JPH07232926A - 微細結晶粒フェライト及びその製造方法 - Google Patents
微細結晶粒フェライト及びその製造方法Info
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- JPH07232926A JPH07232926A JP6335561A JP33556194A JPH07232926A JP H07232926 A JPH07232926 A JP H07232926A JP 6335561 A JP6335561 A JP 6335561A JP 33556194 A JP33556194 A JP 33556194A JP H07232926 A JPH07232926 A JP H07232926A
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 飽和磁化が高く同時に保磁力が小さい微細な
結晶粒を有するフェライト材料及びその製造方法を提供
すること。 【構成】 フェライトを一旦非晶質化した後に少なくと
も結晶化温度以上の温度にて熱処理を施し、平均結晶粒
径２０ｎｍ以下の結晶組織を有する微細結晶粒を有する
フェライトを作成する。
結晶粒を有するフェライト材料及びその製造方法を提供
すること。 【構成】 フェライトを一旦非晶質化した後に少なくと
も結晶化温度以上の温度にて熱処理を施し、平均結晶粒
径２０ｎｍ以下の結晶組織を有する微細結晶粒を有する
フェライトを作成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランス、コイル、イ
ンダクタ、センサ、磁気ヘッド等の磁心材料として有用
な微細結晶粒フェライト及びその製造方法に関するもの
である。
ンダクタ、センサ、磁気ヘッド等の磁心材料として有用
な微細結晶粒フェライト及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、電源用各種磁性部品や磁気ヘッド
用磁心材料としては、センダスト，パーマロイ等の合金
系材料が用いられてきた。
用磁心材料としては、センダスト，パーマロイ等の合金
系材料が用いられてきた。
【０００３】ところで、近年電子機器に対する小型化、
高性能化などの要求が高まっており、このような要求を
満足するために、例えば電源等の動作周波数は高周波化
されつつある。そこで磁性部品を構成する軟磁性材料に
は固有抵抗が高いため高周波領域における損失が低いフ
ェライト系の磁性材料が用いられている。
高性能化などの要求が高まっており、このような要求を
満足するために、例えば電源等の動作周波数は高周波化
されつつある。そこで磁性部品を構成する軟磁性材料に
は固有抵抗が高いため高周波領域における損失が低いフ
ェライト系の磁性材料が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ンダストやパーマロイは固有抵抗が低く、高周波領域で
は損失が大きくなるという問題があった。また、フェラ
イト系の軟磁性材料では飽和磁化が大きい組成領域では
保磁力も大きく、保磁力の小さな組成領域では飽和磁化
も低下してしまうため電子機器の小型化、高性能化に対
し問題となっている。さらに、小型化に対応するため
に、従来の焼結フェライトをスパッタリング法などの薄
膜形成手段によって薄膜化した場合、磁気特性が大幅に
劣化し、実用に供しえなかった。
ンダストやパーマロイは固有抵抗が低く、高周波領域で
は損失が大きくなるという問題があった。また、フェラ
イト系の軟磁性材料では飽和磁化が大きい組成領域では
保磁力も大きく、保磁力の小さな組成領域では飽和磁化
も低下してしまうため電子機器の小型化、高性能化に対
し問題となっている。さらに、小型化に対応するため
に、従来の焼結フェライトをスパッタリング法などの薄
膜形成手段によって薄膜化した場合、磁気特性が大幅に
劣化し、実用に供しえなかった。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、センダストやパーマロイなどの金属薄膜よ
りも高い固有抵抗を備え、高周波領域での損失が少な
く、さらに、従来の薄膜フェライトと比較して高い飽和
磁化と小さな保磁力とを同時に実現し、電子機器の小型
化に対応可能とし、結晶粒径を均一に微細化した微細結
晶粒フェライト及びその製造方法を提供することを目的
とする。
れたもので、センダストやパーマロイなどの金属薄膜よ
りも高い固有抵抗を備え、高周波領域での損失が少な
く、さらに、従来の薄膜フェライトと比較して高い飽和
磁化と小さな保磁力とを同時に実現し、電子機器の小型
化に対応可能とし、結晶粒径を均一に微細化した微細結
晶粒フェライト及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決する手段】前記課題を解決するために本発
明では平均結晶粒径２０ｎｍ以下の結晶組織を有し、組
織の非晶質形成を促進する元素あるいは化合物を添加し
てなる微細結晶粒フェライトとしたものである。
明では平均結晶粒径２０ｎｍ以下の結晶組織を有し、組
織の非晶質形成を促進する元素あるいは化合物を添加し
てなる微細結晶粒フェライトとしたものである。
【０００７】また、前記微結晶フェライトは、その結晶
組織はスピネル型であり、ここで、前記微細結晶粒フェ
ライトの組成は好ましくはＦｅ2 Ｏ3 を３０〜８０ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯを１０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯを０〜３０
ｍｏｌ％有する組成のＭ−Ｚｎフェライトであって、さ
らに、Ｂ，Ｎ，ＢＮ，ＳｉＯ2 ，Ｗのうち１種又２種以
上が添加されてなり、ただし、Ｂ，Ｎ，ＢＮはこのうち
の１種又は２種以を０〜４ｗｔ％、さらに好ましくは
０．５〜４ｗｔ％であり、ＳｉＯ2 は０〜１６ｗｔ％、
さらに好ましくは５〜１６ｗｔ％、Ｗは０〜８０ｗｔ
