JPH0614488B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0614488B2 JPH0614488B2 JP59217922A JP21792284A JPH0614488B2 JP H0614488 B2 JPH0614488 B2 JP H0614488B2 JP 59217922 A JP59217922 A JP 59217922A JP 21792284 A JP21792284 A JP 21792284A JP H0614488 B2 JPH0614488 B2 JP H0614488B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- thin film
- film
- optical recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、一度記録した情報を消去し再書き込みのでき
る光磁気記録媒体に関する。
る光磁気記録媒体に関する。
従来光磁気記録媒体に関しては、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸を有するものとして、ＭｎＢｉに代表される多
結晶金属薄膜、磁性ガーネットなどの化合物単結晶薄
膜、そしてＧｄ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ，Ｄｙ
−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅなどの希土類金属−遷移金属
非晶質薄膜等がある。これらの中で現在実用にある程度
耐えられるものとしてＴｂ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ等のキュリー温度を利用して書き込みを行う
非晶質の磁性薄膜が研究されている。
化容易軸を有するものとして、ＭｎＢｉに代表される多
結晶金属薄膜、磁性ガーネットなどの化合物単結晶薄
膜、そしてＧｄ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ，Ｄｙ
−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅなどの希土類金属−遷移金属
非晶質薄膜等がある。これらの中で現在実用にある程度
耐えられるものとしてＴｂ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ等のキュリー温度を利用して書き込みを行う
非晶質の磁性薄膜が研究されている。
しかしながらこれらの希土類−遷移金属薄膜は実用的に
用いる場合次の欠点を有している。
用いる場合次の欠点を有している。
これらの薄膜は耐候性に乏しく、形成後急速にエージ
ングして諸特性が劣化する 重希土類は全希土類中の含有量が極めて少く資源的に
問題があるばかりでなく、重希土類の中の特定の元素の
みを多量に使用することは残部に残る他の希土類元素の
それに見合つた用途がない限り経済的に不都合であり、
従つてコストもたいへん高い。よつて実用材料として重
希土類を使用する場合、コストおよび数量の面で制約を
受ける。
ングして諸特性が劣化する 重希土類は全希土類中の含有量が極めて少く資源的に
問題があるばかりでなく、重希土類の中の特定の元素の
みを多量に使用することは残部に残る他の希土類元素の
それに見合つた用途がない限り経済的に不都合であり、
従つてコストもたいへん高い。よつて実用材料として重
希土類を使用する場合、コストおよび数量の面で制約を
受ける。
重希土類−遷移金属の場合フエリ磁性なので磁化の温
度係数が大きく、これはただちにカー回転角が温度に対
して大きく変化することの原因となる。従つて読み出し
特性は温度に対して極めて不安定になる。
度係数が大きく、これはただちにカー回転角が温度に対
して大きく変化することの原因となる。従つて読み出し
特性は温度に対して極めて不安定になる。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、耐候性がよく、温度特性がよくしかも
低コストで大量生産可能な光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
とするところは、耐候性がよく、温度特性がよくしかも
低コストで大量生産可能な光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
本発明の光磁気記録媒体は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ薄膜
をスパツタリングあるいは真空蒸着法等の薄膜形成技術
でガラス基板あるいはプラスチツク基板上に形成したも
のである。この際該組成を用いると磁性薄膜を非晶質構
造にし、その磁化容易軸を膜面に垂直な方向にあるよう
に作製できる。
をスパツタリングあるいは真空蒸着法等の薄膜形成技術
でガラス基板あるいはプラスチツク基板上に形成したも
のである。この際該組成を用いると磁性薄膜を非晶質構
造にし、その磁化容易軸を膜面に垂直な方向にあるよう
に作製できる。
この薄膜に情報を記録させるためには、まず薄膜をＳ極
あるいはＮ極に一様に磁化させておきレーザ等の光ビー
ムを一点に照射して、その部分をキュリー温度以上に加
熱する。すると加熱部の磁気モーメントは一度ランダム
になり、冷却されてキュリー温度以下になると再配列さ
れる。その際、容易軸方向は膜面と垂直なので磁気モー
