JPS6066349A - 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光熱磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS6066349A JPS6066349A JP58174148A JP17414883A JPS6066349A JP S6066349 A JPS6066349 A JP S6066349A JP 58174148 A JP58174148 A JP 58174148A JP 17414883 A JP17414883 A JP 17414883A JP S6066349 A JPS6066349 A JP S6066349A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、高密度記録が可能な光（熱）磁気メモリに
用いられる光熱磁気記録媒体とその製造方法に関するも
のである。
用いられる光熱磁気記録媒体とその製造方法に関するも
のである。
光（熱）磁気メモリは保磁力Ｈｅの高い垂直磁化膜のあ
る微小部分をレーザ光などで局部的に加熱して、磁化反
転を起こさせ、これに情報を付与するメモリであり、情
報の読み出しく再生）には磁気カー効果（Ｍａｇｎｅｔ
ｏ−ｏｐｔｉｃａｌ Ｋｅｒｒ ｅｆｆｅｃｔ）または
７７ラデー効果（Ｆａｒａｄａｙ ｅｆｆｅｃｔ ）に
よる反射光または透過光の偏光面の回転の有無を検出す
ることで行われる。読み出しに磁気カー効果を使うかフ
ァラデー効果を使うかは媒体が何か、どんなシステム構
成にするかで決められるが、現在考えられているシステ
ムでは磁気カー効果を利用するものが多い。
る微小部分をレーザ光などで局部的に加熱して、磁化反
転を起こさせ、これに情報を付与するメモリであり、情
報の読み出しく再生）には磁気カー効果（Ｍａｇｎｅｔ
ｏ−ｏｐｔｉｃａｌ Ｋｅｒｒ ｅｆｆｅｃｔ）または
７７ラデー効果（Ｆａｒａｄａｙ ｅｆｆｅｃｔ ）に
よる反射光または透過光の偏光面の回転の有無を検出す
ることで行われる。読み出しに磁気カー効果を使うかフ
ァラデー効果を使うかは媒体が何か、どんなシステム構
成にするかで決められるが、現在考えられているシステ
ムでは磁気カー効果を利用するものが多い。
光（熱）磁気記録媒体としては次のような特性が要求さ
れる。１）保磁力Ｈｃの大きな垂直磁化膜であること。
れる。１）保磁力Ｈｃの大きな垂直磁化膜であること。
２）磁気光学カー回転角θｋまたはファラデー回転角θ
Ｆが大きく、かつ反射率が高いこと（ファラデー効果の
場合は吸収率が低いこと）。３）キュリ一温度Ｔｃまた
は磁気補償温度Ｔ ｃａｍｐが適当な値であること。４
）記録ビット径が小さく、マージンが広く、安定である
こと。
Ｆが大きく、かつ反射率が高いこと（ファラデー効果の
場合は吸収率が低いこと）。３）キュリ一温度Ｔｃまた
は磁気補償温度Ｔ ｃａｍｐが適当な値であること。４
）記録ビット径が小さく、マージンが広く、安定である
こと。
５）化学的に安定であること。６）組成の均一な大面積
の１１りが作り易く再現性があること。７）欠陥や結晶
粒界などによる媒体ノイズが少ないこと。
の１１りが作り易く再現性があること。７）欠陥や結晶
粒界などによる媒体ノイズが少ないこと。
一方、光熱磁気記録材料としては、現在までにＭｎＢ１
、ＭｎＣｕＢ１ 、ＭｎＡｌＧｅ 、ＭｎＧａＧｅ、
希土類磁性ガーネット系ＬＰＥｎ莫、希土類遷移金属系
非晶質合金膜などが研究されている。
、ＭｎＣｕＢ１ 、ＭｎＡｌＧｅ 、ＭｎＧａＧｅ、
希土類磁性ガーネット系ＬＰＥｎ莫、希土類遷移金属系
非晶質合金膜などが研究されている。
以上のような光熱磁気記録材料にはそれぞれ長所と短所
とがあるが、中でも共通している短所は磁気光学カー回
転角θになどの磁気光学効果が小さいことである。
とがあるが、中でも共通している短所は磁気光学カー回
転角θになどの磁気光学効果が小さいことである。
とりわけ、希土類遷移金属Ｒ−Ｔ（Ｒ：希」二類元素、
Ｔ；遷移元素）系非晶質合金膜は前記の記録媒体として
の要件をかなり満たしており、注目されているが、磁気
光学カー回転角Ｏｋが小さいこと（このことは、θｋが
同程度ならば反射率Ｒが大きな垂直磁化膜を作製するこ
とでも改良につながることは言うまでもない）が応用へ
の最も大きな障壁となっている。
Ｔ；遷移元素）系非晶質合金膜は前記の記録媒体として
の要件をかなり満たしており、注目されているが、磁気
光学カー回転角Ｏｋが小さいこと（このことは、θｋが
同程度ならば反射率Ｒが大きな垂直磁化膜を作製するこ
とでも改良につながることは言うまでもない）が応用へ
の最も大きな障壁となっている。
本来、磁性体の極磁気光学カー回転角θにはその物質の
表面層数召人程度における電子構造に由来するもので固
有の物理量であり、そのため波長によって変化する。ま
た、この効果は光の反射に対するものであるので、当然
、酸化や汚れなどの表面状態に著しく依存することが知
られている。これらの事情は、例えば■Ｊ 、 Ｊ 、
Ｅ ｒｓｋｉｎｅｅｔ ａｌ、、Ｐｈｙｓ Ｒｅｖ、
Ｂ−８（１９７３） Ｆ 、 １２３９、■Ｔ 、
Ｋａｔａｙａｍａ、ｅｔ ａｔ、、 Ｐｒｏｃ、４ｔｈ
。
表面層数召人程度における電子構造に由来するもので固
有の物理量であり、そのため波長によって変化する。ま
た、この効果は光の反射に対するものであるので、当然
、酸化や汚れなどの表面状態に著しく依存することが知
られている。これらの事情は、例えば■Ｊ 、 Ｊ 、
Ｅ ｒｓｋｉｎｅｅｔ ａｌ、、Ｐｈｙｓ Ｒｅｖ、
Ｂ−８（１９７３） Ｆ 、 １２３９、■Ｔ 、
Ｋａｔａｙａｍａ、ｅｔ ａｔ、、 Ｐｒｏｃ、４ｔｈ
。
Ｉｎｔ、 Ｃｏｎｆ、Ｒａｐｉｄｌｙ Ｑｎｅｎｃｈｅ
ｄ Ｍｅｔａｌｓ Ｉ［。
ｄ Ｍｅｔａｌｓ Ｉ［。
（１９８２）Ｐ、９１５に述べられている。したがって
磁気光学カー回転角Ｏｋを増大させるには、物質の電子
構造を変えるか、または光の干渉などを利用してみかけ
上増大させる等の方法しか゛ ない。前者の方法には新
物質を見つけることが必要であり、そのため多くの努力
が払われているところである。
磁気光学カー回転角Ｏｋを増大させるには、物質の電子
構造を変えるか、または光の干渉などを利用してみかけ
上増大させる等の方法しか゛ ない。前者の方法には新
物質を見つけることが必要であり、そのため多くの努力