％、さらに好ましくは３０〜８０ｗｔ％の範囲で添加量
するものである。
組織はスピネル型であり、ここで、前記微細結晶粒フェ
ライトの組成は好ましくはＦｅ2 Ｏ3 を３０〜８０ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯを１０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯを０〜３０
ｍｏｌ％有する組成のＭ−Ｚｎフェライトであって、さ
らに、Ｂ，Ｎ，ＢＮ，ＳｉＯ2 ，Ｗのうち１種又２種以
上が添加されてなり、ただし、Ｂ，Ｎ，ＢＮはこのうち
の１種又は２種以を０〜４ｗｔ％、さらに好ましくは
０．５〜４ｗｔ％であり、ＳｉＯ2 は０〜１６ｗｔ％、
さらに好ましくは５〜１６ｗｔ％、Ｗは０〜８０ｗｔ
％、さらに好ましくは３０〜８０ｗｔ％の範囲で添加量
するものである。
【０００８】さらに、前記微細結晶粒フェライトの製造
方法は、非晶質化したフェライトを、好ましくは不活性
ガス雰囲気中または酸化性ガス雰囲気中にて結晶化温度
以上の温度により、より好ましくは４００〜６５０℃に
て熱処理し、その結晶組織を平均結晶粒径２０ｎｍ以下
に微細化させることとしたものである。
方法は、非晶質化したフェライトを、好ましくは不活性
ガス雰囲気中または酸化性ガス雰囲気中にて結晶化温度
以上の温度により、より好ましくは４００〜６５０℃に
て熱処理し、その結晶組織を平均結晶粒径２０ｎｍ以下
に微細化させることとしたものである。
【０００９】以下本発明をさらに詳細に説明する。
【００１０】本発明の微細結晶粒フェライトは、２０ｎ
ｍ以下の平均結晶粒径を有することを特徴とするもので
ある。平均結晶粒径を２０ｎｍ以下に限定したのは、平
均結晶粒径が２０ｎｍより大きい場合には、結晶自体の
結晶磁気異方性が全体に支配的になり小さな保磁力が得
られないためである。これに対し、平均結晶粒径を２０
ｎｍ以下とした場合には、磁壁の幅とほぼ同等となり隣
接粒子との磁気的相互作用により、巨視的な磁気異方性
が低下するため、保磁力が低下する。
ｍ以下の平均結晶粒径を有することを特徴とするもので
ある。平均結晶粒径を２０ｎｍ以下に限定したのは、平
均結晶粒径が２０ｎｍより大きい場合には、結晶自体の
結晶磁気異方性が全体に支配的になり小さな保磁力が得
られないためである。これに対し、平均結晶粒径を２０
ｎｍ以下とした場合には、磁壁の幅とほぼ同等となり隣
接粒子との磁気的相互作用により、巨視的な磁気異方性
が低下するため、保磁力が低下する。
【００１１】前記微細結晶粒フェライトは、出発材料が
Ｍｎ−Ｚｎフェライトである場合には、Ｆｅ2 Ｏ3 を３
０〜８０ｍｏｌ％、ＭｎＯを１０〜５０ｍｏｌ％、Ｚｎ
Ｏを０〜３０ｍｏｌ％有する組成としたものが好まし
く、この組成範囲から外れると磁気的特性が劣化する。
Ｍｎ−Ｚｎフェライトである場合には、Ｆｅ2 Ｏ3 を３
０〜８０ｍｏｌ％、ＭｎＯを１０〜５０ｍｏｌ％、Ｚｎ
Ｏを０〜３０ｍｏｌ％有する組成としたものが好まし
く、この組成範囲から外れると磁気的特性が劣化する。
【００１２】添加剤であるＢ（硼素），Ｎ（窒素）もし
くはＢＮ（窒化硼素）または、ＳｉＯ2 ，Ｗは、非晶質
形成に有用な元素または化合物である。Ｂ，Ｎ，ＢＮ
は、このうち１種又は２種以上の添加量が４ｗｔ％を越
えると飽和磁化が劣化し好ましくない。また、非晶質形
成を容易にするためには微量な添加でもあるいは添加が
なくてもその効果は得られるが、より非晶質形成を容易
にするためには、その添加量を０．５ｗｔ％以上とする
ことがより好ましい。ＳｉＯ2 についても同様なことが
言えるが、この場合、１６ｗｔ％を越えると飽和磁化が
劣化し、添加がなくても非晶質化は可能であるが、より
好ましくは５ｗｔ％以上添加するとよい。また、Ｗにつ
いても同様であり、８０ｗｔ％を越えると磁気特性が悪
化し、添加がなくても非晶質化は可能であるが、３０ｗ
ｔ％以上添加すると非晶質化がより容易になる。
くはＢＮ（窒化硼素）または、ＳｉＯ2 ，Ｗは、非晶質
形成に有用な元素または化合物である。Ｂ，Ｎ，ＢＮ
は、このうち１種又は２種以上の添加量が４ｗｔ％を越
えると飽和磁化が劣化し好ましくない。また、非晶質形
成を容易にするためには微量な添加でもあるいは添加が
なくてもその効果は得られるが、より非晶質形成を容易
にするためには、その添加量を０．５ｗｔ％以上とする
ことがより好ましい。ＳｉＯ2 についても同様なことが
言えるが、この場合、１６ｗｔ％を越えると飽和磁化が
劣化し、添加がなくても非晶質化は可能であるが、より
好ましくは５ｗｔ％以上添加するとよい。また、Ｗにつ
いても同様であり、８０ｗｔ％を越えると磁気特性が悪
化し、添加がなくても非晶質化は可能であるが、３０ｗ
ｔ％以上添加すると非晶質化がより容易になる。
【００１３】なお、Ｂ，Ｎ，ＢＮ，ＳｉＯ2 とＷは、い
ずれかが少なくとも１種又は２種以上が上記のような添
加量にて添加されていれば良いことはもちろん、複合し
て添加すれば相乗的な効果が得られることは十分考えら
れる。
ずれかが少なくとも１種又は２種以上が上記のような添
加量にて添加されていれば良いことはもちろん、複合し
て添加すれば相乗的な効果が得られることは十分考えら
れる。
【００１４】本発明においてはフェライトをスパッタリ
ング法などの薄膜形成手段により、組織を一旦非晶質化
させた後、少なくとも結晶化温度以上の熱処理によって
組織中に平均結晶粒径２０ｎｍ以下の均一で微細な結晶
組織を析出させることに特徴があり、このように結晶組
織が均一に微細化することによって磁気特性が著しく向
上するものと考えられる。この時、組織中に若干の非晶
質相が残存していても良い。
ング法などの薄膜形成手段により、組織を一旦非晶質化
させた後、少なくとも結晶化温度以上の熱処理によって
組織中に平均結晶粒径２０ｎｍ以下の均一で微細な結晶
組織を析出させることに特徴があり、このように結晶組
織が均一に微細化することによって磁気特性が著しく向
上するものと考えられる。この時、組織中に若干の非晶
質相が残存していても良い。
【００１５】
