｉ,Ｃ
ｕ,Ｚｎ,Ｇａ,Ｇｅ,Ｚｒ,Ｎｂ,Ｍｏ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ａｇ,Ｉ
ｎ,Ｓｎ,Ｓｂ,Ｈｆ,Ｔａ,Ｗ,Ｒｅ,Ｏｓ,Ｉｒ,Ａｕ,Ｐ
ｂ,Ｂｉの元素の内の少なくとも１種を適宜添加しても
よい。
互の界面は、異種金属原子がお互いに入り乱れずに平坦
に形成され、いわゆる超格子構造となっていることが理
想的であるが、界面にやや乱れを生じながらも全体とし
ては一定の周期を保って組成が変動する、いわゆる組成
変調構造を有するものであってもよい。このような人工
格子膜は、スパッタリング、真空蒸着あるいは分子線エ
ピタキシなどによって形成することができる。また人工
格子膜には、熱安定性の向上、キュリー温度の低下など
のために、Ａｌ,Ｓｉ,Ｔｉ,Ｖ,Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｎｉ,Ｃ
ｕ,Ｚｎ,Ｇａ,Ｇｅ,Ｚｒ,Ｎｂ,Ｍｏ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ａｇ,Ｉ
ｎ,Ｓｎ,Ｓｂ,Ｈｆ,Ｔａ,Ｗ,Ｒｅ,Ｏｓ,Ｉｒ,Ａｕ,Ｐ
ｂ,Ｂｉの元素の内の少なくとも１種を適宜添加しても
よい。
【０００９】本発明にかかる光磁気記録媒体では、上述
のような記録層を形成するに先立って、ガラスやプラス
チックなどからなる基板の上に、後述する下地層がまず
形成される。そして、この下地層の上に記録層が形成さ
れる。このような光磁気記録媒体の構成例が図１に示さ
れている。この光磁気記録媒体では、基板１の上に下地
層２を介して記録層３が形成されている。さらに、記録
層３を保護しあるいは磁気光学特性を改善するために、
誘電体などからなる保護層４を設けてもよい。そしてさ
らに保護層４の上に、記録ノイズの低減など記録特性向
上のために、ヒートシンク層として金属層５を設けても
よい。
のような記録層を形成するに先立って、ガラスやプラス
チックなどからなる基板の上に、後述する下地層がまず
形成される。そして、この下地層の上に記録層が形成さ
れる。このような光磁気記録媒体の構成例が図１に示さ
れている。この光磁気記録媒体では、基板１の上に下地
層２を介して記録層３が形成されている。さらに、記録
層３を保護しあるいは磁気光学特性を改善するために、
誘電体などからなる保護層４を設けてもよい。そしてさ
らに保護層４の上に、記録ノイズの低減など記録特性向
上のために、ヒートシンク層として金属層５を設けても
よい。
【００１０】保護層４の材料としては、下地層２と同種
のものを使用してもよいが、Ａｌ2Ｏ3,Ｔａ2Ｏ5,Ｍｇ
Ｏ,ＳｉＯ2,ＴｉＯ2,Ｆｅ2Ｏ3,ＺｒＯ2,Ｂｉ2Ｏ3,Ｚｎ
Ｏ,Ｉｎ2Ｏ3,ＣｅＯ2,ＳｒＴｉＯ3,ＢａＴｉＯ3,ＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-xなどの酸化物、あるいはＺｒＮ,ＴｉＮ,Ｓ
ｉ3Ｎ4,ＡｌＮ,ＢＮ,ＴａＮ,ＮｂＮなどの窒化物、ある
いはＴｉＣ,ＷＣ,ＳｉＣなどの炭化物、あるいはＺｎ
Ｓ,ＳｎＳなどの硫化物などが使用できる。また、金属
層５の材料としては、Ａｌ,Ａｕ,Ａｇ,Ｃｕ,Ｐｔ,Ｐｄ
などが使用できる。
のものを使用してもよいが、Ａｌ2Ｏ3,Ｔａ2Ｏ5,Ｍｇ
Ｏ,ＳｉＯ2,ＴｉＯ2,Ｆｅ2Ｏ3,ＺｒＯ2,Ｂｉ2Ｏ3,Ｚｎ
Ｏ,Ｉｎ2Ｏ3,ＣｅＯ2,ＳｒＴｉＯ3,ＢａＴｉＯ3,ＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-xなどの酸化物、あるいはＺｒＮ,ＴｉＮ,Ｓ
ｉ3Ｎ4,ＡｌＮ,ＢＮ,ＴａＮ,ＮｂＮなどの窒化物、ある
いはＴｉＣ,ＷＣ,ＳｉＣなどの炭化物、あるいはＺｎ
Ｓ,ＳｎＳなどの硫化物などが使用できる。また、金属
層５の材料としては、Ａｌ,Ａｕ,Ａｇ,Ｃｕ,Ｐｔ,Ｐｄ
などが使用できる。
【００１１】次に、下地層２について説明する。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体では、上述のよう
に、ＹとＢａとＣｕを含む複合酸化物層（以下、ＹＢ
ＣＯ層という）、ＴｉＣ層、Ｎｂ2Ｏ5層、Ｓｉ
層、Ｓｉと金属との金属間化合物層、ＳｉＣ層、
ＳｒＴｉＯ3層、ＣｅＯ2層のいずれか１つを少なくと
も有する層を下地層として使用する。下地層が複数の層
が積層した構成のものである場合、上述の〜で示し
た層のいずれかが、記録層３に隣接して設けられるよう
にするとよい。
に、ＹとＢａとＣｕを含む複合酸化物層（以下、ＹＢ
ＣＯ層という）、ＴｉＣ層、Ｎｂ2Ｏ5層、Ｓｉ
層、Ｓｉと金属との金属間化合物層、ＳｉＣ層、
ＳｒＴｉＯ3層、ＣｅＯ2層のいずれか１つを少なくと
も有する層を下地層として使用する。下地層が複数の層
が積層した構成のものである場合、上述の〜で示し
た層のいずれかが、記録層３に隣接して設けられるよう
にするとよい。
【００１３】以下、上述の〜に示した各層のそれぞ
れについて、個別に説明する。
れについて、個別に説明する。
【００１４】(1) ＹとＢａとＣｕを含む複合酸化物層
（ＹＢＣＯ層） ＹＢＣＯは、ＹとＢａとＣｕとの酸化物の複合結晶体で
あり、相対的に高い温度で超伝導を示す材料として、近
年注目されている。ＹＢＣＯ層をスパッタリング法によ
って下地層として形成する場合、使用するＹＢＣＯ焼結
ターゲットの組成は、原子比でＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ6.4〜Ｙ
1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ6.6で表わされるものを使用するとよい。
（ＹＢＣＯ層） ＹＢＣＯは、ＹとＢａとＣｕとの酸化物の複合結晶体で
あり、相対的に高い温度で超伝導を示す材料として、近
年注目されている。ＹＢＣＯ層をスパッタリング法によ
って下地層として形成する場合、使用するＹＢＣＯ焼結
ターゲットの組成は、原子比でＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ6.4〜Ｙ
1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ6.6で表わされるものを使用するとよい。
【００１５】酸素原子（Ｏ）が全て結晶中に取り込まれ
ると、すなわち化学量論的組成としては、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ
3Ｏ7となる。ターゲットの色は灰色であり、アルゴンガ
スでスパッタ下膜は薄い茶色となる。酸素ガスを混ぜて
スパッタを行なうと（すなわち化学量論的組成に近い膜
を形成しようとすると）、色が透明に近くなるが、下地
層として磁気特性を向上させる効果は小さくなる。ま
た、酸素の欠損量を大きくして式中の酸素数を６以下に
すると、金属膜に近くなり、光の吸収や反射が大きくな
って下地層としては使用できなくなる。
ると、すなわち化学量論的組成としては、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ
3Ｏ7となる。ターゲットの色は灰色であり、アルゴンガ
スでスパッタ下膜は薄い茶色となる。酸素ガスを混ぜて
スパッタを行なうと（すなわち化学量論的組成に近い膜
を形成しようとすると）、色が透明に近くなるが、下地
層として磁気特性を向上させる効果は小さくなる。ま
た、酸素の欠損量を大きくして式中の酸素数を６以下に
すると、金属膜に近くなり、光の吸収や反射が大きくな
って下地層としては使用できなくなる。
【００１６】ＹＢＣＯ層を下地層として用いた場合、そ
の厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、２００〜１
８００Å程度とすることが望ましい。５０Åより膜厚が
薄い場合には下地層としての効果が得られず、５０００
Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特性が劣化す
る可能性があり、生産性、経済性の観点からも実用的で
はない。
の厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、２００〜１
８００Å程度とすることが望ましい。５０Åより膜厚が
薄い場合には下地層としての効果が得られず、５０００
Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特性が劣化す
る可能性があり、生産性、経済性の観点からも実用的で
はない。
【００１７】(2) ＴｉＣ層 下地層としてのＴｉＣ層は、例えばスパッタリングなど
によって形成される。ＴｉＣ層を下地層として用いた場
合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、２０
０〜８００Å程度とすることが望ましい。５０Åより膜
厚が薄い場合には下地層としての効果が得られず、５０
００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特性が劣
化する可能性があり、生産性、経済性の観点からも実用
的ではない。
によって形成される。ＴｉＣ層を下地層として用いた場
合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、２０
０〜８００Å程度とすることが望ましい。５０Åより膜
厚が薄い場合には下地層としての効果が得られず、５０
