JP5946974B1 - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP5946974B1 JP5946974B1 JP2015548075A JP2015548075A JP5946974B1 JP 5946974 B1 JP5946974 B1 JP 5946974B1 JP 2015548075 A JP2015548075 A JP 2015548075A JP 2015548075 A JP2015548075 A JP 2015548075A JP 5946974 B1 JP5946974 B1 JP 5946974B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- sputtering target
- sputtering
- oxide
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Abstract
Description
また、特許文献2には、Co−Cr二元系合金粉末とPt粉末とSiO2粉末を混合して、得られた混合粉末をホットプレスすることにより、磁気記録媒体薄膜形成用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている。
さらに、特許文献4には、酸化物相が形成する粒子の平均粒径を3μm以下とすること、特許文献5には、シリカ粒子又はチタニア粒子はスパッタリングターゲットの主表面に垂直な断面において、スパッタリングターゲットの主表面に対して垂直な方向の粒径をDn、前記主表面に平行な方向の粒径をDpとした時に、2≦Dp/Dnを満たすことが記載されている。
その他、特許文献6には、ターゲット中に存在する酸化物粒子の平均粒径が1.5μm以下であり、酸化物粒子の外周上にある任意の2点の距離の最大値を最大径とし、平行な2本の直線で同粒子を挟んだときの2直線間の距離の最小値を最小径とした場合、最大径と最小径の差が0.4μm以下の酸化物粒子が、ターゲットの観察面において60%以上占めることが記載されている。
しかし、これらの条件では、いずれも十分ではなく、さらなる改善が求められているのが現状である。
1)Co又はFeを主成分とする合金と、Mn及びBを含む酸化物とを含有するスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットの組成において、9at%≦Mn+B+O≦56at%、B≦Mn(at%)、Mn+B≦O(at%)、の条件を満たすことを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)Co又はFeを主成分とする合金と、Mn、B及びX(但し、XはCo、Cr、Siから選択される一種以上の元素)を含む酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットの組成において、9at%≦Mn+B+X+O≦56at%、B≦Mn+X(at%)、Mn+X+B≦O(at%)、の条件を満たすことを特徴とするスパッタリングターゲット。
3)前記スパッタリングターゲットの組成において、Mn及びBを含む酸化物、又は、Mn、X及びBを含む酸化物が、各々0.1mol%以上15mol%以下含有することを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリングターゲット。
4)スパッタリングターゲットの表面又は断面組織において、酸化物粒子の外周上にある任意の2点の距離の最大値を最大径とし、平行な2本の直線で同粒子を挟んだときの2直線間の距離の最小値を最小径とした場合、その最大径と最小径の比が0.5よりも大きい数値を示し、かつ、粒子面積が6μm2以上である酸化物粒子が1mm2視野内に平均で1個以下であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
5)Pt、Ru、Ag、Pdから選択される一種以上の元素をスパッタリングターゲットの合金成分において1mol%以上50mol%以下含有することを特徴とする上記1)〜4)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
非磁性材料として含有する、Mn及びBを含む酸化物粒子は、Co又はFeを主成分とする合金との濡れ性が良く、磁気記録媒体の品質の向上に有効とされる。ところが、酸化物としてB2O3を含む場合、融点が低いために焼結時に酸化物が溶け出して、酸化物粒子(相)が粗大化するといった問題があった。本発明者は、Bを含有する酸化物をMn−B−Oの形態として、これが融点の高い材料となることで、スパッタリングターゲット組織中に酸化物の凝集部(粗大化)を防止することができ、これにより、酸化物の凝集部に起因する異常放電を著しく抑制できるとの知見を得た。
スパッタリングターゲットにおいて、Mn、B、Oの合計含有量が9at%未満であると、Mn、B、Oを含むことによる垂直磁気記録媒体の良好な特性の効果が得られず、Mn、B、Oの合計含有量が56at%を超えると、Mn−B−Oからなる酸化物相自体が粗大化してしまう。また、B>Mn(at%)の場合、BがMn−B−Oの形態だけに留まらず、B−Oが存在することになり、焼結時にB酸化物が溶け出して、酸化物粒子(相)が粗大化してしまう。さらに、Mn+B>O(at%)の場合、垂直磁気記録媒体の良好な特性の効果が得られない。
また、スパッタリングターゲットの組成において、9at%≦Mn+X+B+O≦56at%、B≦Mn+X(at%)、Mn+X+B≦O(at%)の条件を満たすものである。
スパッタリングターゲットの組成において、Mn、X、B、Oの合計含有量が9at%未満であると、Mn、X、B、Oを含むことによる垂直磁気記録媒体の良好な特性の効果が得られず、Mn、X、B、Oの合計含有量が56at%を超えると、Mn−X−B−Oからなる酸化物相自体が粗大化してしまう。また、B>Mn+X(at%)の場合、BがMn−X−B−Oの形態だけに留まらず、B−Oが存在することになり、焼結時にB酸化物が溶け出して、酸化物粒子(相)が粗大化してしまう。さらに、Mn+X+B>O(at%)の場合、垂直磁気記録媒体の良好な特性の効果が得られない。
焼結時にB酸化物が溶け出して、酸化物相が粗大化してしまうサイズとして、粒子面積が6μm2以上であると、パーティクル数の増加に大きな影響があり、また、
酸化物粒子の形状が細長く連なった粒子であると、脱粒しにくく放電異常を起こしにくいが、酸化物粒子の径上が円形や正方形に近い(つまり、最大径と最小径の比が0.5よりも大きい数値を示す)と、パーティクル数増加に大きな影響がある。
スパッタリングターゲットの組織観察は、ターゲット表面を研磨し、電子顕微鏡(視野1mm2)にて、任意の5箇所について行う。その顕微鏡像をPC画面に映し出し、画像解析処理(二値化処理)して、酸化物粒子(黒い部分)の輪郭を明確にした上で、所定のサイズの酸化物粒子の個数を計数して、その平均個数を求める。
金属原料粉末として、平均粒径4μmのCo粉末、平均粒径3μmのPt粉末を、非磁性材粉末として、平均粒径1μmのCr2O3粉末、平均粒径1.2μmのMnBO3粉末、平均粒径0.7μmのSiO2粉末、平均粒径2μmのCoO粉末を用意した。MnBO3粉末については、予めMn2O3粉末、B2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で1500g秤量した。
組成(mol%):Co−20Pt−2B2O3−2CoO−2Cr2O3−4MnO−SiO2