〔フェライト膜の製造〕ＲＦ２極高速スパッタ装置を用
い、水冷（冷却水温度：０℃）したＳｉ基板上にフェラ
イト膜を成膜した。なお、スパッタ装置内のガス圧はサ
ンプルＮｏ．１〜６の試料は２Ｐａ、サンプルＮｏ．
７、８の試料は１．５Ｐａであり、スパッタ時間は４時
間、入力電圧は２００Ｗとした。
い、水冷（冷却水温度：０℃）したＳｉ基板上にフェラ
イト膜を成膜した。なお、スパッタ装置内のガス圧はサ
ンプルＮｏ．１〜６の試料は２Ｐａ、サンプルＮｏ．
７、８の試料は１．５Ｐａであり、スパッタ時間は４時
間、入力電圧は２００Ｗとした。
【００１６】このような条件にて表１にあるような組成
を有するフェライト膜を作成した。
を有するフェライト膜を作成した。
【００１７】
【表１】 表中、ＢＮ面積比とあるのはＦｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ、Ｚｎ
Ｏの基本成分からなるＭｎ−Ｚｎフェライトターゲット
に対し、ＢＮをどのくらいの面積比で配置したかを示す
ものであり、膜組成は成膜後の膜の組成を示し、添加量
は膜組成より算出した添加物質の実質的な添加量を示す
ものである。
Ｏの基本成分からなるＭｎ−Ｚｎフェライトターゲット
に対し、ＢＮをどのくらいの面積比で配置したかを示す
ものであり、膜組成は成膜後の膜の組成を示し、添加量
は膜組成より算出した添加物質の実質的な添加量を示す
ものである。
【００１８】このようにして作成されたＭｎ−Ｚｎフェ
ライト膜のａｓ ｄｅｐｏ．（成膜後）状態において
は、図１及び図２のＸ線回折グラフから見て分かる通
り、非晶質に特有のハローな回折図形となっており、非
晶質状態であることが分かる。なお、図１はサンプルＮ
ｏ．１の組成からなる試料のＸ線回折結果を示したグラ
フであり、であり、図２はサンプルＮｏ．７の組成から
なる試料のＸ線回折結果を示したグラフである。
ライト膜のａｓ ｄｅｐｏ．（成膜後）状態において
は、図１及び図２のＸ線回折グラフから見て分かる通
り、非晶質に特有のハローな回折図形となっており、非
晶質状態であることが分かる。なお、図１はサンプルＮ
ｏ．１の組成からなる試料のＸ線回折結果を示したグラ
フであり、であり、図２はサンプルＮｏ．７の組成から
なる試料のＸ線回折結果を示したグラフである。
【００１９】〔微結晶化〕表１に示された試料中、Ｎ
ｏ．１のものとＮｏ．７の試料を昇温速度１０℃／分、
保持時間２時間、保持温度４００℃、５００℃、６００
℃、７００℃でＡｒ雰囲気中にて熱処理を施した。この
ような熱処理を施した試料のＸ線回折パターンを測定し
た。測定結果を図１、図２に示す。なお、○の位置にあ
るピークはフェライトのスピネル構造の結晶を示し、●
の位置にあるピークはＦｅ3 （ＢＯ3）Ｏ2 のピーク
を、△はＦｅ（ＢＯ2 ）2 のピークを示す。
ｏ．１のものとＮｏ．７の試料を昇温速度１０℃／分、
保持時間２時間、保持温度４００℃、５００℃、６００
℃、７００℃でＡｒ雰囲気中にて熱処理を施した。この
ような熱処理を施した試料のＸ線回折パターンを測定し
た。測定結果を図１、図２に示す。なお、○の位置にあ
るピークはフェライトのスピネル構造の結晶を示し、●
の位置にあるピークはＦｅ3 （ＢＯ3）Ｏ2 のピーク
を、△はＦｅ（ＢＯ2 ）2 のピークを示す。
【００２０】図１から、Ｎｏ．１の試料では４００〜６
００℃で熱処理では、ほぼ、フェライトの結晶のみが析
出しており、７００℃で熱処理した場合には、フェライ
トに加えＦｅ，Ｂ，Ｏの化合物も見られた。また、図１
のＸ線回折パターンより算出した平均結晶粒径は４００
℃の場合５．９ｎｍ、５００℃の場合９．７ｎｍ、６０
０℃の場合１４．３ｎｍ、７００℃の場合２５．１ｎｍ
であった。この結果から、熱処理を施した場合、数〜数
十ｎｍの微細な結晶組織が析出することがよく分かる。
００℃で熱処理では、ほぼ、フェライトの結晶のみが析
出しており、７００℃で熱処理した場合には、フェライ
トに加えＦｅ，Ｂ，Ｏの化合物も見られた。また、図１
のＸ線回折パターンより算出した平均結晶粒径は４００
℃の場合５．９ｎｍ、５００℃の場合９．７ｎｍ、６０
０℃の場合１４．３ｎｍ、７００℃の場合２５．１ｎｍ
であった。この結果から、熱処理を施した場合、数〜数
十ｎｍの微細な結晶組織が析出することがよく分かる。
【００２１】また、図２のサンプルＮｏ．７の試料の場
合も同様であり、Ｘ線回折パターンより算出した平均結
晶粒径は４００℃の場合４．４ｎｍ、５００℃の場合
７．１ｎｍ、６００℃の場合１５．３ｎｍ、７００℃の
場合３１．９ｎｍであった。
合も同様であり、Ｘ線回折パターンより算出した平均結
晶粒径は４００℃の場合４．４ｎｍ、５００℃の場合
７．１ｎｍ、６００℃の場合１５．３ｎｍ、７００℃の
場合３１．９ｎｍであった。
【００２２】〔結晶粒径と飽和磁化、保磁力〕上記製造
した微細結晶粒を有するＭｎ−Ｚｎフェライト（以下微
細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトとする）のうち、表１の
サンプルＮｏ．１の試料の結晶粒径と飽和磁化及び保磁
力との関係を図３に示した。図において、縦軸は飽和磁
化、保磁力を示し、横軸は平均結晶粒径を示している。
本発明の微細結晶粒フェライトは平均結晶粒径が小さく
なると非晶質状態に近くなり、平均結晶粒径０ｎｍでは
ほぼ全組織が非晶質状態となる。また、非晶質相が増加
し、結晶粒径が大きくなるとスピネル型の結晶粒にＦｅ
−Ｂ−Ｏ化合物が析出する。
した微細結晶粒を有するＭｎ−Ｚｎフェライト（以下微
細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトとする）のうち、表１の
サンプルＮｏ．１の試料の結晶粒径と飽和磁化及び保磁
力との関係を図３に示した。図において、縦軸は飽和磁
化、保磁力を示し、横軸は平均結晶粒径を示している。
本発明の微細結晶粒フェライトは平均結晶粒径が小さく
なると非晶質状態に近くなり、平均結晶粒径０ｎｍでは
ほぼ全組織が非晶質状態となる。また、非晶質相が増加
し、結晶粒径が大きくなるとスピネル型の結晶粒にＦｅ
