JPS63276728A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63276728A JPS63276728A JP11051787A JP11051787A JPS63276728A JP S63276728 A JPS63276728 A JP S63276728A JP 11051787 A JP11051787 A JP 11051787A JP 11051787 A JP11051787 A JP 11051787A JP S63276728 A JPS63276728 A JP S63276728A
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- magneto
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- optical recording
- film
- recording
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- Pending
Links
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Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生・消去を行
う光磁気記録に係り、特に耐候性に優れた。高再生出力
に好適な光磁気記録媒体に関する。
う光磁気記録に係り、特に耐候性に優れた。高再生出力
に好適な光磁気記録媒体に関する。
最近、高密度、大容量、情報の任意読み出し、書き換え
等が可能な光磁気記録が注目を浴びている。従来、例え
ば特開昭５２−９１１９７号、特開昭５８−７３７４６
号、特開昭６０−１８５２３７号、特開昭６０−１２４
９０１号等に示されるように、その記録膜として、Ｍ
ｎ Ｂ ｉ系結晶質膜、希土類−鉄族系非晶質膜、ガー
ネット系膜、ｃｏ−フェライト系膜等が提案されている
。中でも希土類−鉄族系非晶質膜は、結晶粒界がないの
で媒体ノイズが低く、均質な大面積の膜の作製が容易で
あることから、現在量も有望視されている。
等が可能な光磁気記録が注目を浴びている。従来、例え
ば特開昭５２−９１１９７号、特開昭５８−７３７４６
号、特開昭６０−１８５２３７号、特開昭６０−１２４
９０１号等に示されるように、その記録膜として、Ｍ
ｎ Ｂ ｉ系結晶質膜、希土類−鉄族系非晶質膜、ガー
ネット系膜、ｃｏ−フェライト系膜等が提案されている
。中でも希土類−鉄族系非晶質膜は、結晶粒界がないの
で媒体ノイズが低く、均質な大面積の膜の作製が容易で
あることから、現在量も有望視されている。
［発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら上記希土類−鉄族系の従来技術では、酸化
しやすい希土類元素やＦｅを多く含むため、耐食性、耐
酸化性に問題があった。また、再生出力に比例するカー
回転角も、実用材料では波ン 長λ＝８２２ ｎ ｍにおいて高ざ０．５° 程度であ
り、将来の高速・高密度記録に対してはまだまだ不十分
であった。
しやすい希土類元素やＦｅを多く含むため、耐食性、耐
酸化性に問題があった。また、再生出力に比例するカー
回転角も、実用材料では波ン 長λ＝８２２ ｎ ｍにおいて高ざ０．５° 程度であ
り、将来の高速・高密度記録に対してはまだまだ不十分
であった。
本発明の目的は、磁気光学効果が十分に大きい故に高い
再生出力が得られ、かつ耐候性にすぐれた長寿命の光磁
気記録媒体を提供することにある。
再生出力が得られ、かつ耐候性にすぐれた長寿命の光磁
気記録媒体を提供することにある。
上記目的は、組成式がＭ ａ Ｎ ｂ Ｔ ｃ Ｏ＜で
示され。
示され。
上記ＭがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる元素群から選ばれた
少なくとも一種の元素、上記ＮがＢ、Ｃ。
少なくとも一種の元素、上記ＮがＢ、Ｃ。
Ｓｉ、Ｎ、Ｆ、Ｐからなる元素群から選ばれた少なくと
も一種の元素、上記ＴがＡｌ、Ｔｉ、Ｖ。
も一種の元素、上記ＴがＡｌ、Ｔｉ、Ｖ。
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ。
丁
ｓ ｎ ＋ ｓ ｂ ｔ Ｊ’ ｅ ｇ
ｓ ｓ ｐ ａ ａ ＃ Ｙ ｙ
Ｎ ｄ ｔ ｓ ｍ ＦＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙからなる元
素群から選ばれた少なくとも一種の元素からなり、かつ
上記ａ、ｂ。
ｓ ｓ ｐ ａ ａ ＃ Ｙ ｙ
Ｎ ｄ ｔ ｓ ｍ ＦＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙからなる元
素群から選ばれた少なくとも一種の元素からなり、かつ
上記ａ、ｂ。
ｃ、ｄが原子パーセントで、３０≦ａ≦５０，０くｂ≦
５０．Ｏ≦Ｃ≦２０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足す
るような記録膜を用いて光磁気記録媒体を楕成すること
により達成される。
５０．Ｏ≦Ｃ≦２０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足す
るような記録膜を用いて光磁気記録媒体を楕成すること
により達成される。
従来垂直酸化膜として公知のＦｅ−○記録膜に、上記Ｎ
で示される元素を添加すると、記録膜の透明度および垂
直磁気異方性をさらに高めることができる。
で示される元素を添加すると、記録膜の透明度および垂
直磁気異方性をさらに高めることができる。
さらに上記Ｔで示される元素を添加すると、飽和酸化を
下げキュリ一温度を光磁気記録に適した１００〜２５０
℃に下げることができる。
下げキュリ一温度を光磁気記録に適した１００〜２５０
℃に下げることができる。
また、Ｆ ｅ −０記録膜は希土類−鉄族系の記録膜に
比べて高いカー回転角（０，７”程度）を有するので、
本発明に係る記録膜も高いカー回転角を有する。
比べて高いカー回転角（０，７”程度）を有するので、
本発明に係る記録膜も高いカー回転角を有する。
尚、本発明に係る記録膜は垂直磁化膜なので、光磁気記
録以外にも、垂直磁気記録媒体としても用いることがで
きることは言うまでもない。
録以外にも、垂直磁気記録媒体としても用いることがで
きることは言うまでもない。
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
記録膜２は、高周波マグネトロン・スパッタ装置を使用
し、ＡｒガスあるいはＡｒとＯｘ、Ｎｚ。
し、ＡｒガスあるいはＡｒとＯｘ、Ｎｚ。
Ｆ２の混合ガス、あるいはＨｘ ＋ Ｈｚ Ｏ混合ガス
を用い、全圧を５×１０−δ〜５０×１０−δＴｏｒｒ
とし、投入電力２００Ｗのスパッタ条件下で作製した。
を用い、全圧を５×１０−δ〜５０×１０−δＴｏｒｒ
とし、投入電力２００Ｗのスパッタ条件下で作製した。
ターゲットは７５ｍ径のＦｅ円板上に、必要とする組成
に応じ、５ｍ径のＢｔｕｓ、 Ｆ ｅｚｏｓ、 Ｃ０Ｏ
ｘ等の酸化物焼結体や、５Ｘ５ｍ”のＣｏ、Ｔｉ。