なお、この酸化物成分の組成は、Mn:3.2at%、XとしてCo:1.6at%及びCr:3.2at%及びSi:0.8at%、B:3.2at%、O:16.1at%である。
金属原料粉末として、平均粒径4μmのCo粉末、平均粒径3μmのPt粉末、非磁性材粉末として、平均粒径1μmのCr2O3粉末、平均粒径2μmのB2O3粉末、平均粒径1.2μmのMnO粉末、平均粒径0.7μmのSiO2粉末を用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で1500g秤量した。
組成(mol%):Co−20Pt−5B2O3−Cr2O3−3MnO−SiO2
なお、この酸化物成分の組成は、Mn:2.3at%、XとしてCr:1.6at%及びSi:0.8at%、B:7.8at%、O:17.8at%である。
金属原料粉末として、平均粒径4μmのCo粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径5μmのRu粉末、平均粒径4μmのMn粉末、非磁性材粉末として、平均粒径1μmのCrBO3粉末、平均粒径1.2μmのMnBO3粉末、平均粒径1μmのTiO2粉末を用意した。MnBO3粉末については、予め、Mn2O3粉末とB2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。またCrBO3粉末についても同様と使用した。なお、このときMnBO3粉やCrBO3粉を用いることに伴う酸素量の調整用としてMn粉末やCr粉末をごく少量使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で1500g秤量した。
組成(mol%):Co−22Pt−5Ru−4B2O3−3Cr2O3−3MnO−TiO2
なお、この酸化物成分の組成は、Mn:2.3at%、XとしてCr:4.5at%、B:6.0at%、O:19.6at%である。なお、Tiについては省略する。
金属原料粉末として、平均粒径4μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径5μmのAg粉末、非磁性材粉末として、平均粒径1.2μmのMnBO3粉末、平均粒径0.7μmのSiO2粉末を用意した。MnBO3粉末については、予めMn2O3粉末、B2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で1500g秤量した。
組成(mol%):Fe−42Pt−3Ag−B2O3−2MnO−7SiO2
なお、この酸化物成分の組成は、Mn:1.7at%、XとしてSi:5.8at%、B:1.7at%、O:15.8at%である。
金属原料粉末として、平均粒径4μmのCo粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径5μmのPd粉末、非磁性材粉末として、平均粒径1.2μmのMnBO3粉末、平均粒径2μmのCo3O4粉末を用意した。MnBO3粉末については、予め、Mn2O3粉末、B2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で1500g秤量した。
組成(mol%):Co−38Pt−2Pd−B2O3−Mn2O3−3Co3O4
なお、この酸化物成分の組成は、Mn:1.6at%、XとしてCo:7.1at%、B:1.6at%、O:14.3at%である。
金属原料粉末として、平均粒径4μmのCo粉末、平均粒径3μmのPt粉末、非磁性材粉末として、平均粒径2.4μmのMn3B2O6粉末、平均粒径2μmのSiO2粉末、平均粒径2μmのCoO粉末を用意した。Mn3B2O6粉末については、予めMnO粉末、B2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で1500g秤量した。
組成(mol%):Co−15Pt−3MnO-1B2O3−2SiO2-4CoO
なお、この酸化物成分の組成は、Mn:2.6at%、XとしてCo:3.5at%、B:1.7at%、Si:1.7at%、O:12.2at%である。
Claims (5)
- Co又はFeを含む合金と、Mn及びBを含む酸化物とを含有するスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットの組成において、9at%≦Mn+B+O≦56at%、B≦Mn(at%)、Mn+B≦O(at%)、の条件を満たすことを特徴とするスパッタリングターゲット。
- Co又はFeを主成分とする合金と、Mn、B及びX(但し、XはCo、Cr、Siから選択される一種以上の元素)を含む酸化物とを含有するスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットの組成において、9(at%)≦Mn+B+X+O≦56(at%)、B≦Mn+X(at%)、Mn+X+B≦O(at%)、の条件を満たすことを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記スパッタリングターゲットの組成において、Mn及びBを含む酸化物、又は、Mn、X及びBを含む酸化物が、各々0.1mol%以上15mol%以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。
- スパッタリングターゲットの表面又は断面組織において、酸化物粒子の外周上にある任意の2点の距離の最大値を最大径とし、平行な2本の直線で同粒子を挟んだときの2直線間の距離の最小値を最小径とした場合、その最大径と最小径の比が0.5よりも大きい数値を示し、かつ、粒子面積が6μm2以上である酸化物粒子が1mm2視野内に平均で1個以下であることを特徴とする請求項1〜3いずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- Pt、Ru、Ag、Pdから選択される一種以上の元素をスパッタリングターゲットの合金成分において1mol%以上50mol%以下含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014179783 | 2014-09-04 | ||
JP2014179783 | 2014-09-04 | ||
PCT/JP2015/067226 WO2016035415A1 (ja) | 2014-09-04 | 2015-06-16 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5946974B1 true JP5946974B1 (ja) | 2016-07-06 |
JPWO2016035415A1 JPWO2016035415A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=55439486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015548075A Active JP5946974B1 (ja) | 2014-09-04 | 2015-06-16 | スパッタリングターゲット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5946974B1 (ja) |
CN (1) | CN106029943B (ja) |
MY (1) | MY179241A (ja) |
SG (1) | SG11201606737UA (ja) |
