KR940007286B1 - 정보 기록용 광자기 매체 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 전형적인 광자기 디스크의 구조를 나타낸 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 광자기 디스크의 구조를 나타낸 단면도.
제3도는 시간에 대한 보자력의 관계를 나타낸 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 간섭막
3 : 기록막 4 : 보호막
11 : 유리기판 12 : Al-Si-Ti-N간섭막
13 : TbFe기록막 14 : Al-Si-Ti-N 보호막.
본 발명은 정보 기록용 광자기 매체에 관한 것으로, 특히 Al-Si-Ti-N으로 된 보호막이 형성된 고신뢰성의 정보기록용 광자기 매체에 관한 것이다.
지금까지 통상적으로 사용된 정보기록용 매체로서 자기테이프, 자기디스크 등은 자기기록 및 재생시 발생하는 반자계와 헤드 및 매체간의 고속주행에 따른 접촉문제에 기인하여 기록밀도를 높이는데 한계가 있었다. 이러한 자기기록의 문제를 해결하기 위해 광을 이용한 정보기록의 연구가 시작되어 현재는 컴팩트 디스크, 비디오 디스크등 재생전용의 광디스크가 대량 보급단계에 이르고 있으며, 또한 1회 기록하여 보관 및 재생이 가능한 추기형 광디스크도 문서관리시스팀(Filling system)등에 응용되고 있다. 그러나 궁극적으로 종래의 자기기록매체를 대체할 수 있는 소거 가능형 광디스크는 아직 개발이 완료되지 않은 상태에 있다.
광자기 기록매체는 주로 희토류 금속과 천이금속의 비정질 합금을 사용하고 있으며, 희토류 금속으로는 테르붐(Tb), 가돌리늄(Gd) 또는 디스포로슘(Dy)등이 사용되고, 천이금속으로는 철(Fe) 또는 코발트(Co)동의 원소가 주로 사용된다.
한편, 광자기 기록매체의 기록 방식으로는 온도증가에 따른 보자력(Hc)의 감소를 이용한 큐리점(Curiepoint)기록 방식과 보상점 부근에서의 급격한 보자력(Hc)의 변화를 이용한 보상점 기록방식의 두가지 방법이 실용화 단계에 있다.
전형적인 광자기 디스크의 구조는 제1도에 나타낸 바와 같이, 기판(1)위에 간섭막(2), 기록막(3) 및 보호막(4)이 차례로 적층되어 있다. 상기에서 기판은 유리, 폴리카보네이트 또는 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, 이하 PMMA라 약칭함)등이 주로 사용되고, 기록막은 상기한 바와 같이 희토류금속과 천이금속의 비정질 합금으로서, 예를 들면 TbFeCo등이 사용되고, 보호막과 간섭막은 예를 들면AlN, SiO, SiO2, Si3N4또는 TiO 등의 유전제 물질이 주로 사용된다. 여기에서 보호막은 주로 스퍼터링방법에 의해 형성시키고, 특히 반응 스퍼터링(reactive sputtering)방법을 주로 사용한다.
종래 사용되는 보호층 재료는 광자기 기록매체의 제조시 핀홀(pin hole)등의 발생에 의해 기록층이 선택적으로 산화되어 보자력등의 변화를 초래하며, 이에 따라 정보기록의 상실 또는 에러등의 발생원인이 되고있다. 또한, 종래의 AlN막은 크랙등이 발생하기 쉽고, Si3N4는 O2의 혼입에 의한 광학특성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결한 정보기록용 광자기 매체를 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판위에 간섭막, 기록막 및 보호막이 차례로 적층된 광자기 매체에 있어서, 보호막이 Al-Si-Ti-N의 계로써 이루어지고, 여기에서 Al은 8∼12중량%, Si은 36∼58중량%, Ti는 4∼8중량% 및 N은 25∼48중량% 임을 특징으로 하는 광자기 매체에 관한 것이다.