００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特性が劣
化する可能性があり、生産性、経済性の観点からも実用
的ではない。
【００１８】(3) Ｎｂ2Ｏ5層 下地層としてのＮｂ2Ｏ5層は、例えばスパッタリングな
どによって形成される。Ｎｂ2Ｏ5層を下地層として用い
た場合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、
６００〜１２００Å程度とすることが望ましい。５０Å
より膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られ
ず、５０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気
特性が劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点か
らも実用的ではない。
どによって形成される。Ｎｂ2Ｏ5層を下地層として用い
た場合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、
６００〜１２００Å程度とすることが望ましい。５０Å
より膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られ
ず、５０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気
特性が劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点か
らも実用的ではない。
【００１９】(4) Ｓｉ層 下地層としてのＳｉ層は、例えばスパッタリングなどに
よって形成される。Ｓｉ層を下地層として用いた場合、
その厚さは２０〜２０００Åの範囲で選ばれ、１００〜
１８００Å程度とすることが望ましい。可視光を用いて
記録再生を行なう場合には、Ｓｉによる光の吸収を避け
るため、厚さを例えば５００Å以下とすることが望まし
い。２０Åより膜厚が薄い場合には下地層としての効果
が得られず、また２０００Åより厚い場合には、磁気光
学特性、磁気特性が劣化する可能性があり、生産性、経
済性の観点からも実用的ではない。
よって形成される。Ｓｉ層を下地層として用いた場合、
その厚さは２０〜２０００Åの範囲で選ばれ、１００〜
１８００Å程度とすることが望ましい。可視光を用いて
記録再生を行なう場合には、Ｓｉによる光の吸収を避け
るため、厚さを例えば５００Å以下とすることが望まし
い。２０Åより膜厚が薄い場合には下地層としての効果
が得られず、また２０００Åより厚い場合には、磁気光
学特性、磁気特性が劣化する可能性があり、生産性、経
済性の観点からも実用的ではない。
【００２０】(5) Ｓｉと金属との金属間化合物層 下地層としての、Ｓｉと金属との金属間化合物層は、例
えばスパッタリングなどによって形成される。このよう
な金属間化合物としては、各種のものを選択できるが、
例えば、ＴｉＳｉ2、ＮｂＳｉ2、ＣｒＳｉ2、ＭｏＳ
ｉ2、ＷＳｉ2の中から選択することができる。Ｓｉと金
属との金属間化合物層を下地層として用いた場合、その
厚さは２０〜２０００Åの範囲で選ばれる。２０Åより
膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られず、２
０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特性が
劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点からも実
用的ではない。
えばスパッタリングなどによって形成される。このよう
な金属間化合物としては、各種のものを選択できるが、
例えば、ＴｉＳｉ2、ＮｂＳｉ2、ＣｒＳｉ2、ＭｏＳ
ｉ2、ＷＳｉ2の中から選択することができる。Ｓｉと金
属との金属間化合物層を下地層として用いた場合、その
厚さは２０〜２０００Åの範囲で選ばれる。２０Åより
膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られず、２
０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特性が
劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点からも実
用的ではない。
【００２１】(6) ＳｉＣ層 下地層としてのＳｉＣ層は、例えばスパッタリングなど
によって形成される。ＳｉＣ層を下地層として用いた場
合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、４０
０〜１８００Å程度とすることが望ましい。５０Åより
膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られず、ま
た５０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特
性が劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点から
も実用的ではない。
によって形成される。ＳｉＣ層を下地層として用いた場
合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、４０
０〜１８００Å程度とすることが望ましい。５０Åより
膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られず、ま
た５０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気特
性が劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点から
も実用的ではない。
【００２２】(7) ＳｒＴｉＯ3層 下地層としてのＳｒＴｉＯ3層は、例えばスパッタリン
グなどによって形成される。ＳｒＴｉＯ3層を下地層と
して用いた場合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で
選ばれ、６００〜１２００Å程度とすることが望まし
い。５０Åより膜厚が薄い場合には下地層としての効果
が得られず、また５０００Åより厚い場合には、磁気光
学特性、磁気特性が劣化する可能性があり、生産性、経
済性の観点からも実用的ではない。
グなどによって形成される。ＳｒＴｉＯ3層を下地層と
して用いた場合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で
選ばれ、６００〜１２００Å程度とすることが望まし
い。５０Åより膜厚が薄い場合には下地層としての効果
が得られず、また５０００Åより厚い場合には、磁気光
学特性、磁気特性が劣化する可能性があり、生産性、経
済性の観点からも実用的ではない。
【００２３】(8) ＣｅＯ2層 下地層としてのＣｅＯ2層は、例えばスパッタリングな
どによって形成される。ＣｅＯ2層を下地層として用い
た場合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、
６００〜１２００Å程度とすることが望ましい。５０Å
より膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られ
ず、５０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気
特性が劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点か
らも実用的ではない。
どによって形成される。ＣｅＯ2層を下地層として用い
た場合、その厚さは５０〜５０００Åの範囲で選ばれ、
６００〜１２００Å程度とすることが望ましい。５０Å
より膜厚が薄い場合には下地層としての効果が得られ
ず、５０００Åより厚い場合には、磁気光学特性、磁気
特性が劣化する可能性があり、生産性、経済性の観点か
らも実用的ではない。
【００２４】
【作用】本発明の光磁気記録媒体は、記録層に希土類元
素を含まないため、耐食性に優れる。さらに、特定の組
成の下地層を介して記録層が基板上に形成されているた
め、記録層の保磁力および垂直磁気異方性が向上する。
これにより、記録時のビットの形状がよりシャープにな
って、記録ノイズが減少する。
素を含まないため、耐食性に優れる。さらに、特定の組
成の下地層を介して記録層が基板上に形成されているた
め、記録層の保磁力および垂直磁気異方性が向上する。
これにより、記録時のビットの形状がよりシャープにな
って、記録ノイズが減少する。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００２６】実施例１−１ ５個のスパッタガンを持つスパッタ装置を使用し、この
スパッタ装置内の水冷された回転台にガラス基板をセッ
トして５０回／分の速さで回転させた。アルゴンガス圧
１.０Ｐａの条件でマグネトロンスパッタリングを行な
い、第１のターゲットであるＹＢＣＯ焼結ターゲットに
より、厚さ７００ÅのＹＢＣＯ層を下地層としてガラス
基板上に設けた。次に、第２のＣｏターゲットによりＣ
ｏを、第３のＰｔターゲットによりＰｔを、それぞれシ
ャッターを開閉することで順次積層し、Ｃｏ−Ｐｔ人工
格子膜（記録層）を設けた。人工格子膜の構成は、最初
に厚さ１０ÅのＰｔ層、次に、厚さ３.５ÅのＣｏ層と
厚さ１５ÅのＰｔ層とを順次繰り返し１０周期積層した
ものである（合計の厚さは１９５Å）。そして、第４の
ターゲットよりＳｉＯを保護層として１０００Åの厚さ
で設けた。
スパッタ装置内の水冷された回転台にガラス基板をセッ
トして５０回／分の速さで回転させた。アルゴンガス圧
１.０Ｐａの条件でマグネトロンスパッタリングを行な
い、第１のターゲットであるＹＢＣＯ焼結ターゲットに
より、厚さ７００ÅのＹＢＣＯ層を下地層としてガラス
基板上に設けた。次に、第２のＣｏターゲットによりＣ
ｏを、第３のＰｔターゲットによりＰｔを、それぞれシ
ャッターを開閉することで順次積層し、Ｃｏ−Ｐｔ人工
格子膜（記録層）を設けた。人工格子膜の構成は、最初
に厚さ１０ÅのＰｔ層、次に、厚さ３.５ÅのＣｏ層と
厚さ１５ÅのＰｔ層とを順次繰り返し１０周期積層した
ものである（合計の厚さは１９５Å）。そして、第４の
ターゲットよりＳｉＯを保護層として１０００Åの厚さ
で設けた。
【００２７】このようにして作成した光磁気記録媒体の
試料に対し、試料振動型磁化測定器（ＶＳＭ）とトルク
メータとを用いて磁気測定を行なった。その結果は、表
１に示すように、飽和磁化が３００ｅｍｕ／ｃｍ3、保
磁力が１.１ｋＯｅ、単位体積当りの測定トルク値（形
状異方性の補正を行なわない垂直磁気異方性定数）は、
１.３３×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3であった。なお、以下の
各表において、垂直磁気異方性は、単位体積あたりの測
定トルク値で表わすものとする。
試料に対し、試料振動型磁化測定器（ＶＳＭ）とトルク
メータとを用いて磁気測定を行なった。その結果は、表
１に示すように、飽和磁化が３００ｅｍｕ／ｃｍ3、保
磁力が１.１ｋＯｅ、単位体積当りの測定トルク値（形
状異方性の補正を行なわない垂直磁気異方性定数）は、
１.３３×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3であった。なお、以下の
各表において、垂直磁気異方性は、単位体積あたりの測
定トルク値で表わすものとする。
【００２８】実施例１−２〜１−１２ スパッタ装置の第１のターゲットの材料を変えて下地層
の材料を変えた他は実施例１−１と同様にして、試料を
作成した。なお、実施例１−２,１−３,１−１０〜１−
１２では、焼結ターゲットを使用している。ここでの下
地層の材料は、本発明の範囲に含まれるものである。そ
して作成した試料に対し、実施例１−１と同様に磁気測
定を行なった。その結果を表１に示す。
の材料を変えた他は実施例１−１と同様にして、試料を
作成した。なお、実施例１−２,１−３,１−１０〜１−
１２では、焼結ターゲットを使用している。ここでの下
地層の材料は、本発明の範囲に含まれるものである。そ
して作成した試料に対し、実施例１−１と同様に磁気測
定を行なった。その結果を表１に示す。
【００２９】比較例１−１ 下地層を設けず、ガラス基板の上に人工格子膜（記録
層）を直接設けた他は実施例１−１と同様にして、光磁
気記録媒体の試料を作成した。作成した試料に対し、実
施例１−１と同様に磁気測定を行なった。その結果を表
１に示す。
層）を直接設けた他は実施例１−１と同様にして、光磁
気記録媒体の試料を作成した。作成した試料に対し、実
施例１−１と同様に磁気測定を行なった。その結果を表
１に示す。
【００３０】比較例１−２〜１−１６ スパッタ装置の第１のターゲットの材料を変えて下地層
の材料を変えた他は実施例１−１と同様にして、試料を
作成した。ここでは下地層の材料として、従来からよく
知られている誘電体を取り上げた。これらのうちのある
ものは、光磁気記録媒体の下地層として、これまでもし
ばしば使用されているものである。そして作成した試料
に対し、実施例１−１と同様に磁気測定を行なった。そ
の結果を表１に示す。
の材料を変えた他は実施例１−１と同様にして、試料を
作成した。ここでは下地層の材料として、従来からよく
知られている誘電体を取り上げた。これらのうちのある
ものは、光磁気記録媒体の下地層として、これまでもし
ばしば使用されているものである。そして作成した試料
に対し、実施例１−１と同様に磁気測定を行なった。そ
の結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】 表１から明らかなように、従来からある下地層を用いた
光磁気記録媒体に比べ、本発明の光磁気記録媒体では、
記録層の保磁力および垂直磁気異方性が、総じて大きな
値を示す。現在、希土類−遷移金属合金（例えばＴｂＦ
ｅＣｏ）を記録層とする光磁気記録媒体においてＳｉ3
Ｎ4が下地層としてよく使用されているが、このＳｉ3Ｎ
4を使用したものと比較しても、本発明の光磁気記録媒
体は、同等かそれ以上の保磁力、垂直磁気異方性を示し
ている。実施例１−１〜１−１６では、下地層の厚さを
７００Åで統一してあるが、後述するように、下地層の
膜厚をその材質に応じて変更することにより、より優れ
た保磁力と垂直磁気異方性を示すようになる。
光磁気記録媒体に比べ、本発明の光磁気記録媒体では、
記録層の保磁力および垂直磁気異方性が、総じて大きな
値を示す。現在、希土類−遷移金属合金（例えばＴｂＦ
ｅＣｏ）を記録層とする光磁気記録媒体においてＳｉ3
Ｎ4が下地層としてよく使用されているが、このＳｉ3Ｎ
4を使用したものと比較しても、本発明の光磁気記録媒
体は、同等かそれ以上の保磁力、垂直磁気異方性を示し
ている。実施例１−１〜１−１６では、下地層の厚さを
７００Åで統一してあるが、後述するように、下地層の
膜厚をその材質に応じて変更することにより、より優れ
た保磁力と垂直磁気異方性を示すようになる。
【００３２】実施例２−１ ５個のスパッタガンを持つスパッタ装置を使用し、この
スパッタ装置内の水冷された回転台に、ポリカーボネー
トディスク基板をセットして５０回／分の速さで回転さ
せた。アルゴンガス圧１.０Ｐａの条件でマグネトロン
スパッタリングを行ない、第１のターゲットであるＹＢ
ＣＯ焼結ターゲットにより、厚さ７００ÅのＹＢＣＯ層
を下地層としてポリカーボネート基板上に設けた。次
に、第２のＣｏターゲットによりＣｏを、第３のＰｔタ
ーゲットによりＰｔを、それぞれシャッターを開閉する
ことで順次積層し、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜（記録層）を
設けた。人工格子膜の構成は、最初に厚さ１０ÅのＰｔ
層、次に、厚さ３.５ÅのＣｏ層と厚さ１５ÅのＰｔ層
とを順次繰り返し１０周期積層したものである（合計の
厚さは１９５Å）。そして、第１のターゲットよりＹＢ
ＣＯを保護層として４００Åの厚さで設けた。さらに、
第４のターゲットによりＡｌを５００Åの厚さで設け、
金属層（ヒートシンク層）とした。このように作成した
光磁気記録媒体のディスク状の試料について、以下に述
べるようにして、記録特性の評価を行なった。
スパッタ装置内の水冷された回転台に、ポリカーボネー
トディスク基板をセットして５０回／分の速さで回転さ
せた。アルゴンガス圧１.０Ｐａの条件でマグネトロン
スパッタリングを行ない、第１のターゲットであるＹＢ
ＣＯ焼結ターゲットにより、厚さ７００ÅのＹＢＣＯ層
を下地層としてポリカーボネート基板上に設けた。次
に、第２のＣｏターゲットによりＣｏを、第３のＰｔタ
ーゲットによりＰｔを、それぞれシャッターを開閉する
ことで順次積層し、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜（記録層）を
設けた。人工格子膜の構成は、最初に厚さ１０ÅのＰｔ
層、次に、厚さ３.５ÅのＣｏ層と厚さ１５ÅのＰｔ層
とを順次繰り返し１０周期積層したものである（合計の
厚さは１９５Å）。そして、第１のターゲットよりＹＢ
ＣＯを保護層として４００Åの厚さで設けた。さらに、
第４のターゲットによりＡｌを５００Åの厚さで設け、
金属層（ヒートシンク層）とした。このように作成した
光磁気記録媒体のディスク状の試料について、以下に述
べるようにして、記録特性の評価を行なった。
【００３３】この試料ディスクを記録再生評価装置（パ
ルステック工業(株)製 ＤＤＵ １０００）にセット
し、３００Ｏｅの外部からのバイアス磁界Ｈｂを印加し
つつ線速度８.５ｍ／ｓｅｃで回転させ、約１.２μｍに
集光した波長８３０ｎｍのレーザビームをポリカーボネ
ート基板側から照射し、記録を行なった。このときレー
ザビームは周波数４ＭＨｚでデューティ比３３％で変調
させ、レーザパワーは７ｍＷとした。そののち、１ｍＷ
のレーザパワーで再生を行ない、再生信号のＣ／Ｎ比
（キャリアノイズ比）を測定した。その結果、表２に示
すように、Ｃ／Ｎ比は５０ｄＢであり、記録ノイズは小
さかった。
ルステック工業(株)製 ＤＤＵ １０００）にセット
し、３００Ｏｅの外部からのバイアス磁界Ｈｂを印加し
つつ線速度８.５ｍ／ｓｅｃで回転させ、約１.２μｍに
集光した波長８３０ｎｍのレーザビームをポリカーボネ
ート基板側から照射し、記録を行なった。このときレー
ザビームは周波数４ＭＨｚでデューティ比３３％で変調
させ、レーザパワーは７ｍＷとした。そののち、１ｍＷ
のレーザパワーで再生を行ない、再生信号のＣ／Ｎ比
（キャリアノイズ比）を測定した。その結果、表２に示
すように、Ｃ／Ｎ比は５０ｄＢであり、記録ノイズは小
さかった。
【００３４】実施例２−２〜２−６ 第１のターゲットの材質を変えて下地層と保護層の材料
