KR930004331B1 - 내산화성 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체 - Google Patents
내산화성 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 Tb-Co의 조성에 따른 보자력(Hc)의 변화.
제2도는 본 발명의 Tb-Co와 종래의 Tb-Fe와의 시간변화에 따른 보자력(Hc)의 변화.
제3도는 본 발명의 Tb-Co층 구조도.
제4도는 본 발명의 Tb-Co의 Ar gas 압력에 따른 회전각(θk)과 반사율(R)의 변화.
제5도는 본 발명의 Tb-Co와 종래의 Tb-Fe와의 시간변화에 따른 반사율(R)의 변화.
본 발명은 자화의 용이 방향이 비정질 기록매체면과 수직한 자기 기록방식을 채택하고 다결정 매체에서 발생하는 입계의 결함(Grainboundary Noise)를 제거하며 고품위의 S/N비(Signal to Ncise Ratio)를 얻음과 동시에 큐리온도(Curis Temperature)를 고용체의 용해도에 의존하지 않고 단지 회토류 금속-천이금속 합금의 조성변화로써 조절할 수 있는 내산화성 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체에 관한 것이다.
종래는 정보 기록 방식의 기록 매체로 Tb-Fe합금을 사용함으로써 시간경과에 따라 자성 매체내의 Tb가 자성매체 표면으로 이송하여 외부의 산소와 결합하여 Tb2O3을 형성하여 자성매체내의 Tb at%를 감소시키는 결점이 있었다.
따라서, 본 발명은 이와같은 결점을 해소시키기 위해 종래의 Tb-Fe 3원계 비정질 수직광열 자기기록매체로써 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체인 새로운 자기기록매체를 제조하게 된 것으로 이에 따른 실시예를 통해 설명하면 다음과 같다.
제3도에서 보는 바와 같이 피치(Pitch)가 2.0㎛의 프레그로브(Pregroove)를 가진 직경 200㎜θ, 두께 2.0㎜의 에폭시(Epoxy) 기판에 보호막으로 AlN를 500Å정도 스퍼터링 한 후 그 위에 비정질 TbxCo100-x(17.5≤X≤25.5at%) 2원계 합금을 1000Å정도 RF 스퍼터링(RF-Sputtaring)법에 의해 증착하여 제조하며 이 비정질 Tb-Co 박막의 보자력(Hc)은 실온에서 5KOe이상이며 250℃에서는 500Oe이하이다. 또한, 수직자기이방성계수 Ku=4-5×105erg/cc이고 케르회전각(θk)값은 0.3˚이상의 물성을 지니며 이것의 스퍼터챔버(Sputter Chamber)내의 Ar gas 압력을 10m Torr이하로 하여 박막의 조직을 미세한 섬유 조직(fine fiber structure)으로 하여서 반사율(R) 캐르회전각을 증가시키었다.
따라서, 제4도는 Tb-Co 박막에 있어서 Ar의 압력에 대한 반사율(R) 및 회전각(θk)의 변화를 나타내고 있으며 이 비정질 자성물질위에 AlN을 다시 500Å정도 스퍼터링하고 그위에 반사막으로써 Al을 1000Å정도 스퍼터링하였다.
이상의 제조과정으로 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체는 제3도와 같이 제조되며, 이 자기 기록 매체에 정보를 기록할 경우 기록 매체 표면 도달 출력이 5mw인 Ga As 반도체 레이저 빔을 디스크 표면에 주사하여 빔의 열원에 의해 디스크내의 기록매체를 승온시키어 자화를 감소시킨후 500Oe의 외부자계를 걸어서 자화의 방향을 반전하여 정보를 기록한다. 또한, 기록된 정보의 재생시에는 기록매체 도달출력이 2.5mw의 출력을 지닌 Ga As 반도체 레이저 빔을 디스크면에 주사하여 자기 광학 효과중의 하나인 캐트 효과를 이용하여 기록된 정보를 재생한다.
이때 본 발명의 구성물질은 큐리온도가 높아서 재생온도에서의 자화값이 크므로 캐트회전각(θk)이 0.3˚이상되며 또한 기록된 정보를 소거할 경우에는 매체도달 출력이 5mw인 Ga As 반도체 빔을 주사한후 50Oe의 외부자계를 가하여 정보를 소거하게되며 이에 대한 본 발명의 조성범위를 TbxCo100-x(10≤X≤30at%) 내의 조성을 선택해야 하며 이 조성범위 이외의 조성을 선택할시에는 조직은 결정화되거나 반자계 에너지(
)가 수직자기 이방성 계수(Xn)보다 큰 값을 가지므로 수직광열 자기기록매체로써 부적당하게 된다.
따라서, 본 발명은 TbxCo100-x(17.5≤X≤25.5at%) 2원계 비정질의 조성을 하고 있으므로써 종래의 Tb-Fe 2원계 비정질 합금에서 시간이 경과함에 따라 조직내에 많은 핀홀(Pin Hole)이 발생하여 Tb원자들을 표면에 이동시킴으로 산소화 결합하여 Tb2O3가 되는 산화 현상과 제2도에서 보는 바와같이 보자력의 변화가 적고 또한 제5도에서와 같이 반사율 변화(ΔR/R) 가 적으므로써 신뢰성을 향상시키었고, 고품위의 S/N비를 이룩하여 정보재생이 고품위화를 이룩하였다.
그리고, 제1도는 본 발명의 Tb-Co의 조성에 따른 보자력의 변호와, 제4도는 본 발명의 Tb-Co의 Ar gas 압력에 따른 회전각과 반사율의 변화를 실험실시하여 도시한 것이다.
Claims (1)
- Tb-Co 비정질 수직 광열 자기 기록매체로써, TbxCo100-x(17.5≤X≤25.5at%)의 조성을 이루도록 함을 특징으로 하는 내산화성 Tb-Co 2원계 비정질 수직 광열 자기 기록 매체.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860005218A KR930004331B1 (ko) | 1986-06-28 | 1986-06-28 | 내산화성 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860005218A KR930004331B1 (ko) | 1986-06-28 | 1986-06-28 | 내산화성 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880000928A KR880000928A (ko) | 1988-03-30 |
| KR930004331B1 true KR930004331B1 (ko) | 1993-05-26 |
Family
ID=19250781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860005218A KR930004331B1 (ko) | 1986-06-28 | 1986-06-28 | 내산화성 Tb-Co 2원계 비정질 수직광열 자기기록매체 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930004331B1 (ko) |
-
1986
- 1986-06-28 KR KR1019860005218A patent/KR930004331B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880000928A (ko) | 1988-03-30 |
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