JPS61243976A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61243976A JPS61243976A JP8568885A JP8568885A JPS61243976A JP S61243976 A JPS61243976 A JP S61243976A JP 8568885 A JP8568885 A JP 8568885A JP 8568885 A JP8568885 A JP 8568885A JP S61243976 A JPS61243976 A JP S61243976A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- group
- recording medium
- optical recording
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
炎丘史１
本発明はＥ−ＤＲＡＷ型光ディスクに関し、特に希土類
金属と遷移金属から構成されるアモルファス合金でかつ
膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を有する記録膜を担
持した光磁気記録媒体に関する。
金属と遷移金属から構成されるアモルファス合金でかつ
膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を有する記録膜を担
持した光磁気記録媒体に関する。
背景技術
従来から、一定の条件下で例えば高周波スパッタリング
等の方法で作成される希土類金属と遷移金属との合金例
えばＧｄＴｂＦｅ （ガドリニウム−テルビウム−鉄）
、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム−鉄−コバルト）等の合金
薄膜は、アモルファス構造をとり、膜面に垂直な一軸磁
気異方性を有することが知られている。
等の方法で作成される希土類金属と遷移金属との合金例
えばＧｄＴｂＦｅ （ガドリニウム−テルビウム−鉄）
、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム−鉄−コバルト）等の合金
薄膜は、アモルファス構造をとり、膜面に垂直な一軸磁
気異方性を有することが知られている。
との性質を光磁気記録媒体の記録膜として利用すること
が出来る。すなわち、情報の記録読取りについては次の
ように行う。先ず、−軸磁気異方性を有するアモルファ
ス合金膜上にある波長のレーザ光を対物レンズ等を通し
て焦光しそその焦光部分を永久磁石又は電磁石を用いて
外部磁場を作用させながらキューリ一温度又は補償温度
付近まで局部的に加熱せしめる。との時の焦光部分にお
ける熱消磁又は磁化反転の熱磁気的効果によって、一方
向に一様に磁化された合金膜面内に反転磁区を形成して
情報を記録することが出来る。次に、形成された反転磁
区に偏光レーザ光を入射し、その反射光におけるポーラ
・カー効果等によって反転磁区の有無を信号として検出
できる。とのようにして、上記記録媒体において反転磁
区の有無を１１１１＋、“Ｏ”に対応させることによっ
て記録した情報の読取りが可能となる。
が出来る。すなわち、情報の記録読取りについては次の
ように行う。先ず、−軸磁気異方性を有するアモルファ
ス合金膜上にある波長のレーザ光を対物レンズ等を通し
て焦光しそその焦光部分を永久磁石又は電磁石を用いて
外部磁場を作用させながらキューリ一温度又は補償温度
付近まで局部的に加熱せしめる。との時の焦光部分にお
ける熱消磁又は磁化反転の熱磁気的効果によって、一方
向に一様に磁化された合金膜面内に反転磁区を形成して
情報を記録することが出来る。次に、形成された反転磁
区に偏光レーザ光を入射し、その反射光におけるポーラ
・カー効果等によって反転磁区の有無を信号として検出
できる。とのようにして、上記記録媒体において反転磁
区の有無を１１１１＋、“Ｏ”に対応させることによっ
て記録した情報の読取りが可能となる。
従来からの希土類金属と遷移金属とのアモルファス合金
例えばＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等は光磁気効果及び
磁気特性、特にキューリ一点、補償温度が室温から２０
０℃程度の間にありかつ保磁力が数ＫＯｅあり光磁気記
録材料として適しているため光磁気記録媒体の光磁気記
録膜材として注目され実用化が検討されて・いる。かか
る光磁気記録媒体については、第１図の従来の光磁気記
録媒体の概略断面図にて示す如く、アモルファス台金［
１２を透明基板１と保護膜３との間に積層した光磁気記
録媒体が最も一般的に開発されている。
例えばＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等は光磁気効果及び
磁気特性、特にキューリ一点、補償温度が室温から２０
０℃程度の間にありかつ保磁力が数ＫＯｅあり光磁気記
録材料として適しているため光磁気記録媒体の光磁気記
録膜材として注目され実用化が検討されて・いる。かか
る光磁気記録媒体については、第１図の従来の光磁気記
録媒体の概略断面図にて示す如く、アモルファス台金［