を変更したほかは実施例２−１と同様にして、試料を作
成した。なお、ターゲットとしては、焼結ターゲットを
使用した。ここでの下地層の材料は、本発明の範囲に含
まれるものである。そして作成した試料に対し、実施例
２−１と同様に記録特性の評価を行なった。その結果を
表２に示す。
を変更したほかは実施例２−１と同様にして、試料を作
成した。なお、ターゲットとしては、焼結ターゲットを
使用した。ここでの下地層の材料は、本発明の範囲に含
まれるものである。そして作成した試料に対し、実施例
２−１と同様に記録特性の評価を行なった。その結果を
表２に示す。
【００３５】比較例２−１〜２−８ スパッタ装置の第１のターゲットの材料を変えて下地層
と保護層の材料を変えた他は実施例２−１と同様にし
て、試料を作成した。ここでは下地層および保護層の材
料として、従来からよく知られている誘電体を取り上げ
た。そして作成した試料に対し、実施例２−１と同様に
記録特性の評価を行なった。その結果を表２に示す。
と保護層の材料を変えた他は実施例２−１と同様にし
て、試料を作成した。ここでは下地層および保護層の材
料として、従来からよく知られている誘電体を取り上げ
た。そして作成した試料に対し、実施例２−１と同様に
記録特性の評価を行なった。その結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】 表２から明らかなように、ＹＢＣＯ層やＮｂ2Ｏ5層を下
地層として使用したものが、Ｃ／Ｎ比が最大であった。
このうちＹＢＣＯ層を使用したものは、表１に示される
ように、大きな保磁力と垂直磁気異方性を示している。
ＹＢＣＯ層やＮｂ2Ｏ5層以外のものを下地層とした場合
であっても、本発明による光磁気記録媒体は、従来のも
のの中で一番Ｃ／Ｎ比のよいＳｉ3Ｎ4を使用したものと
同等かそれ以上のＣ／Ｎ比を示している。表１と対照す
ることにより、記録層の垂直磁気異方性が１×１０6ｅ
ｒｇ／ｃｍ3に達しないものは、記録ノイズも大きいこ
とがわかる。さらに垂直磁気異方性が５×１０5ｅｒｇ
／ｃｍ3程度であると、記録信号のキャリア成分も低下
するようである。また、保磁力もある程度大きくないと
記録ノイズが増加する。例えば保磁力が０.４４ｋＯｅ
のＢａＴｉＯ3下地層では、垂直磁気異方性が１×１０6
ｅｒｇ／ｃｍ3を越えているにも関わらず、記録ノイズ
が増加した。
地層として使用したものが、Ｃ／Ｎ比が最大であった。
このうちＹＢＣＯ層を使用したものは、表１に示される
ように、大きな保磁力と垂直磁気異方性を示している。
ＹＢＣＯ層やＮｂ2Ｏ5層以外のものを下地層とした場合
であっても、本発明による光磁気記録媒体は、従来のも
のの中で一番Ｃ／Ｎ比のよいＳｉ3Ｎ4を使用したものと
同等かそれ以上のＣ／Ｎ比を示している。表１と対照す
ることにより、記録層の垂直磁気異方性が１×１０6ｅ
ｒｇ／ｃｍ3に達しないものは、記録ノイズも大きいこ
とがわかる。さらに垂直磁気異方性が５×１０5ｅｒｇ
／ｃｍ3程度であると、記録信号のキャリア成分も低下
するようである。また、保磁力もある程度大きくないと
記録ノイズが増加する。例えば保磁力が０.４４ｋＯｅ
のＢａＴｉＯ3下地層では、垂直磁気異方性が１×１０6
ｅｒｇ／ｃｍ3を越えているにも関わらず、記録ノイズ
が増加した。
【００３７】実施例３−１ ６個のスパッタガンを持つスパッタ装置を使用し、この
スパッタ装置内の水冷された回転台に、ポリカーボネー
トディスク基板をセットして５０回／分の速さで回転さ
せた。アルゴンガス圧１.０Ｐａの条件でマグネトロン
スパッタリングを行ない、第１のターゲットであるＳｉ
ターゲットにより、厚さ７００ÅのＳｉ層を下地層とし
てポリカーボネート基板上に設けた。次に、第２のＣｏ
ターゲットによりＣｏを、第３のＰｔターゲットにより
Ｐｔを、それぞれシャッターを開閉することで順次積層
し、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜（記録層）を設けた。人工格
子膜の構成は、最初に厚さ１０ÅのＰｔ層、次に、厚さ
３.５ÅのＣｏ層と厚さ１５ÅのＰｔ層とを順次繰り返
し１０周期積層したものである（合計の厚さは１９５
Å）。そして、第５のターゲットよりＳｉＣを保護層と
して４００Åの厚さで設けた。さらに、第４のターゲッ
トによりＡｌを５００Åの厚さで設け、金属層（ヒート
シンク層）とした。このように作成した光磁気記録媒体
のディスク状の試料について、以下に述べるようにし
て、記録特性の評価を行なった。
スパッタ装置内の水冷された回転台に、ポリカーボネー
トディスク基板をセットして５０回／分の速さで回転さ
せた。アルゴンガス圧１.０Ｐａの条件でマグネトロン
スパッタリングを行ない、第１のターゲットであるＳｉ
ターゲットにより、厚さ７００ÅのＳｉ層を下地層とし
てポリカーボネート基板上に設けた。次に、第２のＣｏ
ターゲットによりＣｏを、第３のＰｔターゲットにより
Ｐｔを、それぞれシャッターを開閉することで順次積層
し、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜（記録層）を設けた。人工格
子膜の構成は、最初に厚さ１０ÅのＰｔ層、次に、厚さ
３.５ÅのＣｏ層と厚さ１５ÅのＰｔ層とを順次繰り返
し１０周期積層したものである（合計の厚さは１９５
Å）。そして、第５のターゲットよりＳｉＣを保護層と
して４００Åの厚さで設けた。さらに、第４のターゲッ
トによりＡｌを５００Åの厚さで設け、金属層（ヒート
シンク層）とした。このように作成した光磁気記録媒体
のディスク状の試料について、以下に述べるようにし
て、記録特性の評価を行なった。
【００３８】この試料ディスクを記録再生評価装置（パ
ルステック工業(株)製 ＤＤＵ １０００）にセット
し、３００Ｏｅの外部からのバイアス磁界Ｈｂを印加し
つつ線速度８.５ｍ／ｓｅｃで回転させ、約１.２μｍに
集光した波長８３０ｎｍのレーザビームをポリカーボネ
ート基板側から照射し、記録を行なった。このときレー
ザビームは周波数４ＭＨｚでデューティ比３３％で変調
させ、レーザパワーは７ｍＷとした。そののち、１ｍＷ
のレーザパワーで再生を行ない、再生信号のＣ／Ｎ比
（キャリアノイズ比）を測定した。その結果、表３に示
すように、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであり、記録ノイズは小
さかった。
ルステック工業(株)製 ＤＤＵ １０００）にセット
し、３００Ｏｅの外部からのバイアス磁界Ｈｂを印加し
つつ線速度８.５ｍ／ｓｅｃで回転させ、約１.２μｍに
集光した波長８３０ｎｍのレーザビームをポリカーボネ
ート基板側から照射し、記録を行なった。このときレー
ザビームは周波数４ＭＨｚでデューティ比３３％で変調
させ、レーザパワーは７ｍＷとした。そののち、１ｍＷ
のレーザパワーで再生を行ない、再生信号のＣ／Ｎ比
（キャリアノイズ比）を測定した。その結果、表３に示
すように、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであり、記録ノイズは小
さかった。
【００３９】実施例３−２,３−３ 第１のターゲットの材質を変えて下地層の材料を変更し
たほかは実施例３−１と同様にして試料を作成した。こ
こでの下地層の材料は、本発明の範囲に含まれるもので
ある。そして作成した試料に対し、実施例３−１と同様
に記録特性の測定を行なった。その結果を表３に示す。
たほかは実施例３−１と同様にして試料を作成した。こ
こでの下地層の材料は、本発明の範囲に含まれるもので
ある。そして作成した試料に対し、実施例３−１と同様
に記録特性の測定を行なった。その結果を表３に示す。
【００４０】実施例３−４〜３−６ 下地層の構成を第１層および第２層の２層構成としたほ
かは実施例３−１と同様にして、試料を作成した。すな
わち、ポリカーボネート基板側から膜厚６００Åの第１
層、膜厚１５０Åの第２層の順で下地層は積層されてお
り、第１層の積層には第６のターゲットを用い、第２層
の積層には第１のターゲットが用いられている。第１層
の材料としては従来から使用されている各種の誘電体を
使用し、第２層としては、各種のＳｉと金属との金属間
化合物を使用した。そののちこのようにして作成した試
料について、実施例３−１と同様に、記録特性の評価を
行なった。その結果を表３に示す。
かは実施例３−１と同様にして、試料を作成した。すな
わち、ポリカーボネート基板側から膜厚６００Åの第１
層、膜厚１５０Åの第２層の順で下地層は積層されてお
り、第１層の積層には第６のターゲットを用い、第２層
の積層には第１のターゲットが用いられている。第１層
の材料としては従来から使用されている各種の誘電体を
使用し、第２層としては、各種のＳｉと金属との金属間
化合物を使用した。そののちこのようにして作成した試
料について、実施例３−１と同様に、記録特性の評価を
行なった。その結果を表３に示す。
【００４１】比較例３−１〜３−８ 第１のターゲットの材質を変えて下地層の材料を変更し
たほかは実施例３−１と同様にして試料を作成した。こ
こでは下地層の材料として、従来からよく知られている
誘電体を使用した。そして作成した試料に対し、実施例
３−１と同様に記録特性の測定を行なった。その結果を
表３に示す。
たほかは実施例３−１と同様にして試料を作成した。こ
こでは下地層の材料として、従来からよく知られている
誘電体を使用した。そして作成した試料に対し、実施例