−Ｂ−Ｏ化合物が析出する。
【００２３】図３のグラフから飽和磁化は結晶粒径が１
５ｎｍ付近で最大値４９．２ｅｍｕ／ｇを示しているこ
とがわかる。また、保磁力は平均結晶粒径が２０ｎｍ以
下において非晶質Ｍｎ−Ｚｎフェライトよりも小さな値
を示しており、１０ｎｍ付近で最も小さくなっている。
また、２０ｎｍよりも大きくなると保磁力が急激に悪化
することが分かる。よって、少なくとも平均結晶粒径を
２０ｎｍ以下とすれば非晶質Ｍｎ−Ｚｎフェライトより
も優れた軟磁気特性が得られることが示唆される。とこ
ろで、同様な組成のＭｎ−Ｚｎフェライト焼結体（ＢＮ
添加なし）をスパッタリングにより成膜した場合（膜組
成はＭｎ5.58Ｚｎ1.02Ｆｅ33.9Ｏ59.5）飽和磁化は３
０．８ｅｍｕ／ｇ、保磁力は２７７Ｏｅであり、本発明
の微細結晶粒フェライトが従来の焼結フェライトの薄膜
と比較しても優れた磁気特性を備えていることが分か
る。
５ｎｍ付近で最大値４９．２ｅｍｕ／ｇを示しているこ
とがわかる。また、保磁力は平均結晶粒径が２０ｎｍ以
下において非晶質Ｍｎ−Ｚｎフェライトよりも小さな値
を示しており、１０ｎｍ付近で最も小さくなっている。
また、２０ｎｍよりも大きくなると保磁力が急激に悪化
することが分かる。よって、少なくとも平均結晶粒径を
２０ｎｍ以下とすれば非晶質Ｍｎ−Ｚｎフェライトより
も優れた軟磁気特性が得られることが示唆される。とこ
ろで、同様な組成のＭｎ−Ｚｎフェライト焼結体（ＢＮ
添加なし）をスパッタリングにより成膜した場合（膜組
成はＭｎ5.58Ｚｎ1.02Ｆｅ33.9Ｏ59.5）飽和磁化は３
０．８ｅｍｕ／ｇ、保磁力は２７７Ｏｅであり、本発明
の微細結晶粒フェライトが従来の焼結フェライトの薄膜
と比較しても優れた磁気特性を備えていることが分か
る。
【００２４】また、図３より、ＢＮを添加する場合、従
来のＭｎ−Ｚｎフェライト薄膜よりも高い飽和磁化を得
るためには平均結晶粒径は約８ｎｍ以上であればよいこ
とからＢＮを添加した場合、より好ましくは８ｎｍ〜２
０ｎｍの平均結晶粒径であればよい。しかしながら、８
ｎｍ未満の場合であっても、保磁力が小さいため、実用
に十分供し得ることは言うまでもない。
来のＭｎ−Ｚｎフェライト薄膜よりも高い飽和磁化を得
るためには平均結晶粒径は約８ｎｍ以上であればよいこ
とからＢＮを添加した場合、より好ましくは８ｎｍ〜２
０ｎｍの平均結晶粒径であればよい。しかしながら、８
ｎｍ未満の場合であっても、保磁力が小さいため、実用
に十分供し得ることは言うまでもない。
【００２５】図４は上記表１のサンプルＮｏ．７の試料
の飽和磁化、保磁力と平均結晶粒径との関係を示したグ
ラフである。図４より、Ｂを単独で添加した場合は平均
結晶粒径５ｎｍを越えると飽和磁化が急激に上昇し、６
ｎｍ付近で従来のＭｎ−Ｚｎフェライト薄膜の値を越
え、１５ｎｍ付近で４７．１ｅｍｕ／ｇ最大となる。ま
た、保磁力は平均結晶粒径が大きくなるにつれて減少
し、７ｎｍで最小となる。また、ＢＮを添加した場合と
同様、２０ｎｍよりも大きくなると急激に保磁力が劣化
するため、平均結晶粒径は２０ｎｍ以下に抑えた方がよ
い。
の飽和磁化、保磁力と平均結晶粒径との関係を示したグ
ラフである。図４より、Ｂを単独で添加した場合は平均
結晶粒径５ｎｍを越えると飽和磁化が急激に上昇し、６
ｎｍ付近で従来のＭｎ−Ｚｎフェライト薄膜の値を越
え、１５ｎｍ付近で４７．１ｅｍｕ／ｇ最大となる。ま
た、保磁力は平均結晶粒径が大きくなるにつれて減少
し、７ｎｍで最小となる。また、ＢＮを添加した場合と
同様、２０ｎｍよりも大きくなると急激に保磁力が劣化
するため、平均結晶粒径は２０ｎｍ以下に抑えた方がよ
い。
【００２６】図４の結果から、従来のＭｎ−Ｚｎフェラ
イト薄膜よりも高い飽和磁化と低い保磁力を兼ね備える
ためには、６ｎｍ〜２０ｎｍとするのがより好ましい。
しかしながら、上記ＢＮを添加した場合と同様に、平均
結晶粒径が６ｎｍ未満の場合であっても保磁力が従来の
Ｍｎ−Ｚｎフェライトよりも格段に優れており、また、
実用にも十分に供し得るため、６ｎｍ未満でもよい。
イト薄膜よりも高い飽和磁化と低い保磁力を兼ね備える
ためには、６ｎｍ〜２０ｎｍとするのがより好ましい。
しかしながら、上記ＢＮを添加した場合と同様に、平均
結晶粒径が６ｎｍ未満の場合であっても保磁力が従来の
Ｍｎ−Ｚｎフェライトよりも格段に優れており、また、
実用にも十分に供し得るため、６ｎｍ未満でもよい。
【００２７】〔飽和磁化、保磁力の熱処理温度の依存
性〕上記製造した微細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの飽
和磁化と保磁力の熱処理温度による依存性を測定した。
測定結果を図５に示す。図において縦軸は飽和磁化（上
段）または保磁力（下段）を示し、横軸は熱処理温度を
示す。また、○は表１のＮｏ．１、●はＮｏ．２の組成
のサンプルである。微細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの
飽和磁化は、４００℃以上の熱処理により向上し、６０
０℃で熱処理した場合に最も大きくなり、その時の飽和
磁化は５２．８ｅｍｕ／ｇを示した（●の試料）。これ
に対し、熱処理前の飽和磁化は９．４ｅｍｕ／ｇであ
り、熱処理によって飽和磁化が飛躍的に増大したことが
分かる。また、保磁力に関しては４００℃〜６００℃の
熱処理によって保磁力は小さくなり５００℃において最
小値３Ｏｅを示した。ただし、６００℃を越えると保磁
力が急激に劣化するため熱処理温度は好ましくは６５０
℃以下、より好ましくは６００℃以下に抑えるべきであ
る。
性〕上記製造した微細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの飽
和磁化と保磁力の熱処理温度による依存性を測定した。
測定結果を図５に示す。図において縦軸は飽和磁化（上
段）または保磁力（下段）を示し、横軸は熱処理温度を
示す。また、○は表１のＮｏ．１、●はＮｏ．２の組成