が払われているところである。
また、前述したように、磁気光学カー回転角θｋが同じ
ならば１反射率Ｒが高い記録媒体がよい。反射率Ｈの事
情については磁気光学カー回転角θにの場合とほとんど
同じである。つまり反射率Ｒは欠陥や酸化などの少ない
きれいな膜にすることで若干よくなるが、これもほとん
ど物質に固有の定数であるので、物質を変えるしか木質
的な改善は望めないわけである。
ならば１反射率Ｒが高い記録媒体がよい。反射率Ｈの事
情については磁気光学カー回転角θにの場合とほとんど
同じである。つまり反射率Ｒは欠陥や酸化などの少ない
きれいな膜にすることで若干よくなるが、これもほとん
ど物質に固有の定数であるので、物質を変えるしか木質
的な改善は望めないわけである。
磁性体の磁気光学効果はその物質の電子構造に由来して
おり１反射光を利用する磁気光学カー効果の場合は表面
層の数百穴が関与する。例えば、非晶質Ｒ−Ｔ合金膜で
は、紫外の短波長領域で希土類金属（Ｒ）原子の寄与が
大きく、赤外の長波長側になれば遷移金属（Ｔ）原子の
寄与か大きくなる。したがって、非晶質Ｒ＝Ｔ系合金合
金膜厚を７８０ｎｍとか８３０ｎｍとか半導体レーザで
使用する場合には、一般的には、遷移金ｊボの濃度が多
い方が磁気光学カー回転角Ｏｋが大きくなる。しかし、
ある程度の含有量を超えると、磁化の値が高くなりすぎ
たり、結晶化したりして、保磁力Ｈｃの大きな垂直磁化
膜ができにくくなり、光熱磁気記録媒体としては使用で
きなくなる。このように、磁気光学カー回転角θｋが大
きいということと保磁力Ｈｅの大きな垂直磁化膜ができ
るという条件は安易に両立しないのが現状である。
おり１反射光を利用する磁気光学カー効果の場合は表面
層の数百穴が関与する。例えば、非晶質Ｒ−Ｔ合金膜で
は、紫外の短波長領域で希土類金属（Ｒ）原子の寄与が
大きく、赤外の長波長側になれば遷移金属（Ｔ）原子の
寄与か大きくなる。したがって、非晶質Ｒ＝Ｔ系合金合
金膜厚を７８０ｎｍとか８３０ｎｍとか半導体レーザで
使用する場合には、一般的には、遷移金ｊボの濃度が多
い方が磁気光学カー回転角Ｏｋが大きくなる。しかし、
ある程度の含有量を超えると、磁化の値が高くなりすぎ
たり、結晶化したりして、保磁力Ｈｃの大きな垂直磁化
膜ができにくくなり、光熱磁気記録媒体としては使用で
きなくなる。このように、磁気光学カー回転角θｋが大
きいということと保磁力Ｈｅの大きな垂直磁化膜ができ
るという条件は安易に両立しないのが現状である。
また、他の例をあげれば、磁気バブル材料などで知られ
ているビスマス（Ｂｉ）などを添加した希土類命鉄系ガ
〜ネッ１−ＬＰＥＩＩり（一般式＝Ａ：Ｒ３（Ｇ ａ
Ｆ ｅ） ！＋ ０１２ 、 ココテＡはＢｉ。
ているビスマス（Ｂｉ）などを添加した希土類命鉄系ガ
〜ネッ１−ＬＰＥＩＩり（一般式＝Ａ：Ｒ３（Ｇ ａ
Ｆ ｅ） ！＋ ０１２ 、 ココテＡはＢｉ。
Ｐｂなど、Ｒは１つ以」二の希土類元素）がある。
この系列の膜は可視光より長波長で透明で、磁気光学効
果（ファラデー回転角）も大きいが、保磁力Ｈｃが低い
ことと高価であることが、これらの光熱磁気記録媒体と
しての応用を妨げている。このため、Ｆｅの一部をＣｏ
で置換して磁気異方性を大きくしたり、全く趣向を変え
て、別の記録媒体に書き込まれたものを転写して読み出
すための磁気転写膜としての応用などが考えられている
。
果（ファラデー回転角）も大きいが、保磁力Ｈｃが低い
ことと高価であることが、これらの光熱磁気記録媒体と
しての応用を妨げている。このため、Ｆｅの一部をＣｏ
で置換して磁気異方性を大きくしたり、全く趣向を変え
て、別の記録媒体に書き込まれたものを転写して読み出
すための磁気転写膜としての応用などが考えられている
。
さらに、他の例としては、最近磁気光学カー効果が極め
て大きいＰｔＭｎＳｂの組成を持つホイスラー合金が見
い出されたが、（■Ｐ、Ｇ、ＶａｎＥｎｇｅｎ ｅｔ
ａｌ 、、Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、４２（２
）（１９８３）Ｐ、２０２）保磁力Ｈｃが小さく、垂直
磁化膜にすることはむずかしい。このように、一般には
保磁力Ｈｅが高い垂直磁化膜で、しかも磁気光学カー回
転角θにの大きいものを作製することはむずかしいこと
である。
て大きいＰｔＭｎＳｂの組成を持つホイスラー合金が見
い出されたが、（■Ｐ、Ｇ、ＶａｎＥｎｇｅｎ ｅｔ
ａｌ 、、Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、４２（２
）（１９８３）Ｐ、２０２）保磁力Ｈｃが小さく、垂直
磁化膜にすることはむずかしい。このように、一般には
保磁力Ｈｅが高い垂直磁化膜で、しかも磁気光学カー回
転角θにの大きいものを作製することはむずかしいこと
である。
また、下層に書き込み層として高い保磁力Ｈｃの垂直磁
化膜を配置し、上層には読み出し層として低い保磁力Ｈ
ｅで、磁気光学カー回転角θにの大きな垂直磁化膜を配
置して光熱磁気記録媒体の構造とするアイデアもあった
が、この場合はあくまで２つの膜による磁気転写が基本
であり、後述するこの発明とは思想的に別のものである
。すなわち、上記従来例には、上層の磁性体が磁性ガー
ネット膜のように透明なものの場合に限り書き込みと読
み出しとが上層から行なわれるが、合金膜など不透明な
ものの場合には通常、書き込みは基板側から、読み出し
は上層からというようにそれぞれ態別の方向から行われ
るようになっているもので、基体となる高い保磁力Ｈｃ
の垂直磁化膜に記録されたビットの静磁気力によって低
い保磁力Ｈｃの層にビットが転写される機構である。
化膜を配置し、上層には読み出し層として低い保磁力Ｈ
ｅで、磁気光学カー回転角θにの大きな垂直磁化膜を配
置して光熱磁気記録媒体の構造とするアイデアもあった
が、この場合はあくまで２つの膜による磁気転写が基本
であり、後述するこの発明とは思想的に別のものである
。すなわち、上記従来例には、上層の磁性体が磁性ガー
ネット膜のように透明なものの場合に限り書き込みと読
み出しとが上層から行なわれるが、合金膜など不透明な
ものの場合には通常、書き込みは基板側から、読み出し
は上層からというようにそれぞれ態別の方向から行われ
るようになっているもので、基体となる高い保磁力Ｈｃ
の垂直磁化膜に記録されたビットの静磁気力によって低
い保磁力Ｈｃの層にビットが転写される機構である。