상기한 보호막의 조성에 있어서, Al이 12중량% 이상이 되거나 Ti가 8중량% 이상이 되면 광자기 매체의 투과도가 저하되는 원인이 된다.
본 발명에 따른 보호막은 Al-Si와 Ti 타게트를 N2 분위기 중에서 반응 스퍼터링 함으로써 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 보호막을 제조하기 위한 실시예를 나타낸다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. Al 40중량%와 Si 60중량%로 된 Al-Si 타게트를 진공용해법에 의해 제조하여, 순도 4N(99.99%) 이상의 Ti 타게트와 함께 공동스퍼터링(Co-sputtering)을 시키면서 적당한 유량의 N2를 흘려 반응시킨다. 이때 최대 진공도는 8×10-8Torr이고, N2의 유입량은 최종 보호막의 조성에 따라 변할 수 있지만, 통상적으로Ar : N2의 양은 약 4.5 : 1의 정도로 한다.
Al-Si와 Ti 타게트는 DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 스퍼터링을 시키며, 이때 보호막의 조성은 각 캐소오드에 가해지는 전압에 따라 조절할 수 있다.
또한 보호막의 조성 및 두께의 균일성을 위해 기판을 1분에 약 30회 정도의 속도로 회전시키면서 스퍼터링 시킨다.
한편, 여기에 사용되는 기판은 상기한 바와 같이 유리, 폴리카보네이트(PC), 또는 PMMA 등이며, 특히 폴리카보네이트를 사용할 때는 기판 온도의 상승을 막기 위해 단시간내에 보호막의 제조를 끝내야만 한다. 예를 들면,1000Å의 Al-Si-Ti-N의 보호막을 제조하는데 약 12분의 시간이 소요되며, 이때 폴리카보네이트 기판의 온도는 약 62℃까지 밖에 상승하지 않기 때문에 기판(PC)의 재질에는 전혀 영향이 없다.
제2도는 본 반명에 따른 일 실시예로서, 유리기판(11)상에 Al-Si-Ti-N의 간섭막(12), Tb-Fe(13)의 기록막 및 Al-Si-Ti-N의 보호막(14)으로 이루어진 광자기 매체를 나타낸 단면도이다.
제3도는 제2도에 따른 광자기 매체, 예를 들면 광학 디스크의 시간에 대한 보자력(Hc)과의 관계를 나타낸 그래프이다.
제3도에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 광자기 매체는 약 1,000시간이 경과한 후에도 보자력(Hc)의변화가 거의 없지만, AlN의 보호막 및 SiO의 보호막을 사용한 광자기 매체는 시간의 경과에 따라 보호막이 선택적으로 산화되어 보자력(Hc)의 값이 증가된다.
이상과 같이 본 반명에 따른 보호막을 사용한 광자기 매체는 이의 사용시간에 대한 보자력(Hc)의 변화를 방지할 수 있기 때문에, 높은 내환경성 및 정보자료 보관의 안정성을 제공하여 고신뢰성의 광자기 매체의 제조를 가능하게 하는 효과가 있다.
Claims (1)
- 기판상에 간섭막, 기록막 및 보호막이 차례로 적층된 정보기록용 광자기 매체에 있어서, 보호막이 Al-Si-Ti-N의 계로써 이루어지고, 여기에서 Al은 8∼12중량%, Si은 36∼58중량%, Ti는 4∼8중량% 및 N은 25∼48중량% 임을 특징으로 하는 정보기록용 광자기 매체.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880012822A KR940007286B1 (ko) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 정보 기록용 광자기 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880012822A KR940007286B1 (ko) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 정보 기록용 광자기 매체 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900005399A KR900005399A (ko) | 1990-04-14 |
| KR940007286B1 true KR940007286B1 (ko) | 1994-08-12 |
Family
ID=19278178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880012822A KR940007286B1 (ko) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 정보 기록용 광자기 매체 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940007286B1 (ko) |
-
1988
- 1988-09-30 KR KR1019880012822A patent/KR940007286B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900005399A (ko) | 1990-04-14 |
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