１２を透明基板１と保護膜３との間に積層した光磁気記
録媒体が最も一般的に開発されている。
しかしながら、かかるアモルファス合金膜は膜面に垂直
な方向に一軸磁気異方性を有する垂直磁化膜であること
が必要であるが、従来のアモルファス合金は、その容易
磁化方向が膜面に垂直な方向から傾いて分布しており、
レーザ光で読取るに充分なカー回転角を有しているとは
言えない。そこで従来から、より大きなカー回転角が得
られるように記録膜の容易磁化方向が出来るだけ膜面に
垂直な方向に向いた垂直磁化膜としてのアモルファス合
金膜が求められている。しかし、従来の光磁気記録媒体
おいても充分大きなカー回転角を得るには至っていない
。
な方向に一軸磁気異方性を有する垂直磁化膜であること
が必要であるが、従来のアモルファス合金は、その容易
磁化方向が膜面に垂直な方向から傾いて分布しており、
レーザ光で読取るに充分なカー回転角を有しているとは
言えない。そこで従来から、より大きなカー回転角が得
られるように記録膜の容易磁化方向が出来るだけ膜面に
垂直な方向に向いた垂直磁化膜としてのアモルファス合
金膜が求められている。しかし、従来の光磁気記録媒体
おいても充分大きなカー回転角を得るには至っていない
。
１豆豊且１
本発明の目的は大きなカー回転角を有した光磁気記録媒
体を提供することを目的としている。
体を提供することを目的としている。
本発明の光磁気記録媒体は、透明基板と該基板に担持さ
れ膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を有する希土類金
属−遷移金属のアモルファス合金膜とを有する光磁気記
録媒体であって、該透明基板とアモルファス合金膜との
間に中間膜が設けられており、かつその中間膜は、周期
律表における第ＩＶｂ属元素の単体、第ＩＩｂ属元素と
第Ｖｂ属元素との化合物、及び第ＩＩｂ属元素と第■ｂ
属元素との化合物からなる群から選ばれる物質からなる
膜であることを特徴とする。
れ膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を有する希土類金
属−遷移金属のアモルファス合金膜とを有する光磁気記
録媒体であって、該透明基板とアモルファス合金膜との
間に中間膜が設けられており、かつその中間膜は、周期
律表における第ＩＶｂ属元素の単体、第ＩＩｂ属元素と
第Ｖｂ属元素との化合物、及び第ＩＩｂ属元素と第■ｂ
属元素との化合物からなる群から選ばれる物質からなる
膜であることを特徴とする。
友−蓋−１
以下、本発明の実施例を添附図面に基づいて説明する。
第２図は本発明の光磁気記録媒体の拡大部分断面概略図
である。案内溝付き円板状ＰＭＭＡ基板１の片面上に、
周期１１１表における第ｒＶｂ属元素であるＧｅ（ゲル
マニウム）単体からなる中間膜４、光磁気記録膜である
希土類金属−遷移金属のアモルファス合金膜２、Ｓ ｉ
０２からなる保護膜３を真空蒸着あるいはスパッタリ
ング等の方法により順に積層し光磁気記録媒体を作成す
る。尚、アモルファス合金膜２を次式の合金組成となる
ように形成する。
である。案内溝付き円板状ＰＭＭＡ基板１の片面上に、
周期１１１表における第ｒＶｂ属元素であるＧｅ（ゲル
マニウム）単体からなる中間膜４、光磁気記録膜である
希土類金属−遷移金属のアモルファス合金膜２、Ｓ ｉ
０２からなる保護膜３を真空蒸着あるいはスパッタリ
ング等の方法により順に積層し光磁気記録媒体を作成す
る。尚、アモルファス合金膜２を次式の合金組成となる
ように形成する。
（Ｒｘ’１−ｘ）１−’ｙ” Ｖ
上式では、希土類金属Ｒは、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔ
ｂ（テルビウム）及びＤｙ（ジスプロシウム）から選ば
れる１種類以上の金属であり、遷移金属Ｔ％↓、Ｆｅ（
鉄）及びＧｏ（コバルト）から選ばれる１種類以上の金
属である。との希土類台ｆｆ１Ｒ及び遷移金属Ｔの原子
組成の比率ｘ ＜、ｔＲｘ”１−ｘにおいて、０．１≦
Ｘ≦０．４の範囲の値となるようにする。との範囲で垂
直磁化膜が真空蒸着あるいはスパッタリング等で得られ
ることが知られている。更に本実施例では、との希土類
金属−遷移金属合金へ添加元素としてＡＩ（アルミニウ
ム）を添加する。アモルファス合金における希土類金属
−遷移金属台°金にアルミニウムを添加した合金（ＲＴ
） ＡＩ は、ｙが０００１−ｙ ｙ ０５≦ｙ≦０．４の範囲の値となるようにして、光磁気
記録媒体のアモルファス合金膜を形成する。
ｂ（テルビウム）及びＤｙ（ジスプロシウム）から選ば
れる１種類以上の金属であり、遷移金属Ｔ％↓、Ｆｅ（
鉄）及びＧｏ（コバルト）から選ばれる１種類以上の金
属である。との希土類台ｆｆ１Ｒ及び遷移金属Ｔの原子
組成の比率ｘ ＜、ｔＲｘ”１−ｘにおいて、０．１≦
Ｘ≦０．４の範囲の値となるようにする。との範囲で垂
直磁化膜が真空蒸着あるいはスパッタリング等で得られ
ることが知られている。更に本実施例では、との希土類
金属−遷移金属合金へ添加元素としてＡＩ（アルミニウ
ム）を添加する。アモルファス合金における希土類金属
−遷移金属台°金にアルミニウムを添加した合金（ＲＴ