３−１と同様に記録特性の測定を行なった。その結果を
表３に示す。
【００４２】
【表３】 表３から明らかなように、本発明にかかる光磁気記録媒
体（実施例３−１〜３−６）は、良好なＣ／Ｎ比を示し
た。特に、Ｓｉ3Ｎ4とＳｉ−金属間化合物とを積層した
ものを下地層として使用したものが、Ｃ／Ｎ比が最大で
あった。表１と対照することにより、記録層の垂直磁気
異方性が１×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3に達しないものは、記
録ノイズも大きいことがわかる。さらに垂直磁気異方性
が５×１０5ｅｒｇ／ｃｍ3程度であると、記録信号のキ
ャリア成分も低下するようである。また、保磁力もある
程度大きくないと記録ノイズが増加する。例えば保磁力
が０.４４ｋＯｅのＢａＴｉＯ3下地層では、垂直磁気異
方性が１×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3を越えているにも関わら
ず、記録ノイズが増加した。
体（実施例３−１〜３−６）は、良好なＣ／Ｎ比を示し
た。特に、Ｓｉ3Ｎ4とＳｉ−金属間化合物とを積層した
ものを下地層として使用したものが、Ｃ／Ｎ比が最大で
あった。表１と対照することにより、記録層の垂直磁気
異方性が１×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3に達しないものは、記
録ノイズも大きいことがわかる。さらに垂直磁気異方性
が５×１０5ｅｒｇ／ｃｍ3程度であると、記録信号のキ
ャリア成分も低下するようである。また、保磁力もある
程度大きくないと記録ノイズが増加する。例えば保磁力
が０.４４ｋＯｅのＢａＴｉＯ3下地層では、垂直磁気異
方性が１×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3を越えているにも関わら
ず、記録ノイズが増加した。
【００４３】実施例４−１〜４−９ 下地層としてのＹＢＣＯ層の厚さを変えたほかは実施例
１−１と同様にして試料を作成した。そして実施例１−
１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表４に示
す。
１−１と同様にして試料を作成した。そして実施例１−
１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表４に示
す。
【００４４】
【表４】 表４からわかるように、下地層としてのＹＢＣＯ層の膜
厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の
保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増
加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１００
０Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異
方性の値からして、ＹＢＣＯ層を下地層として使用する
場合には、膜厚を２００〜１８００Å程度とすることが
望ましいことがわかる。
厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の
保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増
加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１００
０Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異
方性の値からして、ＹＢＣＯ層を下地層として使用する
場合には、膜厚を２００〜１８００Å程度とすることが
望ましいことがわかる。
【００４５】実施例５−１〜５−９ 下地層としてのＴｉＣ層の厚さを変えたほかは実施例１
−２と同様にして試料を作成した。そして実施例１−１
と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表５に示
す。
−２と同様にして試料を作成した。そして実施例１−１
と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表５に示
す。
【００４６】
【表５】 表５からわかるように、下地層としてのＴｉＣ層の膜厚
を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の保
磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増加
するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１０００
Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異方
性の値からして、ＴｉＣ層を下地層として使用する場合
には、膜厚を２００〜８００Å程度とすることが望まし
いことがわかる。
を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の保
磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増加
するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１０００
Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異方
性の値からして、ＴｉＣ層を下地層として使用する場合
には、膜厚を２００〜８００Å程度とすることが望まし
いことがわかる。
【００４７】実施例６−１〜６−６ ＴｉＣ膜は、誘電体膜というより半導体膜であって、可
視光領域での光吸収が大きい。そのため、可視光を記録
・再生に使用する場合、下地層として使用できるＴｉＣ
層の厚さはせいぜい５００Å程度までである。そこで、
透明誘電体層（第１層）とＴｉＣ層とを積層したものを
下地層として使用することが考えられる。
視光領域での光吸収が大きい。そのため、可視光を記録
・再生に使用する場合、下地層として使用できるＴｉＣ
層の厚さはせいぜい５００Å程度までである。そこで、
透明誘電体層（第１層）とＴｉＣ層とを積層したものを
下地層として使用することが考えられる。
【００４８】下地層の構成を第１層および第２層の２層
構成としたほかは実施例２−２と同様にして、試料を作
成した。すなわち、ポリカーボネート基板側から膜厚６
００Åの第１層、膜厚２５０Åの第２層であるＴｉＣ層
の順で下地層は積層されており、第１層の積層には第５
のターゲットを用い、第２層の積層には第１のターゲッ
トが用いられている。第１層の材料としては従来から使
用されている各種の透明誘電体を使用た。そののちこの
ようにして作成した試料について、実施例２−１と同様
に、記録特性の評価を行なった。その結果を表６に示
す。
構成としたほかは実施例２−２と同様にして、試料を作
成した。すなわち、ポリカーボネート基板側から膜厚６
００Åの第１層、膜厚２５０Åの第２層であるＴｉＣ層
の順で下地層は積層されており、第１層の積層には第５
のターゲットを用い、第２層の積層には第１のターゲッ
トが用いられている。第１層の材料としては従来から使
用されている各種の透明誘電体を使用た。そののちこの
ようにして作成した試料について、実施例２−１と同様
に、記録特性の評価を行なった。その結果を表６に示
す。
【００４９】
【表６】 表６の結果と表４の結果を比較すると、透明誘電体層だ
けを下地層として設ける場合に比べ、基板上に透明誘電
体層を設けさらにこの透明誘電体層と記録層との間にＴ
ｉＣ層を設けて透明誘電体層とＴｉＣ層とで下地層を構
成したものの方が、記録ノイズが減少して良好なＣ／Ｎ
比が得られることがわかった。
けを下地層として設ける場合に比べ、基板上に透明誘電
体層を設けさらにこの透明誘電体層と記録層との間にＴ
ｉＣ層を設けて透明誘電体層とＴｉＣ層とで下地層を構
成したものの方が、記録ノイズが減少して良好なＣ／Ｎ
比が得られることがわかった。
【００５０】実施例７−１〜７−９ 下地層としてのＮｂ2Ｏ5層の厚さを変えたほかは実施例
１−３と同様にして試料を作成した。そして実施例１−
１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表７に示
す。
１−３と同様にして試料を作成した。そして実施例１−
１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表７に示
す。
【００５１】
【表７】 表７からわかるように、下地層としてのＮｂ2Ｏ5層の膜
厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の
保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増
加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１００
０Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異
方性の値からして、Ｎｂ2Ｏ5層を下地層として使用する
場合には、膜厚を６００〜１２００Å程度とすることが
望ましいことがわかる。
厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の
保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増
加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１００
０Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異
方性の値からして、Ｎｂ2Ｏ5層を下地層として使用する
場合には、膜厚を６００〜１２００Å程度とすることが
望ましいことがわかる。
【００５２】実施例８−１〜８−９ 下地層としてのＳｉ層の厚さを変えたほかは実施例１−
４と同様にして試料を作成した。そして実施例１−１と
同様に、磁気測定を行なった。その結果を表８に示す。
４と同様にして試料を作成した。そして実施例１−１と
同様に、磁気測定を行なった。その結果を表８に示す。
【００５３】
【表８】 表８からわかるように、下地層としてのＳｉ層の膜厚を
変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の保磁
力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増加す
るにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１２００Å
を越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異方性
の値からして、Ｓｉ層を下地層として使用する場合に
は、膜厚を１００〜１８００Å程度とすることが望まし
いことがわかる。また、Ｓｉは可視光波長域では光吸収
が大きいので、このような波長域用の光磁気記録媒体の
下地層として使用する場合には、膜厚を例えば５００Å
以下とすればよい。
変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の保磁
力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増加す
るにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１２００Å
を越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異方性
の値からして、Ｓｉ層を下地層として使用する場合に
は、膜厚を１００〜１８００Å程度とすることが望まし
いことがわかる。また、Ｓｉは可視光波長域では光吸収
が大きいので、このような波長域用の光磁気記録媒体の
下地層として使用する場合には、膜厚を例えば５００Å
以下とすればよい。
【００５４】実施例９−１〜９−１０ 実施例１−５〜１−９までにおいて下地層の厚さを変え
たほかは、これら各実施例１−５〜１−９と同様にし
て、試料を作成した。そして実施例１−１と同様に、磁
気測定を行なった。その結果を表９に示す。
たほかは、これら各実施例１−５〜１−９と同様にし
て、試料を作成した。そして実施例１−１と同様に、磁
気測定を行なった。その結果を表９に示す。
【００５５】比較例４−１〜４−４ 下地層としてＺｎＳ,ＢａＴｉＯ3,ＺｎＯ,ＳｉＯを用い
た場合のそれぞれについて、膜厚を２００Åとしたほか
は対応する比較例１−２,１−１５,１−１１,１−４と
同様にして試料を作成し、実施例１−１と同様に磁気測
定を行なった。その結果を表９に示す。
た場合のそれぞれについて、膜厚を２００Åとしたほか
は対応する比較例１−２,１−１５,１−１１,１−４と
同様にして試料を作成し、実施例１−１と同様に磁気測
定を行なった。その結果を表９に示す。
【００５６】
【表９】 表９から、Ｓｉと金属との金属間化合物を下地層として
用いて場合には、従来の下地層材料と異なって、１００
〜２００Å程度の膜厚であっても磁気特性を向上させる
効果が大きいことがわかる。光吸収が大きいためにこの
金属間化合物層からなる下地層を厚くできない場合に
は、透明な下地材料とこの金属間化合物層とを積層して
使用することも可能である。
用いて場合には、従来の下地層材料と異なって、１００
〜２００Å程度の膜厚であっても磁気特性を向上させる
効果が大きいことがわかる。光吸収が大きいためにこの
金属間化合物層からなる下地層を厚くできない場合に
は、透明な下地材料とこの金属間化合物層とを積層して
使用することも可能である。
【００５７】実施例１０−１〜１０−９ 下地層としてのＳｉＣ層の厚さを変えたほかは実施例１
−１０と同様にして試料を作成した。そして実施例１−
１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表１０に
示す。
−１０と同様にして試料を作成した。そして実施例１−
１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表１０に
示す。
【００５８】
【表１０】 表１０からわかるように、下地層としてのＳｉＣ層の膜
厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の
保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増
加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１００
０Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異
方性の値からして、ＳｉＣ層を下地層として使用する場
合には、膜厚を４００〜１８００Å程度とすることが望
ましいことがわかる。
厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜の
保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が増
加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１００
０Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気異
方性の値からして、ＳｉＣ層を下地層として使用する場
合には、膜厚を４００〜１８００Å程度とすることが望
ましいことがわかる。
【００５９】実施例１１−１〜１１−９ 下地層としてのＳｒＴｉＯ3層の厚さを変えたほかは実
施例１−１１と同様にして試料を作成した。そして実施
例１−１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表
１１に示す。
施例１−１１と同様にして試料を作成した。そして実施
例１−１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表
１１に示す。
【００６０】
【表１１】 表１１からわかるように、下地層としてのＳｒＴｉＯ3
層の膜厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐ
ｔ膜の保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜
厚が増加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が
１０００Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直
磁気異方性の値からして、ＳｒＴｉＯ3層を下地層とし
て使用する場合には、膜厚を６００〜１２００Å程度と
することが望ましいことがわかる。
層の膜厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐ
ｔ膜の保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜
厚が増加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が
１０００Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直
磁気異方性の値からして、ＳｒＴｉＯ3層を下地層とし
て使用する場合には、膜厚を６００〜１２００Å程度と
することが望ましいことがわかる。
【００６１】実施例１２−１〜１２−９ 下地層としてのＣｅＯ2層の厚さを変えたほかは実施例
１−１２と同様にして試料を作成した。そして実施例１
−１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表１２
に示す。
１−１２と同様にして試料を作成した。そして実施例１
−１と同様に、磁気測定を行なった。その結果を表１２
に示す。
【００６２】
【表１２】 表１２からわかるように、下地層としてのＣｅＯ2層の
膜厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜
の保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が
増加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１０
００Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気
異方性の値からして、ＣｅＯ2層を下地層として使用す
