JPH02107749A - 非晶質合金薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、優れた耐酸化性を有する非晶質合金薄膜に関
し、さらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有し、優れた耐酸化性を有する非晶質合金薄膜に関する
。

発明の技術的背景ならびにその問題点 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔ　ｂ）
、カドリニウム（Ｇ　ｄ）などの希土類元素との合金か
らなる非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向
とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができるこ
とが知られている。

この反転磁区の有無を「１」、「０」に対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。

このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂ
を含むＴｂ−Ｆ、ｅ系合金非晶質薄膜が開示されている
。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添加してなる合金非晶
質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。さらに
Ｔｂ−Ｃｏ系、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏ系などの光磁気記
録媒体も知られている。

これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大きな問題点があった。

このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、Ｎｏ、２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。

イ）孔食 孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行
ｌ７、たとえばＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｌ）−Ｃｏ系などで著
しく進行する。

口）表面酸化 合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Ｈｅが経時的に大きく変化してしまつ。

上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。

たとえば、合金非晶質薄膜を、Ｓｉ３Ｎ４．５ｉＯ１Ｓ
ＩＯ，ｉＮなどの酸化防止保護膜でサンドイッチしたよ
うな３層構造にする方法が検討されている。ところがこ
の酸化防止保護膜は高価であるとともに形成するのに手
間がかかり、またこの保護膜を形成しても必ずしも合金
非晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止することがてきな
いという問題点があった。

また、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔ　ｂ−Ｃｏ系などの合金非晶質
薄膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第
３の金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔｂ−Ｆｅ
あるいはＴｂ−Ｃｏに、Ｃｏ、ＮＩ　　Ｐｔ。

ＡＮ、Ｃｒ、Ｔｉなとの第３金属を３．５原子％まての
量で添加することによって、Ｔｂ−Ｆｅ系あるいはＴｂ
−Ｃｏ系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる試み
がなされている。そしてＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−ｃｏ
にＣｏ、ＮＩ　　Ｐｔを少量添加した場合には、表面酸
化の防止および孔食の防止には有効であるが、この合金
非晶質薄膜中の希土類金属であるＴｂの選択酸化の防止
には効果がないと報告されている。このことは、Ｔｂ−
ＦｅあるいはＴ　ｂ−Ｃｏに少量のＣｏ、ＮＩ　　Ｐｔ
を添加【−７た場合には、得られる合金非晶質薄膜では
、Ｔｂか選択酸化されてしまい、保磁力Ｈｃが経時的に
大きく変化してしまうことを意味している。したがって
Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｃ，ｏに３．５原子％までの
少量のＣｏ、ＮＩ　　Ｐｔを添加しても、得られる合金
非晶質薄膜の耐酸化性は充分には改善されていない。

また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔｂ−ＦｅあるいはＴ　
ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏに、ＰＬ、ＡΩ、Ｃｒ、ＴＩを１０原
子％までの１で添加してなる合金非晶質薄膜か教示され
ている。ところがＴ　ｂＦｅあるいはＴ　ｂ−Ｆ　ｅ−
Ｃｏに１０原子％まての１のＰＬ、ＡΩ、Ｃｒ　ＳＴｉ
を添加しても、表面酸化および孔食はかなり効果的に防
止できるものの、得られる合金非晶質薄膜中のＴｂの選
択酸化に対する酸化防止性は充分ではなく、やはり時間
の経過とともに保磁力Ｈｅが大きく変化し、ついには保
磁力Ｈｅが大きく低下してしまうという問題点は依然と
してあった。

さらにまた、特開昭５８−７８０６号公報には、Ｐｔ　
Ｃｏなる組成を有し、Ｐ（が１０〜３０原子％の量で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。

ところがこのＰｔ　Ｃｏなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点があった。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、保磁力が大きくかつカー回転
角やファラデー回転角が大きいなどの優れた光磁気光学
特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、経時的に保磁力
が変化したりあるいはカー回転角が変化することがなく
、さらに反射率も高いような非晶質合金薄膜を提供する
ことを目的としている。

発明の概要 本発明に係る膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合
金薄膜は、 ［Ｐｄ　　Ｐｔ　　　］　　　［ＲＥ　　ＴＭ　　　］
ｉａ　　ｌ−ａ　　ｙ　　　　Ｘ　　　ｌ−Ｘ　　１−
ｙ（式中、ＲＥは、（ｉ）ＣｅＳＰｒ、Ｎｄ、Ｓｓ。

Ｅｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の軽希土類
と、（ｉｉ）Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ５Ｈｏからなる群から選
ばれる少なくとも１種の重希土類とからなり、ＴＭは、
Ｆｅおよび／またはＣＯてあり、Ｑ＜ａ≦１．０．２＜
Ｘ＜０．７．０．１５≦ｙ≦１３である） で表わされることを特徴としている。

本発明に係る上記のような非晶質合金薄膜は、保磁力が
大きくかつカー回転角やファラデー回転角が大きいなど
の優れた光磁気特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、
経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化
したりすることがないという優れた特性を有している。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る非晶質合金薄膜について具体的に説明
する。

本発明に係る膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合
金薄膜は、上記のように、 ［Ｐｄ　　Ｐｔ　　　］　　　［ＲＥ　　ＴＭ　　　］
ｉａ　　ｉａ　　ｙ　　　　！　　　■−Ｘ　　ｌ−ｙ
・・・［１］ （式中、ＲＥは、（ｉ）Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ
からなる群から選ばれる少なくとも１種の軽希土類と、
（社）ＧｄＳＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏからなる群から選ばれる
少なくとも１種の重希土類とからなり、ＴＭは、Ｆｅお
よび／またはＣｏであり、０＜ａ≦１．０．２０＜ｘ＜
０．７０．０．１５≦ｙ≦０．３０である） で表わされる。

（ｉ）上記式において、ＲＥは、少なくとも１種の軽希
土類と、少なくとも１種の重希土類とからなっている。

軽希土類としては、Ｃｅ５Ｐｒ、Ｎｄ５５ｍ。

Ｅｕからなる群から少なくとも１種が選択されて用いら
れる。このうち特にＮｄが好ましく用いられる。

重希土類としては、Ｇ　ｄ　ＳＴ　ｂ　ＳＤ　ｙ　−Ｈ
ｏからなる群から少なくとも１種が選択されて用いられ
る。このうち特に、ＤｙおよびＴｂが好ましい。

軽希土類と重希土類とは、軽希土類と重希土類の比（軽
希土類／重希土類）が０．１〜４好ましくは０．１〜１
であるような量で存在することが望ましい。

このような希土類（ＲＥ）は、非晶質合金薄膜を上記式
［Ｉ］で表わした場合に、０．２＜ｘ＜０．７そして、
良好な角形ループを示し、保磁力がＩＫＯｅ以上となる
ために好ましくは０．２５＜ｘ＜０．６であるような量
で存在している。

ここでＸ≦０．２あるいはＸ≧０，７であると、カーヒ
ステリシスが良好な角形ループを示さなくなる傾向があ
るため好ましくない。

（ｉｉ　）上記式においてＴＭは、ＦｅまたはＣｏある
いはこの両者である。ＴＭとしては、Ｆｅが３５〜９０
原子％の量で、そしてＣｏが１０〜６５原子％の量で存
在していることが好ましい。

なおＴＭとして、５原子％以下好ましくは３原子％以下
のＮｉを含んでいてもよい。

このようなＴＭは、非晶質合金薄膜を上記式［１］で表
わした場合に、１−Ｘ（ただし、０．２＜ｘ＜０．７好
ましくは０．２５＜ｘ＜０．６）で示されるような量で
存在している。

（ｉ）本発明に係る非晶質合金薄膜は、Ｐｄ、あるいは
ＰｄとＰｔとの両者を含んでいる。

ＰｄあるいはＰｄとｐｔとの両者は、非晶質合金薄膜中
に１５原子％以上で３０原子％以下好ましくは１８原子
％以上て２５原子％以下の量で存在している。

またＰｄとｐｔとは、これらの含有割合をＰｄ　　Ｐｔ
　　　で表わした場合に、０＜ａ≦１でａ　　　ｌ−ａ ある。Ｐｄの含有割合が０．２＜ａ＜１であると、経済
性に優れた非晶質合金薄膜が得られる。

このＰｄあるいはＰｄとｐｔとの両者の含有量が１５原
子％以上、３０原子％以下の範囲にあると、得られる非
晶質合金薄膜の耐酸化性が優れ、また経時的に保磁力Ｈ
ｃか大きく変化せず、あるいは小さなバイアス磁界で充
分に高いＣ／Ｎ比が得られるという利点かある。

上記のような組成を有する合金薄膜は、膜面に垂直な磁
化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非晶質
薄膜となることが広角Ｘ線回折などにより確かめられる
。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに、）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θｋｌが０．８以上であることを意味している。

また上記のような本発明に係る非晶質合金薄膜は、優れ
た耐酸化性を有し、Ｐ　ｄ　Ｌ、（ｌ　Ｐ　ｔｔ　ａ　
Ｎ　ｄ　ｔ　４Ｄｙ２６Ｆｅ３ｏＣ０１ｏなる組成を有
する非晶質合金薄膜は、たとえば８５℃、相対湿度８５
％の環境下に２４０時間以上保持しても、その保磁力は
ほとんど変化しない。これに対して、ＰｄあるいはＰｄ
とｐｔとの両者を含まないＴ　ｂ　２５　ＣＯ７５ある
いはＴ　ｂ　２５　Ｆ　８８６ＣＯ９なる組成を有する
非晶質合金薄膜は、８５℃、相対湿度８５％の環境下に
保持すると、その保磁力は経時的に大きく変化してしま
う。さらにこの環境試験を１０００時間続けても、Ｐ　
＋４あるいはＰｄとｐｔとの両者を含ａする系はやはり
その保磁力かはとんと変化しない。

これらのことより、ＰｄあるいはＰｄとＰ　Ｌとの両者
を含む系は、重希土類の選択酸化を抑制することがわか
る。

また、環境試験後におけるθにの変化も小さいことから
表面酸化が防止されていること、ならびに、顕微鏡によ
る膜表面の観察から孔食の発生も抑制されていることが
わかる。

このように本発明に係る非晶質合金薄膜は、耐酸化性に
著しく優れており、したがってこの非晶質合金薄膜を使
用する際に、必ずしも酸化防止保護膜を非晶質合金薄膜
上に設ける必要はないという優れた特性を有している。

本発明においては、その他に種々の元素を添加して、キ
ュリー温度や補償温度あるいはＨｅやθにの改善あるい
は低コスＩ・化を計ってもよい。

これらの元素は、希土類元素に対してたとえば５０原子
％未満の割合で置換可能である。

併用できる他の元素の例としては、 （１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、５ｃＳＴＩ　　Ｖ、Ｃｒ１ＮｉｎｓＮｉ　
　　Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、ＮＩ　　　Ｃｕ、Ｚｎなどが好ま
しく用いられる。

（ＩＩ）４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ　、　Ｚ　ｒ　ＳＮ　ｂ　、Ｎ１　ｏ　
ｚ　Ｔ　Ｃ％Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄか用いられる。

このうちＺｒ　、Ｎｂか好ましく用いられる。

（１１１１１）　ＰＬ以外の５　ｄ　；Ｍ移元素具体的
には、Ｅ（ｒ、Ｔａ、ＷＳＲｅ、Ｏｓ。

Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇが用イラレル。

このうちＴａか好ましく用いられる。

（ＴＶ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、ＡΩ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａが用いられる
。

このうちＢ、ＡΩ、Ｇａが好ましく用いられる。

（Ｖ）ＩＶＢＶＢ族 元素的には、Ｃ５５Ｉ　　Ｇｅ、Ｓｎ、、Ｐｂが用いら
れる。

このうち、ＳＩ　　　Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用い
られる。

（Ｖｕ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、５ｂＳＢｌが用いられる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、５ｅＳＴｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

次に、本発明に係る非晶質合金薄膜の製造方法について
説明する。

基板温度を室温程度に保ち、本発明に係る非晶質合金薄
膜を構成する各元素からなるチップを所定割合で配置し
た複合ターゲットまたは所定割合の組成を有する合金タ
ーゲットを用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム
蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用してこの基板（
基板は固定していてもよく、また自転していてもよい）
上に所定組成の非晶質合金薄膜を被着させることにより
、本発明に係る非晶質合金薄膜を形成することができる
。

このように本発明に係る非晶質合金薄膜は、常温での成
膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるた
めに成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がな
い。

なお必要に応じては、基板温度を５０〜６００℃に加熱
しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。

このようにして得られる本発明の非晶質合金薄膜の膜厚
は、２０〜５００００人好ましくは１００〜５０００大
さら１こ好ましくは２００〜１０００人である。

本発明の非晶質合金薄膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を
有しているので、垂直磁気記録膜、磁気バブルメモリー
あるいは光磁気記録膜といった磁気記録材料分野、磁気
光学効果を利用した光変調器といった各種の分野に応用
できる。

たとえば垂直磁気記録分野では、垂直フレキシブルディ
スクの記録膜、リジット磁気ディスク用の記録膜への利
用が期待できるし、光磁気記録にはカー回転角またはフ
ァラデー回転角を利用して情報信号あるいは静止画像や
動画像を記録再生する光磁気ディスク、光磁気カード、
光磁気テープへの利用が期待できる。また、外部磁場の
コントロールによりカー回転角やファラデー回転角を制
御し、反射光や透過光の光量変化によって光電池を作動
させる光変調器への利用も期待できる。

本発明の非晶質合金薄膜を光磁気ディスクの記録膜とし
て応用した場合について以下に説明する。

本発明の非晶質合金薄膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する垂直磁化膜であるとともに、多くの場合カー・ヒ
ステリシス・ループが角形性を有して、外部磁場のない
状態下でのθｋが最大外部磁場での飽和θにとほぼ同一
であり、保磁力Ｈｅも大きいので、光磁気記録膜として
好適である。

また、θｋが良好であることは、θｒも良好であること
を意味し、よってカー効果利用型、ファラデー効果利用
型のいずれの方式に利用することができる。

また、本発明の非晶質合金薄膜は、耐酸化性に優れるた
め、従来のＴｂ−Ｆｅ　、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類
−３ｄ遷移金属合金薄膜の場合のような酸化防止のため
の保護膜を用いる必要はない。

また、記録膜に接する基板や他の機能性膜（たとえばエ
ンハンス膜、反射膜）あるいは貼合せのための接着層等
にも酸化防止性の材料を用いなくてもよい。

さらに、エンハンス膜、反射膜等を成膜するに際しても
、真空蒸着やスパッタリングなどの乾式成膜法の他に、
従来では行えなかったスピンコード法やスプレー法など
の湿式成膜を行ってもよいことになる。

したがって、本発明の非晶質合金薄膜を記録膜とした光
磁気ディスクの構造としては、（ｉ）基板／記録膜 （ｉｉ）基板／エンハンス膜／記録膜 （ｉｉｉ　）基板／記録膜／反射膜 （ｉＶ　）基板／エンハンス膜／記録＠／反射膜（ｖ）
基板／エンハンス膜／記録膜／エンハンス膜／反射膜 あるいはこれらの記録膜側の最外層に耐傷性のみを付与
するための保護コートや保護ラベルを形成したような構
造のものが可能となる。

そして、ここでエンハンス膜としてはその屈折率が基板
の屈折率よりも大きいものであればよく、有機あるいは
無機のいずれの材料であってもよい。

エンハンス膜の具体例としては、ＴｌＯ２，５ＩＯ１Ｔ
　ｉ　Ｏ１Ｚ　ｎ　ＯＳＩ　Ｔ　ＯＳＺ　ｒ　Ｏ２、Ｔ
ａ　　ＯＸＮｂ　　Ｏ、ＣｅＯ、ＳｎＯ２，ＴｅＯ等の
酸化物、ＳＩＮ　　ＳＡΩＮ、ＢＮ等の窒化物、Ｚｎ　
Ｓ、Ｃｄ　Ｓ等の硫化物、Ｚｎ５ｅＳＳｔ　Ｃ５Ｓｉな
どがある。また、コバルトフェライトに代表されるフェ
ライト類、Ｂ１置換ガーネットに代表されるガーネット
類等のファラデー効果を存する透明材料をエンハンス膜
として使用してもよい。基板もガラスやアルミニウム等
の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマ
ーアロイ、Ｕ　Ｓ　Ｐ　４６１４７７８で示されるよう
な非晶質ポリオレフィン、ポリ４−メチル−１−ペンテ
ン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサル
フオン、ポリエーテルイミド等の有機材料も使用できる
。