） ＡＩ は、ｙが０００１−ｙ ｙ ０５≦ｙ≦０．４の範囲の値となるようにして、光磁気
記録媒体のアモルファス合金膜を形成する。
Ｖ＜０．００５ではＡ１を添加したことによる耐酸化性
の向上に効果が見られない。また、ｙ〉０゜４では、磁
気特性、光磁気特性が急激に低下して光磁気記録媒体と
して不適当になってしまう。
の向上に効果が見られない。また、ｙ〉０゜４では、磁
気特性、光磁気特性が急激に低下して光磁気記録媒体と
して不適当になってしまう。
第１表において、本実施例の光記録媒体と従来のものと
を４５℃９０％Ｒ，Ｈ，（湿度）の状態で波長８３０ｎ
ｍの半導体レーザ光によって再生する実験でそれぞれの
カー回転角θｋについて調べた結果を示す。ここでは、
本実施例の光記録媒体と従来のものとを同一条件にて製
造した各々３個の試料について調べている。
を４５℃９０％Ｒ，Ｈ，（湿度）の状態で波長８３０ｎ
ｍの半導体レーザ光によって再生する実験でそれぞれの
カー回転角θｋについて調べた結果を示す。ここでは、
本実施例の光記録媒体と従来のものとを同一条件にて製
造した各々３個の試料について調べている。
第１表
第１表から本実施例の光記録媒体のカー回転角θには、
従来の光記録媒体のカー回転角θにのほぼ２倍以上なる
ことが分った。とのことは、第２図に示すごとく第ＩＶ
ｂ属元素であるＧｅ単体からなる中間膜４を基板１とア
モルファス合金膜２との間に形成させているので、Ｇｅ
による中間膜によって垂直磁化成分が増大し、カー回転
角の増大効果が付与されることを示している。
従来の光記録媒体のカー回転角θにのほぼ２倍以上なる
ことが分った。とのことは、第２図に示すごとく第ＩＶ
ｂ属元素であるＧｅ単体からなる中間膜４を基板１とア
モルファス合金膜２との間に形成させているので、Ｇｅ
による中間膜によって垂直磁化成分が増大し、カー回転
角の増大効果が付与されることを示している。
また、上記実施例では、第ＴＶｂｊ１元素の単体である
Ｇｅを中間膜として珀いているが、同様に、第ＩＶｂ属
元素であるＳ ｎ ’（スズ）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（珪
素）及びＣ（炭素）の各々の単体で形成した中間膜を設
けた光記録媒体においても、上記同様のカー回転角の増
大効果があることが確認できた。
Ｇｅを中間膜として珀いているが、同様に、第ＩＶｂ属
元素であるＳ ｎ ’（スズ）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（珪
素）及びＣ（炭素）の各々の単体で形成した中間膜を設
けた光記録媒体においても、上記同様のカー回転角の増
大効果があることが確認できた。
更に、光記録媒体の中間膜として第ＩＩｂ属元素と第Ｖ
ｂｉ元素との化合物であるＧａＡＳ （ガリウムーヒ素
）、Ｉｎ５ｂ（インジウム−アンチモン）及びＩｎＰ（
インジウム−リン）の各々を用−いた場合、及び第■ｂ
屈元素と第■ｂＢ元素との化合物であるＺｎＳ （ｆｉ
ｔｔＩ化亜鉛）、Ｚｎ５ｅ（亜鉛−セレン）及びＺｎＴ
ｅ （亜鉛−テルル）の各々を用いた光記録媒体におい
ても、４５℃９０％Ｒ，Ｈ，（湿度）の状態で波長８３
０ｎｍの半導体レーザによって再生した場合に上記同様
のカー回転角の増大効果があることが確認できた。
ｂｉ元素との化合物であるＧａＡＳ （ガリウムーヒ素
）、Ｉｎ５ｂ（インジウム−アンチモン）及びＩｎＰ（
インジウム−リン）の各々を用−いた場合、及び第■ｂ
屈元素と第■ｂＢ元素との化合物であるＺｎＳ （ｆｉ
ｔｔＩ化亜鉛）、Ｚｎ５ｅ（亜鉛−セレン）及びＺｎＴ
ｅ （亜鉛−テルル）の各々を用いた光記録媒体におい
ても、４５℃９０％Ｒ，Ｈ，（湿度）の状態で波長８３
０ｎｍの半導体レーザによって再生した場合に上記同様
のカー回転角の増大効果があることが確認できた。
さらにまた、上記実施例では中間膜を一層設けた光記録
媒体を製造したが、該中間膜を二層以上設けた光記録媒
体も製造できる。との際、２つ以上の中間膜の組合わせ
として上記したＱｅ１３ｎ。
媒体を製造したが、該中間膜を二層以上設けた光記録媒
体も製造できる。との際、２つ以上の中間膜の組合わせ
として上記したＱｅ１３ｎ。
Ｐｂ、Ｓ ｉ、ｃ、ＧａＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＰ、Ｚｎ
Ｓ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅから選ばレル物質であって隣合
う二層の中間膜が互に異なるように光記録媒体を作成す
る。とのようにすることにより更にカー回転角の増大効
果がある光記録媒体を１ｑることが出来る。
Ｓ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅから選ばレル物質であって隣合
う二層の中間膜が互に異なるように光記録媒体を作成す
る。とのようにすることにより更にカー回転角の増大効
果がある光記録媒体を１ｑることが出来る。
発明の効果
以上の如く本発明によれば、第■ｂｆｆ元素の単体、第
ＩＩｂ属元素と第Ｖｂ属元素との化合物、及び第１ｂＪ
Ｅｉ元素と第■ｂＲ元素との化合物から選ばれる物質及
び／又は組からなる一層以上の中間膜を記録膜と基板と