メントも膜面に垂直となるが磁化の方向は隣接した一様
磁化による反磁場によりあるいは外磁場をさらに加える
ことにより、最初の磁場方向とは逆向きに磁化される。
従つて光ビームの照射された部分は磁化が反転している
ので、後にカー回転現象を用いて磁化の反転の有無を検
出してやれば、デジタル信号である２値「０」，「ｉ」
を区別できることになる。このようにして情報は記録さ
れかつ読み出される。また一度記録した情報を消去する
には外部磁場を最初の一様磁化した方向に印加しながら
光ビームを消去したい場所へ照射すればよい。
あるいはＮ極に一様に磁化させておきレーザ等の光ビー
ムを一点に照射して、その部分をキュリー温度以上に加
熱する。すると加熱部の磁気モーメントは一度ランダム
になり、冷却されてキュリー温度以下になると再配列さ
れる。その際、容易軸方向は膜面と垂直なので磁気モー
メントも膜面に垂直となるが磁化の方向は隣接した一様
磁化による反磁場によりあるいは外磁場をさらに加える
ことにより、最初の磁場方向とは逆向きに磁化される。
従つて光ビームの照射された部分は磁化が反転している
ので、後にカー回転現象を用いて磁化の反転の有無を検
出してやれば、デジタル信号である２値「０」，「ｉ」
を区別できることになる。このようにして情報は記録さ
れかつ読み出される。また一度記録した情報を消去する
には外部磁場を最初の一様磁化した方向に印加しながら
光ビームを消去したい場所へ照射すればよい。
薄膜の構造をアモルフアスにする利点は、結晶質と異な
り組成の範囲を広く取れること、磁気的特性を比較的容
易に組成を変えることで調整できること、そして結晶粒
界のノイズがないということである。
り組成の範囲を広く取れること、磁気的特性を比較的容
易に組成を変えることで調整できること、そして結晶粒
界のノイズがないということである。
本発明の特徴はかかる磁性薄膜としてＮｄ−Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｂ系を用いたことにある。さらに詳しく述べるとまず
従来の薄膜に使用されていたＴｂ，Ｄｙ，Ｇｄといつた
重希土に替り、軽希土のＮｄを使用したことがある。Ｎ
ｄ−ＦｅにはNd2FeとNd2Fe17化合物ができることが知ら
れている（Russian Metallurgy，１９６５，No.３，Ｐ
５０）。Ｎｄ１００−ｘＦｅｘとした時、我々の予備実
験では、およそ６０＜ｘ＜９５の範囲でこの合金はアモ
ルフアス化できることが分つた。さらにこのＮｄ−Ｆｅ
２元素にＢを添加すると強磁性が安定となりキュリー点
および飽和磁化を向上さすことができる。Ｂの添加は少
量でも効果があり、２０ａｔ％以上になると強磁性が不
安定になるので０．０１から２０ａｔ％までとした。実
験の結果このＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系で重希土を用いたものと
同等以上の特性を有する光磁気記録媒体が作製できるこ
とが分つた。してみると、第一表に示すようにＮｄはＴ
ｂ，Ｄｙ，Ｇｄというような重希土に比べて圧倒的な資
源の豊富さを誇るのでＮｄが重希土の代りに使用できる
ということは工業的にみてたいへん意義の深いことであ
る。
−Ｂ系を用いたことにある。さらに詳しく述べるとまず
従来の薄膜に使用されていたＴｂ，Ｄｙ，Ｇｄといつた
重希土に替り、軽希土のＮｄを使用したことがある。Ｎ
ｄ−ＦｅにはNd2FeとNd2Fe17化合物ができることが知ら
れている（Russian Metallurgy，１９６５，No.３，Ｐ
５０）。Ｎｄ１００−ｘＦｅｘとした時、我々の予備実
験では、およそ６０＜ｘ＜９５の範囲でこの合金はアモ
ルフアス化できることが分つた。さらにこのＮｄ−Ｆｅ
２元素にＢを添加すると強磁性が安定となりキュリー点
および飽和磁化を向上さすことができる。Ｂの添加は少
量でも効果があり、２０ａｔ％以上になると強磁性が不
安定になるので０．０１から２０ａｔ％までとした。実
験の結果このＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系で重希土を用いたものと
同等以上の特性を有する光磁気記録媒体が作製できるこ
とが分つた。してみると、第一表に示すようにＮｄはＴ
ｂ，Ｄｙ，Ｇｄというような重希土に比べて圧倒的な資
源の豊富さを誇るのでＮｄが重希土の代りに使用できる
ということは工業的にみてたいへん意義の深いことであ
る。
本発明の他の特徴として、耐候性向上のためにＦｅをＮ
ｉに置換したことである。Ｎｉ置換により磁気的性質は
低下するが、それはＢの量で補えるので問題にはならな
い。
ｉに置換したことである。Ｎｉ置換により磁気的性質は
低下するが、それはＢの量で補えるので問題にはならな
い。
Ｎｄは他の軽希土類、例えばＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍで
置換してもよいし、重希土を少量置換すると保磁力が向
上する。
置換してもよいし、重希土を少量置換すると保磁力が向
上する。
ＮｄとＦｅを主成分とした磁性薄膜はフエロ磁性 を示すのでカー回転角、保磁力の温度依存性が重希土−
鉄系のフエリ磁性のものよりも小さい。従つて温度変化
に対して安定した性質を示す。
鉄系のフエリ磁性のものよりも小さい。従つて温度変化
に対して安定した性質を示す。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
実施例 １． Nd15(Fe0.8Ni0.2)83B2なる１５０mmφの合金ターゲツト