のサンプルである。微細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの
飽和磁化は、４００℃以上の熱処理により向上し、６０
０℃で熱処理した場合に最も大きくなり、その時の飽和
磁化は５２．８ｅｍｕ／ｇを示した（●の試料）。これ
に対し、熱処理前の飽和磁化は９．４ｅｍｕ／ｇであ
り、熱処理によって飽和磁化が飛躍的に増大したことが
分かる。また、保磁力に関しては４００℃〜６００℃の
熱処理によって保磁力は小さくなり５００℃において最
小値３Ｏｅを示した。ただし、６００℃を越えると保磁
力が急激に劣化するため熱処理温度は好ましくは６５０
℃以下、より好ましくは６００℃以下に抑えるべきであ
る。
【００２８】以上の結果から、熱処理を施し、結晶組織
を微細化したＭｎ−Ｚｎフェライトは磁気応用デバイス
の高性能化において寄与するところが著しく大きいと言
える。
を微細化したＭｎ−Ｚｎフェライトは磁気応用デバイス
の高性能化において寄与するところが著しく大きいと言
える。
【００２９】図６は、同じく飽和磁化と保磁力の熱処理
温度の依存性を示したグラフである。図において縦軸は
飽和磁化または保磁力を示し、○は表１のＮｏ．７、●
はＮｏ．８の組成のサンプルである。いずれの組成も４
００℃〜６００℃で熱処理することにより飽和磁化は上
昇し、６００℃において最大値４７．１ｅｍｕ／ｇ（○
の試料）を示した。また、保磁力は、５００℃において
最も小さく、１Ｏｅを示した。ただし、６００℃を越え
ると保磁力が急激に劣化するため、Ｂを単独添加した場
合、６００℃以下に抑えることが好ましい。従って、Ｂ
を単独で添加した場合、熱処理温度は５００〜６００℃
とすることがより好ましい。
温度の依存性を示したグラフである。図において縦軸は
飽和磁化または保磁力を示し、○は表１のＮｏ．７、●
はＮｏ．８の組成のサンプルである。いずれの組成も４
００℃〜６００℃で熱処理することにより飽和磁化は上
昇し、６００℃において最大値４７．１ｅｍｕ／ｇ（○
の試料）を示した。また、保磁力は、５００℃において
最も小さく、１Ｏｅを示した。ただし、６００℃を越え
ると保磁力が急激に劣化するため、Ｂを単独添加した場
合、６００℃以下に抑えることが好ましい。従って、Ｂ
を単独で添加した場合、熱処理温度は５００〜６００℃
とすることがより好ましい。
【００３０】〔組織観察〕上記製造した表１、Ｎｏ．１
の微細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの組織を観察した写
真の模式図を図７〜図９に示す。図７〜図９はそれぞれ
３００℃、５００℃、７００℃で熱処理をしたものであ
る。３００℃で熱処理した場合には、ほぼ全体が非晶質
状態にあり、僅かに微細な結晶部分が見られる。５００
℃で熱処理した場合には全体に結晶が見られ、結晶粒径
は平均で１０ｎｍ程度である。また、７００℃で熱処理
した場合には大きな結晶粒が見られ、結晶粒径は平均値
で２５ｎｍ以上であった。これに対し、従来のＭｎ−Ｚ
ｎフェライト薄膜の場合、成膜直後に結晶化されてお
り、後に示す表２に記載した通り平均結晶粒径は１２．
３ｎｍと小さいものの、結晶粒１つ１つの大きさが不均
一なものであった。このように、本発明における微結晶
粒フェライトは、非晶質組織の形成を促進する元素また
は化合物を添加して成膜後の組織を一旦非晶質とした
後、熱処理を行い微結晶粒を析出させたため組織が均一
になり、磁気特性が向上したものと考えられる。
の微細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの組織を観察した写
真の模式図を図７〜図９に示す。図７〜図９はそれぞれ
３００℃、５００℃、７００℃で熱処理をしたものであ
る。３００℃で熱処理した場合には、ほぼ全体が非晶質
状態にあり、僅かに微細な結晶部分が見られる。５００
℃で熱処理した場合には全体に結晶が見られ、結晶粒径
は平均で１０ｎｍ程度である。また、７００℃で熱処理
した場合には大きな結晶粒が見られ、結晶粒径は平均値
で２５ｎｍ以上であった。これに対し、従来のＭｎ−Ｚ
ｎフェライト薄膜の場合、成膜直後に結晶化されてお
り、後に示す表２に記載した通り平均結晶粒径は１２．
３ｎｍと小さいものの、結晶粒１つ１つの大きさが不均
一なものであった。このように、本発明における微結晶
粒フェライトは、非晶質組織の形成を促進する元素また
は化合物を添加して成膜後の組織を一旦非晶質とした
後、熱処理を行い微結晶粒を析出させたため組織が均一
になり、磁気特性が向上したものと考えられる。
【００３１】〔固有抵抗の測定〕上記製造した組成の微
細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの固有抵抗を測定した結
果を下記表２に示した。固有抵抗は、非晶質状態から微
結晶が析出するにしたがって徐々に大きくなり、粒径１
４．３ｎｍの時に３７．４Ωｃｍを示した。これに対
し、センダストなど金属系の軟磁性材料は１０-5〜１０
-6Ωｃｍのオーダーであり、また、同組成のＭｎ−Ｚｎ
フェライト薄膜（添加物なし）も表２にあるように０．
３７Ωｃｍと小さく、本発明の微細結晶粒フェライトが
従来の軟磁性材料よりも高い抵抗を備えていることが分
かる。従って、本発明の微細結晶粒フェライトをトラン
ス、インダクタ、コイル、磁気ヘッド等の磁心材料とし
て使用した場合、高周波領域での損失が小さくなる。
細結晶粒Ｍｎ−Ｚｎフェライトの固有抵抗を測定した結
果を下記表２に示した。固有抵抗は、非晶質状態から微
結晶が析出するにしたがって徐々に大きくなり、粒径１
４．３ｎｍの時に３７．４Ωｃｍを示した。これに対
し、センダストなど金属系の軟磁性材料は１０-5〜１０
-6Ωｃｍのオーダーであり、また、同組成のＭｎ−Ｚｎ
フェライト薄膜（添加物なし）も表２にあるように０．
３７Ωｃｍと小さく、本発明の微細結晶粒フェライトが
従来の軟磁性材料よりも高い抵抗を備えていることが分
かる。従って、本発明の微細結晶粒フェライトをトラン
ス、インダクタ、コイル、磁気ヘッド等の磁心材料とし
て使用した場合、高周波領域での損失が小さくなる。
【００３２】
【表２】 〔添加物質の添加量と飽和磁化の依存性〕図１０と図１
１はそれぞれ、Ｂの添加量とＢとＮを同時に添加した場
合の添加量と飽和磁化の依存性を示したグラフである。
図中、○はａｓ−ｄｅｐｏ（成膜後）のものであり、●
は５００℃にて熱処理をしたものである。
１はそれぞれ、Ｂの添加量とＢとＮを同時に添加した場
合の添加量と飽和磁化の依存性を示したグラフである。
図中、○はａｓ−ｄｅｐｏ（成膜後）のものであり、●
は５００℃にて熱処理をしたものである。
【００３３】図１０において、Ｂを添加した場合は、添
加量が４ｗｔ％を越えると急激に劣化していることがわ
かるが、４ｗｔ％を越えると保磁力も劣化するため好ま
しくない。従って、より好ましくはＢの添加量は４ｗｔ
％以下とするのがよい。
加量が４ｗｔ％を越えると急激に劣化していることがわ
かるが、４ｗｔ％を越えると保磁力も劣化するため好ま
しくない。従って、より好ましくはＢの添加量は４ｗｔ
％以下とするのがよい。
【００３４】図１１においてＢとＮを同時に添加した場
合、４ｗｔ％を越えると飽和磁化が劣化するため、Ｂと
Ｎの合計量は４ｗｔ％以下に抑えた方が好ましいことが
わかる。また、ＢとＮを添加しない場合は飽和磁化は大
きいが、５００℃で熱処理しても保磁力が３０Ｏｅと大
きいためＢとＮを添加してＨｃを下げた方がより好まし
い。
合、４ｗｔ％を越えると飽和磁化が劣化するため、Ｂと
Ｎの合計量は４ｗｔ％以下に抑えた方が好ましいことが
わかる。また、ＢとＮを添加しない場合は飽和磁化は大
きいが、５００℃で熱処理しても保磁力が３０Ｏｅと大
きいためＢとＮを添加してＨｃを下げた方がより好まし
い。
【００３５】さらに、表１においてＳｉＯ2 、Ｗを添加
した場合、ＳｉＯ2 の場合は、１０．５ｗｔ％の添加し
たサンプルＮｏ．３の試料の場合、５００℃の熱処理で
２９．５ｅｍｕ／ｇの飽和磁化が得られるのに対し、１
８．９ｗｔ％まで添加したサンプルＮｏ．４の試料では
５００℃の熱処理を行っても４．２ｅｍｕ／ｇの飽和磁
化しか得られていないことがわかる。また、Ｗの場合、
４５ｗｔ％添加したサンプルＮｏ．５では５００℃の熱
処理で４７．８ｅｍｕ／ｇもの優れた飽和磁化が得られ
ているのに対し、８５ｗｔ％添加したサンプルＮｏ．６
の試料では５．３ｅｍｕ／ｇと極端に劣化していること
がわかる。
した場合、ＳｉＯ2 の場合は、１０．５ｗｔ％の添加し
たサンプルＮｏ．３の試料の場合、５００℃の熱処理で
２９．５ｅｍｕ／ｇの飽和磁化が得られるのに対し、１
８．９ｗｔ％まで添加したサンプルＮｏ．４の試料では
５００℃の熱処理を行っても４．２ｅｍｕ／ｇの飽和磁
化しか得られていないことがわかる。また、Ｗの場合、
４５ｗｔ％添加したサンプルＮｏ．５では５００℃の熱
処理で４７．８ｅｍｕ／ｇもの優れた飽和磁化が得られ
ているのに対し、８５ｗｔ％添加したサンプルＮｏ．６
の試料では５．３ｅｍｕ／ｇと極端に劣化していること
がわかる。
【００３６】上述したように、本発明の微細結晶粒フェ
ライトは優れた磁気特性を備えたものであるが、上述し
た熱処理はＡｒ雰囲気中に限らずＮ2 等の不活性雰囲
気、Ｏ2 等の酸化性雰囲気中でもよく、熱処理中に磁界
の印加があってもよい。
ライトは優れた磁気特性を備えたものであるが、上述し
た熱処理はＡｒ雰囲気中に限らずＮ2 等の不活性雰囲
気、Ｏ2 等の酸化性雰囲気中でもよく、熱処理中に磁界
の印加があってもよい。
【００３７】
【効果】本発明の微細結晶粒フェライトは、フェライト
をスパッタリング、蒸着、液体急冷、ＣＶＤ等の方法で
非晶質化した磁性酸化物を不活性ガス雰囲気中または酸
化性ガス雰囲気中にて熱処理することにより微結晶化さ
せたことを特徴とするものである。
をスパッタリング、蒸着、液体急冷、ＣＶＤ等の方法で
非晶質化した磁性酸化物を不活性ガス雰囲気中または酸
化性ガス雰囲気中にて熱処理することにより微結晶化さ
せたことを特徴とするものである。
【００３８】本発明の微細結晶粒フェライトは、請求項
１に示す通り、非晶質形成を促進する元素もしくは化合
物を添加し、平均結晶粒径を２０ｎｍ以下の均一な結晶
組織としたことによって、高い飽和磁化を実現しながら
著しく小さな保磁力を実現しており、しかも高抵抗であ
るため、トランス、コイル、インダクタ、センサ、磁気
ヘッド等の様々な用途に使用し得る磁気材料として用い
ることが可能であり、小型化、高周波化のいずれにも対
応しうるものである。
１に示す通り、非晶質形成を促進する元素もしくは化合
物を添加し、平均結晶粒径を２０ｎｍ以下の均一な結晶
組織としたことによって、高い飽和磁化を実現しながら
著しく小さな保磁力を実現しており、しかも高抵抗であ
るため、トランス、コイル、インダクタ、センサ、磁気
ヘッド等の様々な用途に使用し得る磁気材料として用い
ることが可能であり、小型化、高周波化のいずれにも対
応しうるものである。
【００３９】請求項２に示すように非晶質相と結晶相の
混相でも同様な効果が得られ、請求項３に示す通り結晶
相の主な組織がスピネル型であるとより好ましい。
混相でも同様な効果が得られ、請求項３に示す通り結晶
相の主な組織がスピネル型であるとより好ましい。
【００４０】請求項４に示すようにＦｅ2 Ｏ3 を３０〜
８０ｍｏｌ％、ＭｎＯを１０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯを
０〜３０ｍｏｌ％有する組成のＭｎ−Ｚｎフェライト
に、Ｂ，Ｎ，ＢＮ，ＳｉＯ2 ，Ｗのうち１種又は２種以
上を添加し、Ｂ，Ｎ，ＢＮはこのうちの１種又は２種以
上を０〜４ｗｔ％、ＳｉＯ2 は０〜１６ｗｔ％、Ｗは０
〜８０ｗｔ％の範囲で添加すると高い飽和磁化と優れた
軟磁気特性が確実に得られる。
８０ｍｏｌ％、ＭｎＯを１０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯを
０〜３０ｍｏｌ％有する組成のＭｎ−Ｚｎフェライト
に、Ｂ，Ｎ，ＢＮ，ＳｉＯ2 ，Ｗのうち１種又は２種以
上を添加し、Ｂ，Ｎ，ＢＮはこのうちの１種又は２種以
上を０〜４ｗｔ％、ＳｉＯ2 は０〜１６ｗｔ％、Ｗは０
〜８０ｗｔ％の範囲で添加すると高い飽和磁化と優れた
軟磁気特性が確実に得られる。
【００４１】請求項５に示すように請求項４のＭｎ−Ｚ
ｎフェライトにＢ，Ｎ，ＢＮのうち１種又は２種以上を
０．５〜４ｗｔ％、ＳｉＯ2 は５〜１６ｗｔ％、Ｗは３
０〜８０ｗｔ％の範囲で添加するとさらに良好な飽和磁
化と優れた軟磁気特性を得ることができる。
ｎフェライトにＢ，Ｎ，ＢＮのうち１種又は２種以上を
０．５〜４ｗｔ％、ＳｉＯ2 は５〜１６ｗｔ％、Ｗは３
０〜８０ｗｔ％の範囲で添加するとさらに良好な飽和磁
化と優れた軟磁気特性を得ることができる。
【００４２】請求項６に示すように、フェライトを非晶
質化し、少なくとも結晶化温度以上の温度で熱処理し
て、その結晶組織を平均結晶粒径２０ｎｍ以下の微細結
晶粒組織とすることにより、上記のような高い飽和磁化
と優れた軟磁気特性を有する微細結晶粒フェライトを得
ることができる。
質化し、少なくとも結晶化温度以上の温度で熱処理し
て、その結晶組織を平均結晶粒径２０ｎｍ以下の微細結
晶粒組織とすることにより、上記のような高い飽和磁化
と優れた軟磁気特性を有する微細結晶粒フェライトを得
ることができる。
【００４３】請求項７に示すように前記熱処理を不活性
ガス雰囲気中もしくは酸化性ガス雰囲気中で行っても同
様に優れた特性を有する微細結晶粒フェライトを得るこ
とができる請求項８に示すように前記熱処理を４００〜
６５０℃にて行うことにより、さらに高い飽和磁化と優
れた軟磁気特性を有する微細結晶粒フェライトを得るこ
とができる。
ガス雰囲気中もしくは酸化性ガス雰囲気中で行っても同
様に優れた特性を有する微細結晶粒フェライトを得るこ
とができる請求項８に示すように前記熱処理を４００〜
６５０℃にて行うことにより、さらに高い飽和磁化と優
れた軟磁気特性を有する微細結晶粒フェライトを得るこ
とができる。
【図１】表１のサンプルＮｏ．１の試料の各熱処理条件
におけるＸ線回折結果を示すグラフである。
におけるＸ線回折結果を示すグラフである。
【図２】表１のサンプルＮｏ．７の試料の各熱処理条件
におけるＸ線回折結果を示すグラフである。
におけるＸ線回折結果を示すグラフである。
【図３】表１のサンプルＮｏ．１の試料の結晶粒径と飽
和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
【図４】表１のサンプルＮｏ．７の試料の結晶粒径と飽
和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
【図５】表１のサンプルＮｏ．１の試料の熱処理温度と
飽和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
飽和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
【図６】表１のサンプルＮｏ．７の試料の熱処理温度と
飽和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
飽和磁化、保磁力の関係を示すグラフである。
【図７】表１のサンプルＮｏ．１の組成を有する試料を
３００℃にて熱処理した後の結晶組織を観察した模式図
である。
３００℃にて熱処理した後の結晶組織を観察した模式図
である。
【図８】同じく５００℃にて熱処理した後の結晶組織を
観察した模式図である。
観察した模式図である。
【図９】同じく７００℃にて熱処理した後の結晶組織を
観察した模式図である。
観察した模式図である。
【図１０】Ｂの添加量と飽和磁化との関係を示したグラ
フである。
フである。
【図１１】ＢとＮを同時に添加した場合の添加量と飽和
磁化との関係を示したグラフである。
磁化との関係を示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 1/34 (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 平均結晶粒径２０ｎｍ以下の結晶組織を
有し、組織の非晶質形成を促進する元素あるいは化合物
が添加されていることを特徴とする微細結晶粒フェライ
ト。 - 【請求項２】 前記微細結晶粒フェライトは非晶質相と
の混相であることを特徴とする請求項１に記載の微細結
晶粒フェライト。 - 【請求項３】 前記結晶組織がスピネル型であることを
特徴とする請求項１又は２に記載の微細結晶粒フェライ
ト - 【請求項４】 前記微細結晶粒フェライトがＦｅ2 Ｏ3
を３０〜８０ｍｏｌ％、ＭｎＯを１０〜５０ｍｏｌ％、
ＺｎＯを０〜３０ｍｏｌ％有する組成のＭｎ−Ｚｎフェ
ライトであって、さらに、Ｂ，Ｎ，ＢＮ，ＳｉＯ2 ，Ｗ
のうち１種又は２種以上が添加されてなり、ただし、
Ｂ，Ｎ，ＢＮはこのうちの１種又は２種以上を０〜４ｗ
ｔ％、ＳｉＯ2 は０〜１６ｗｔ％、Ｗは０〜８０ｗｔ％
の範囲で添加することを特徴とする請求項１又は２いず
れかに記載の微細結晶粒フェライト。 - 【請求項５】 前記微細結晶粒フェライトのＢ，Ｎ，Ｂ
Ｎのうち１種又は２種以上の添加量は０．５〜４ｗｔ
％、ＳｉＯ2 は５〜１６ｗｔ％、Ｗは３０〜８０ｗｔ％
の範囲で添加することを特徴とする請求項４に記載の微
細結晶粒フェライト。 - 【請求項６】 フェライトを非晶質化し、少なくとも結
晶化温度以上の温度により熱処理し、その結晶組織を平
均結晶粒径２０ｎｍ以下に微細化したことを特徴とする
微細結晶粒フェライトの製造方法。 - 【請求項７】 前記熱処理は不活性ガス雰囲気中もしく
は酸化性ガス雰囲気中にて行われることを特徴とする請
求項６に記載の微細結晶粒フェライトの製造方法。 - 【請求項８】 前記熱処理は４００〜６５０℃で行うこ
とを特徴とする請求項６に記載の微細結晶粒フェライト
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6335561A JPH07232926A (ja) | 1993-12-27 | 1994-12-21 | 微細結晶粒フェライト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35168093 | 1993-12-27 | ||