の間に設けることにより、カー回転角の増大した光磁気
記録媒体を得ることができる。
ＩＩｂ属元素と第Ｖｂ属元素との化合物、及び第１ｂＪ
Ｅｉ元素と第■ｂＲ元素との化合物から選ばれる物質及
び／又は組からなる一層以上の中間膜を記録膜と基板と
の間に設けることにより、カー回転角の増大した光磁気
記録媒体を得ることができる。
第１図は従来の光磁気配記録媒体の概略断面図であり、
第２図は本発明による光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ＰＭＭＡ基板 ２・・・・・・アモルファス合金膜 ３・・・・・・保護膜 ４・・・・・・中間膜
第２図は本発明による光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ＰＭＭＡ基板 ２・・・・・・アモルファス合金膜 ３・・・・・・保護膜 ４・・・・・・中間膜
Claims (3)
- （１）透明基板と該基板に担持され膜面に垂直な方向に
一軸磁気異方性を有する希土類金属−遷移金属のアモル
ファス合金膜とを有する光磁気記録媒体であつて、前記
透明基板と前記アモルファス合金膜との間に中間膜が設
けられており、かつ該中間膜は、周期律表における第I
Vｂ属元素の単体、第IIIｂ属元素と第Ｖｂ属元素との化
合物、及び第IIｂ属元素と第VIｂ属元素との化合物から
なる群から選ばれる物質からなる膜であることを特徴と
する光磁気記録媒体。 - （２）前記中間膜は二層以上設けられており、かつ隣合
う二層は異なる種類の物質からなる膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 - （３）前記第IVｂ属元素の単体はＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓ
ｉ及びＣであり、前記第IIIｂ属元素と第Ｖｂ属元素と
の化合物はＧａＡｓ、ＩｎＳｂ及びＩｎＰであり、かつ
前記第IIｂ属元素と第VIｂ属元素との化合物はＺｎＳ、
ＺｎＳｅ及びＺｎＴｅであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8568885A JPS61243976A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8568885A JPS61243976A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243976A true JPS61243976A (ja) | 1986-10-30 |
| JPH047023B2 JPH047023B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=13865786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8568885A Granted JPS61243976A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152041A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Hitachi Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| US5175715A (en) * | 1990-08-03 | 1992-12-29 | Goldstar Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium anti-reflective layers made of amorphous thin films having a specific reflective index range |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP8568885A patent/JPS61243976A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152041A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Hitachi Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| US5175715A (en) * | 1990-08-03 | 1992-12-29 | Goldstar Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium anti-reflective layers made of amorphous thin films having a specific reflective index range |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047023B2 (ja) | 1992-02-07 |
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