を用い、ＲＦスパツタ法で水冷ガラス基板上に磁性薄膜
を作製した。次に真空をやぶらずにＳｉＯ２保護膜、銅
の反射膜を該磁性膜上に製膜した。
を用い、ＲＦスパツタ法で水冷ガラス基板上に磁性薄膜
を作製した。次に真空をやぶらずにＳｉＯ２保護膜、銅
の反射膜を該磁性膜上に製膜した。
作製した媒体の室温での磁気的および光学的特性は第２
表に示すようによい値が得られた。また膜の結晶構造を
Ｘ線を用いて確認したところ、ア モルフアス状態であつた。また容易磁化方向は膜面と垂
直に向いていた。媒体の信頼性は高温および高温高湿環
境下に媒体を所定の時間放置し室温に戻して磁気光学特
性を測定することにより評価した。結果を第１図，第２
図に示す。第１図は温度が６０℃で湿度９５％でのθｋ
とiHcの経時変化を示し、第２図は温度８０℃でのθｋ
とiHcの経時変化を示している。θｋ，iHc両方ともこの
程度の低下では特に問題はなく、従来のデータから比べ
ると数倍向上している。
表に示すようによい値が得られた。また膜の結晶構造を
Ｘ線を用いて確認したところ、ア モルフアス状態であつた。また容易磁化方向は膜面と垂
直に向いていた。媒体の信頼性は高温および高温高湿環
境下に媒体を所定の時間放置し室温に戻して磁気光学特
性を測定することにより評価した。結果を第１図，第２
図に示す。第１図は温度が６０℃で湿度９５％でのθｋ
とiHcの経時変化を示し、第２図は温度８０℃でのθｋ
とiHcの経時変化を示している。θｋ，iHc両方ともこの
程度の低下では特に問題はなく、従来のデータから比べ
ると数倍向上している。
実施例 ２． Nd98-x(Fe0.6Ni0.4)xB2で表した時、Ｘ＝８８，７８，
６８，５８，４８の組成を有する合金ターゲツトを作製
した。これらのターゲツトを用いＲＦスパツタ法でガラ
ス基板上に磁性薄膜を形成し、次に真空をやぶらずにア
ルミをスパツタして保護膜兼反射膜とした。Ｘ＝４８以
外は全てアモルフアスになつていることが、Ｘ線により
確認された。基板に垂直な薄膜はＸ＝７８，６８，５８
の組成で得られた。この３種の膜特性を第３表に示す。
６８，５８，４８の組成を有する合金ターゲツトを作製
した。これらのターゲツトを用いＲＦスパツタ法でガラ
ス基板上に磁性薄膜を形成し、次に真空をやぶらずにア
ルミをスパツタして保護膜兼反射膜とした。Ｘ＝４８以
外は全てアモルフアスになつていることが、Ｘ線により
確認された。基板に垂直な薄膜はＸ＝７８，６８，５８
の組成で得られた。この３種の膜特性を第３表に示す。
上記３組成を、温度８０℃で１００日保持した後のiHc
とＫ１の低下率を第４表に示した。Ni量が多いだけに実
施例１よりも安定した膜が得られていることが分る。
とＫ１の低下率を第４表に示した。Ni量が多いだけに実
施例１よりも安定した膜が得られていることが分る。
実施例 ３． Photo-Polymerization法により作製した溝付基板（溝ピ
ッチ２．５μｍ，溝幅０．８μｍ，溝深さ７０ｎｍ）上
に、Nd20(Fe0.7Ni0.3)77B3組成の基板と垂直方向に異方
性を有するアモルフアス薄膜を５０ｎｍ，アルミ反射膜
を３０ｎｍ形成した第３図に示すような光磁気デイスク
を試作した。試作デイスクの保磁力iHcは１．５KOe，カ
ー回転角θｋは３８分，キユリー点Ｔｃは１４０℃であ
つた。
ッチ２．５μｍ，溝幅０．８μｍ，溝深さ７０ｎｍ）上
に、Nd20(Fe0.7Ni0.3)77B3組成の基板と垂直方向に異方
性を有するアモルフアス薄膜を５０ｎｍ，アルミ反射膜
を３０ｎｍ形成した第３図に示すような光磁気デイスク
を試作した。試作デイスクの保磁力iHcは１．５KOe，カ
ー回転角θｋは３８分，キユリー点Ｔｃは１４０℃であ
つた。
本デイスクに、半導体レーザを用いてデイスク回転数１
８００ｒｐｍで記録再生を行つた。第４図に記録パワー
１０ｍｗ，記録磁場８００ｅ，再生パワー１．２ｍｗ，
バンド幅３０KHzで行つた時の再生Ｃ／Ｎの周波数依存
性を示した。１MHz以下ではＣ／Ｎは一定値となり５６d
Bが得られた。
８００ｒｐｍで記録再生を行つた。第４図に記録パワー
１０ｍｗ，記録磁場８００ｅ，再生パワー１．２ｍｗ，
バンド幅３０KHzで行つた時の再生Ｃ／Ｎの周波数依存
性を示した。１MHz以下ではＣ／Ｎは一定値となり５６d
Bが得られた。
以上述べたように本発明によれば、安定でしかもＣ／Ｎ
比の高い光磁気記録媒体を作製でき、光磁気記録の適応
範囲を広げるという効果を有する。
比の高い光磁気記録媒体を作製でき、光磁気記録の適応
範囲を広げるという効果を有する。
第１図は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ膜の６０℃で湿度９０
％における、保磁力iHcとカー回転角θｋの低下率を示
す。第２図は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ膜の９０℃でのiH
cとθｋの低下率を示す。第３図は光磁気媒体の構造を
示す図。 １……基板、２……２Ｐ層、３……誘電体膜、４……Ｎ
ｄ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ膜、５……Ａｌ膜、６……接着層 第４図は、第３図の媒体の周波数と再生Ｃ／Ｎの関係を
示す。
％における、保磁力iHcとカー回転角θｋの低下率を示
す。第２図は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ膜の９０℃でのiH
cとθｋの低下率を示す。第３図は光磁気媒体の構造を
示す図。 １……基板、２……２Ｐ層、３……誘電体膜、４……Ｎ