さらに、光磁気ディスクの構成は、前述の（ｉ）〜（Ｖ
）の構成にのみ限定されるものではなく、必要に応じて
下地層あるいは高透磁率軟磁性膜の積層などを行っても
よく、単板のほか貼合せて使用することも可能である。

発明の効果 本発明に係る非晶質合金薄膜は、 ［Ｐｄ　　　　Ｐｔ　　　　　　コ　　　　［ＲＥＴＭ
］ａ　　　ｔ−ａ　　ｙ　　　　Ｘ　　　＋、−Ｘ　　
ｔ−ｙ（式中、ＲＥは、（ｉ）Ｃｅ、、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ。

Ｅｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の軽希土類
と、（ｉｉ）Ｇｄ　、Ｔｂ　ＳＤｙ　、Ｈｏからなる群
から選ばれる少なくとも１種の重希土類とからなり、Ｔ
Ｍは、Ｆｅおよび／またはＣＯであり、Ｑ＜ａ≦１、屹
　２＜ｘ＜０．７．０．１５≦ｙ≦０．３である）で示
される組成を有するため、膜面に垂直な磁化容易軸を有
し、保磁力が大きくかつカー回転角が大きいなどの優れ
た光磁気記録特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、経
時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化し
たりすることかないという優れた特性を有している。ま
た本発明に係る非晶質合金薄膜を基板上に形成するに際
して、室温での成膜が可能であり、成膜後に熱処理をす
る必要もない。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

実施例１〜７ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上またはＦｅ、Ｃｏ
ターゲット上にｐｔと、軽希土類金属と重希土類金属と
のチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用いて
、ガラス基板」二に、基板を水冷により２０〜３０℃の
常温付近にコントロールしながらＤＣマグネトロンスパ
ッタリングにより、表１に示すような組成を有する非晶
質合金薄膜を成膜した。成膜条件は、Ａ「圧５ｍＴｏｒ
ｒ　、　Ａｒ流ｉ　３　ｓｅｃｍ、真空到達度５Ｘ］、
０−６Ｔ　ｏｒｒ以下であり、非晶質合金薄膜の膜厚は
１、０００人とした。

得られた合金薄膜は、広角Ｘ線回折法により結晶状態を
測定するとともに、組成をＩＣＰ発光分光分析によって
求めた。

また、カー回転角はガラス基板側から測定した外部磁場
ゼロでの残留カー回転角を斜入口・１法（λ＝　６３３
　ｎｍ）で１４１１１定した。斜入射法の具体的１４１
１１定法および装置は、山川相部監修「磁性材料の測定
技術」　（昭和６０年１２　Ｂ　２５日トリケッブス株
式会社発行）第２６１頁〜２６３頁に記載されている。

さらに、本発明の非晶質合金薄膜の耐酸化性を確認する
ため、ガラス基板上に成膜された状態そのままを８５℃
、８５％ＲＨの高温高湿条件のオーブン中に放置する環
境試験を行い、２４０時間以上経過後のカー回転角（θ
ｋ）　保磁力（Ｈｅ　）を測定し、それぞれの試験前の
初期値θｋｏ、　Ｈｃｏと比較した。これらの結果を表
１に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係るｐ　ｄｌｏ　Ｐ　ｔ　ＩＯＮ　
ａ　１４Ｄ　Ｙ　２８　Ｆ　ｅ　３ｏ　ＣＯｔＯの保磁
力の変化および比較例に係るＴｂ２５Ｃｏ７５およびＴ
　ｂ　２５　Ｆ　ｅ　ｅｅ　ＣＯ９の保磁力の変化を示
す図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）［Ｐｄ＿ａＰｔ＿１＿−＿ａ］＿ｙ ［ＲＥ＿ｘＴＭ＿１＿−＿ｘ］＿１＿−＿ｙ（式中、Ｒ
   Ｅは、（ｉ）Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕからなる群
   から選ばれる少なくとも１種の軽希土類と、（ｉｉ）Ｇ
   ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏからなる群から選ばれる少なくと
   も１種の重希土類とからなり、ＴＭは、Ｆｅおよび／ま
   たはＣｏであり、０＜ａ≦１、０．２＜ｘ＜０．７、０
   ．１５≦ｙ≦０．３である） で表わされることを特徴とする膜面に垂直な磁化容易軸
   を有する非晶質合金薄膜。