この発明は上記の点にかんがみてなされたもので、高精
度の多層膜作製技術を用いて高い保磁力Ｈｃの垂直磁化
膜の上に、この膜と磁気的相互作用があり、磁気光学カ
ー回転角θにの符号が同じで、かつ磁気光学カー回転角
θｋまたは反射率Ｈの大きな磁性体（この膜のみのとき
は、保磁力Ｈｃが高い必要はなく、しかも必ずしも垂直
磁化Ｉｌ臭である必要はない）を、光の侵入距離以下の
厚みになるように、一層以上の多層に極く薄く伺着させ
ることによって、基体となる垂直磁化膜（第１磁性層と
いう）のキュリ一温度Ｔｃや保磁力Ｈｅなどを変化させ
ずに、磁気的な交換結合により実質的に同一の垂直磁化
膜とみなせる磁気光学カー回転角θｋまたは反射率Ｒの
大きな光熱磁気記録媒体を提供することを目的としたも
ので、この発明による光熱磁気記録媒体では、磁気光学
的手段を上層と下層とに分離できるが、他の磁気的物質
からでは全く同一のものとしかみなせないもので、した
がって書き込みも読み出しも全く１つの物質として扱っ
てもよく磁気転写とは機構と効果が全く異なっているも
のである。これらのことは酸化の少ない雰囲気下での数
十人台の制御された高度な膜製作技術の上に立ってはじ
めて明らかにされた磁気的相互作用および磁気カー効果
をもとになされたものである。なお、以下の説明では、
事情ｌオはぼ同じなので、主に磁気光学カー回転角θに
４こついて説明し２反射率Ｈについては必要な個所での
み述べることにする。
度の多層膜作製技術を用いて高い保磁力Ｈｃの垂直磁化
膜の上に、この膜と磁気的相互作用があり、磁気光学カ
ー回転角θにの符号が同じで、かつ磁気光学カー回転角
θｋまたは反射率Ｈの大きな磁性体（この膜のみのとき
は、保磁力Ｈｃが高い必要はなく、しかも必ずしも垂直
磁化Ｉｌ臭である必要はない）を、光の侵入距離以下の
厚みになるように、一層以上の多層に極く薄く伺着させ
ることによって、基体となる垂直磁化膜（第１磁性層と
いう）のキュリ一温度Ｔｃや保磁力Ｈｅなどを変化させ
ずに、磁気的な交換結合により実質的に同一の垂直磁化
膜とみなせる磁気光学カー回転角θｋまたは反射率Ｒの
大きな光熱磁気記録媒体を提供することを目的としたも
ので、この発明による光熱磁気記録媒体では、磁気光学
的手段を上層と下層とに分離できるが、他の磁気的物質
からでは全く同一のものとしかみなせないもので、した
がって書き込みも読み出しも全く１つの物質として扱っ
てもよく磁気転写とは機構と効果が全く異なっているも
のである。これらのことは酸化の少ない雰囲気下での数
十人台の制御された高度な膜製作技術の上に立ってはじ
めて明らかにされた磁気的相互作用および磁気カー効果
をもとになされたものである。なお、以下の説明では、
事情ｌオはぼ同じなので、主に磁気光学カー回転角θに
４こついて説明し２反射率Ｈについては必要な個所での
み述べることにする。
第１図はこの発明の一実施例を示す光熱磁気記録媒体の
断面を示す概略構成図である。この図において１は基板
で、ガラスやＰＭＭＡやＰＣなどが使用されており、こ
の基板１上に、キュリ一温度Ｔｃもしくは磁気補償温度
Ｔ ｃａｍｐが適当で保磁力Ｈｃの大きな垂直磁化膜の
第１磁性層２を比較的厚＜： （１０００〜５０００人
程度）伺着させた後、その上に直接、できるだけ速やか
に、空気にさらすことなく、真空中で磁気的結合と磁気
光学カー回転角θにの符号が同じで、かつ磁気光学カー
回転角θｋが大きな第２磁性層３を一層または多層にし
て全体の厚みが光の侵入距離以下になるように被着させ
、最後にこの第２磁性層３を保護するため回−の真空中
で、５ｉ０２ 、ＳｔＯ，ＭｇＦ２Ｍ ｇ ＯＬ Ａ
ｌ ２０３． Ｚ ｎ Ｓなど適当な透明誘電体膜４を
める厚みに付着させたものである。
断面を示す概略構成図である。この図において１は基板
で、ガラスやＰＭＭＡやＰＣなどが使用されており、こ
の基板１上に、キュリ一温度Ｔｃもしくは磁気補償温度
Ｔ ｃａｍｐが適当で保磁力Ｈｃの大きな垂直磁化膜の
第１磁性層２を比較的厚＜： （１０００〜５０００人
程度）伺着させた後、その上に直接、できるだけ速やか
に、空気にさらすことなく、真空中で磁気的結合と磁気
光学カー回転角θにの符号が同じで、かつ磁気光学カー
回転角θｋが大きな第２磁性層３を一層または多層にし
て全体の厚みが光の侵入距離以下になるように被着させ
、最後にこの第２磁性層３を保護するため回−の真空中
で、５ｉ０２ 、ＳｔＯ，ＭｇＦ２Ｍ ｇ ＯＬ Ａ
ｌ ２０３． Ｚ ｎ Ｓなど適当な透明誘電体膜４を
める厚みに付着させたものである。
ここで、第１磁性層２に用いる材料は保磁力Ｈｃが大き
くキュリ一温度Ｔｃまたは磁気補償温度Ｔｃｏｍｐの値
が適当な値である垂直磁化膜であれば何でもよいが、Ｒ
−Ｔ系非晶質膜（Ｒ：Ｇｄ。
くキュリ一温度Ｔｃまたは磁気補償温度Ｔｃｏｍｐの値
が適当な値である垂直磁化膜であれば何でもよいが、Ｒ
−Ｔ系非晶質膜（Ｒ：Ｇｄ。
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏなど希土類元素の単体または複
合体、Ｔ：Ｆｅ、Ｃｏなど遷移金属および他の添加物を
含む単体または複合体）、ＭｎＣｕＢ１ 、ＭｎＡｌＧ
ｅ、ＭｎＧａＧｅ 、ＰｔＣｏなどの垂直磁化膜が対象
とされる。
合体、Ｔ：Ｆｅ、Ｃｏなど遷移金属および他の添加物を
含む単体または複合体）、ＭｎＣｕＢ１ 、ＭｎＡｌＧ
ｅ、ＭｎＧａＧｅ 、ＰｔＣｏなどの垂直磁化膜が対象
とされる。
一方、第２磁性層３の材料としてはキュリ一温度Ｔｃや
磁気補償温度Ｔ ｃａｍｐ、保磁力Ｈｃ等に関係なく、
ただ磁気光学カー回転角θにの大きい磁性体であること
、または、反射率Ｒが大きな磁性体であることが必須条
件である。膜としては各々が垂直磁化膜であるものが最
」二であるが磁化が低く、かつ面内に強い磁気異方性が
生成するものでない限り対象とされる。具体的には高い
遷移元素濃度のＲ−Ｔ系非晶質膜（ＧｄＣＯ，ＧｄＴｂ
ＣｏＦｅ 、ＧｄＴｂＣｏＦｅＢ１など、他にＳｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉなどの添加物を含むものでもよい）ＭｎＣｕＳ
ｂ 、ＰｔＭｎ５ ｂ 、ＦｅＳ ｂ 。
磁気補償温度Ｔ ｃａｍｐ、保磁力Ｈｃ等に関係なく、
ただ磁気光学カー回転角θにの大きい磁性体であること
、または、反射率Ｒが大きな磁性体であることが必須条
件である。膜としては各々が垂直磁化膜であるものが最
」二であるが磁化が低く、かつ面内に強い磁気異方性が
生成するものでない限り対象とされる。具体的には高い
遷移元素濃度のＲ−Ｔ系非晶質膜（ＧｄＣＯ，ＧｄＴｂ
ＣｏＦｅ 、ＧｄＴｂＣｏＦｅＢ１など、他にＳｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉなどの添加物を含むものでもよい）ＭｎＣｕＳ
ｂ 、ＰｔＭｎ５ ｂ 、ＦｅＳ ｂ 。
ＦｅＭｎＢ１．ＣｏＭｎＳｂ、ＦｅＣｏなどが対象とさ
れる。この場合、磁化は低い方が有効である。Ｓ２磁性
層３は基本的には非常に薄い膜の多層構造膜の方がよい
が、単層膜でも極く薄い場合には同様の効果がある。こ
れらは、各々の磁性層が界面で互いに合金化している可
能性を示唆している。しかし、いずれにしても、第２磁
性層３の全体の厚みは光の侵入距霞し以下であることが
必要で、極く薄い場合には、単独では垂直磁化膜になり
にくいものでも、磁気的交換相互作用によりほとんど垂
直磁化膜的に動作することがわかった。
れる。この場合、磁化は低い方が有効である。Ｓ２磁性
層３は基本的には非常に薄い膜の多層構造膜の方がよい
が、単層膜でも極く薄い場合には同様の効果がある。こ
れらは、各々の磁性層が界面で互いに合金化している可
能性を示唆している。しかし、いずれにしても、第２磁
性層３の全体の厚みは光の侵入距霞し以下であることが
必要で、極く薄い場合には、単独では垂直磁化膜になり
にくいものでも、磁気的交換相互作用によりほとんど垂
直磁化膜的に動作することがわかった。
第２磁性層３が多層であるときには、すべて垂直磁化膜
か、または交互に垂直磁化膜であることが望ましい。ま
た、これら膜作製のすべての操作は各々の界面に酸化膜
が生成されるとよい効果が得られにくいので、表面酸化
を避けるため、すべて真空中で行われなければならない
。膜作製法としては、蒸着でもスパッタリングでもイオ
ンブレーティングでもよいが、膜厚が薄いので、高真空
装置と精度の高い膜厚制御が必要である。
か、または交互に垂直磁化膜であることが望ましい。ま
た、これら膜作製のすべての操作は各々の界面に酸化膜
が生成されるとよい効果が得られにくいので、表面酸化
を避けるため、すべて真空中で行われなければならない
。膜作製法としては、蒸着でもスパッタリングでもイオ
ンブレーティングでもよいが、膜厚が薄いので、高真空
装置と精度の高い膜厚制御が必要である。
さらにまた、基体となる光熱磁気記録媒体の表面層に適
当なイオンを注入することで、高い磁気光学カー回転角
θｋまたは反射率Ｒをまず物質構造に変えることによっ
ても、実質的に第１図と同様の構造を作り出すことがで
きる。
当なイオンを注入することで、高い磁気光学カー回転角
θｋまたは反射率Ｒをまず物質構造に変えることによっ
ても、実質的に第１図と同様の構造を作り出すことがで
きる。
第２図には実施例の１つとして、第１磁性層２として非
晶質ＴｂＦｅ垂直磁化膜（組成：はぼＴｂ２３ Ｆｅ７
７ 、以下特に断わらない限りほぼ同じ組成である）を
用いて、第２磁性層３の非晶質ＧｄＣＱＩＩり（組成’
Ｇｄ１９ Ｃｏ８１ ＋以下のＧｄＣｏ膜も同じ）の
厚みを変えたときの磁気光学カー回転角Ｏｋの波長依存
性の変化の特性を示した。これらの１１りにはすべて、
酸化防止用を兼ねて、５ｉ０２膜を、磁気光学カー回転
角θｋが大体波長λ＝７００ｎｍ付近の光に対してピー
クを示す厚みだけ、被覆してあり、磁気光学カー回転角
θにの波長依存性はこの１１りを通して、残留磁化状態
で測定したものである。これらの例では、ＦｅとＣｏの
磁気モーメントがそれぞれ平行になるように組成を選ん
であり、ＧｄＣｏ膜は基板バイアス（Ｖｂ）−１００Ｖ
のもとで作製した。
晶質ＴｂＦｅ垂直磁化膜（組成：はぼＴｂ２３ Ｆｅ７
７ 、以下特に断わらない限りほぼ同じ組成である）を
用いて、第２磁性層３の非晶質ＧｄＣＱＩＩり（組成’
Ｇｄ１９ Ｃｏ８１ ＋以下のＧｄＣｏ膜も同じ）の
厚みを変えたときの磁気光学カー回転角Ｏｋの波長依存
性の変化の特性を示した。これらの１１りにはすべて、
酸化防止用を兼ねて、５ｉ０２膜を、磁気光学カー回転
角θｋが大体波長λ＝７００ｎｍ付近の光に対してピー
クを示す厚みだけ、被覆してあり、磁気光学カー回転角
θにの波長依存性はこの１１りを通して、残留磁化状態
で測定したものである。これらの例では、ＦｅとＣｏの
磁気モーメントがそれぞれ平行になるように組成を選ん
であり、ＧｄＣｏ膜は基板バイアス（Ｖｂ）−１００Ｖ
のもとで作製した。
第２図で、曲線Ｉ、Ｖはそれぞれ非晶質ＴｂＦｅ垂直磁
化膜のみの場合と４非晶質Ｇ ｄＣＯ１１ｇのみの場合
であり、曲線■〜■は非晶質ＧｄＣ。
化膜のみの場合と４非晶質Ｇ ｄＣＯ１１ｇのみの場合
であり、曲線■〜■は非晶質ＧｄＣ。
ｎｅノ厚みｈを１００人、２００人および１ＯＯＯ人と
した場合を示す。
した場合を示す。
第２図でみるように、非晶質ＧｄＣ０膜を被着した媒体
では、ＴｂＦｅ膜だけの磁気光学カー回転角θにより大
きく、ＧｄＣｏが厚くなるにつれて大きくなるが、Ｇｄ
Ｃｏ膜をわずか１００Ａ被着するだけで急な増大がみら
れる。ＧｄＣｏ膜を厚くすると、膜面側からの書き込み
パワーが高くなり、厚くなりすぎると書き込みが不可能
になる。
では、ＴｂＦｅ膜だけの磁気光学カー回転角θにより大
きく、ＧｄＣｏが厚くなるにつれて大きくなるが、Ｇｄ
Ｃｏ膜をわずか１００Ａ被着するだけで急な増大がみら
れる。ＧｄＣｏ膜を厚くすると、膜面側からの書き込み
パワーが高くなり、厚くなりすぎると書き込みが不可能
になる。
第３図はＧｄＣｏ膜を被覆した面で測定した保磁力Ｈｅ
と第１磁性層２の’ｒｂＦｅ膜の保磁力Ｈｅの比を、Ｇ
ｄ Ｃｏ Ｈｚの厚みに対してプロ・ントしたもので
ある。第３図のように、ＧｄＣｏ膜の厚み１ｏｏｏＡで
は保磁力Ｈｃの低下がみられるが、極〈薄い範囲ではほ
とんど変化がない。ちなみに、ＧｄＣｏ膜だけでは保磁
力Ｈｃは約２００ｅ、ＴｂＦｅＭの保磁力Ｈｅは６〜７
ＫＯｅである。また、この発明の実施例による構造の膜
の磁化曲線を測定しても、薄いときには基体と区分でき
ず、１ｏｏｏＡ程度になってわずかにわかる程度である
。
と第１磁性層２の’ｒｂＦｅ膜の保磁力Ｈｅの比を、Ｇ
ｄ Ｃｏ Ｈｚの厚みに対してプロ・ントしたもので
ある。第３図のように、ＧｄＣｏ膜の厚み１ｏｏｏＡで
は保磁力Ｈｃの低下がみられるが、極〈薄い範囲ではほ
