JPH053059B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH053059B2 JPH053059B2 JP2092787A JP2092787A JPH053059B2 JP H053059 B2 JPH053059 B2 JP H053059B2 JP 2092787 A JP2092787 A JP 2092787A JP 2092787 A JP2092787 A JP 2092787A JP H053059 B2 JPH053059 B2 JP H053059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- magnetic
- recording film
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 31
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 iron group transition metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000010415 tropism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気メモリに用いられる記録膜に
関するものであり、更に詳しくは、膜面と垂直方
向に磁気異方性を有し、レーザなどの光ビームを
照射した領域に反転磁区を作ることにより記録す
ることができ、磁気光学効果を利用して読み出す
ことのできる光磁気記録膜に関するものである。
関するものであり、更に詳しくは、膜面と垂直方
向に磁気異方性を有し、レーザなどの光ビームを
照射した領域に反転磁区を作ることにより記録す
ることができ、磁気光学効果を利用して読み出す
ことのできる光磁気記録膜に関するものである。
（従来の技術）
光メモリの大容量フアイルメモリの一つとして
注目されている。中でも光磁気メモリは、記録情
報の書き替えが可能であるという利点を持つてい
ることから、各所で、盛んに研究されている。そ
の記録層としては、希土類金属と鉄族遷移金属と
の組み合せによつて作製される非晶質磁性薄膜
が、記録感度が高い、粒界ノイズがない、膜面に
垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作れる
などの利点を有するため、最も有望視されてい
る。希土類金属としては、Tb、Gd、Dy、Ho、
鉄族遷移金属としてはFe、Coが主に用いられて
いる。
注目されている。中でも光磁気メモリは、記録情
報の書き替えが可能であるという利点を持つてい
ることから、各所で、盛んに研究されている。そ
の記録層としては、希土類金属と鉄族遷移金属と
の組み合せによつて作製される非晶質磁性薄膜
が、記録感度が高い、粒界ノイズがない、膜面に
垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作れる
などの利点を有するため、最も有望視されてい
る。希土類金属としては、Tb、Gd、Dy、Ho、
鉄族遷移金属としてはFe、Coが主に用いられて
いる。
従来、鉄族遷移金属の中で、Niを用いたもの
は、殆どの希土類金属との組み合せにおいて、キ
ユーリ温度Tcが室温より低くなるために、記録
膜として検討された報告は見られない。わずか
に、Hoとの組み合せによる蒸着膜においてTcが
室温以上になるとの報告があるが、この磁気特性
及び磁気光学特性は不明のままである。
は、殆どの希土類金属との組み合せにおいて、キ
ユーリ温度Tcが室温より低くなるために、記録
膜として検討された報告は見られない。わずか
に、Hoとの組み合せによる蒸着膜においてTcが
室温以上になるとの報告があるが、この磁気特性
及び磁気光学特性は不明のままである。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、鉄族遷移金属として、Niを
用いた合金膜の光磁気記録膜としての可能性を調
べ、室温において膜面に垂直方向の磁気異方性を
有し、さらに磁気光学効果を有する記録膜を提供
することにある。
用いた合金膜の光磁気記録膜としての可能性を調
べ、室温において膜面に垂直方向の磁気異方性を
有し、さらに磁気光学効果を有する記録膜を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の光磁気記録膜は膜面に垂直方向に磁化
容易軸を有する非晶質Ho−Ni二元係合金薄膜か
ら成り、Hoが８原子％以下含有されていること
を特徴とする。
容易軸を有する非晶質Ho−Ni二元係合金薄膜か
ら成り、Hoが８原子％以下含有されていること
を特徴とする。
（実施例）
以下、本発明を実施例を用いて説明する。ガラ
ス基板上に記録膜として厚さ1000ÅのHoNi膜、
その上に保護膜として、厚さ1000ÅのSiN膜を形
成した。各々の膜は、マグネトロンスパツタによ
り、真空を破ることなく連続に形成した。HoNi
記録膜は、Ni円板上に、Hoチツプを配した複合
ターゲツトを用いてArガス雰囲気で、パワー密
度2W／cm2、スパツタガス圧７×10-1Paで作製し
た。膜組成は、Hoのチツプ数によつて変化させ
た。SiN保護膜はSiターゲツトに対してArとN2
の混合ガス（20％N2）をスパツタガスとして、
パワー密度4.4W／cm2、スパツガス圧７×10-1Pa
で作製した。
ス基板上に記録膜として厚さ1000ÅのHoNi膜、
その上に保護膜として、厚さ1000ÅのSiN膜を形
成した。各々の膜は、マグネトロンスパツタによ
り、真空を破ることなく連続に形成した。HoNi
記録膜は、Ni円板上に、Hoチツプを配した複合
ターゲツトを用いてArガス雰囲気で、パワー密
度2W／cm2、スパツタガス圧７×10-1Paで作製し
た。膜組成は、Hoのチツプ数によつて変化させ
た。SiN保護膜はSiターゲツトに対してArとN2
の混合ガス（20％N2）をスパツタガスとして、
パワー密度4.4W／cm2、スパツガス圧７×10-1Pa
で作製した。
記録膜の磁化特性及び磁気光学特性は、VSM
及びカーヒステリシスにより、それぞれ測定し
た。
及びカーヒステリシスにより、それぞれ測定し
た。
第１図に飽和磁化MsとHo量との関係を示す。
MsはHo量の増加に伴い、単調に減少している。
Ho量８原子％以下のHoNi膜は室温において強
磁性を示すことがわかる。
MsはHo量の増加に伴い、単調に減少している。
Ho量８原子％以下のHoNi膜は室温において強
磁性を示すことがわかる。
第２図及び第３図に、Ho量３原子％の試料に
対する磁化曲線及び、ポーラーカー効果によるカ
ーヒステリシス曲線を示す。これらは、垂直（膜
厚）方向に磁気異方性を有することを示してい
る。
対する磁化曲線及び、ポーラーカー効果によるカ
ーヒステリシス曲線を示す。これらは、垂直（膜
厚）方向に磁気異方性を有することを示してい
る。
第４図に、異方性磁界（Hkeff）、垂直（膜厚）
方向抗磁力Hc（⊥）とHo量との関係を示す。
Hkeffは、Ho量５原子％で、1KOe近い大きさに
なり、この範囲でHc（⊥）が約300Oeになつてい
る。この範囲で、より良好な垂直磁化膜が得られ
ることを示唆している。
方向抗磁力Hc（⊥）とHo量との関係を示す。
Hkeffは、Ho量５原子％で、1KOe近い大きさに
なり、この範囲でHc（⊥）が約300Oeになつてい
る。この範囲で、より良好な垂直磁化膜が得られ
ることを示唆している。
第５図にカー回転角の飽和値（θks）及び、カ
ー回転角の残留値（θks）とHo量の関係を示す。
ー回転角の残留値（θks）とHo量の関係を示す。
θks及びθkrは、垂直方向の磁化成分に対応した
値を示しHoの増加と共に単調に減少している。
値を示しHoの増加と共に単調に減少している。
（発明の効果）
本発明によれば、鉄族遷移金属のNiに対して、
スパツタリングにより希土類金属Hoを固溶させ
ることによつて、室温において膜面に垂直方向の
磁気異方性を有し、さらに磁気光学効果を有する
記録膜を提供できる。
スパツタリングにより希土類金属Hoを固溶させ
ることによつて、室温において膜面に垂直方向の
磁気異方性を有し、さらに磁気光学効果を有する
記録膜を提供できる。
第１図は本発明に係るHoNi膜の飽和磁化Ms
とHo量の関係を示す図、第２図及び第３図は磁
化曲線及びカーヒステリシス曲線を示す図、第４
図は異方性磁界Hkeff及び垂直方向抗磁力Hc（⊥）
とHo量の関係を示す図、第５図はカー回転角飽
和値θks及びカー回転角残留値θkrとHo量の関係を
示す図である。
とHo量の関係を示す図、第２図及び第３図は磁
化曲線及びカーヒステリシス曲線を示す図、第４
図は異方性磁界Hkeff及び垂直方向抗磁力Hc（⊥）
とHo量の関係を示す図、第５図はカー回転角飽
和値θks及びカー回転角残留値θkrとHo量の関係を
示す図である。
Claims (1)
- １ 膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する非晶質
Ho−Ni二元系合金薄膜から成り、Hoが８原子
％以下含有されていることを特徴とする光磁気記
録膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092787A JPS63188841A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光磁気記録膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092787A JPS63188841A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光磁気記録膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188841A JPS63188841A (ja) | 1988-08-04 |
| JPH053059B2 true JPH053059B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=12040849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2092787A Granted JPS63188841A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光磁気記録膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63188841A (ja) |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2092787A patent/JPS63188841A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63188841A (ja) | 1988-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0118506B2 (ja) | ||
| JPS6227459B2 (ja) | ||
| JPS6134744A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPS6115308A (ja) | 光磁気記録材料 | |
| US4695514A (en) | Magneto-optical memory element | |
| JPH053059B2 (ja) | ||
| JP3068796B2 (ja) | 二層膜構造の光磁気記録膜及びこれを採用した光磁気ディスク | |
| JPH0470705B2 (ja) | ||
| JPH0614488B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02107749A (ja) | 非晶質合金薄膜 | |
| JPS63262446A (ja) | 非晶質合金薄膜 | |
| JPS6029996A (ja) | 光磁気記録担体 | |
| JPS61165846A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0432209A (ja) | 磁性膜 | |
| JP2948589B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01140446A (ja) | 光磁気記憶媒体 | |
| JPS62165753A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPS5996713A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS63276728A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0445898B2 (ja) | ||
| JPS59162250A (ja) | 磁性合金 | |
| JPS63164049A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6055535A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0259603B2 (ja) | ||
| JPH0232766B2 (ja) | Jikikogakukirokuzairyo |