| JP5-351680 | 1993-12-27 | ||
| JP6335561A JPH07232926A (ja) | 1993-12-27 | 1994-12-21 | 微細結晶粒フェライト及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07232926A true JPH07232926A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=26575216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6335561A Pending JPH07232926A (ja) | 1993-12-27 | 1994-12-21 | 微細結晶粒フェライト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07232926A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016035415A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| WO2019009320A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
| WO2019189614A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 新東工業株式会社 | 鉄基軟磁性粉末及びその製造方法、並びに鉄基軟磁性合金粉末を含む物品及びその製造方法 |
| JP2023503919A (ja) * | 2019-11-25 | 2023-02-01 | ミルウォーキー エレクトリック ツール コーポレイション | ナノ結晶フェライトチョークを備える充電器 |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP6335561A patent/JPH07232926A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016035415A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JP5946974B1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-07-06 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| CN106029943A (zh) * | 2014-09-04 | 2016-10-12 | 捷客斯金属株式会社 | 溅射靶 |
| JPWO2019009320A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2020-04-23 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
| CN110997594A (zh) * | 2017-07-05 | 2020-04-10 | 株式会社村田制作所 | 烧结体的制造方法、结构体以及复合结构体 |
| WO2019009320A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
| EP3608298A4 (en) * | 2017-07-05 | 2020-12-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | METHOD FOR MANUFACTURING A SINTER BODY, STRUCTURE AND COMPOSITE STRUCTURE |
| JP2022084725A (ja) * | 2017-07-05 | 2022-06-07 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
| CN110997594B (zh) * | 2017-07-05 | 2022-10-04 | 株式会社村田制作所 | 烧结体的制造方法、结构体以及复合结构体 |
| US11607728B2 (en) | 2017-07-05 | 2023-03-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing sintered body, structure, and composite structure |
| WO2019189614A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 新東工業株式会社 | 鉄基軟磁性粉末及びその製造方法、並びに鉄基軟磁性合金粉末を含む物品及びその製造方法 |
| CN111971761A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-11-20 | 新东工业株式会社 | 铁基软磁性粉末及其制造方法、以及包含铁基软磁性合金粉末的物品及其制造方法 |
| JPWO2019189614A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2021-04-22 | 新東工業株式会社 | 鉄基軟磁性粉末及びその製造方法、並びに鉄基軟磁性合金粉末を含む物品及びその製造方法 |
| JP2023503919A (ja) * | 2019-11-25 | 2023-02-01 | ミルウォーキー エレクトリック ツール コーポレイション | ナノ結晶フェライトチョークを備える充電器 |
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