る場合には、膜厚を６００〜１２００Å程度とすること
が望ましいことがわかる。
膜厚を変えることにより、その上に設けたＣｏ−Ｐｔ膜
の保磁力や垂直磁気異方性が変化する。保磁力は膜厚が
増加するにつれて増加し、垂直磁気異方性は膜厚が１０
００Åを越えるとやや低下する。保磁力および垂直磁気
異方性の値からして、ＣｅＯ2層を下地層として使用す
る場合には、膜厚を６００〜１２００Å程度とすること
が望ましいことがわかる。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、Ｃｏ−Ｐ
ｔ人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、
特定の組成の下地層を介して記録層を基板上に形成する
ことにより、記録層の保磁力および垂直磁気異方性が向
上し、記録時のビットの形状がよりシャープになって、
記録ノイズが減少するという効果がある。
ｔ人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、
特定の組成の下地層を介して記録層を基板上に形成する
ことにより、記録層の保磁力および垂直磁気異方性が向
上し、記録時のビットの形状がよりシャープになって、
記録ノイズが減少するという効果がある。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す模式断
面図である。
面図である。
１ 基板 ２ 下地層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 金属層
Claims (22)
- 【請求項１】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚さ
５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人工
格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、ＹとＢａとＣｕを含む複合酸化物層を有
する下地層を介して基板上に形成されていることを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 複合酸化物層がＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（た
だし０≦ｘ≦１）で表わされるものである請求項１に記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以下
である請求項２に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 複合酸化物層がＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（た
だし０.４≦ｘ≦０.７）で表わされるものである請求項
３に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚さ
５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人工
格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、少なくともＴｉＣ層を有する下地層を介
して基板上に形成されていることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項６】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以下
である請求項５に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 下地層が２以上の層を積層した構成であ
って、ＴｉＣ層が記録層に隣接して設けられている請求
項６に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚さ
５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人工
格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、Ｎｂ2Ｏ5層を有する下地層を介して基板
上に形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以下
である請求項８に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚
さ５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人
工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、少なくともＳｉ層を有する下地層を介し
て基板上に形成されていることを特徴とする光磁気記録
媒体。 - 【請求項１１】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以
下である請求項１０に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 下地層が２以上の層を積層した構成で
あって、Ｓｉ層が記録層に隣接して設けられている請求
項１１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚
さ５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人
工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、Ｓｉと金属との金属間化合物層を少なく
とも有する下地層を介して基板上に形成されていること
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以
下である請求項１３に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 金属間化合物層が、ＴｉＳｉ2、Ｎｂ
Ｓｉ2、ＣｒＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＷＳｉ2の中から選ばれ
たもので構成されている請求項１４に記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項１６】 下地層が２以上の層を積層した構成で
あって、金属間化合物層が記録層に隣接して設けられて
いる請求項１４に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１７】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚
さ５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人
工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、ＳｉＣ層を有する下地層を介して基板上
に形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１８】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以
下である請求項１７に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１９】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚
さ５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人
工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、ＳｒＴｉＯ3層を有する下地層を介して
基板上に形成されていることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項２０】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以
下である請求項１９に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２１】 厚さ２Å以上１０Å以下のＣｏ層と厚
さ５Å以上３０Å以下のＰｔ層とが交互に積層された人
工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体において、 前記記録層が、ＣｅＯ2層を有する下地層を介して基板
上に形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２２】 記録層の厚さが５０Å以上５００Å以
下である請求項２１に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291183A JPH06139637A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 光磁気記録媒体 |
| DE69320751T DE69320751T2 (de) | 1992-10-29 | 1993-10-28 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger |
| US08/142,134 US5521006A (en) | 1992-10-29 | 1993-10-28 | Magneto-optical recording medium |
| EP93308626A EP0595636B1 (en) | 1992-10-29 | 1993-10-28 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291183A JPH06139637A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139637A true JPH06139637A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17765540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4291183A Pending JPH06139637A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5521006A (ja) |
| EP (1) | EP0595636B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06139637A (ja) |
| DE (1) | DE69320751T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565266A (en) * | 1993-06-14 | 1996-10-15 | Eastman Kodak Company | Multilayer magnetooptic recording media |
| JPH0963120A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Sony Corp | 光学記録媒体 |
| JP2001167484A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US20030130129A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-07-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Vacuum processing for fabrication of superconducting films fabricated by metal-organic processing |
| KR100695121B1 (ko) * | 2002-07-27 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 수직자기기록매체 |
| TWI220787B (en) * | 2003-10-24 | 2004-09-01 | Asustek Comp Inc | Electric device with electrostatic discharge protection structure thereof |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3472575A (en) * | 1966-11-04 | 1969-10-14 | Ampex | Magnetic storage medium for enhancing magneto-optic readout |
| JPS5954056A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US4675767A (en) * | 1983-12-12 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium |
| JPS60133558A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6134747A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 光磁気多層膜媒体 |
| US4777068A (en) * | 1984-08-10 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| US4587176A (en) * | 1985-01-14 | 1986-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Layered coherent structures for magnetic recording |
| DE3752222T2 (de) * | 1986-07-08 | 1999-03-25 | Canon Kk | Magnetoptisches Aufzeichnungsmedium mit der Möglichkeit des Überschreibens mit zwei oder mehr Magnetschichten und dieses Medium verwendende Aufzeichnungsmethode |
| JPS63211142A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
| DE3866314D1 (de) * | 1987-08-26 | 1992-01-02 | Sony Corp | Magnetooptischer aufzeichnungstraeger. |
| JPS6476551A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magneto-optical recording body |
| JP2526615B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1996-08-21 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US4950547A (en) * | 1988-07-08 | 1990-08-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having protective film with increased Kerr effect and improved protection characteristic and manufacturing method of the same |
| JP2630841B2 (ja) * | 1989-10-03 | 1997-07-16 | 三洋電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH03228239A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| WO1991014263A1 (en) * | 1990-03-15 | 1991-09-19 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording |
| JP3029485B2 (ja) * | 1991-07-22 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3113358B2 (ja) * | 1991-12-25 | 2000-11-27 | 三洋電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3133443B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2001-02-05 | 三洋電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP4291183A patent/JPH06139637A/ja active Pending
-
1993
- 1993-10-28 EP EP93308626A patent/EP0595636B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-28 US US08/142,134 patent/US5521006A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-28 DE DE69320751T patent/DE69320751T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0595636B1 (en) | 1998-09-02 |
| EP0595636A3 (en) | 1994-10-12 |
| DE69320751T2 (de) | 1999-02-18 |
| EP0595636A2 (en) | 1994-05-04 |
| DE69320751D1 (de) | 1998-10-08 |
| US5521006A (en) | 1996-05-28 |
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