とんど変化がない。ちなみに、ＧｄＣｏ膜だけでは保磁
力Ｈｃは約２００ｅ、ＴｂＦｅＭの保磁力Ｈｅは６〜７
ＫＯｅである。また、この発明の実施例による構造の膜
の磁化曲線を測定しても、薄いときには基体と区分でき
ず、１ｏｏｏＡ程度になってわずかにわかる程度である
。
ｆ３４図には他の実施例として、基体である第１磁性層
２に非晶質ＴｂＦｅ１模を用いて、第２ｍ。
２に非晶質ＴｂＦｅ１模を用いて、第２ｍ。
住居３として非晶質ＧｄＴｂＣｏＦｅ膜を５０Ａ、２０
０Ａ、さらにそれぞれの上に５ｉＯｚを約４２０八被着
したときの磁気光学カー回転角Ｏｋの波長依存性を示し
た（曲線１［、ＩＶ’）。なお、曲線Ｉ、ＩＩはＴｂＦ
ｅ膜のみの場合と、ＧｄＴｂＣｏＦｅ膜のみの場合であ
る。また、曲線ＶはＧ４Ｔ、ｂＣｏＦｅ膜に５ｉ０２を
４２０人被着した膜での結果である。曲線■と曲線■の
波長入＝７００ｎｍにおける磁気光学カー回転角θにの
値はそれぞれ約−４５分と一４０分で、ＴｂＦｅ膜の場
合よりはるかに大きい。第４図には非晶質ＧｄＴｂＣｏ
Ｆｅ膜の本来の磁気光学カー回転角Ｏｋの波長依存性（
本来の極磁気光学カー回転角Ｏｋは何のコートもしてい
ない材料の真空自由表面で測定された値をいうが、作製
後直ちに測定するとあまり差がみられないことがわかっ
ているので、ここでは作製後直ちに空気中で測定したと
きの値を゛本来の値″として示した）を示したが、Ｔｂ
ＦｅやＧｄＣｏよりも磁気光学カー回転角θには全般に
大きくなっている。一般的傾向としては、多元の物質に
すると磁気光学カー回転角θには増大し、さらに、Ｓｎ
、Ｂｉ 、Ｓｂなどを添加すると、より増大することが
わかった。したがって、これらの添加物を含有するＲ−
Ｔ膜を用いれば磁気光学カー回転角θｋをさらに増大さ
せることができる。なお、磁気光学カー回転角θには組
成により異なるが、このＧ ｄＴ’ｂ Ｃｏ、Ｆ ｅｌ
ｌりの組成は、はぼＧｄ７ ’Ｔｂｌ ４ Ｃ，（１＋
１Ｆｅ３ｅである。また第４図の第２磁性層３をＧｄ
ＴｂＣｏＦｅ膜とＴｂＦｅ膜の多層構造にすると、さら
に良好な結果が得られた。なお、非晶質ＧｄＴｂＣ０Ｆ
ｅ膜のキュリ一温度ＴｃはＣｏ含有量が多くなるにつれ
てキュリ一温度Ｔｃが高くなるが、この実施例では第１
磁性層２の磁気特性が支配的なので、第２磁性層３がな
いときと同じようにキュリ一温度Ｔｃ書き込みが可能で
ある。さらに、第２磁性層３に垂直磁化膜にならないＣ
ｏ層を用いた場合でも、極めて薄く被着すると角型比は
減少するがほとんど垂直磁化膜的に動作し、磁気光学カ
ー回転角θにも増大した。
０Ａ、さらにそれぞれの上に５ｉＯｚを約４２０八被着
したときの磁気光学カー回転角Ｏｋの波長依存性を示し
た（曲線１［、ＩＶ’）。なお、曲線Ｉ、ＩＩはＴｂＦ
ｅ膜のみの場合と、ＧｄＴｂＣｏＦｅ膜のみの場合であ
る。また、曲線ＶはＧ４Ｔ、ｂＣｏＦｅ膜に５ｉ０２を
４２０人被着した膜での結果である。曲線■と曲線■の
波長入＝７００ｎｍにおける磁気光学カー回転角θにの
値はそれぞれ約−４５分と一４０分で、ＴｂＦｅ膜の場
合よりはるかに大きい。第４図には非晶質ＧｄＴｂＣｏ
Ｆｅ膜の本来の磁気光学カー回転角Ｏｋの波長依存性（
本来の極磁気光学カー回転角Ｏｋは何のコートもしてい
ない材料の真空自由表面で測定された値をいうが、作製
後直ちに測定するとあまり差がみられないことがわかっ
ているので、ここでは作製後直ちに空気中で測定したと
きの値を゛本来の値″として示した）を示したが、Ｔｂ
ＦｅやＧｄＣｏよりも磁気光学カー回転角θには全般に
大きくなっている。一般的傾向としては、多元の物質に
すると磁気光学カー回転角θには増大し、さらに、Ｓｎ
、Ｂｉ 、Ｓｂなどを添加すると、より増大することが
わかった。したがって、これらの添加物を含有するＲ−
Ｔ膜を用いれば磁気光学カー回転角θｋをさらに増大さ
せることができる。なお、磁気光学カー回転角θには組
成により異なるが、このＧ ｄＴ’ｂ Ｃｏ、Ｆ ｅｌ
ｌりの組成は、はぼＧｄ７ ’Ｔｂｌ ４ Ｃ，（１＋
１Ｆｅ３ｅである。また第４図の第２磁性層３をＧｄ
ＴｂＣｏＦｅ膜とＴｂＦｅ膜の多層構造にすると、さら
に良好な結果が得られた。なお、非晶質ＧｄＴｂＣ０Ｆ
ｅ膜のキュリ一温度ＴｃはＣｏ含有量が多くなるにつれ
てキュリ一温度Ｔｃが高くなるが、この実施例では第１
磁性層２の磁気特性が支配的なので、第２磁性層３がな
いときと同じようにキュリ一温度Ｔｃ書き込みが可能で
ある。さらに、第２磁性層３に垂直磁化膜にならないＣ
ｏ層を用いた場合でも、極めて薄く被着すると角型比は
減少するがほとんど垂直磁化膜的に動作し、磁気光学カ
ー回転角θにも増大した。
第５図は、第４図で示した非晶質ＴｂＦｅ膜多層構造膜
（非晶質ＴｂＦｅ十非晶質ＧｄＴｂＣｏＦｅ （２００
人）膜（Ｓ ｉ ０２被着）と、非晶ＪＴｂＦｅ＋Ｔｂ
Ｆｅ７０入ＴｂＣｏＦｅ７０入、ＴｂＦｅ７０入、Ｇｄ
ＴｂＣｏＦｅ７０人）（ＳｉＯ２被着）第７図参照）
（曲線■）での反射率Ｒの波長依存性を示した。これら
の膜はＳｉｏ２を約４２０Ａ被着しであるので、波長入
が７００ｎｍ付近に反射率Ｈの極小があるが、後者２つ
の反射率か高い。このように反Ｑ４イ４Ｒが高いことは
読み出し時のＳ／Ｎを改善し、磁気光゛学力−回転角Ｏ
ｋが増大したと同等の効果を与える。
（非晶質ＴｂＦｅ十非晶質ＧｄＴｂＣｏＦｅ （２００
人）膜（Ｓ ｉ ０２被着）と、非晶ＪＴｂＦｅ＋Ｔｂ
Ｆｅ７０入ＴｂＣｏＦｅ７０入、ＴｂＦｅ７０入、Ｇｄ
ＴｂＣｏＦｅ７０人）（ＳｉＯ２被着）第７図参照）
（曲線■）での反射率Ｒの波長依存性を示した。これら
の膜はＳｉｏ２を約４２０Ａ被着しであるので、波長入
が７００ｎｍ付近に反射率Ｈの極小があるが、後者２つ
の反射率か高い。このように反Ｑ４イ４Ｒが高いことは
読み出し時のＳ／Ｎを改善し、磁気光゛学力−回転角Ｏ
ｋが増大したと同等の効果を与える。
これまでの例は、蒸着、スパッタリング、イオンプレー
テングあるいはイオン注入などで行われるが、なかでも
スパッタリング法を用いる場合には、選枳的再スパッタ
効果による組成のずれと磁気異方性の変化（これについ
ては■Ｔ 、 Ｋ ａｔａｙａ−ｍａ ｅｔ ａｌ、
Ｊ、 Ｍａｇ、 Ｍａｇｎ、 Ｍａｔ３５ （１９８３
）Ｐ、２３５に詳しく述べられている）を利用して、上
記と同じ構造の光熱磁気記録媒体をつくることができる
。例えば、非晶質ＴｂＦｅ膜を川た電圧を印加して第２