ｄ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ膜、５……Ａｌ膜、６……接着層 第４図は、第３図の媒体の周波数と再生Ｃ／Ｎの関係を
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 守 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 青山 明 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 根橋 聡 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (56)参考文献 特開 昭58−165306（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−27941（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ネオジウム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）およびホウ素（Ｂ）からなり、膜面に対して
垂直方向に磁化容易軸を有する非晶質の強磁性薄膜であ
って、組成式が原子比において Ｎｄ100-x-y（Ｆｅ1-aＮｉａ）ｘＢｙ としたとき ６０≦ｘ≦９５ ０．０１≦ｙ≦２５ ０．０１≦ａ≦０．５ の条件を満足する強磁性薄膜を具備してなることを特徴
とする、光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217922A JPH0614488B2 (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光磁気記録媒体 |
| US07/193,020 US5100741A (en) | 1984-09-12 | 1988-05-12 | Magneto-optic recording systems |
| US08/231,866 US5529854A (en) | 1984-09-12 | 1994-04-25 | Magneto-optic recording systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217922A JPH0614488B2 (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196706A JPS6196706A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH0614488B2 true JPH0614488B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=16711830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217922A Expired - Lifetime JPH0614488B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-10-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614488B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0861247A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-03-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 空気調和機の運転制御装置およびその方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8600647A (nl) * | 1986-03-13 | 1987-10-01 | Philips Nv | Magneto-optisch registratie-element en een magneto-optische registratie-inrichting. |
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104870B2 (ja) * | 1981-08-11 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | 非晶質薄膜の製造方法 |
| JPS58165306A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59217922A patent/JPH0614488B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0861247A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-03-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 空気調和機の運転制御装置およびその方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6196706A (ja) | 1986-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |