JPS63188841A - 光磁気記録膜 - Google Patents
光磁気記録膜Info
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- JPS63188841A JPS63188841A JP2092787A JP2092787A JPS63188841A JP S63188841 A JPS63188841 A JP S63188841A JP 2092787 A JP2092787 A JP 2092787A JP 2092787 A JP2092787 A JP 2092787A JP S63188841 A JPS63188841 A JP S63188841A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光磁気メモリに用いられる記録膜に関するも
のであり、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁気異方性
を有し、レーザなどの光ビームを照射した領域に反転磁
区を作ることにより記録することができ、磁気光学効果
を利用して読み出すことのできる光磁気記録膜に関する
ものである。
のであり、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁気異方性
を有し、レーザなどの光ビームを照射した領域に反転磁
区を作ることにより記録することができ、磁気光学効果
を利用して読み出すことのできる光磁気記録膜に関する
ものである。
(従来の技術)
光メモリは大容量ファイルメモリの一つとして注目され
ている。中でも光磁気メモリは、記録層、←門 へ、t
h 5 tht ) Lj:fムレ−へ卆 フ し 1
− 上 訓上 す−七b イ 1、ることから、各
所で、盛んに研究されている。その記録層としては、希
土類金属と鉄族遷移金属との組み合せによって作製され
る非晶質磁性薄膜が、記録感度が高い、粒界ノイズがな
い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作
れるなどの利点を有するため、最も有望視されている。
ている。中でも光磁気メモリは、記録層、←門 へ、t
h 5 tht ) Lj:fムレ−へ卆 フ し 1
− 上 訓上 す−七b イ 1、ることから、各
所で、盛んに研究されている。その記録層としては、希
土類金属と鉄族遷移金属との組み合せによって作製され
る非晶質磁性薄膜が、記録感度が高い、粒界ノイズがな
い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作
れるなどの利点を有するため、最も有望視されている。
希土類金属としては、Tb、Gd、Dy、Ho、鉄族遷
移金属としてはFe、Coが主に用いられている。
移金属としてはFe、Coが主に用いられている。
従来、鉄族遷移金属の中で、Niを用いたものは、殆ど
の希土類金属との組み合せにおいて、キューり温度Tc
が室温より低くなるために、記録膜として検討された報
告は見られない。わずかに、Hoとの組み合せによる蒸
着膜においてTcが室温以上になるとの報告があるが、
その磁気特性及び磁気光学特性は不明のままである。
の希土類金属との組み合せにおいて、キューり温度Tc
が室温より低くなるために、記録膜として検討された報
告は見られない。わずかに、Hoとの組み合せによる蒸
着膜においてTcが室温以上になるとの報告があるが、
その磁気特性及び磁気光学特性は不明のままである。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明の目的は、鉄族遷移金属として、Niを用いた合
金膜の光磁気記録膜としての可能性を調べ、室温におい
て膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、さらに磁気光学
効果を有する記録膜を提供することにある。
金膜の光磁気記録膜としての可能性を調べ、室温におい
て膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、さらに磁気光学
効果を有する記録膜を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明の光磁気記録膜は膜面に垂直方向に磁化容易軸を
有する非晶質Ho−Ni二元系合金薄膜から成り、HO
が8原子%以下含有されていることを特徴とする。
有する非晶質Ho−Ni二元系合金薄膜から成り、HO
が8原子%以下含有されていることを特徴とする。
(実施例)
以下、本発明を実施例を用いて説明する。ガラス基板上
に記録膜として厚さ1000人のHoNi膜、その上に
保護膜として、厚さ1000人のSiN膜を形成した。
に記録膜として厚さ1000人のHoNi膜、その上に
保護膜として、厚さ1000人のSiN膜を形成した。
各々の膜は、マグネトロンスパッタにより、真空を破る
ことなく連続に形成した。HoNi記録膜は、Ni円板
上に、Hoチップを配した複合ターゲットを用いArガ
ス雰囲気で、パワー密度2W/cm2、スパッタガス圧
7 X 10−”Paで作製した。膜組成は、Hoのチ
ップ数によって変化させた。SiN保護膜はSiターゲ
ットに対してArとN2の混合ガス(20%N2)をス
パッタガスとして、パワー密度4.4W/cm2、スパ
ッタガス圧7X10−”Paで作製した。
ことなく連続に形成した。HoNi記録膜は、Ni円板
上に、Hoチップを配した複合ターゲットを用いArガ
ス雰囲気で、パワー密度2W/cm2、スパッタガス圧
7 X 10−”Paで作製した。膜組成は、Hoのチ
ップ数によって変化させた。SiN保護膜はSiターゲ
ットに対してArとN2の混合ガス(20%N2)をス
パッタガスとして、パワー密度4.4W/cm2、スパ
ッタガス圧7X10−”Paで作製した。
記録膜の磁化特性及び磁気光学特性は、VSM及びカー
ヒステリシスにより、それぞれ測定した。
ヒステリシスにより、それぞれ測定した。
第1図に飽和磁化MsとHo量との関係を示す。
MsはHo量の増加に伴い、単調に減少している。
Ho量8原子%以下のHoNi膜は室温において強磁性
を示すことがわかる。
を示すことがわかる。
第2図及び第3図に、no量3原子%の試料に対する磁
化曲線及び、ポーラーカー効果によるカーヒステリシス
曲線を示す。これらは、垂直(膜厚)方向に磁気異方性
を有することを示している。
化曲線及び、ポーラーカー効果によるカーヒステリシス
曲線を示す。これらは、垂直(膜厚)方向に磁気異方性
を有することを示している。
第4図に、異方性磁界(Hkeff)と、垂直(膜厚)
方向抗磁力Hc(1)とHo量との関係を示す。Hke
ffは、Ho量5原子%以下で、IKOe近い大きさに
なり、この範囲でHe(上)が約3000eになってい
る。この範囲で、より良好な垂直磁化膜が得られること
を示唆している。
方向抗磁力Hc(1)とHo量との関係を示す。Hke
ffは、Ho量5原子%以下で、IKOe近い大きさに
なり、この範囲でHe(上)が約3000eになってい
る。この範囲で、より良好な垂直磁化膜が得られること
を示唆している。
第5図にカー回転角の飽和値(θks)及び、カー回転
角の残留値(θks)とHo量の関係を示す。
角の残留値(θks)とHo量の関係を示す。
θに8及びθkrは、垂直方向の磁化成分に対応した値
を示しHoの増加と共に単調に減少している。
を示しHoの増加と共に単調に減少している。
(発明の効果)
本発明によれば、鉄族遷移金属のNiに対して、スパッ
タリングにより希土類金属Hoを固溶させることによっ
て、室温において膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、
さらに磁気光学効果を有する記録膜を提供できる。
タリングにより希土類金属Hoを固溶させることによっ
て、室温において膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、
さらに磁気光学効果を有する記録膜を提供できる。
第1図は本発明に係るHoNi膜の飽和磁化MsとHo
量の関係を示す図、第2図及び第3図は磁化曲線及びカ
ーヒステリシス曲線を示す図、第4図は異方性磁界Hk
eff及び垂直方向抗磁力HeC工〕とHo量の関係を
示す図、第5図はカー回転角飽和値θに8及びカー口片
1 口 1−1o Content X (Atom’10
);+ 3 図 ε 吟 Φ 石 と ざ コC 第4口 )(o Content x (Atom%)オ
5 口
量の関係を示す図、第2図及び第3図は磁化曲線及びカ
ーヒステリシス曲線を示す図、第4図は異方性磁界Hk
eff及び垂直方向抗磁力HeC工〕とHo量の関係を
示す図、第5図はカー回転角飽和値θに8及びカー口片
1 口 1−1o Content X (Atom’10
);+ 3 図 ε 吟 Φ 石 と ざ コC 第4口 )(o Content x (Atom%)オ
5 口
Claims (1)
- (1)膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する非晶質Ho
−Ni二元系合金薄膜から成り、Hoが8原子%以下含
有されていることを特徴とする光磁気記録膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092787A JPS63188841A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光磁気記録膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092787A JPS63188841A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光磁気記録膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63188841A true JPS63188841A (ja) | 1988-08-04 |
JPH053059B2 JPH053059B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=12040849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2092787A Granted JPS63188841A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光磁気記録膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63188841A (ja) |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2092787A patent/JPS63188841A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH053059B2 (ja) | 1993-01-13 |
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