磁性層３を光の侵入距離以下に被着させることにより、
前記実施例と同様の構造をもつ光熱磁気記録媒体を作製
することができる。この方法だと一種類のターゲットで
よく、装置構成が単純となりバイアスコントロールも比
較釣行ないやすく製作が楽である。第６図はこの実施例
である。
テングあるいはイオン注入などで行われるが、なかでも
スパッタリング法を用いる場合には、選枳的再スパッタ
効果による組成のずれと磁気異方性の変化（これについ
ては■Ｔ 、 Ｋ ａｔａｙａ−ｍａ ｅｔ ａｌ、
Ｊ、 Ｍａｇ、 Ｍａｇｎ、 Ｍａｔ３５ （１９８３
）Ｐ、２３５に詳しく述べられている）を利用して、上
記と同じ構造の光熱磁気記録媒体をつくることができる
。例えば、非晶質ＴｂＦｅ膜を川た電圧を印加して第２
磁性層３を光の侵入距離以下に被着させることにより、
前記実施例と同様の構造をもつ光熱磁気記録媒体を作製
することができる。この方法だと一種類のターゲットで
よく、装置構成が単純となりバイアスコントロールも比
較釣行ないやすく製作が楽である。第６図はこの実施例
である。
すなわち、Ｖｂ＝ＩＶで作製した非晶質ＴｂＦｅ膜（第
１磁性層２）上に、さらに、ｖｂ＝１２０ｖで非晶質Ｔ
ｂＦｅ膜を被着させていったときの磁気光学カー回転角
Ｏｋの波長依存性である。表面には、前例と同様、５ｉ
０２を磁気光学カー回転角Ｏｋが波長入＝７００ｎｍ付
近でピークになるように被着しである。
１磁性層２）上に、さらに、ｖｂ＝１２０ｖで非晶質Ｔ
ｂＦｅ膜を被着させていったときの磁気光学カー回転角
Ｏｋの波長依存性である。表面には、前例と同様、５ｉ
０２を磁気光学カー回転角Ｏｋが波長入＝７００ｎｍ付
近でピークになるように被着しである。
第６図で曲線■は非晶質ＴｂＦｅ膜のみの場合、曲線■
、■は非晶質ＴｂＦｅ膜の上に第２の非晶質ＴｂＦｅ膜
を２００人、４００人形成した多層構造膜の場合である
。
、■は非晶質ＴｂＦｅ膜の上に第２の非晶質ＴｂＦｅ膜
を２００人、４００人形成した多層構造膜の場合である
。
第６図かられかるように、Ｖｂ＝−１２０Ｖの条件（再
スパツタ効果により膜組成が高いＦｅ濃度になっている
）で作製したＴｂＦｅ膜の被着により、波長入−７００
ｎｍ伺近の磁気光学カー回転角θｋが著しく増大してい
る。この場合、第２磁性層３内を垂直磁気異方性が誘起
されるバイアス範囲でバイアスｖｂを変えて組成の異な
る多層構造にしてもよいが、この際のメリットは保磁力
Ｈｃが大きく、記録ビットの安定性がよくなることであ
る。この方法で作製したＦｅ系の磁気記録媒体では、第
２ｒｒＩｉ性Ｍ３のキュリ一温度Ｔｃが第１磁性層２の
キュリ一温度Ｔｃよりわずかに低いので、書き込みパワ
ーは若干低くてもよい。なお、第１と第２磁性層２，３
ではスピンなＴとＴ、ＲとＲが平行になるようにする。
スパツタ効果により膜組成が高いＦｅ濃度になっている
）で作製したＴｂＦｅ膜の被着により、波長入−７００
ｎｍ伺近の磁気光学カー回転角θｋが著しく増大してい
る。この場合、第２磁性層３内を垂直磁気異方性が誘起
されるバイアス範囲でバイアスｖｂを変えて組成の異な
る多層構造にしてもよいが、この際のメリットは保磁力
Ｈｃが大きく、記録ビットの安定性がよくなることであ
る。この方法で作製したＦｅ系の磁気記録媒体では、第
２ｒｒＩｉ性Ｍ３のキュリ一温度Ｔｃが第１磁性層２の
キュリ一温度Ｔｃよりわずかに低いので、書き込みパワ
ーは若干低くてもよい。なお、第１と第２磁性層２，３
ではスピンなＴとＴ、ＲとＲが平行になるようにする。
Ｒ−Ｔ系非気記録媒体を作製することができる。Ｒ−Ｔ
系非晶質膜の垂直磁気異方性Ｋｕが誘起されるｖｂやＰ
＾「の範囲は材料によって異なっており、必ずしも定ま
った値とは限らない（Ｔ、 Ｋａｔａｙａｍａ ｅｔａ
ｌ、； Ｉ ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ、ＭＡ Ｇ
−１３（１９７７）Ｐ、１０６３および前記引用文献■
参照）。
系非晶質膜の垂直磁気異方性Ｋｕが誘起されるｖｂやＰ
＾「の範囲は材料によって異なっており、必ずしも定ま
った値とは限らない（Ｔ、 Ｋａｔａｙａｍａ ｅｔａ
ｌ、； Ｉ ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ、ＭＡ Ｇ
−１３（１９７７）Ｐ、１０６３および前記引用文献■
参照）。
先に、第２磁性層３は基本的には非常に薄い膜からなる
多層構造の膜の方が効果があることを述べたが、その一
つの例として第７図に、ガラスの基板１上の厚さ５００
０人の非晶質ＴｂＦｅ膜を第１磁性層２とし、その上に
、ＧｄＴｂＣｏＦｅ１模を７０人、ＴｂＦｅ１模を７０
人、さらにＧｄＴｂＣｏＦｅ１ｌりを７０人重ねて三層
の第２磁性層３とし、この上を第２図〜第６図の場合と
同様、ＳｉＯ２で被覆した構造の記録媒体における磁気
光学カー回転角θにの波長依存性を示した。この場合の
第２磁性層３は三層であるが、波長λが７００ｎｍのと
きの磁気光学カー回転角θにの値を比較すると、ｆ５４
図のＧｄＴｂＣｏＦｅの厚みが約２００人のときのθに
の値より約１分高くなっている。この例のように、第２
磁性層３としては非常に薄い膜を了察に重ねた層である
方が効果は高く、しかも、ヒステリシス曲線の角型比や
保磁力Ｈｃは増大するが（第７図の例では角型比はほぼ
１であり、保磁力Ｈｅは約４ＫＯｅであった）、第１義
的には光の侵入深さ以下であれば単層でもよい。
多層構造の膜の方が効果があることを述べたが、その一
つの例として第７図に、ガラスの基板１上の厚さ５００
０人の非晶質ＴｂＦｅ膜を第１磁性層２とし、その上に
、ＧｄＴｂＣｏＦｅ１模を７０人、ＴｂＦｅ１模を７０
人、さらにＧｄＴｂＣｏＦｅ１ｌりを７０人重ねて三層
の第２磁性層３とし、この上を第２図〜第６図の場合と
同様、ＳｉＯ２で被覆した構造の記録媒体における磁気
光学カー回転角θにの波長依存性を示した。この場合の
第２磁性層３は三層であるが、波長λが７００ｎｍのと
きの磁気光学カー回転角θにの値を比較すると、ｆ５４
図のＧｄＴｂＣｏＦｅの厚みが約２００人のときのθに
の値より約１分高くなっている。この例のように、第２
磁性層３としては非常に薄い膜を了察に重ねた層である
方が効果は高く、しかも、ヒステリシス曲線の角型比や
保磁力Ｈｃは増大するが（第７図の例では角型比はほぼ
１であり、保磁力Ｈｅは約４ＫＯｅであった）、第１義
的には光の侵入深さ以下であれば単層でもよい。
なお、上記実施例では媒体の表面をＳ ｉ ０２ 膜で
被覆した例しか示さなかったが、他の透明誘電体膜でも
よく、また多層構造に各々の厚みを制御することによっ
て特定の波長で磁気光学カー回転角θｋをより増大させ
ることも可能である。また、透明誘電体膜４は媒体の種
類で選択しなければならない。
被覆した例しか示さなかったが、他の透明誘電体膜でも
よく、また多層構造に各々の厚みを制御することによっ
て特定の波長で磁気光学カー回転角θｋをより増大させ
ることも可能である。また、透明誘電体膜４は媒体の種
類で選択しなければならない。
以上詳細に説明したように、この発明によれば、基体と
なる比較的厚い第１磁性層の光熱磁気記録媒体の磁気特
性を活かしながら、実質的に磁気光学カー回転角や反射
率の高い物質構造をもつ、従来になかった新しい優れた
光熱磁気記録媒体を作ることが可能である。
なる比較的厚い第１磁性層の光熱磁気記録媒体の磁気特
性を活かしながら、実質的に磁気光学カー回転角や反射
率の高い物質構造をもつ、従来になかった新しい優れた
光熱磁気記録媒体を作ることが可能である。
すなわち、実施例でも示したように、第２磁性層を一層
以上の多層で光の侵入距離以下の厚みに被着することに
より、それらの層での界面効果や、磁気的相互作用など
を利用して磁気光学カー回転角や保磁力が大きく、一体
構造のキュリ一温度での書き込みが可能な新しい媒体を
作ることカーできる。特に、ＧｄＴｂＣｏＦｅを主体と
した膜を交互に配置した多層の１１りでは、従来になｌ
／’磁気光学カー回転角の大きく、かつ、キュリ一温度
での書き込みが可能な（ＧｄＴｂＣｏＦｅ膜のみではキ
ュリ一温度書き込みはむずかしい）、反射率も角型比も
よい記録媒体が得られる。
以上の多層で光の侵入距離以下の厚みに被着することに
より、それらの層での界面効果や、磁気的相互作用など
を利用して磁気光学カー回転角や保磁力が大きく、一体
構造のキュリ一温度での書き込みが可能な新しい媒体を
作ることカーできる。特に、ＧｄＴｂＣｏＦｅを主体と
した膜を交互に配置した多層の１１りでは、従来になｌ
／’磁気光学カー回転角の大きく、かつ、キュリ一温度
での書き込みが可能な（ＧｄＴｂＣｏＦｅ膜のみではキ
ュリ一温度書き込みはむずかしい）、反射率も角型比も
よい記録媒体が得られる。
また、別の発明であるスパッタリング時の基板バイアス
をかえて第２磁性層を作成する方法では、磁気光学カー
回転角が従来より高くなるばかリテなく、書き込みパワ
ーが低くビ・ントの安定性の高い記録媒体を作ることが
可能である。
をかえて第２磁性層を作成する方法では、磁気光学カー
回転角が従来より高くなるばかリテなく、書き込みパワ
ーが低くビ・ントの安定性の高い記録媒体を作ることが
可能である。
さらに、この方法では大がかりな作成装置を必要とせず
、作成時間が少ないというメ１１ントもある。
、作成時間が少ないというメ１１ントもある。
イオン打込みなどにより、この発明の構造と同じ効果を
もつ実質的に多層構造の光熱磁気記録媒体を作る方法で
は、」二記のような効果をさらによくするために色々な
イオンを複数選ぶことで、通常の方法、例えば、真空蒸
着法やスパッタリング法などでは作成不可能な物質を作
り出し、従来のものとは組成的にも抜本的に異なるすぐ
れた記録媒体にする可能性をもつものである。
もつ実質的に多層構造の光熱磁気記録媒体を作る方法で
は、」二記のような効果をさらによくするために色々な
イオンを複数選ぶことで、通常の方法、例えば、真空蒸
着法やスパッタリング法などでは作成不可能な物質を作
り出し、従来のものとは組成的にも抜本的に異なるすぐ
れた記録媒体にする可能性をもつものである。
第１図は発明の一実施例を示す光熱磁気記録媒体の断面
を示す概略構成図、第２図は第１磁性層として非晶質Ｔ
ｂ Ｆ ｅ 膜を用いて、９Ｂ ２１＋ｔｌ性層であ
る非晶質ＧｄＣｏ膜の厚みを変えたときの磁気光学カー
回転角θにの波長依存性の変化を示す特性図、第３図は
ＧｄＣｏ膜面で測定した保磁力Ｈｅと基体となるＴｂＦ
ｅ膜の保磁力ＨｅのＧｄＣ０膜厚に対する比を示す図、
第４図は第１磁性層に非晶質ＴｂＦｅ膜を用いて、第２
磁性層の非示す特性図、第５図は非晶質ＴｂＦｅ 、非
晶質ＧｄＴｂＣｏＦｅ膜およびこの発明による２つの多
層構造膜における反射率の波長依存性を示す図、第６図
は第１磁性層に非晶質ＴｂＦｅ１ｌｋｔ（Ｖ’ｂ＝−Ｉ
Ｖ）を用いて、第２磁性層の非晶質ＴｂＦｅ１ｌ莫（Ｖ
ｂ＝−１２０Ｖ）Ｃ７）厚みを変えていったときの磁気
光学カー回転角θに波長依存性の変化を示す特性図、第
７図は第１磁性層に非晶質Ｔ ｂ Ｆ ｅ ＩＩ！Ｊを
用い、第２磁性層をＧｄＴｂＦｅとＴｂＦｅ膜の極薄膜
の三層構造にしたときの磁気光学カー回転角θにの波長
依存性を示す図である。 図中、１は基板、２は第１磁性層、３は第２磁性層、４
は透明誘電体膜である。 第１図
を示す概略構成図、第２図は第１磁性層として非晶質Ｔ
ｂ Ｆ ｅ 膜を用いて、９Ｂ ２１＋ｔｌ性層であ
る非晶質ＧｄＣｏ膜の厚みを変えたときの磁気光学カー
回転角θにの波長依存性の変化を示す特性図、第３図は
ＧｄＣｏ膜面で測定した保磁力Ｈｅと基体となるＴｂＦ
ｅ膜の保磁力ＨｅのＧｄＣ０膜厚に対する比を示す図、
第４図は第１磁性層に非晶質ＴｂＦｅ膜を用いて、第２
磁性層の非示す特性図、第５図は非晶質ＴｂＦｅ 、非
晶質ＧｄＴｂＣｏＦｅ膜およびこの発明による２つの多
層構造膜における反射率の波長依存性を示す図、第６図
は第１磁性層に非晶質ＴｂＦｅ１ｌｋｔ（Ｖ’ｂ＝−Ｉ
Ｖ）を用いて、第２磁性層の非晶質ＴｂＦｅ１ｌ莫（Ｖ
ｂ＝−１２０Ｖ）Ｃ７）厚みを変えていったときの磁気
光学カー回転角θに波長依存性の変化を示す特性図、第
７図は第１磁性層に非晶質Ｔ ｂ Ｆ ｅ ＩＩ！Ｊを
用い、第２磁性層をＧｄＴｂＦｅとＴｂＦｅ膜の極薄膜
の三層構造にしたときの磁気光学カー回転角θにの波長
依存性を示す図である。 図中、１は基板、２は第１磁性層、３は第２磁性層、４
は透明誘電体膜である。 第１図
Claims (4)
- （１）基板上に、保持力の大きな垂直磁化膜層からなる
第１磁性層と、この第１磁性層内の同種の組成元素のス
ピンの向きと磁気光学カー回転角の符号とが同じで、か
つ、磁気光学カー回転角と反射率が共に大きいか、また
はいずれか一方が大きな磁性体を光の侵入距離以下の厚
みの範囲で一層または多層にした第２磁性層とを、前記
第１．第２の磁性層の順序また！±その逆の順序に形成
したことを特徴とする光熱磁気記録媒体。 - （２）第２磁性層は、ＧｄＴｂＣｏＦｅを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の光熱磁気記録媒体。 - （３）基板に正または低い負のバイアス電圧を印加し、
この基板」二に非晶質希土類・遷移金属をスパッタリン
グ法により保持力の大きい垂直磁化膜層からなる第１磁
性層を形成し、次いで前記基板に高い負のバイアス電圧
を印加して前記第１磁性層よりも高い遷移金属濃度をも
つ磁性体を光の侵入距離以下の厚みの範囲で一層または
多層にした第２磁性層をスパッタリング法により形成す
ることを特徴とする光熱磁気記録媒体の製造方法。 - （４）基板上に、所要のキュリ一温度または磁気補償温
度と大きな保持力をもつ垂直磁化膜層からなる第１磁性
層を形成し、この第１磁性層の表面の光の侵入距離層に
相当する部分に不純物元素を打込み、磁気光学カー回転
角および反射率の大きな物質層に変えて第２磁性層を形
成することを特徴とする光熱磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174148A JPS6066349A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US06/653,724 US4645722A (en) | 1983-09-22 | 1984-09-21 | Photo-thermo-magnetic recording medium and method of preparing same |
| NL8402903A NL8402903A (nl) | 1983-09-22 | 1984-09-21 | Foto-thermo-magnetisch registratiemedium en werkwijze voor de vervaardiging daarvan. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174148A JPS6066349A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066349A true JPS6066349A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15973510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174148A Pending JPS6066349A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4645722A (ja) |
| JP (1) | JPS6066349A (ja) |
| NL (1) | NL8402903A (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122452A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| US5239524A (en) * | 1985-06-11 | 1993-08-24 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
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| JPS639050A (ja) * | 1986-06-28 | 1988-01-14 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
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| US6028824A (en) * | 1986-07-08 | 2000-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| US4871614A (en) * | 1986-07-09 | 1989-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium having three exchange-coupled magnetic layers |
| US5014252A (en) * | 1986-10-08 | 1991-05-07 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method using two beams, and magnetooptical recording apparatus therefor |
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| DE69027103T2 (de) * | 1989-11-22 | 1996-10-24 | Sharp Kk | Optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zur Aufzeichnungs und Wiedergabe von Informationen darauf |
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1983
- 1983-09-22 JP JP58174148A patent/JPS6066349A/ja active Pending
-
1984
- 1984-09-21 US US06/653,724 patent/US4645722A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-09-21 NL NL8402903A patent/NL8402903A/nl not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4645722A (en) | 1987-02-24 |
| NL8402903A (nl) | 1985-04-16 |
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