WO (1) | WO2016035415A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6545898B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-07-17 | Jx金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
CN109844167B (zh) * | 2016-12-28 | 2022-01-04 | 捷客斯金属株式会社 | 磁性材料溅射靶及其制造方法 |
JP7072664B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-05-20 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63276728A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPH07232926A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Alps Electric Co Ltd | 微細結晶粒フェライト及びその製造方法 |
JP2012169021A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材ならびに磁気記録媒体 |
WO2013024845A1 (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-21 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金及びスパッタリングターゲット材 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050277002A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target alloy compositions |
MY150826A (en) * | 2010-07-20 | 2014-02-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target of perromagnetic material with low generation of particles |
-
2015
- 2015-06-16 JP JP2015548075A patent/JP5946974B1/ja active Active
- 2015-06-16 WO PCT/JP2015/067226 patent/WO2016035415A1/ja active Application Filing
- 2015-06-16 SG SG11201606737UA patent/SG11201606737UA/en unknown
- 2015-06-16 MY MYPI2016703494A patent/MY179241A/en unknown
- 2015-06-16 CN CN201580009968.3A patent/CN106029943B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63276728A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPH07232926A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Alps Electric Co Ltd | 微細結晶粒フェライト及びその製造方法 |
JP2012169021A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材ならびに磁気記録媒体 |
WO2013024845A1 (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-21 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金及びスパッタリングターゲット材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201606737UA (en) | 2016-09-29 |
MY179241A (en) | 2020-11-02 |
CN106029943A (zh) | 2016-10-12 |
CN106029943B (zh) | 2018-08-31 |
WO2016035415A1 (ja) | 2016-03-10 |
JPWO2016035415A1 (ja) | 2017-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8679268B2 (en) | Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles | |
WO2012086388A1 (ja) | 焼結体スパッタリングターゲット | |
JP5829747B2 (ja) | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6359622B2 (ja) | Co又はFeを含有するスパッタリングターゲット | |
WO2013136962A1 (ja) | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP5847203B2 (ja) | Co−Cr−Pt系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6881643B2 (ja) | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 | |
JP5946974B1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP6005767B2 (ja) | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット | |
JP6545898B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP6305881B2 (ja) | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット | |
JP5654121B2 (ja) | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット | |
CN109844167B (zh) | 磁性材料溅射靶及其制造方法 | |
JP6359662B2 (ja) | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット | |
WO2013125259A1 (ja) | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP6553755B2 (ja) | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 | |
WO2024014156A1 (ja) | Co-Cr-Pt-酸化物系スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160601 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5946974 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |