JPS63214940A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63214940A JPS63214940A JP4768387A JP4768387A JPS63214940A JP S63214940 A JPS63214940 A JP S63214940A JP 4768387 A JP4768387 A JP 4768387A JP 4768387 A JP4768387 A JP 4768387A JP S63214940 A JPS63214940 A JP S63214940A
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Links
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明はレーザービームの照射により情報の記録、再生
、消去を行う光磁気記録方式に用いられる光磁気記録媒
体に関するものであり、特に、この記録媒体に用いられ
る新規な記録材料に関するものである。
、消去を行う光磁気記録方式に用いられる光磁気記録媒
体に関するものであり、特に、この記録媒体に用いられ
る新規な記録材料に関するものである。
(発明の背景)
光ディスク、光カード、光テープ等に用いられる光磁気
記録媒体用の記録材料としては希土類金属(RE)と遷
移金g(T14)とのアモルファス合金が一般に良く研
究されており、これら合金はスパッタリング等によって
基板上に1,0OOA程度の厚さの薄膜とされて記録層
をrf4成する。
記録媒体用の記録材料としては希土類金属(RE)と遷
移金g(T14)とのアモルファス合金が一般に良く研
究されており、これら合金はスパッタリング等によって
基板上に1,0OOA程度の厚さの薄膜とされて記録層
をrf4成する。
上記希土類(RE)としてはGd、Tb、Dy等が、ま
た遷移金属(TM)としてはFe、Co等がが一般に用
いられており、最も一般的な組成としてはTbGdFe
、 TbFeCo、 GdCo等を挙げることができる
。
た遷移金属(TM)としてはFe、Co等がが一般に用
いられており、最も一般的な組成としてはTbGdFe
、 TbFeCo、 GdCo等を挙げることができる
。
これら公知の記録材料は、実用的な性能、すなわち記録
−再生特性および耐久性(信頼性)を有し且つ工業レベ
ルで製造できるという点で、一応満足できるものである
が、記録感度の点でさらに優れた記録材料が要求されて
いる。すなわち、光磁気ディスクの持つ大容量記録密度
という特色は利点である反面、転送レートが低いという
欠点にもつながる。この転送レートを上げるためにはデ
ィスクの回転速度を上げなければならないが、従来の記
録材料では記録感度が悪いなめ、回転速度を上げること
ができなかった。
−再生特性および耐久性(信頼性)を有し且つ工業レベ
ルで製造できるという点で、一応満足できるものである
が、記録感度の点でさらに優れた記録材料が要求されて
いる。すなわち、光磁気ディスクの持つ大容量記録密度
という特色は利点である反面、転送レートが低いという
欠点にもつながる。この転送レートを上げるためにはデ
ィスクの回転速度を上げなければならないが、従来の記
録材料では記録感度が悪いなめ、回転速度を上げること
ができなかった。
(従来技術)
RE−TMアモルファス合金の組成に関しては既に多数
の系が提案されている。J、^pp1.Phys、57
(1)1985年4月号、第3906〜3908頁には
Ncly(Fal−xCO)1−yの組成が示されてい
る。特開昭60−107751号には希土類(R[)と
してDyを必須構成要素とする組成が示され、特開昭6
0−117436号にはREとしてNd−Gdを必須構
成要素とする組成が示されている。また、特開昭61−
165846号にはREとしてNdを必須構成要件とす
る組成が示されている。
の系が提案されている。J、^pp1.Phys、57
(1)1985年4月号、第3906〜3908頁には
Ncly(Fal−xCO)1−yの組成が示されてい
る。特開昭60−107751号には希土類(R[)と
してDyを必須構成要素とする組成が示され、特開昭6
0−117436号にはREとしてNd−Gdを必須構
成要素とする組成が示されている。また、特開昭61−
165846号にはREとしてNdを必須構成要件とす
る組成が示されている。
しかし、これらの組成によっても高速書込み特性すなわ
ち記録感度の高い記録材料は得られない。
ち記録感度の高い記録材料は得られない。
本出願人は特願昭62−4088号(発明の名称r光磁
気記録媒体」)において、Nd、Dy、Feを必須成分
とした高感度の光磁気記録膜組成を提案しな、この系は
高速度記録用媒体として優れたものであるが、耐久性の
向上にはさらに改良の余地があることがわかってきた。
気記録媒体」)において、Nd、Dy、Feを必須成分
とした高感度の光磁気記録膜組成を提案しな、この系は
高速度記録用媒体として優れたものであるが、耐久性の
向上にはさらに改良の余地があることがわかってきた。
すなわち、この特許出願の発明の系は結晶化温度(Tc
ry)が低いため、記録−再生を反復していると、記録
膜がアモルファス状態から結晶状態に変化し、その結果
、結晶粒界に起因する雑音が増大し、さらには垂直磁気
異方性に変化が生じるため記録媒体としての信頼性すな
わち耐久性を改善する必要がある。 本出願人は本出願
人による上記の記録膜組成の耐久性を向上させる研究を
続けた結果、本発明を完成させた。
ry)が低いため、記録−再生を反復していると、記録
膜がアモルファス状態から結晶状態に変化し、その結果
、結晶粒界に起因する雑音が増大し、さらには垂直磁気
異方性に変化が生じるため記録媒体としての信頼性すな
わち耐久性を改善する必要がある。 本出願人は本出願
人による上記の記録膜組成の耐久性を向上させる研究を
続けた結果、本発明を完成させた。
(発明の目的)
本発明の目的は記録感度が高く且つ耐久性に優れた光磁
気記録材料を提供することにある。
気記録材料を提供することにある。
本発明の他の目的は高速転送レート用記録媒体に要求さ
れる高い記録感度と読取り性能に直接関係する高いC/
N比とを有し、しかも耐久性に優れた光磁気記録材料を
提供することにある。
れる高い記録感度と読取り性能に直接関係する高いC/
N比とを有し、しかも耐久性に優れた光磁気記録材料を
提供することにある。
(発明の構成)
本発明は、基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する希土類−遷移金属アモルファス合金より成る薄膜が
形成され、このアモルファス合金がネオジム(Nd)と
、ジスプロシウム(Dy)と、鉄(Fe)より成る光磁
気記録媒体において、上記アモルファス合金がさらにゲ
ルマニウム(Ge)を含むことを特徴としている。
する希土類−遷移金属アモルファス合金より成る薄膜が
形成され、このアモルファス合金がネオジム(Nd)と
、ジスプロシウム(Dy)と、鉄(Fe)より成る光磁
気記録媒体において、上記アモルファス合金がさらにゲ
ルマニウム(Ge)を含むことを特徴としている。
上記基板としてはプラスチック、ガラス、セラミック、
金属等任意の材料を用いることができ、その形態として
はディスク、カード、テープ等任意のものにすることが
できる。
金属等任意の材料を用いることができ、その形態として
はディスク、カード、テープ等任意のものにすることが
できる。
本発明の記録媒体は上記基板と上記アモルファス合金薄
膜より成る記録材料の層を必須構成要件とするものであ
るが、これらの他に、公知の他の追加的な膜、例えば、
保護膜、エンハンス膜、断熱膜、光反射膜等を必要に応
じて上記基板および/または記録材料の層の上に形成す
ることができる。
膜より成る記録材料の層を必須構成要件とするものであ
るが、これらの他に、公知の他の追加的な膜、例えば、
保護膜、エンハンス膜、断熱膜、光反射膜等を必要に応
じて上記基板および/または記録材料の層の上に形成す
ることができる。
本発明による上記アモルファス合金より成る記録材料の
薄膜の組成はネオジウム(Nd)と、ジスプロシウム(
Dy)と、鉄(Fe)とゲルマニウム(Ge)とを必須
構成要件としている。
薄膜の組成はネオジウム(Nd)と、ジスプロシウム(
Dy)と、鉄(Fe)とゲルマニウム(Ge)とを必須
構成要件としている。
上記薄膜は常用に従ってスパッタリングや蒸着法といっ
た物理的蒸着(PVD)法によって基板上に形成するこ
とができる。この薄膜の厚さは一本発明による上記合金
組成を下記式: %式% で表わした場合、 0.1 ≦x≦0.4 0,01≦y≦0.05 0.2〈び<0.75 とするのが好ましい、すなわち、Nd−DyのR8元素
の比率(x)が10原子%以下では垂直磁化膜は得られ
ず、逆に40原子%以上ではカー回転角(θk)が急激
に低下するため実用的ではない、また、R8元素の中で
のNdのが含有率(α)は比較的広い範囲の中から選択
できる。Ndのこの含有率(α)を増加させると、換言
すればDyの含有率(1−α)を減少させると、θk、
従って、光磁気効果が増加するが、逆に感度が低下し、
また材料費も増加するので、NdのDyに対する比率(
α)は20から75原子%の範囲内にするのが好ましい
、また、Geの含有率(y)が1原子%未満では耐久性
向上の効果が無く、逆に5原子九を超えると感度または
再生特性が低下する。
た物理的蒸着(PVD)法によって基板上に形成するこ
とができる。この薄膜の厚さは一本発明による上記合金
組成を下記式: %式% で表わした場合、 0.1 ≦x≦0.4 0,01≦y≦0.05 0.2〈び<0.75 とするのが好ましい、すなわち、Nd−DyのR8元素
の比率(x)が10原子%以下では垂直磁化膜は得られ
ず、逆に40原子%以上ではカー回転角(θk)が急激
に低下するため実用的ではない、また、R8元素の中で
のNdのが含有率(α)は比較的広い範囲の中から選択
できる。Ndのこの含有率(α)を増加させると、換言
すればDyの含有率(1−α)を減少させると、θk、
従って、光磁気効果が増加するが、逆に感度が低下し、
また材料費も増加するので、NdのDyに対する比率(
α)は20から75原子%の範囲内にするのが好ましい
、また、Geの含有率(y)が1原子%未満では耐久性
向上の効果が無く、逆に5原子九を超えると感度または
再生特性が低下する。
本発明によるゲルマニウムは本出願人による前記特願昭
62−4088号の希土類金属(Nd−Dy )および
/または遷移金属(Fe、Co )の一部と置換された
ものであって、耐久性以外の記録膜の特性は特願昭62
−4088号記載のものと同じであり、本明4Iiil
lFでは特願昭62−4088号の明細書を参照する。
62−4088号の希土類金属(Nd−Dy )および
/または遷移金属(Fe、Co )の一部と置換された
ものであって、耐久性以外の記録膜の特性は特願昭62
−4088号記載のものと同じであり、本明4Iiil
lFでは特願昭62−4088号の明細書を参照する。
本発明の特に好ましい合金組成はNd、DyおよびFe
の他にTMとしてFeの一部をCoに代えたものである
。このCOを加えることによって磁気光学効果、換言す
ればθkを上げること自体は知られており、本発明でも
Coのこの効果を利用するのが好ましい、TMの中で、
Coの含有率が40原子%を超えるとキュリ一温度(T
c)が220℃以上となり、記録感度が低下するので、
Feに対するCoの比率(β)は40原子%以下にする
のが好ましい。
の他にTMとしてFeの一部をCoに代えたものである
。このCOを加えることによって磁気光学効果、換言す
ればθkを上げること自体は知られており、本発明でも
Coのこの効果を利用するのが好ましい、TMの中で、
Coの含有率が40原子%を超えるとキュリ一温度(T
c)が220℃以上となり、記録感度が低下するので、
Feに対するCoの比率(β)は40原子%以下にする
のが好ましい。
発明による上記合金組成は再生特性(θk)および記録
特性(記録感度)を低下させずに、耐久性を大巾に向上
させることができるバランスのとれた実用性の高い組成
である。
特性(記録感度)を低下させずに、耐久性を大巾に向上
させることができるバランスのとれた実用性の高い組成
である。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
1隻旦ユ
基板に130IIIlφのポリカーボネート、1.6μ
Iピツチ溝付基板と30X301111の研磨ガラスを
用いた。ポリカーボネート基板はC/N比の測定に、研
磨ガラスは磁気特性の測定に供した。電子ビーム蒸着装
置においてチャンバー内を1×1O−7Torr以下ま
で排気した位、基板上に真空溶解したFe75 Co2
5とNd25 DV75とGeとを別々ノ炉から同時に
蒸発させ合11膜厚が100OAになる様にレート(比
)をコントロールして成膜した。
Iピツチ溝付基板と30X301111の研磨ガラスを
用いた。ポリカーボネート基板はC/N比の測定に、研
磨ガラスは磁気特性の測定に供した。電子ビーム蒸着装
置においてチャンバー内を1×1O−7Torr以下ま
で排気した位、基板上に真空溶解したFe75 Co2
5とNd25 DV75とGeとを別々ノ炉から同時に
蒸発させ合11膜厚が100OAになる様にレート(比
)をコントロールして成膜した。
しかる後、酸化防止膜としてS l 02を真空を破る
ことなく100OAの膜厚で、NdDyGeFeCo合
金薄膜上に形成した。
ことなく100OAの膜厚で、NdDyGeFeCo合
金薄膜上に形成した。
組成は蛍光X線により(Nd14Dy86)19Ge2
(Fe80C。
(Fe80C。
20)79であった。カー回転角は波長633nmのH
e−Neレーザより、ガラス基板面より測定しなところ
0.38°であった。HcおよびTcはガラスを10X
6ffilに切断し、VSMにより測定したところそれ
ぞれ5.5kOe、135℃であった。これらの値はい
ずれも実用的光磁気記録媒体としての要求を満す値であ
る。
e−Neレーザより、ガラス基板面より測定しなところ
0.38°であった。HcおよびTcはガラスを10X
6ffilに切断し、VSMにより測定したところそれ
ぞれ5.5kOe、135℃であった。これらの値はい
ずれも実用的光磁気記録媒体としての要求を満す値であ
る。
次に、830 n11の半導体レーザを光源として90
0rpmの回転数でIMHzの信号を4000eの外部
磁界の下で上記ポリカーボネート基板上に形成した記録
膜の半径45mmの位置に記録し、再生した。その結果
、記録パワー4mWにおいて46dBのC/N比が得ら
れた。このC/ N比は実用上の光磁気記録媒体のC/
N比として十分な値である。なお、表中の記録パワーと
は再生デユーティ−が50−50になる記録パワーをい
う。
0rpmの回転数でIMHzの信号を4000eの外部
磁界の下で上記ポリカーボネート基板上に形成した記録
膜の半径45mmの位置に記録し、再生した。その結果
、記録パワー4mWにおいて46dBのC/N比が得ら
れた。このC/ N比は実用上の光磁気記録媒体のC/
N比として十分な値である。なお、表中の記録パワーと
は再生デユーティ−が50−50になる記録パワーをい
う。
上記と同じ位置において上記と同じ信号の書込みと消去
を10,000回反復したC/N比は45dBで、C/
N比の劣化は1dBであった。この光磁気ディスクを6
0℃、90%RHの環境下に放置してC/N比の変化率
を調べた。上記と同じ条件で記録−再生した200時間
および500時間経過後でのC/N比は各々43dBで
、記録膜の劣化が少ないことが示された。
を10,000回反復したC/N比は45dBで、C/
N比の劣化は1dBであった。この光磁気ディスクを6
0℃、90%RHの環境下に放置してC/N比の変化率
を調べた。上記と同じ条件で記録−再生した200時間
および500時間経過後でのC/N比は各々43dBで
、記録膜の劣化が少ないことが示された。
L敷五ユ
実施例1と同じ繰作を繰返したが、Geを入れた炉を使
用しなかっな、記録膜の組成は(Nd140y86)2
1 (Fe80Co20)79であった。
用しなかっな、記録膜の組成は(Nd140y86)2
1 (Fe80Co20)79であった。
この記録膜の成膜直後の磁気特性、記録−再生特性は実
施例1と同じであったが、実施例1と同じ書込みと消去
を反復したところ、100回の反復でC/N比は42d
Bに低下した。
施例1と同じであったが、実施例1と同じ書込みと消去
を反復したところ、100回の反復でC/N比は42d
Bに低下した。
2〜5お び 2〜7
(Nd0.14Dy0.86)xGey(Fed、 9
0CoO,to)1−x−yで表わされる記録g!組成
が本発明の範囲内に入るもの(実施例2〜5)と範囲外
のもの(比較例2〜7)を作った。これは実施例1と同
じ操作で、蒸着レートを変えて行った。
0CoO,to)1−x−yで表わされる記録g!組成
が本発明の範囲内に入るもの(実施例2〜5)と範囲外
のもの(比較例2〜7)を作った。これは実施例1と同
じ操作で、蒸着レートを変えて行った。
結果は表Iにまとめて示しである。
表■
(注)比較例7は記録パワーが高く、実用的ではない。
(発明の効果)
以上の結果より明らかなように、Nd−Dy−Fe−(
Co)系の光磁気記録膜の再生劣化と、経時変化の問題
は本発明によるゲルマニウムの添加によって大巾に改善
することができる。
Co)系の光磁気記録膜の再生劣化と、経時変化の問題
は本発明によるゲルマニウムの添加によって大巾に改善
することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希
土類金属−遷移金属アモルファス合金よりなる薄膜が形
成され、上記アモルファス合金がネオジム(Nd)と、
ジスプロシウム(Dy)と、鉄(Fe)とより成る三元
合金である光磁気記録媒体において、上記アモルファス
合金がさらにゲルマニウム(Ge)を含むことを特徴と
する光磁気記録媒体。 2)上記の鉄(Fe)の一部がコバルト(Co)で置き
換えられていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の光磁気記録媒体。 3)上記薄膜が下記組成: (NdαDy(1−α))_xGey(Fe(1−β)
Coβ)_1_−_x_−_yここで、 0.1≦x≦0.4 0.01≦y≦0.05 0.2≦α≦0.75 0≦β≦0.4 で表わされることを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たは第2項に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4768387A JPS63214940A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4768387A JPS63214940A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63214940A true JPS63214940A (ja) | 1988-09-07 |
Family
ID=12782075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4768387A Pending JPS63214940A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63214940A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59103314A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS61222104A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-10-02 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPS62226450A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP4768387A patent/JPS63214940A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59103314A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS61222104A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-10-02 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPS62226450A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
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