JPS59103314A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、希土類元素と鉄族元素（ＣＯ＋　Ｆ　ｅ　。

Ｎ１）を主成分とする非晶質磁性薄膜を有し、膜面と垂
直方向に磁化容易方向を有する光磁気記録媒体に関する
ものである。

従来から、希土類元素とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの鉄族元素を
主成分とする一部又は全部が、非晶質な磁性薄膜は、膜
面と垂直な方向に磁化容易軸を有す。

そしてＳ極あるいはＮ極の一方向に、全面磁化されに膜
面に逆向きの小さな（１μ毎径程度）スポット（ビット
）状の反転磁化を作ることが出来る。

この反転磁区の有無をｒＩＪ　ｆ　ｒＯｊに対応するこ
とによって、デジタル信号とした磁気メモリー媒体とし
て用いることができる。このような磁性薄膜のうち、室
温に近いキューリ一点（Ｔｅ）あるいは補償温度をもつ
化合物・合金は、レーザ光等の光又は熱的効果によって
任意の位置に任１（の大きさ・形状の反転磁区全作るこ
とが出来る。こ九を利用することによって情報を記録す
ることが可能であり、ディスク、テープ、シート、ドラ
ム状の光磁気メモリー媒体として利用することが可能と
なりつつある。そして読み出す方法として、研気力１−
効果やファラデー効果を利用する方式が用いられている
。

従来公知である膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、
かつ、光ビームによシ情報に書き込み、読み出せる磁性
膜合金としては、多結晶としてＭｎＢ１．Ｍｎ０ｕＢｉ
、Ｐｔｌｌ０ｏ、ｃｏ＠Ｏｒ、　　単結晶としてＧｄ工
Ｇ、ＴｂＦｅｏ、ＹＧａ工Ｇ、Ｂ１ＳｍＥｒＧａｌＧ１
そし′Ｃ非晶質としてＧａＯ，ＴｂＦｅ、。

ＤｙＦｅ　、ＧｄＦｅＢ１　、ＧｄＴｂＦｅ　、　Ｔｂ
ＤｙＦｅがあるが、この中でも、非晶質磁性膜゛合金が
良い材料として知られ−Ｃいる。

しかし、上述した非晶質磁性膜合金は、書込み感度が良
く、媒体ノイズが少なく、垂直磁気異方性の大面積が安
定に体験出来る。又、磁気特性もメモリ材として適切な
値を持って良いが、読出し性能（Ｓ／Ｎ比）に大きな影
響を与えるカー回転角（θｋ）が小さく、“そのために
Ｓ／Ｎ比が小さくなり、光磁気記録媒体として使用する
ことは困難であるという欠点を有している。

本発明は、上記の従来の欠点を改良し、θｋを太きくし
、ｓ　／　Ｎ比が優れた光磁気記録媒体を提供すること
にある。

本発明の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な大部分の方向
が磁化容易軸の磁気異方性を有するものであり、キュー
リ点（Ｔｃ）および補償温度（Ｔａｏｍｐｔ）が室温に
近く、５０℃〜２００℃を有する大部分が非晶質状態の
薄膜である。

そして、従来から希土類元素（Ｒ）のＧｄ、Ｔｔ）。

ＤｙとＦｅ　、　Ｃｏ　　の上記非晶質合金は、光磁気
効果、Ｔｃ　、Ｔｃｏｍｐｔ　が比較的良いことから光
磁気記録媒体として注目され、研究が進められている。

しかし、よシ侵′Ｊ″ＬｆＣ記録媒体とするにはθにの
大きな優れたものにする必要がある、θｋを太きくする
ことによフ、読み出し性能（ｓ　／　Ｎ比）を良くする
ことが大切である。そしてθｋが大きく、しかもＴｃ　
、Ｔｃｏｍｐｔ、ｉＦｉ気特性は従来の媒体と変らない
か、又はよシ優れた媒体が必要である。今までにもθｋ
を大きくするために、Ｏｒ。

Ｎ　ｉ　、　Ｂ　ｉ　、　Ｏｕ　、　Ａ　ｇ、　、　Ａ
　ｕ　ＦＢ　ｎ　、　ＣＯ、Ｂ等の添加による改良が試
みられている。

本発明では、θｋが大きくなり、しかもその他の特性で
あるＴｃ　、’ｒｃｏｍｐｔ　、　　磁気特性に関して
は、はとんど劣化しない添加元素としてＺｎ。

ｃａのｌｌｌ３族＋　Ａ　ｎ　＋　Ｇ　ａ　＋Ｉｎ、、
ＴＡＯＩＩＩＡ族。

Ｏ８ｉ、Ｇｅ、ＰｂのＩＶＡ族、Ｐ、Ａｓ、５ｂＯＶＡ
族、Ｓ、Ｂｅ、Ｔｅ、ＰｏのＭＡ族を発明したことにあ
る。しかもこれらは、ＲとしてＧａ　、　Ｔｂ　。

Ｄ７以外のＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ！ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ
。

Ｓｍ、ｍｕ、Ｈｏ　、Ｅｒ、Ｔｍ、−Ｙｂ、Ｌｕ　　で
も同、様に効果があることを確認できた。

以下、本発明の詳細な説明する。

Ｒ（＝Ｇｄ、、Ｔｂ　、Ｄｙ　１種以上）とＴ（＝Ｏｏ
。

Ｆｅ）の非ｄ＾質合金Ｍ　ＲＸ　Ｔ　１−Ｘ　は従来か
ら０．１≦Ｘ≦０．４と広く知られている通りである。

（例えば特願昭５５−３０２５１．５５−１７０２３９
゜５５−３７５４７．５０−１０７１０７．５１−２５
５３４゜５１−２５５３４等） そしてこれらは’ｒｅ　、Ｔｃｏｍｐｔが５０℃〜２０
０℃であり、適当な磁気特性（飽和磁化；Ｍｓ、保磁カ
ニ　Ｈａ　、異方性定数：Ｋｕ）を有Ｌ７、垂直な磁化
容易軸を持つ媒体である。そしてこれらは、スパッター
装置、真空蒸着装置、イオンブレーティング装置、その
他の多くの無電解メッキ法によって作製される。一般に
ターゲット（は、溶解法、粉末凝固法、あるいはＲのチ
ップをＴ＃ｉ上に乗゛せ、面積比で合金の組成を変える
複合ターゲツト法で作製される。そして基板にシリコン
ウェハー、ガラス、ＰＭＭＡ　（透明アクリル）、透明
プラスチックを用い、その上に５０Ａ〜数μ程度の膜が
形成される。

本発明においても、同様にして薄膜全作製した。

そしてθｋをレザー光によるカー回転角測定装置によっ
て測定した結果を、第１図、第２図に示した。第１図に
おいてはＲ＝Ｇｄ　、　Ｔ　ｂ　、　ＴｍＯｏ　。

Ｆｅの２劾合で又は０．１≦Ｘ≦０．４の範囲ではいず
れもＹ＝０でのθにの値であるが、ＭとしてＺｎ。

ｃａ、Ａｎ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＡでＹが０．０１＜Ｙ≦０
．４の間で増加している。０．４以上ではあまり効果が
良くないようである。この結果ｔま、本発明の中の他の
Ｅｔ　、　Ｔ　、　Ｍの元素についても同様である。し
かも従来の媒体に、比べ、他の特性はほとんど変化・劣
化が無い。むしろ出猟特性のＨｅは太きく良くなる傾向
がある。

第２図においても、Ｍ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｐ。

Ａｓ、Ｅｌｂ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐａの例を示したが、
第１図の場合と同様になった。

これらの図は、いずれも代表的な結果であるが、本発明
の中のＲ，Ｔ、Ｍの多くの組合せにおいても、同様に良
い結果が得られてｒる。更に本発明の膜は、多結晶、革
結晶においても有効に良い結果が可能となる。

以上、説明した本発明の光磁気記録媒体は、カー効果又
はファラデー効果を利用して読出しを行なう。書き込み
は、レザー光等の光ビームを用いてその光熱磁気効果を
利用するものである。このように、ビーム・アドレッサ
ブルメモリとして利用できる書き換え可能メモリーとな
る。そして、θに大のため、Ｓ／Ｎが優れ、ファイル、
編集用。

フロッピー等のコンピューター用、オーディオ用。

ビデオ用の書き換え可能なメモリーとして広く応用する
ことが可能である。そしてギ↑き込み、読出し、消去等
が、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ　、ＧａＡｆｉＡｓ　　半導体レ
ザーによって可能とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、（Ｒｚ　Ｔ　＋−ｘ　）＋−ｙ　ＭＹにおい
て、Ｒ＝Ｇ（１，ＴＩ）、Ｔ＝Ｆθ、Ｃｏ、０．１≦Ｘ
≦０．４の組成にＭ−＝−Ｚｎ、Ｃｄ、ＡＪ！、Ｇ、ａ
、ＩＣ，ＴＲを加えた時のカー回転角θにと、加えた原
子比Ｙの関係を示すグラフ。 第２図は、（ＲＸ　Ｔ　＋−Ｘ　）＋−ｘ　ＭＹ　　に
おいて、Ｒ＝Ｇｄ、Ｔ’ｂ、Ｄｙ、Ｔ＝Ｏｏ、Ｆｅ、０
．１≦Ｘ≦０．４の組成にＭ＝０．Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、
Ｐ、ＡＳ、Ｓｂ。 Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ’ｇ加えた時のカー回転角θにと
、加えた原子比Ｙの関係を示すグラフである。 第１図 θムじ） □Ｙ 第２層 θｋ（°） □Ｙ−一

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合
   金において、ｚｎ、Ｃ！ｄ、ＡＲ，、’Ｇａ、Ｉｎ。 Ｔｌ、Ｏ，Ｓｉ、’Ｇｅ、Ｐｂ、’Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、８
   ’、８ｅ。 Ｔｅ、ｐｏの１種以上を含有することを特徴とした薄膜
   光磁気記録媒体。
2. （２）合金の一般式（ＲＸＴ　１−Ｘ）１−Ｙｌ［（Ｒ
   はＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙが１種以上である。またＴはＣｏ、
   Ｆｅ、Ｎｉが１種以上である。Ｍは特許請求の範囲第１
   項記載の１種以上の元素である。 そして、Ｘはα１≦Ｘ≦０．４　、　Ｙはα０１≦Ｙ≦
   ０．４である。）で示される組成を有する特許請求の範
   囲第１項記載の薄膜光磁気記録媒体。
3. （３）ＲはＣ）ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｂｅ、Ｙ、Ｌａ、Ｏｅ
   。 Ｐｒ、Ｎａ、Ｐｍ、ａｍ、Ｅｕ、Ｈａ、ＩＩ！；ｒ、Ｔ
   ｍ、Ｙｂ。 Ｌｕが１種以上である特許請求の範囲第２項記載の薄膜
   光磁気記録媒体。