に応じ、５ｍ径のＢｔｕｓ、 Ｆ ｅｚｏｓ、 Ｃ０Ｏ
ｘ等の酸化物焼結体や、５Ｘ５ｍ”のＣｏ、Ｔｉ。
Ｖ、Ｍｎ等のチップを配置した複合ターゲットを用いた
。また基板１は、２５ｍ径のコーニング社１ａ＃ ７０
５９ガラスを用いた。膜厚１μｍの代表的な記録膜のキ
ュリ一温度Ｔｃ と、膜に垂直方向の保磁力Ｈｃの値を
第１表に示す１表から明らかな如く本発明の記録膜はＴ
ｃは１００〜２５０℃。
。また基板１は、２５ｍ径のコーニング社１ａ＃ ７０
５９ガラスを用いた。膜厚１μｍの代表的な記録膜のキ
ュリ一温度Ｔｃ と、膜に垂直方向の保磁力Ｈｃの値を
第１表に示す１表から明らかな如く本発明の記録膜はＴ
ｃは１００〜２５０℃。
Ｈｃは１．５〜３ｋＯｅと、光磁気記録膜に適した特性
を示す。またこれらの膜のカー回転角θには膜厚１μｍ
の時０．７° （波長８２２ｎｍ）以上の高い値を示す
。
を示す。またこれらの膜のカー回転角θには膜厚１μｍ
の時０．７° （波長８２２ｎｍ）以上の高い値を示す
。
次に記録膜の上にＡ１！の反射膜３を１０００人被膜し
て記録媒体を完成した。この記録媒体に基板側より半導
体レーザを用い、記録パワー１゜ｍＷ、外部磁場４００
０ｅ、パルス幅５００ｎｓでパルスを照射し、書き込み
を行なったところ。
て記録媒体を完成した。この記録媒体に基板側より半導
体レーザを用い、記録パワー１゜ｍＷ、外部磁場４００
０ｅ、パルス幅５００ｎｓでパルスを照射し、書き込み
を行なったところ。
第１表に示した全ての膜について磁区ドメイン径１μｍ
以下のビットが形成されることが分った。
以下のビットが形成されることが分った。
第 １ 表
またこれらの記録媒体を６０℃、相対湿度９５％の環境
下に約１０００時間放置しても、保磁力低下は５％以内
と低く、従来の記録媒体が１００時間程度で９０％以上
低下していたのに比べて優れた耐候性を示した。
下に約１０００時間放置しても、保磁力低下は５％以内
と低く、従来の記録媒体が１００時間程度で９０％以上
低下していたのに比べて優れた耐候性を示した。
本発明によれば、再生出力が高く、耐食性、耐酸化性に
すぐれた長寿命の光磁気記録媒体を得ることができる。
すぐれた長寿命の光磁気記録媒体を得ることができる。
第１図は、本発明の一実施例における光磁気記録媒体の
断面図である。 １・・・基板、２・・・記録膜、３・・・反射膜。 代理人 弁理士 小川勝馬□べ。 第 ／ ロ
断面図である。 １・・・基板、２・・・記録膜、３・・・反射膜。 代理人 弁理士 小川勝馬□べ。 第 ／ ロ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、組成式がＭ＿ａＮ＿ｂＴ＿ｃＯ＿ｄで示され、上記
ＭがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる元素群から選ばれた少な
くとも一種の元素、上記ＮがＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｎ、Ｆ、Ｐ
からなる元素群から選ばれた少なくとも一種の元素、上
記ＴがＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ
、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇａ、Ｙ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙからなる元素群から選ばれ
た少なくとも一種の元素からなり、かつ上記ａ、ｂ、ｃ
、ｄが原子パーセントで、３０≦ａ≦５０、０＜ｂ≦５
０、０≦ｃ≦２０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足する
記録膜を用いたことを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、上記ＭがＦｅ
であることを特徴とする光磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051787A JPS63276728A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051787A JPS63276728A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276728A true JPS63276728A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14537801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11051787A Pending JPS63276728A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0795857A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement magnéto-optique et procédé de réalisation |
| WO2016035415A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP11051787A patent/JPS63276728A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0795857A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement magnéto-optique et procédé de réalisation |
| FR2746206A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-19 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement magneto-optique et procede de realisation |
| US5981093A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-09 | Commissariat A L'energie Atomique | Magneto-optical recording medium and production process |
| WO2016035415A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JP5946974B1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-07-06 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| CN106029943A (zh) * | 2014-09-04 | 2016-10-12 | 捷客斯金属株式会社 | 溅射靶 |
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